CN107689345A - Tft基板及其制作方法与oled面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法首先在缓冲层上形成覆盖栅极与有源层的第一层间绝缘层，并将第一层间绝缘层的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极表面的金属铜不被氧化，保证栅极性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层中；进一步的，在第一层间绝缘层上方形成第二层间绝缘层，并将第二层间绝缘层的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层中，保证有源层的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。本发明的TFT基板采用上述TFT基板的制作方法制得，其栅极与有源层的性能稳定，TFT器件具有较强的工作稳定性。

Description

TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，非晶硅(a-Si)材料是比较常见的一种。然而，随着液晶显示装置和OLED显示装置朝着大尺寸和高分辨率的方向发展，传统的a-Si仅有1cm2/(Vs)左右的迁移率已经无法满足要求，以铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的金属氧化物材料具备超过10cm2/(Vs)以上的迁移率，而且相应薄膜晶体管的制备与现有的a-Si为半导体驱动的薄膜晶体管产线的兼容性好，近年来迅速成为显示领域研发的重点。
顶栅自对准氧化物半导体TFT是OLED面板中常见的TFT类型，在顶栅自对准氧化物半导体TFT的制程中，通常需要在氧化物半导体层与栅极上覆盖层间绝缘层(Inter LayerDielectric，ILD)，层间绝缘层的材料通常在氮化硅(SiNx)与氧化硅(SiOx)中选择，由于氮化硅的化学气相沉积制程需要通入氨气(NH3)，而氨气容易将过多的氢元素引入到氧化物半导体层中，导致氧化物半导体层的性能劣化，因此本领域一般选择氧化硅材料来制作层间绝缘层，避免在氧化物半导体层中引入过多的氢元素，然而，由于氧化硅的化学气相沉积制程需要通入一氧化二氮(N2O)，而一氧化二氮容易对栅极表面的金属铜进行氧化，从而造成TFT器件性能出现异常。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够保护栅极表面的金属铜不被氧化，保证栅极性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层中，保证有源层的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。
本发明的目的还在于提供一种TFT基板，采用上述TFT基板的制作方法制得，TFT器件具有较强的工作稳定性。
本发明的目的还在于提供一种OLED面板的制作方法，采用上述TFT基板的制作方法制作TFT基板，能够保证TFT器件具有较强的工作稳定性，从而保证OLED面板具有较好的发光稳定性。
本发明的目的还在于提供一种OLED面板，含有上述TFT基板，其TFT器件具有较强的工作稳定性，因此OLED面板具有较好的发光稳定性。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成遮光层，在所述衬底基板上形成覆盖所述遮光层的缓冲层，在所述缓冲层上形成对应于所述遮光层上方的有源层，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料；
步骤2、在所述有源层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极，所述栅极与栅极绝缘层上下对齐，所述栅极与栅极绝缘层在有源层上限定出对应于栅极绝缘层下方的沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极接触区与漏极接触区；
对有源层的源极接触区与漏极接触区进行导体化处理，使源极接触区与漏极接触区的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；
步骤3、在所述缓冲层上形成覆盖所述栅极与有源层的第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层的材料包括氮氧化硅；
在所述第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层的材料包括氧化硅；
步骤4、在所述第一层间绝缘层与第二层间绝缘层上形成分别对应于源极接触区与漏极接触区上方的第一通孔与第二通孔；
在所述第二层间绝缘层上形成源极与漏极，所述源极与漏极分别通过第一通孔与第二通孔和有源层的源极接触区与漏极接触区电性连接，制得TFT基板。
所述氮氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷、氨气及一氧化二氮；所述氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷与一氧化二氮。
所述第一层间绝缘层的厚度小于所述第二层间绝缘层的厚度。
所述第一层间绝缘层的厚度为所述第二层间绝缘层的厚度为
所述步骤2包括：
在所述缓冲层上形成覆盖所述有源层的栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积栅极金属层；
在所述栅极金属层上形成光阻层，利用黄光制程对所述光阻层进行图形化处理，保留下来的光阻层在所述栅极金属层上定义出栅极图案；
以所述光阻层为阻挡层，对所述栅极金属层进行蚀刻，得到对应于有源层上方的栅极；
以所述光阻层与栅极为阻挡层，对栅极绝缘层进行蚀刻，仅保留对应于栅极下方的部分，其余部分均被蚀刻去除，保留的栅极绝缘层位于有源层上并与栅极上下对齐，所述栅极与栅极绝缘层在有源层上限定出对应于栅极绝缘层下方的沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极接触区与漏极接触区；
以光阻层、栅极与栅极绝缘层为阻挡层，对有源层进行等离子体处理，使源极接触区与漏极接触区的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；等离子体处理制程结束后，剥离光阻层。
本发明还提供一种TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的遮光层、设于所述衬底基板上且覆盖所述遮光层的缓冲层、设于所述缓冲层上且对应于所述遮光层上方的有源层、设于所述有源层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且与所述栅极绝缘层上下对齐的栅极、设于所述缓冲层上且覆盖所述栅极与有源层的第一层间绝缘层、设于所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层、以及设于所述第二层间绝缘层上的源极与漏极；
所述第一层间绝缘层的材料包括氮氧化硅，所述第二层间绝缘层的材料包括氧化硅；
所述有源层包括对应于栅极绝缘层下方的沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极接触区与漏极接触区，所述源极接触区与漏极接触区的材料为导体化的金属氧化物半导体材料，所述沟道区的材料为保持半导体特性的金属氧化物半导体材料；
所述第一层间绝缘层与第二层间绝缘层上设有分别对应于源极接触区与漏极接触区上方的第一通孔与第二通孔；所述源极与漏极分别通过第一通孔与第二通孔和有源层的源极接触区与漏极接触区电性连接。
所述第一层间绝缘层的厚度小于所述第二层间绝缘层的厚度。
所述第一层间绝缘层的厚度为所述第二层间绝缘层的厚度为
本发明还提供一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤10、按照如上文所述的TFT基板的制作方法制得TFT基板；
步骤20、在所述TFT基板的第二层间绝缘层上形成覆盖源极与漏极的钝化层，并在所述钝化层上蚀刻形成对应于源极上方的第一过孔；
在所述钝化层上形成平坦层，并采用黄光制程在所述平坦层上形成第二过孔，所述第一过孔与第二过孔上下对应且相互贯通，共同构成第三通孔；
步骤30、在所述平坦层上形成OLED阳极，所述OLED阳极经由第三通孔与源极相接触；
步骤40、在所述平坦层与OLED阳极上形成像素定义层，并采用黄光制程在所述像素定义层上形成对应于所述OLED阳极上方的开口；
步骤50、在所述开口内的OLED阳极上形成有机发光层；
步骤60、在所述像素定义层及所述开口内的有机发光层上形成阴极。
本发明还提供一种OLED面板，包括：如上文所述的TFT基板、设于所述TFT基板的第二层间绝缘层上且覆盖源极与漏极的钝化层、设于所述钝化层上的平坦层、设于所述平坦层上的OLED阳极、设于所述平坦层与OLED阳极上的像素定义层、设于所述像素定义层上且对应于所述OLED阳极上方的开口、设于所述开口内且位于所述OLED阳极上的有机发光层、以及设于所述像素定义层与有机发光层上的阴极；
所述钝化层与平坦层上设有对应于源极上方的第三通孔，所述OLED阳极经由第三通孔与源极相接触。
本发明的有益效果：本发明的TFT基板的制作方法首先在缓冲层上形成覆盖栅极与有源层的第一层间绝缘层，并将第一层间绝缘层的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极表面的金属铜不被氧化，保证栅极性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层中；进一步的，在第一层间绝缘层上方形成第二层间绝缘层，并将第二层间绝缘层的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层中，保证有源层的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。本发明的TFT基板采用上述TFT基板的制作方法制得，其栅极与有源层的性能稳定，TFT器件具有较强的工作稳定性。本发明的OLED面板的制作方法采用上述TFT基板的制作方法制作TFT基板，能够保证TFT器件具有较强的工作稳定性，从而保证OLED面板具有较好的发光稳定性。本发明的OLED面板含有上述TFT基板，其TFT器件具有较强的工作稳定性，因此OLED面板具有较好的发光稳定性。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的TFT基板的制作方法的流程图；
图2为本发明的TFT基板的制作方法的步骤1的示意图；
图3至图8为本发明的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
图9为本发明的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
图10为现有的顶栅自对准氧化物半导体TFT制程中制作完氧化硅材料的层间绝缘层后的显微镜照片；
图11为本发明的TFT基板的制作方法中制作完第二层间绝缘层后的显微镜照片；
图12为本发明的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图及本发明的TFT基板的结构示意图；
图13为本发明的OLED面板的制作方法的流程图；
图14为本发明的OLED面板的制作方法的步骤20至步骤60的参考示意图及本发明的OLED面板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成遮光层20，在所述衬底基板10上形成覆盖所述遮光层20的缓冲层30，在所述缓冲层30上形成对应于所述遮光层20上方的有源层40，所述有源层40的材料为金属氧化物半导体材料。
具体的，在制作遮光层20之前，还需要对所述衬底基板10进行清洗。
具体的，通过在衬底基板10上沉积一层金属并利用一道黄光和蚀刻制程得到所述遮光层20。
具体的，所述遮光层20的面积大于所述有源层40的面积，且所述遮光层20在衬底基板10上的正投影覆盖所述有源层40在衬底基板10上的正投影，从而使所述遮光层20能够对有源层40进行完全遮盖，防止有源层40受到光线照射造成TFT阈值电压负漂，提升TFT的工作稳定性。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述遮光层20的厚度为所述遮光层20的材料为金属；优选的，所述遮光层20的材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种的合金。
具体的，所述缓冲层30的厚度为所述缓冲层30的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述有源层40的厚度为所述金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的一种或多种。
步骤2、如图3至图8所示，在所述有源层40上形成栅极绝缘层50，在所述栅极绝缘层50上形成栅极60，所述栅极60与栅极绝缘层50上下对齐，所述栅极60与栅极绝缘层50在有源层40上限定出对应于栅极绝缘层50下方的沟道区41以及分别位于沟道区41两侧的源极接触区42与漏极接触区43；
对有源层40的源极接触区42与漏极接触区43进行导体化处理，使源极接触区42与漏极接触区43的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区41的金属氧化物半导体材料保持半导体特性。
具体的，所述步骤2包括：
如图3所示，在所述缓冲层30上形成覆盖所述有源层40的栅极绝缘层50，在所述栅极绝缘层50上沉积栅极金属层51；
如图4所示，在所述栅极金属层51上形成光阻层52，利用黄光制程对所述光阻层52进行图形化处理，保留下来的光阻层52在所述栅极金属层51上定义出栅极图案；
如图5所示，以所述光阻层52为阻挡层，对所述栅极金属层51进行蚀刻，得到对应于有源层40上方的栅极60；
如图6所示，以所述光阻层52与栅极60为阻挡层，对栅极绝缘层50进行蚀刻，仅保留对应于栅极60下方的部分，其余部分均被蚀刻去除，保留的栅极绝缘层50位于有源层40上并与栅极60上下对齐，所述栅极60与栅极绝缘层50在有源层40上限定出对应于栅极绝缘层50下方的沟道区41以及分别位于沟道区41两侧的源极接触区42与漏极接触区43；
如图7所示，以光阻层52、栅极60与栅极绝缘层50为阻挡层，对有源层40进行等离子体处理，使源极接触区42与漏极接触区43的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区41的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；如图8所示，等离子体处理制程结束后，剥离光阻层52。
对有源层40进行等离子体处理后，能够降低源极接触区42与漏极接触区43的金属氧化物半导体材料中的氧元素含量，使金属氧化物半导体材料的电阻率下降，变为导体。
具体的，所述栅极绝缘层50的厚度为所述栅极绝缘层50的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述栅极60的厚度为所述栅极60包括设于所述栅极绝缘层50上的第一栅极层与设于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二栅极层的材料为铜(Cu)。
具体的，所述等离子体包括氦气等离子体、氩气等离子体及氨气等离子体中的一种或多种。
具体的，所述金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物(IGZO)时，等离子体处理之前，所述铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X1，其中X1介于1和10之间，等离子体处理之后，所述铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X2，其中X2小于1。因此，对有源层40进行等离子体处理后，所述有源层40的源极接触区42与漏极接触区43的铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X2，其中X2小于1，所述有源层40的沟道区41的铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X1，其中X1介于1和10之间。
本发明采用顶栅自对准结构，利用栅极60和栅极绝缘层50在有源层40上定义出对应于栅极绝缘层50下方的沟道区41以及分别位于沟道区41两侧的源极接触区42与漏极接触区43，在有源层40的等离子体处理过程中，所述栅极60和栅极绝缘层50能够保护有源层40的沟道区41不被导体化。
步骤3、如图9所示，在所述缓冲层30上形成覆盖所述栅极60与有源层40的第一层间绝缘层71，所述第一层间绝缘层71的材料包括氮氧化硅(SiOxNy)；
在所述第一层间绝缘层71上形成第二层间绝缘层72，所述第二层间绝缘层72的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述氮氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷、氨气(NH3)及一氧化二氮(N2O)。所述硅烷优选为甲硅烷(SiH4)。
具体的，所述氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷与一氧化二氮(N2O)。所述硅烷优选为甲硅烷(SiH4)。
具体的，所述第一层间绝缘层71的厚度小于所述第二层间绝缘层72的厚度。
优选的，所述第一层间绝缘层71的厚度为所述第二层间绝缘层72的厚度为
已知氮化硅(SiNx)的化学气相沉积制程采用的反应气体包括硅烷与氨气(NH3)，其中氨气容易将氢元素引入到有源层40中，导致金属氧化物半导体材料的性能劣化，而氧化硅(SiOx)的化学气相沉积制程需要通入一氧化二氮(N2O)，因此容易对栅极60表面的金属铜进行氧化；本发明将第一层间绝缘层71的材料设置为氮氧化硅，与氧化硅相比，减小了一氧化二氮的引入，保护栅极60表面的金属铜不被氧化，与氮化硅相比，减少了氨气的引入，防止过多的氢元素被引入到有源层40中；本发明将第二层间绝缘层72的材料设置为氧化硅，与氮化硅相比，能够避免引入氨气，防止过多的氢元素被引入到有源层40中，保证有源层40的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。
图10为现有的顶栅自对准氧化物半导体TFT制程中制作完氧化硅材料的层间绝缘层后的显微镜照片，从图10中可以看出，栅极金属层(灰色区域)表面的铜被严重氧化，栅极金属层的表面粗糙不平，因此容易造成TFT器件的性能劣化，工作不稳定；图11为本发明的TFT基板的制作方法中制作完第二层间绝缘层后的显微镜照片，从图11中可以看出，栅极金属层(白色区域)表面的铜基本上没有被氧化，栅极金属层的表面光滑，保证TFT器件的工作稳定性。
步骤4、如图12所示，在所述第一层间绝缘层71与第二层间绝缘层72上形成分别对应于源极接触区42与漏极接触区43上方的第一通孔721与第二通孔722；
在所述第二层间绝缘层72上形成源极81与漏极82，所述源极81与漏极82分别通过第一通孔721与第二通孔722和有源层40的源极接触区42与漏极接触区43电性连接，制得TFT基板100。
具体的，通过在所述第二层间绝缘层72上沉积金属层并图案化得到所述源极81与漏极82。
具体的，所述源极81与漏极82的厚度均为所述源极81与漏极82均包括设于所述第二层间绝缘层72上的第一金属层与设于所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二金属层的材料为铜(Cu)。
上述TFT基板的制作方法制得的TFT为顶栅自对准结构的氧化物半导体TFT，也即是说，理论上，所述栅极60与栅极绝缘层50上下对齐，尺寸一致，但是实际生产中制得的栅极60的尺寸往往略小于栅极绝缘层50的尺寸，因此，本申请中描述的“所述栅极60与栅极绝缘层50上下对齐”这一技术特征仅用来表示本申请的TFT具有顶栅自对准结构，并不表示“所述栅极60与栅极绝缘层50”在尺寸上不存在任何差异，凡是与本发明构思相同，且采用顶栅自对准工艺制作的TFT结构及制作方法均属于本发明的保护范围。
上述TFT基板的制作方法首先在缓冲层30上形成覆盖栅极60与有源层40的第一层间绝缘层71，并将第一层间绝缘层71的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极60表面的金属铜不被氧化，保证栅极60性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层40中；进一步的，在第一层间绝缘层71上方形成第二层间绝缘层72，并将第二层间绝缘层72的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层40中，保证有源层40的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。
请参阅图12，基于上述TFT基板的制作方法，本发明还提供一种TFT基板100，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的遮光层20、设于所述衬底基板10上且覆盖所述遮光层20的缓冲层30、设于所述缓冲层30上且对应于所述遮光层20上方的有源层40、设于所述有源层40上的栅极绝缘层50、设于所述栅极绝缘层50上且与所述栅极绝缘层50上下对齐的栅极60、设于所述缓冲层30上且覆盖所述栅极60与有源层40的第一层间绝缘层71、设于所述第一层间绝缘层71上的第二层间绝缘层72、以及设于所述第二层间绝缘层72上的源极81与漏极82；
所述第一层间绝缘层71的材料包括氮氧化硅，所述第二层间绝缘层72的材料包括氧化硅；
所述有源层40包括对应于栅极绝缘层50下方的沟道区41以及分别位于沟道区41两侧的源极接触区42与漏极接触区43，所述源极接触区42与漏极接触区43的材料为导体化的金属氧化物半导体材料，所述沟道区41的材料为保持半导体特性的金属氧化物半导体材料；
所述第一层间绝缘层71与第二层间绝缘层72上设有分别对应于源极接触区42与漏极接触区43上方的第一通孔721与第二通孔722；所述源极81与漏极82分别通过第一通孔721与第二通孔722和有源层40的源极接触区42与漏极接触区43电性连接。
具体的，所述遮光层20的面积大于所述有源层40的面积，且所述遮光层20在衬底基板10上的正投影覆盖所述有源层40在衬底基板10上的正投影，从而使所述遮光层20能够对有源层40进行完全遮盖，防止有源层40受到光线照射造成TFT阈值电压负漂，提升TFT的工作稳定性。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述遮光层20的厚度为所述遮光层20的材料为金属；优选的，所述遮光层20的材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种的合金。
具体的，所述缓冲层30的厚度为所述缓冲层30的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述有源层40的厚度为所述金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的一种或多种。
具体的，所述栅极绝缘层50的厚度为所述栅极绝缘层50的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述栅极60的厚度为所述栅极60包括设于所述栅极绝缘层50上的第一栅极层与设于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二栅极层的材料为铜(Cu)。
具体的，所述源极81与漏极82的厚度均为所述源极81与漏极82均包括设于所述第二层间绝缘层72上的第一金属层与设于所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、或者钼钛合金，所述第二金属层的材料为铜(Cu)。
具体的，所述金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物(IGZO)时，所述有源层40的源极接触区42与漏极接触区43的铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X2，其中X2小于1，所述有源层40的沟道区41的铟镓锌氧化物中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X1，其中X1介于1和10之间。
具体的，所述第一层间绝缘层71的厚度小于所述第二层间绝缘层72的厚度。
优选的，所述第一层间绝缘层71的厚度为所述第二层间绝缘层72的厚度为
上述TFT基板将设于缓冲层30上且覆盖栅极60与有源层40的第一层间绝缘层71的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极60表面的金属铜不被氧化，保证栅极60性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层40中；进一步的，将设于第一层间绝缘层71上方的第二层间绝缘层72的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层40中，保证有源层40的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。
请参阅图13，基于上述TFT基板的制作方法，本发明还提供一种OLED面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤10、请参阅图1至图12，按照上述TFT基板的制作方法制得TFT基板100。
步骤20、请参阅图14，在所述TFT基板100的第二层间绝缘层72上形成覆盖源极81与漏极82的钝化层90，并在所述钝化层90上蚀刻形成对应于源极81上方的第一过孔901；
在所述钝化层90上形成平坦层91，并采用黄光制程在所述平坦层91上形成第二过孔912，所述第一过孔901与第二过孔912上下对应且相互贯通，共同构成第三通孔913。
具体的，所述钝化层90的厚度为所述钝化层90的材料包括氧化硅(SiOx)。
具体的，所述平坦层91的厚度为所述平坦层91的材料为有机光阻材料，所述有机光阻材料的成分和类型不限。
步骤30、请参阅图14，在所述平坦层91上形成OLED阳极92，所述OLED阳极92经由第三通孔913与源极81相接触。
具体的，所述OLED阳极92的厚度为所述OLED阳极92的材料包括透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物优选为氧化铟锡(ITO)。
步骤40、请参阅图14，在所述平坦层91与OLED阳极92上形成像素定义层93，并采用黄光制程在所述像素定义层93上形成对应于所述OLED阳极92上方的开口935。
具体的，所述像素定义层93的厚度为所述像素定义层93的材料为有机光阻材料，所述有机光阻材料的成分和类型不限。
具体的，所述开口935的面积小于所述OLED阳极92的面积，保证所述开口935的底部铺满阳极材料。
步骤50、请参阅图14，在所述开口935内的OLED阳极92上形成有机发光层94。
具体的，所述有机发光层94包括在所述OLED阳极92上从下至上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、及电子传输层。
具体的，所述有机发光层94采用蒸镀或喷墨打印(IJP)技术制作。
步骤60、请参阅图14，在所述像素定义层93及所述开口935内的有机发光层94上形成阴极95。至此，完成OLED面板的制作。
具体的，所述阴极95的材料为金属，优选为银。
具体的，所述阴极95具有足够薄的厚度和良好的透光性，使得有机发光层94发出的光可以从所述阴极95中射出。
上述OLED面板的制作方法采用上述TFT基板的制作方法制作TFT基板，能够保证栅极60与有源层40的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性，从而保证OLED面板具有较好的发光稳定性。
请参阅图14，基于上述OLED面板的制作方法，本发明还提供一种OLED面板，包括：如上文所述的TFT基板100、设于所述TFT基板100的第二层间绝缘层72上且覆盖源极81与漏极82的钝化层90、设于所述钝化层90上的平坦层91、设于所述平坦层91上的OLED阳极92、设于所述平坦层91与OLED阳极92上的像素定义层93、设于所述像素定义层93上且对应于所述OLED阳极92上方的开口935、设于所述开口935内且位于所述OLED阳极92上的有机发光层94、以及设于所述像素定义层93与有机发光层94上的阴极95；
所述钝化层90与平坦层91上设有对应于源极81上方的第三通孔913，所述OLED阳极92经由第三通孔913与源极81相接触。
具体的，所述第三通孔913包括设于所述钝化层90上的第一过孔901与设于所述平坦层91的第二过孔912，所述第一过孔901与第二过孔912上下对应且相互贯通。
具体的，所述开口935的面积小于所述OLED阳极92的面积，保证所述开口935的底部铺满阳极材料。
具体的，所述有机发光层94包括在所述OLED阳极92上从下至上依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、及电子传输层。
具体的，所述阴极95的材料为金属，优选为银。
上述OLED面板含有上述TFT基板，其栅极60与有源层40的性能稳定，TFT器件具有较强的工作稳定性，因此OLED面板具有较好的发光稳定性。
综上所述，本发明提供一种TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法首先在缓冲层上形成覆盖栅极与有源层的第一层间绝缘层，并将第一层间绝缘层的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极表面的金属铜不被氧化，保证栅极性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层中；进一步的，在第一层间绝缘层上方形成第二层间绝缘层，并将第二层间绝缘层的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层中，保证有源层的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。本发明的TFT基板采用上述TFT基板的制作方法制得，其栅极与有源层的性能稳定，TFT器件具有较强的工作稳定性。本发明的OLED面板的制作方法采用上述TFT基板的制作方法制作TFT基板，能够保证TFT器件具有较强的工作稳定性，从而保证OLED面板具有较好的发光稳定性。本发明的OLED面板含有上述TFT基板，其TFT器件具有较强的工作稳定性，因此OLED面板具有较好的发光稳定性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成遮光层(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述遮光层(20)的缓冲层(30)，在所述缓冲层(30)上形成对应于所述遮光层(20)上方的有源层(40)，所述有源层(40)的材料为金属氧化物半导体材料；
步骤2、在所述有源层(40)上形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上形成栅极(60)，所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)上下对齐，所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)在有源层(40)上限定出对应于栅极绝缘层(50)下方的沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的源极接触区(42)与漏极接触区(43)；
对有源层(40)的源极接触区(42)与漏极接触区(43)进行导体化处理，使源极接触区(42)与漏极接触区(43)的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区(41)的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；
步骤3、在所述缓冲层(30)上形成覆盖所述栅极(60)与有源层(40)的第一层间绝缘层(71)，所述第一层间绝缘层(71)的材料包括氮氧化硅；
在所述第一层间绝缘层(71)上形成第二层间绝缘层(72)，所述第二层间绝缘层(72)的材料包括氧化硅；
步骤4、在所述第一层间绝缘层(71)与第二层间绝缘层(72)上形成分别对应于源极接触区(42)与漏极接触区(43)上方的第一通孔(721)与第二通孔(722)；
在所述第二层间绝缘层(72)上形成源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)与漏极(82)分别通过第一通孔(721)与第二通孔(722)和有源层(40)的源极接触区(42)与漏极接触区(43)电性连接，制得TFT基板(100)。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述氮氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷、氨气及一氧化二氮；所述氧化硅采用化学气相沉积方法制得，反应气体包括硅烷与一氧化二氮。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一层间绝缘层(71)的厚度小于所述第二层间绝缘层(72)的厚度。
4.如权利要求3所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一层间绝缘层(71)的厚度为所述第二层间绝缘层(72)的厚度为
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：
在所述缓冲层(30)上形成覆盖所述有源层(40)的栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积栅极金属层(51)；
在所述栅极金属层(51)上形成光阻层(52)，利用黄光制程对所述光阻层(52)进行图形化处理，保留下来的光阻层(52)在所述栅极金属层(51)上定义出栅极图案；
以所述光阻层(52)为阻挡层，对所述栅极金属层(51)进行蚀刻，得到对应于有源层(40)上方的栅极(60)；
以所述光阻层(52)与栅极(60)为阻挡层，对栅极绝缘层(50)进行蚀刻，仅保留对应于栅极(60)下方的部分，其余部分均被蚀刻去除，保留的栅极绝缘层(50)位于有源层(40)上并与栅极(60)上下对齐，所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)在有源层(40)上限定出对应于栅极绝缘层(50)下方的沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的源极接触区(42)与漏极接触区(43)；
以光阻层(52)、栅极(60)与栅极绝缘层(50)为阻挡层，对有源层(40)进行等离子体处理，使源极接触区(42)与漏极接触区(43)的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区(41)的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；等离子体处理制程结束后，剥离光阻层(52)。
6.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的遮光层(20)、设于所述衬底基板(10)上且覆盖所述遮光层(20)的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上且对应于所述遮光层(20)上方的有源层(40)、设于所述有源层(40)上的栅极绝缘层(50)、设于所述栅极绝缘层(50)上且与所述栅极绝缘层(50)上下对齐的栅极(60)、设于所述缓冲层(30)上且覆盖所述栅极(60)与有源层(40)的第一层间绝缘层(71)、设于所述第一层间绝缘层(71)上的第二层间绝缘层(72)、以及设于所述第二层间绝缘层(72)上的源极(81)与漏极(82)；
所述第一层间绝缘层(71)的材料包括氮氧化硅，所述第二层间绝缘层(72)的材料包括氧化硅；
所述有源层(40)包括对应于栅极绝缘层(50)下方的沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的源极接触区(42)与漏极接触区(43)，所述源极接触区(42)与漏极接触区(43)的材料为导体化的金属氧化物半导体材料，所述沟道区(41)的材料为保持半导体特性的金属氧化物半导体材料；
所述第一层间绝缘层(71)与第二层间绝缘层(72)上设有分别对应于源极接触区(42)与漏极接触区(43)上方的第一通孔(721)与第二通孔(722)；所述源极(81)与漏极(82)分别通过第一通孔(721)与第二通孔(722)和有源层(40)的源极接触区(42)与漏极接触区(43)电性连接。
7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层(71)的厚度小于所述第二层间绝缘层(72)的厚度。
8.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层(71)的厚度为所述第二层间绝缘层(72)的厚度为
9.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤10、按照如权利要求1所述的TFT基板的制作方法制得TFT基板(100)；
步骤20、在所述TFT基板(100)的第二层间绝缘层(72)上形成覆盖源极(81)与漏极(82)的钝化层(90)，并在所述钝化层(90)上蚀刻形成对应于源极(81)上方的第一过孔(901)；
在所述钝化层(90)上形成平坦层(91)，并采用黄光制程在所述平坦层(91)上形成第二过孔(912)，所述第一过孔(901)与第二过孔(912)上下对应且相互贯通，共同构成第三通孔(913)；
步骤30、在所述平坦层(91)上形成OLED阳极(92)，所述OLED阳极(92)经由第三通孔(913)与源极(81)相接触；
步骤40、在所述平坦层(91)与OLED阳极(92)上形成像素定义层(93)，并采用黄光制程在所述像素定义层(93)上形成对应于所述OLED阳极(92)上方的开口(935)；
步骤50、在所述开口(935)内的OLED阳极(92)上形成有机发光层(94)；
步骤60、在所述像素定义层(93)及所述开口(935)内的有机发光层(94)上形成阴极(95)。
10.一种OLED面板，其特征在于，包括：如权利要求6所述的TFT基板(100)、设于所述TFT基板(100)的第二层间绝缘层(72)上且覆盖源极(81)与漏极(82)的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(91)、设于所述平坦层(91)上的OLED阳极(92)、设于所述平坦层(91)与OLED阳极(92)上的像素定义层(93)、设于所述像素定义层(93)上且对应于所述OLED阳极(92)上方的开口(935)、设于所述开口(935)内且位于所述OLED阳极(92)上的有机发光层(94)、以及设于所述像素定义层(93)与有机发光层(94)上的阴极(95)；
所述钝化层(90)与平坦层(91)上设有对应于源极(81)上方的第三通孔(913)，所述OLED阳极(92)经由第三通孔(913)与源极(81)相接触。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108711548A (zh) * 2018-05-21 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器
CN109585566A (zh) * 2018-11-14 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN109696759A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
WO2019184252A1 (zh) * 2018-03-29 2019-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性tft背板的制作方法及柔性tft背板
CN110391186A (zh) * 2019-07-09 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN110610967A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111326082A (zh) * 2020-04-14 2020-06-23 Tcl华星光电技术有限公司 背板单元及其制造方法、显示装置
CN111668280A (zh) * 2020-06-30 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种具有夹层结构的显示面板及制作方法
CN111668268A (zh) * 2020-06-02 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种oled显示装置及制作方法
CN111681960A (zh) * 2020-05-12 2020-09-18 福建华佳彩有限公司 一种tft结构的制作方法
CN112670301A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11526079B2 (en) 2020-04-14 2022-12-13 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backplane unit and its manufacturing method and display device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169947B (zh) * 2018-01-31 2023-04-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、触控显示装置
CN109686793A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置
WO2020165698A1 (ja) * 2019-02-15 2020-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN110416313A (zh) * 2019-07-19 2019-11-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管基板及其制作方法
CN111430414A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及制备方法、显示装置
CN111883542A (zh) * 2020-07-28 2020-11-03 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
CN111900195B (zh) * 2020-09-08 2023-12-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示装置
CN112599533A (zh) * 2020-12-04 2021-04-02 福建华佳彩有限公司 一种透明显示面板结构及其制备方法
CN113745246B (zh) * 2021-08-16 2023-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及显示面板
JP2023045215A (ja) * 2021-09-21 2023-04-03 キオクシア株式会社 半導体装置及び半導体記憶装置
CN116096118A (zh) * 2021-11-03 2023-05-09 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其控制方法、发光基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130256652A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Yong Su LEE Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same
CN103999228A (zh) * 2011-12-23 2014-08-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
CN104867933A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置
CN105229794A (zh) * 2013-05-14 2016-01-06 应用材料公司 在钝化层或蚀刻停止层中具有插入物的tft
CN105612608A (zh) * 2013-10-09 2016-05-25 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN106486526A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
US20170179158A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Samsung Display Co., Ltd. Transistor array panel and manufacturing method thereof

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6174743B1 (en) * 1998-12-08 2001-01-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method of reducing incidence of stress-induced voiding in semiconductor interconnect lines
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7474002B2 (en) * 2001-10-30 2009-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dielectric film having aperture portion
KR20050113045A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2008103253A (ja) 2006-10-20 2008-05-01 Mitsubishi Electric Corp 表示装置及びその製造方法
WO2009016858A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha 回路基板、表示装置及び液晶表示装置
KR101623961B1 (ko) 2009-12-02 2016-05-26 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US8530273B2 (en) * 2010-09-29 2013-09-10 Guardian Industries Corp. Method of making oxide thin film transistor array
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6142151B2 (ja) 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102151696B1 (ko) 2012-12-28 2020-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
CN104716193A (zh) * 2013-12-11 2015-06-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法和应用
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN104393017B (zh) * 2014-10-31 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
KR102281848B1 (ko) * 2015-01-26 2021-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터
CN104882485A (zh) * 2015-03-30 2015-09-02 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
KR102326170B1 (ko) * 2015-04-20 2021-11-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
CN105097838B (zh) * 2015-07-16 2018-03-02 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及薄膜晶体管阵列基板
JP2017108065A (ja) 2015-12-11 2017-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法および該半導体装置を有する表示装置の作製方法
KR102483229B1 (ko) * 2015-12-31 2022-12-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN106129122B (zh) * 2016-08-31 2018-12-11 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN106571306A (zh) * 2016-10-27 2017-04-19 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
KR102315502B1 (ko) * 2017-04-14 2021-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판
JP2018195632A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置および表示装置
CN107134461A (zh) * 2017-06-28 2017-09-05 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、oled显示装置
US10331253B2 (en) * 2017-06-30 2019-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. In-cell touch screen

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103999228A (zh) * 2011-12-23 2014-08-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US20130256652A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Yong Su LEE Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same
CN105229794A (zh) * 2013-05-14 2016-01-06 应用材料公司 在钝化层或蚀刻停止层中具有插入物的tft
CN105612608A (zh) * 2013-10-09 2016-05-25 夏普株式会社 半导体装置及其制造方法
CN104867933A (zh) * 2014-02-24 2015-08-26 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置
CN106486526A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
US20170179158A1 (en) * 2015-12-16 2017-06-22 Samsung Display Co., Ltd. Transistor array panel and manufacturing method thereof

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019184252A1 (zh) * 2018-03-29 2019-10-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性tft背板的制作方法及柔性tft背板
US10950716B2 (en) 2018-05-21 2021-03-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Metal oxide TFT, manufacturing method thereof, and display device
CN108711548A (zh) * 2018-05-21 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器
WO2019223076A1 (zh) * 2018-05-21 2019-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器
CN109585566A (zh) * 2018-11-14 2019-04-05 惠科股份有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN109696759A (zh) * 2018-12-29 2019-04-30 武汉华星光电技术有限公司 高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
US10976586B2 (en) 2018-12-29 2021-04-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method for liquid crystal display panel with high transmittance and display panel thereof
CN110391186A (zh) * 2019-07-09 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN110610967A (zh) * 2019-08-28 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US11404503B2 (en) 2019-08-28 2022-08-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof with precleaning process using ultra-violet lithography unit
CN111326082A (zh) * 2020-04-14 2020-06-23 Tcl华星光电技术有限公司 背板单元及其制造方法、显示装置
US11526079B2 (en) 2020-04-14 2022-12-13 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backplane unit and its manufacturing method and display device
CN111681960A (zh) * 2020-05-12 2020-09-18 福建华佳彩有限公司 一种tft结构的制作方法
CN111668268A (zh) * 2020-06-02 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种oled显示装置及制作方法
CN111668280A (zh) * 2020-06-30 2020-09-15 福建华佳彩有限公司 一种具有夹层结构的显示面板及制作方法
CN112670301A (zh) * 2020-12-24 2021-04-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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KR20200060761A (ko) 2020-06-01
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