CN107256878A - 一种有机电致发光显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光显示面板及其制备方法。该制备方法包括：在基底上依次形成阳极、像素限定层、有机发光功能层和阴极，像素限定层位于相邻的像素区域之间且用于包围每个像素区域，还包括：在基底上形成保护层，在对应像素限定层的区域形成金属导电层，金属导电层埋设于保护层内，且与阴极相接触。该制备方法能够减小阴极的电阻，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；还不会额外增加有机电致发光显示面板的制备步骤；不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率，同时还不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种有机电致发光显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现柔性显示，如以可绕曲的塑料基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。
顶发光型AMOLED显示器，阴极对其性能有着至关重要的影响。阴极膜层应有较好的透光性和较强的导电性。传统的阴极材料只有在膜层很薄的情况下其透光性才会很好，但是膜层很薄时，往往会存在断路或形成欧姆接触，相应的功耗就会增加；此外阴极层的厚度变薄，会导致AMOLED显示出现亮度不均匀的问题。因此顶发光AMOLED的阴极需要同时考虑透光性和导电性的问题。为了减少功耗，传统的针对阴极的改进主要是采用高导电性能的金属材料做阴极，如金属银。在镀膜过程中均匀镀膜，通过调节金属膜层的厚度来平衡金属阴极的导电性和透光性。这种方法在满足透光性的前提下，阴极的导电性还是较差，导致功耗偏高。
因此，如何能够同时确保阴极的透光性和导电性，而且又能不增加OLED器件的制备步骤已成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种有机电致发光显示面板及其制备方法。该有机电致发光显示面板的制备方法通过使金属导电层与阴极相接触，能够减小阴极的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；其次，由于金属导电层与保护层同时形成，所以不会额外增加有机电致发光显示面板的制备步骤；另外，由于金属导电层设置于像素限定层所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率，同时还不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
本发明提供一种有机电致发光显示面板的制备方法，包括：在基底上依次形成阳极、像素限定层、有机发光功能层及阴极，所述像素限定层位于相邻的像素区域之间且用于包围每个所述像素区域，还包括：在所述基底上形成保护层，在对应所述像素限定层的区域形成金属导电层，所述金属导电层埋设于所述保护层内，且与所述阴极相接触。
优选地，所述在所述基底上形成保护层，同时在对应所述像素限定层的区域形成金属导电层包括：
在所述阴极上形成金属膜层；
在所述金属膜层上形成光刻胶掩膜层；所述光刻胶掩膜层对应位于所述像素限定层所在区域；
对所述光刻胶掩膜层未覆盖的所述金属膜层进行氧化，使其形成所述保护层；
剥离掉所述光刻胶掩膜层，对所述光刻胶掩膜层覆盖的所述金属膜层部分进行部分氧化，使其表层形成所述保护层，其底层未被氧化的部分为所述金属导电层。
优选地，所述金属导电层的材料包括铝、锌、锡、钽或钛；所述保护层的材料包括氧化铝、氧化锌、二氧化锡、五氧化二钽或氧化钛。
优选地，对所述金属膜层进行氧化包括：
通过在空气中退火对所述金属膜层进行氧化；
或者，采用等离子体氧化处理方法或阳极氧化处理方法对所述金属膜层进行氧化。
优选地，所述退火的温度范围为300～400℃，所述退火的时间范围为1～2小时。
优选地，所述光刻胶掩膜层的面积小于或等于所述像素限定层的面积。
优选地，还包括在所述保护层上方先后形成缓冲层和封装层。
优选地，所述缓冲层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚对苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚四氟乙烯或环氧树脂。
优选地，所述封装层采用氮化硅。
优选地，在所述基底上形成所述阳极之前还包括：在所述基底上先后形成开关管、钝化层和平坦化层，所述阳极与所述开关管的漏极连接。
本发明还提供一种有机电致发光显示面板，包括：基底和依次设置在所述基底上的阳极、像素限定层、有机发光功能层和阴极，所述像素限定层位于相邻的像素区域之间且用于包围每个所述像素区域，还包括设置在所述阴极上方的金属导电层和保护层，所述金属导电层对应位于所述像素限定层所在区域，所述金属导电层和所述保护层同层设置，所述金属导电层埋设于所述保护层内，且与所述阴极相接触。
优选地，所述金属导电层的面积小于或等于所述像素限定层的面积。
优选地，还包括缓冲层和封装层，所述缓冲层和所述封装层依次设置于所述保护层的上方。
优选地，还包括开关管、钝化层和平坦化层，所述开关管、所述钝化层和所述平坦化层设置在所述基底与所述阳极之间，且所述钝化层位于所述开关管的上方，所述平坦化层位于所述钝化层的上方，所述阳极与所述开关管的漏极连接。
本发明的有益效果：本发明所提供的有机电致发光显示面板的制备方法，通过使金属导电层与阴极相接触，能够减小阴极的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；其次，由于金属导电层与保护层同时形成，所以不会额外增加有机电致发光显示面板的制备步骤；另外，由于金属导电层设置于像素限定层所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率，同时还不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
本发明所提供的有机电致发光显示面板，通过保护层能够对该有机电致发光显示面板形成良好的封装，通过使金属导电层与阴极相接触，能够减小阴极的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；另外，由于金属导电层设置于像素限定层所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率；同时，由于金属导电层埋设于保护层内，所以不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
附图说明
图1为本发明实施例1中在基底上形成阴极以及阴极之前的各膜层的结构剖视图；
图2为本发明实施例1中在基底上形成金属膜层的结构剖视图；
图3为本发明实施例1中在基底上形成光刻胶掩膜层的结构剖视图；
图4为本发明实施例1中对光刻胶掩膜层未覆盖的金属膜层进行氧化后的结构剖视图；
图5为本发明实施例1中对光刻胶掩膜层覆盖的金属膜层部分进行部分氧化形成金属导电层的结构剖视图；
图6为本发明实施例1中形成缓冲层和封装层的结构剖视图；
图7为本发明实施例2中有机电致发光显示面板的结构俯视图。
其中的附图标记说明：
1.基底；2.阳极；3.像素限定层；4.有机发光功能层；5.阴极；6.保护层；7.金属导电层；8.开关管；81.漏极；82.栅极；83.栅绝缘层；84.有源层；85.刻蚀阻挡层；86.源极；9.平坦化层；10.钝化层；11.金属膜层；12.光刻胶掩膜层；13.缓冲层；14.封装层；15.像素区域。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种有机电致发光显示面板及其制备方法作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种有机电致发光显示面板的制备方法，如图1-图6所示，包括：在基底1上依次形成阳极2、像素限定层3、有机发光功能层4及阴极5，像素限定层3位于相邻的像素区域之间且用于包围每个像素区域，还包括：在基底1上形成保护层6，在对应像素限定层3的区域形成金属导电层7，金属导电层7埋设于保护层6内，且与阴极5相接触。
其中，像素区域对应为像素单元中的子像素。
通过使金属导电层7与阴极5相接触，能够减小阴极5的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极5发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极5良好透光性的同时提高阴极5的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；其次，由于金属导电层7与保护层6同时形成，所以不会额外增加有机电致发光显示面板的制备步骤；另外，由于金属导电层7设置于像素限定层3所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率。
其中，在基底1上形成阳极2之前还包括：在基底1上先后形成开关管8、钝化层10和平坦化层9，阳极2与开关管8的漏极81连接，如图1所示。在基底1上形成开关管8包括在基底1上先后形成栅极82、栅绝缘层83、有源层84、刻蚀阻挡层85、源极86和漏极81的步骤，各个膜层均采用传统的构图工艺制备而成，此处不再赘述。然后，采用传统构图工艺在制备形成开关管8的基底1上先后制备形成钝化层10和平坦化层9。由于基底1上各膜层在形成平坦化层9之前具有段差，而OLED器件中后续将要形成的阳极2、阴极5以及有机发光功能层4需要制备形成在一个较为平坦的表面上，因此在钝化层10上还需要制备平坦化层9。另外，平坦化层9能使制备形成的OLED阵列基板更加平坦，从而使OLED阵列基板便于封装。该平坦化层9可采用树脂等透过率较高的绝缘材料构成，树脂材料的平坦化层9的厚度设置为2～20um。
本实施例中，在制备形成开关管8、钝化层10和平坦化层9的基底1上先后形成阳极2、像素限定层3、有机发光功能层4和能透光的阴极5的制备方法均采用传统的构图工艺，此处不再赘述。其中，像素限定层3设置于平坦化层9上，像素限定层3位于相邻的像素区域之间且包围每个像素区域，像素限定层3可以由聚酰亚胺材料通过光刻或印刷形成。像素限定层3用于隔离相邻的像素区域，像素限定层3同时覆盖平坦化层9和与其同层设置的每个阳极2的四周边缘部分，每个阳极2的中间部分露出，即像素限定层3在对应每个阳极2中间部分的位置形成有凹槽(即有机电致发光显示面板的开口区域)，在每个像素限定层3的凹槽中可蒸镀形成有机发光功能层4(即红、绿、蓝三色的子像素)。有机发光功能层4包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层等。有机发光功能层4上覆盖有透明的OLED金属阴极5。由于阴极5的膜层厚度较薄，所以金属阴极5能够透光。
需要说明的是，本实施例中OLED阵列基板上各膜层的设置为一种优选的结构设置，但OLED阵列基板上各膜层的设置并不局限于本实施例中的该优选方案。
本实施例中，在基底1上形成保护层6，同时在对应像素限定层3的区域形成金属导电层7包括：
步骤S101：在阴极5上形成金属膜层11，如图2所示。
该步骤中，通过磁控溅射的方式在OLED金属阴极5的上表面生长一层金属薄膜，如铝薄膜。当然，该金属薄膜的材料也可以是锌、锡、钽或钛等金属。
步骤S102：在金属膜层11上形成光刻胶掩膜层12。光刻胶掩膜层12对应位于像素限定层3所在区域。如图3所示。
该步骤中，通过涂胶，曝光，显影的方法，制作出光刻胶掩膜层12，光刻胶掩膜层12位于像素限定层3的正上方，且其面积小于或者等于像素限定层3的面积。如此设置，能使后续形成的金属导电层7的面积小于或等于像素限定层3的面积，从而使金属导电层7的设置不会影响有机电致发光显示面板像素区域的开口率。
步骤S103：对光刻胶掩膜层12未覆盖的金属膜层11进行氧化，使其形成保护层6。如图4所示。
该步骤中，对金属膜层11进行氧化包括：通过在空气中退火对金属膜层11进行氧化。如通过在空气中退火，控制退火时间和温度，如控制退火的温度在300～400℃之间，退火的时间为1～2小时，使得未被光刻胶掩膜层12覆盖的金属铝薄膜完全氧化生成透明的氧化铝薄膜(即保护层6)。氧化铝是一种新型的III-VI族宽禁带半导体材料，氧化铝薄膜在从紫外至中远红外光谱范围内透明度高、吸收小，具有良好的物理和化学性质，是目前最常用的中折射率光学材料，通过控制成膜质量，可以使制得的氧化铝薄膜对光的吸收率极小，透过率非常高。该对金属膜层11氧化的方法同样适用于锌、锡、钽或钛等金属，制备形成的保护层6的材料相应为氧化锌、二氧化锡、五氧化二钽或氧化钛。
或者，该步骤中，也可以采用等离子体氧化处理方法或阳极氧化处理方法对金属膜层11进行氧化。其中，如等离子体氧化处理方法是利用等离子体状态的O2处理阵列基板上的金属铝层，将金属铝氧化成氧化铝(Al2O3)薄膜(即保护层6)。阳极氧化处理方法是以金属铝为阳极，以一石墨或者金属铂作为阴极，在阳极与阴极之间连接一恒压或者恒流的电源，将阳极与阴极均浸泡于电解质溶液中，该电解质溶液为柠檬酸、酒石酸铵溶液等弱酸或弱碱溶液，对阳极与阴极进行通电后，阳极发生的电化学反应为：2Al+3H2O→Al2O3+6e+6H+，阴极发生的电化学反应为：6H2O+6e→3H2+6OH；即阳极发生的反应为金属氧化反应，阳极氧化可以在常温下进行，可在不耐高温的柔性基底上制作，适用于柔性显示器件制备，同时不需要昂贵的化学气相沉积等高温制程设备，能够大大降低制备成本。该对金属膜层11氧化的方法同样适用于锌、锡、钽或钛等金属，制备形成的保护层6的材料相应为氧化锌、二氧化锡、五氧化二钽或氧化钛。
步骤S104：剥离掉光刻胶掩膜层12，对光刻胶掩膜层12覆盖的金属膜层11部分进行部分氧化，使其表层形成保护层6，其底层未被氧化的部分为金属导电层7。如图5所示。
该步骤中，剥离掉光刻胶掩膜层12，继续利用步骤S103中的氧化金属膜层11的方法氧化光刻胶掩膜层12剥离部分的金属膜层11的上表面部分，金属膜层11被光刻胶掩膜层12覆盖的部分的表层被氧化，金属膜层11被光刻胶掩膜层12覆盖的部分的底层未被氧化，成为与OLED金属阴极5电连接的金属导电层7，从而使制作出来的金属导电层7埋设在透明的保护层6中，其中金属导电层7的上表面的高度小于保护层6的上表面的高度。本实施例中，如金属铝薄膜被光刻胶掩膜层12覆盖的部分的底层未被氧化，成为与OLED金属阴极5电连接的网格状的铝导电层。使制作出来的铝导电层埋设在透明的氧化铝薄膜中，其中铝导电层的上表面的高度小于氧化铝薄膜的上表面的高度，从而不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
本实施例中，有机电致发光显示面板的制备方法还包括在保护层6上方先后形成缓冲层13和封装层14，如图6所示。
其中，缓冲层13一般采用有机材料，如缓冲层13采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚对苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚四氟乙烯或环氧树脂等有机材料。封装层14采用氮化硅。氮化硅对水和氧具有良好的阻隔性能。
另外，缓冲层13和封装层14采用传统的构图工艺制备而成，具体不再赘述。
实施例1的有益效果：实施例1中所提供的有机电致发光显示面板的制备方法，通过使金属导电层与阴极相接触，能够减小阴极的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；其次，由于金属导电层与保护层同时形成，所以不会额外增加有机电致发光显示面板的制备步骤；另外，由于金属导电层设置于像素限定层所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率，同时还不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
实施例2：
基于实施例1中所提供的有机电致发光显示面板的制备方法，本实施例提供一种采用该制备方法制备而成的有机电致发光显示面板，如图6和图7所示，包括：基底1和依次设置在基底1上的阳极2、像素限定层3、有机发光功能层4和阴极5，像素限定层3位于相邻的像素区域15之间且用于包围每个像素区域15，还包括设置在阴极5上方的金属导电层7和保护层6，金属导电层7对应位于像素限定层3所在区域，金属导电层7和保护层6同层设置，金属导电层7埋设于保护层6内，且与阴极5相接触。
其中，像素区域15对应为像素单元中的子像素。
通过保护层6能够对该有机电致发光显示面板形成良好的封装，通过使金属导电层7与阴极5相接触，能够减小阴极5的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极5发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极5良好透光性的同时提高阴极5的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；另外，由于金属导电层7设置于像素限定层3所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率；同时，由于金属导电层7埋设于保护层6内，所以不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
本实施例中，金属导电层7的面积小于或等于像素限定层3的面积。如此设置，使金属导电层7不会占用像素区域的开口面积，从而使金属导电层7的设置不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率。
另外，本实施例中，有机电致发光显示面板还包括开关管8、钝化层10和平坦化层9，开关管8、钝化层10和平坦化层9设置在基底1与阳极2之间，且钝化层10位于开关管8的上方，平坦化层9位于钝化层10的上方，阳极2与开关管8的漏极81连接。其中，开关管8包括依次叠覆在基底1上的栅极82、栅绝缘层83、有源层84、刻蚀阻挡层85、源极86和漏极81；钝化层10和平坦化层9依次设置于源极86和漏极81的上方；阳极2通过开设在钝化层10和平坦化层9中的过孔连接漏极81。其中，平坦化层9能使有机发光功能层4形成在一个较为平坦的表面上，同时还能使形成的OLED阵列基板更加平坦，从而使OLED阵列基板便于封装。
本实施例中，像素限定层3设置于平坦化层9上，像素限定层3位于相邻的像素区域15之间且包围每个像素区域15，像素限定层3用于隔离相邻的像素区域15，像素限定层3同时覆盖平坦化层9和与其同层设置的每个阳极2的四周边缘部分，每个阳极2的中间部分露出，即像素限定层3在对应每个阳极2中间部分的位置形成有凹槽(即有机电致发光显示面板的开口区域)，在每个像素限定层3的凹槽中设置有有机发光功能层4(即红、绿、蓝三色的子像素)。有机发光功能层4包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层等。有机发光功能层4上覆盖有透明的OLED金属阴极5。由于阴极5的膜层厚度较薄，所以金属阴极5能够透光。
本实施例中，有机电致发光显示面板还包括缓冲层13和封装层14，缓冲层13和封装层14依次设置于保护层6的上方。其中，缓冲层13一般采用有机材料，封装层14采用氮化硅材料，缓冲层13和封装层14的设置，能够对OLED器件形成进一步的封装保护，防止水和氧入侵至OLED器件内部。
实施例2的有益效果：实施例2中所提供的OLED器件，通过保护层能够对该有机电致发光显示面板形成良好的封装，通过使金属导电层与阴极相接触，能够减小阴极的电阻，同时防止能够透光的膜层厚度较薄的阴极发生断路或形成欧姆接触，从而能够在确保阴极良好透光性的同时提高阴极的导电性，进而提高有机电致发光显示面板显示的均匀性；另外，由于金属导电层设置于像素限定层所在区域内，所以不会影响有机电致发光显示面板的像素开口率；同时，由于金属导电层埋设于保护层内，所以不会额外地增加有机电致发光显示面板上表面的段差。
本发明所提供的有机电致发光显示面板可以为有机电致发光电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种有机电致发光显示面板的制备方法，包括：在基底上依次形成阳极、像素限定层、有机发光功能层及阴极，所述像素限定层位于相邻的像素区域之间且用于包围每个所述像素区域，其特征在于，还包括：在所述基底上形成保护层，在对应所述像素限定层的区域形成金属导电层，所述金属导电层埋设于所保护层内，且与所述阴极相接触。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成保护层，在对应所述像素限定层的区域形成金属导电层包括：
在所述阴极上形成金属膜层；
在所述金属膜层上形成光刻胶掩膜层；所述光刻胶掩膜层对应位于所述像素限定层所在区域；
对所述光刻胶掩膜层未覆盖的所述金属膜层进行氧化，使其形成所述保护层；
剥离掉所述光刻胶掩膜层，对所述光刻胶掩膜层覆盖的所述金属膜层部分进行部分氧化，使其表层形成所述保护层，其底层未被氧化的部分为所述金属导电层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述金属导电层的材料包括铝、锌、锡、钽或钛；所述保护层的材料包括氧化铝、氧化锌、二氧化锡、五氧化二钽或氧化钛。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，对所述金属膜层进行氧化包括：
通过在空气中退火对所述金属膜层进行氧化；
或者，采用等离子体氧化处理方法或阳极氧化处理方法对所述金属膜层进行氧化。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述退火的温度范围为300～400℃，所述退火的时间范围为1～2小时。
6.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述光刻胶掩膜层的面积小于或等于所述像素限定层的面积。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，还包括在所述保护层上方先后形成缓冲层和封装层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚对苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚四氟乙烯或环氧树脂。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述封装层采用氮化硅。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成所述阳极之前还包括：在所述基底上先后形成开关管、钝化层和平坦化层，所述阳极与所述开关管的漏极连接。
11.一种有机电致发光显示面板，包括：基底和依次设置在所述基底上的阳极、像素限定层、有机发光功能层和阴极，所述像素限定层位于相邻的像素区域之间且用于包围每个所述像素区域，其特征在于，还包括设置在所述阴极上方的金属导电层和保护层，所述金属导电层对应位于所述像素限定层所在区域，所述金属导电层和所述保护层同层设置，所述金属导电层埋设于所述保护层内，且与所述阴极相接触。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述金属导电层的面积小于或等于所述像素限定层的面积。
13.根据权利要求11所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，还包括缓冲层和封装层，所述缓冲层和所述封装层依次设置于所述保护层的上方。
14.根据权利要求11所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，还包括开关管、钝化层和平坦化层，所述开关管、所述钝化层和所述平坦化层设置在所述基底与所述阳极之间，且所述钝化层位于所述开关管的上方，所述平坦化层位于所述钝化层的上方，所述阳极与所述开关管的漏极连接。
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