CN106601778A - Oled背板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种OLED背板及其制作方法。本发明的OLED背板的制作方法，通过在层间介电层上形成平坦层，所述平坦层一方面可以充当层间介电层蚀刻制程的掩膜，另一方面可以使制备于其表面的第二源极的表面平整，有利于增大OLED发光区的面积，提高开口率。本发明的OLED背板，通过在层间介电层上设置平坦层，使得制备于平坦层表面的第二源极的表面平整，OLED发光区的面积较大，开口率较高。

Description

OLED背板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED显示装置通常包括OLED背板与设于OLED背板上的有机材料层，图1为现有的OLED背板的结构示意图，如图1所示，所述OLED背板包括从下到上依次层叠设置的衬底基板100、缓冲层200、半导体层300、栅极绝缘层400、栅极材料层500、层间介电层600、源漏极材料层800、像素定义层910与支撑物层920，其中，所述源漏极材料层800包括应用于开关TFT T100中的第一源极810与第一漏极820以及应用于驱动TFT T200中的第二源极830与第二漏极840，所述第二源极830同时同时充当OLED阳极，所述像素定义层910上设有对应于所述第二源极830上方的开口915，该开口915在所述第二源极830上限定出OLED发光区，该OLED发光区中用来形成OLED发光层。
上述OLED背板中，由于第二源极830直接形成于表面平整度较差的层间介电层600上，因此第二源极830的表面平整度也较差，而OLED发光区通常选择表面平整度较高的区域，因此所述第二源极830表面只有部分较为平整的区域可被选用来形成OLED发光区，从而得到的OLED发光区的面积较小，开口率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，有利于增大OLED发光区的面积，提高开口率。
本发明的目的还在于提供一种OLED背板，OLED发光区的面积较大，开口率较高。
为实现上述目的，本发明首先提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上从下到上依次形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极材料层及层间介电层；
所述半导体层包括间隔设置的第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极；
所述栅极材料层包括间隔设置的第一栅极、第二栅极与第二存储电极，所述第一栅极、第二栅极与第二存储电极分别对应于所述第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极的上方设置；所述第一存储电极与第二存储电极构成存储电容；
所述第一半导体图案的两端分别设有第一源极接触区与第一漏极接触区，所述第二半导体图案的两端分别设有第二源极接触区与第二漏极接触区；
步骤2、在所述层间介电层上形成平坦层，在所述平坦层与层间介电层上形成分别对应于所述第一源极接触区与第一漏极接触区上方的第一源极接触孔与第一漏极接触孔、以及分别对应于所述第二源极接触区与第二漏极接触区上方的第二源极接触孔与第二漏极接触孔；
步骤3、在所述平坦层上形成源漏极材料层，对所述源漏极材料层进行图形化处理，得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极，所述第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极分别通过第一源极接触孔、第一漏极接触孔、第二源极接触孔及第二漏极接触孔与所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区及第二漏极接触区相接触；
所述第一源极、第一漏极、第一半导体图案及第一栅极构成开关TFT；所述第二源极、第二漏极、第二半导体图案及第二栅极构成驱动TFT；
步骤4、在所述源漏极材料层与平坦层上形成像素定义层，在像素定义层上形成支撑物层；
所述像素定义层上设有对应于所述第二源极上方的开口，该开口在所述第二源极上限定出OLED发光区；所述第二源极同时充当OLED阳极。
所述步骤1包括：
步骤11、提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；
步骤12、在所述缓冲层上沉积非晶硅层，采用结晶制程使所述非晶硅层转化为多晶硅层，对所述多晶硅层进行图形化处理，得到半导体层，所述半导体层包括间隔设置的第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极；
步骤13、在所述半导体层与缓冲层上沉积栅极绝缘层；
步骤14、在所述栅极绝缘层上形成图案化光阻层，所述图案化光阻层暴露出所述栅极绝缘层上对应于第一半导体图案的两端、第二半导体图案的两端以及整个第一存储电极的区域；
以所述图案化光阻层为掩膜，对所述第一半导体图案的两端、第二半导体图案的两端及整个第一存储电极进行离子注入，实现离子重掺杂，从而在所述第一半导体图案的两端形成第一源极接触区与第一漏极接触区，在所述第二半导体图案的两端形成第二源极接触区与第二漏极接触区，所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区、第二漏极接触区及整个第一存储电极均为离子重掺杂区；
步骤15、剥离所述图案化光阻层；在所述栅极绝缘层上沉积栅极材料层，对所述栅极材料层进行图形化处理，得到间隔设置的第一栅极、第二栅极与第二存储电极；
步骤16、在所述栅极材料层与栅极绝缘层上沉积层间介电层。
所述步骤14中，对所述第一半导体图案的两端、第二半导体图案的两端及整个第一存储电极进行P型离子注入，实现P型离子重掺杂；
所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区、第二漏极接触区及整个第一存储电极均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
所述步骤2包括：
步骤21、在所述层间介电层上涂布有机光阻，形成平坦层，对所述平坦层进行图案化处理，在所述平坦层上形成分别对应于所述第一源极接触区与第一漏极接触区上方的第一过孔与第二过孔、以及分别对应于所述第二源极接触区与第二漏极接触区上方的第三过孔与第四过孔；
步骤22、以图案化的平坦层为掩膜，对所述层间介电层进行蚀刻处理，在所述层间介电层上形成分别对应于所述第一过孔、第二过孔、第三过孔及第四过孔下方的第五过孔、第六过孔、第七过孔及第八过孔；
所述第一过孔与第五过孔构成第一源极接触孔，所述第二过孔与第六过孔构成第一漏极接触孔，所述第三过孔与第七过孔构成第二源极接触孔，所述第四过孔与第八过孔构成第二漏极接触孔。
所述步骤4包括：
步骤41、在所述源漏极材料层与平坦层上涂布有机光阻，形成有机光阻层；
步骤42、采用半色调光罩对所述有机光阻层进行曝光、显影，同时得到像素定义层与支撑物层。
本发明还提供一种OLED背板，包括：从下到上依次层叠设置的衬底基板、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极材料层、层间介电层、平坦层、源漏极材料层、像素定义层、以及支撑物层；
所述半导体层包括间隔设置的第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极；所述栅极材料层包括间隔设置的第一栅极、第二栅极与第二存储电极，所述第一栅极、第二栅极与第二存储电极分别对应于所述第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极的上方设置；
所述源漏极材料层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极；
所述第一半导体图案的两端分别设有第一源极接触区与第一漏极接触区，所述第二半导体图案的两端分别设有第二源极接触区与第二漏极接触区；
所述平坦层与层间介电层上设有分别对应于所述第一源极接触区与第一漏极接触区上方的第一源极接触孔与第一漏极接触孔、以及分别对应于所述第二源极接触区与第二漏极接触区上方的第二源极接触孔与第二漏极接触孔；
所述第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极分别通过第一源极接触孔、第一漏极接触孔、第二源极接触孔及第二漏极接触孔与所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区及第二漏极接触区相接触；
所述第一源极、第一漏极、第一半导体图案及第一栅极构成开关TFT；所述第二源极、第二漏极、第二半导体图案及第二栅极构成驱动TFT；所述第一存储电极与第二存储电极构成存储电容；
所述像素定义层上设有对应于所述第二源极上方的开口，该开口在所述第二源极上限定出OLED发光区；所述第二源极同时充当OLED阳极。
所述第一半导体图案、第二半导体图案与第一存储电极的材料均为多晶硅，所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区、第二漏极接触区及整个第一存储电极均为离子重掺杂区。
所述第一源极接触区、第一漏极接触区、第二源极接触区、第二漏极接触区及整个第一存储电极均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
所述平坦层上设有分别对应于所述第一源极接触区与第一漏极接触区上方的第一过孔与第二过孔、以及分别对应于所述第二源极接触区与第二漏极接触区上方的第三过孔与第四过孔；
所述层间介电层上设有分别对应于所述第一过孔、第二过孔、第三过孔及第四过孔下方的第五过孔、第六过孔、第七过孔及第八过孔；
所述第一过孔与第五过孔构成第一源极接触孔，所述第二过孔与第六过孔构成第一漏极接触孔，所述第三过孔与第七过孔构成第二源极接触孔，所述第四过孔与第八过孔构成第二漏极接触孔。
所述像素定义层与支撑物层的材料均为有机光阻，二者材料相同，且在结构上为一体。
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED背板的制作方法，通过在层间介电层上形成平坦层，所述平坦层一方面可以充当层间介电层蚀刻制程的掩膜，另一方面可以使制备于其表面的第二源极的表面平整，有利于增大OLED发光区的面积，提高开口率。本发明提供的一种OLED背板，通过在层间介电层上设置平坦层，使得制备于平坦层表面的第二源极的表面平整，OLED发光区的面积较大，开口率较高。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的OLED背板的结构示意图；
图2为本发明的OLED背板的制作方法的流程图；
图3至图10为本发明的OLED背板的制作方法的步骤1的示意图；
图11至图12为本发明的OLED背板的制作方法的步骤2的示意图；
图13为本发明的OLED背板的制作方法的步骤3的示意图；
图14与图15为本发明的OLED背板的制作方法的步骤4的示意图且图15为本发明的OLED背板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3至图10所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上从下到上依次形成缓冲层20、半导体层30、栅极绝缘层40、栅极材料层50及层间介电层60；
所述半导体层30包括间隔设置的第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33；
所述栅极材料层50包括间隔设置的第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53，所述第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53分别对应于所述第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33的上方设置；所述第一存储电极33与第二存储电极53构成存储电容Cst；
所述第一半导体图案31的两端分别设有第一源极接触区311与第一漏极接触区312，所述第二半导体图案32的两端分别设有第二源极接触区321与第二漏极接触区322。
具体的，所述第一存储电极33设于所述第一半导体图案31与第二半导体图案32之间，所述第二存储电极53设于所述第一栅极51与第二栅极52之间。
具体的，所述步骤1包括：
步骤11、如图3所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上沉积缓冲层20。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述缓冲层20包括设于所述衬底基板10上的第一氮化硅(SiNx)层21与设于所述第一氮化硅层21上的第一氧化硅(SiOx)层22。
步骤12、如图4至图6所示，在所述缓冲层20上沉积非晶硅层25，采用结晶制程使所述非晶硅层25转化为多晶硅层26，对所述多晶硅层26进行图形化处理，得到半导体层30，所述半导体层30包括间隔设置的第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33。
步骤13、如图7所示，在所述半导体层30与上沉积栅极绝缘层40。
具体的，所述栅极绝缘层40的材料包括氧化硅与氮化硅中的至少一种。
步骤14、如图8所示，在所述栅极绝缘层40上形成图案化光阻层41，所述图案化光阻层41暴露出所述栅极绝缘层40上对应于第一半导体图案31的两端、第二半导体图案32的两端以及整个第一存储电极33的区域；
以所述图案化光阻层41为掩膜，对所述第一半导体图案31的两端、第二半导体图案32的两端及整个第一存储电极33进行离子注入，实现离子重掺杂，从而在所述第一半导体图案31的两端形成第一源极接触区311与第一漏极接触区312，在所述第二半导体图案32的两端形成第二源极接触区321与第二漏极接触区322，所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321、第二漏极接触区322及整个第一存储电极33均为离子重掺杂区。
具体的，所述离子重掺杂区中的离子浓度范围为1019～1021ions/cm3。
具体的，所述步骤14中，对所述第一半导体图案31的两端、第二半导体图案32的两端及整个第一存储电极33进行P型离子注入，实现P型离子重掺杂；
所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321、第二漏极接触区322及整个第一存储电极33均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
步骤15、如图9所示，剥离所述图案化光阻层41；在所述栅极绝缘层40上沉积栅极材料层50，对所述栅极材料层50进行图形化处理，得到间隔设置的第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53。
具体的，所述第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53的材料均为钼(Mo)。
步骤16、如图10所示，在所述栅极材料层50与栅极绝缘层40上沉积层间介电层60。
具体的，所述层间介电层60包括设于所述栅极材料层50与栅极绝缘层40上的第二氧化硅层61与设于所述第二氧化硅层61上的第二氮化硅层62。
步骤2、如图11至图12所示，在所述层间介电层60上形成平坦层70，在所述平坦层70与层间介电层60上形成分别对应于所述第一源极接触区311与第一漏极接触区312上方的第一源极接触孔76a与第一漏极接触孔76b、以及分别对应于所述第二源极接触区321与第二漏极接触区322上方的第二源极接触孔76c与第二漏极接触孔76d。
具体的，所述步骤2包括：
步骤21、如图11所示，在所述层间介电层60上涂布有机光阻，形成平坦层70，对所述平坦层70进行图案化处理，在所述平坦层70上形成分别对应于所述第一源极接触区311与第一漏极接触区312上方的第一过孔701与第二过孔702、以及分别对应于所述第二源极接触区321与第二漏极接触区322上方的第三过孔703与第四过孔704。
步骤22、如图12所示，以图案化的平坦层70为掩膜，对所述层间介电层60进行蚀刻处理，在所述层间介电层60上形成分别对应于所述第一过孔701、第二过孔702、第三过孔703及第四过孔704下方的第五过孔605、第六过孔606、第七过孔607及第八过孔608；
所述第一过孔701与第五过孔605构成第一源极接触孔76a，所述第二过孔702与第六过孔606构成第一漏极接触孔76b，所述第三过孔703与第七过孔607构成第二源极接触孔76c，所述第四过孔704与第八过孔608构成第二漏极接触孔76d。
步骤3、如图13所示，在所述平坦层70上形成源漏极材料层80，对所述源漏极材料层80进行图形化处理，得到间隔设置的第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84，所述第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84分别通过第一源极接触孔76a、第一漏极接触孔76b、第二源极接触孔76c及第二漏极接触孔76d与所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321及第二漏极接触区322相接触；
所述第一源极81、第一漏极82、第一半导体图案31及第一栅极51构成开关TFT T1；所述第二源极83、第二漏极84、第二半导体图案32及第二栅极52构成驱动TFT T2。
具体的，所述存储电容Cst位于所述开关TFT T1与驱动TFT T2之间。
具体的，所述第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84均包括两氧化铟锡层与夹设于两氧化铟锡层之间的银层。
步骤4、如图14与图15所示，在所述源漏极材料层80与平坦层70上形成像素定义层91，在像素定义层91上形成支撑物层92；
所述像素定义层91上设有对应于所述第二源极83上方的开口911，该开口911在所述第二源极83上限定出OLED发光区；所述第二源极83同时充当OLED阳极。
具体的，所述步骤4包括：
步骤41、如图14所示，在所述源漏极材料层80与平坦层70上涂布有机光阻，形成有机光阻层90；
步骤42、如图15所示，采用半色调光罩95对所述有机光阻层90进行曝光、显影，同时得到像素定义层91与支撑物层92。
具体的，所述支撑物层92包括间隔设置的数个支撑物921，所述支撑物921的形状为柱形，所述支撑物层92用于后续的OLED发光材料的蒸镀制程中支撑蒸镀掩膜板。
上述OLED背板的制作方法，通过在层间介电层60上形成平坦层70，所述平坦层70一方面可以充当层间介电层60蚀刻制程的掩膜，另一方面可以使制备于其表面的第二源极83的表面平整，有利于增大OLED发光区的面积，提高开口率。
请参阅图15，基于上述OLED背板的制作方法，本发明还提供一种OLED背板，包括：从下到上依次层叠设置的衬底基板10、缓冲层20、半导体层30、栅极绝缘层40、栅极材料层50、层间介电层60、平坦层70、源漏极材料层80、像素定义层91、以及支撑物层92；
所述半导体层30包括间隔设置的第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33；所述栅极材料层50包括间隔设置的第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53，所述第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53分别对应于所述第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33的上方设置；
所述源漏极材料层80包括间隔设置的第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84；
所述第一半导体图案31的两端分别设有第一源极接触区311与第一漏极接触区312，所述第二半导体图案32的两端分别设有第二源极接触区321与第二漏极接触区322；
所述平坦层70与层间介电层60上设有分别对应于所述第一源极接触区311与第一漏极接触区312上方的第一源极接触孔76a与第一漏极接触孔76b、以及分别对应于所述第二源极接触区321与第二漏极接触区322上方的第二源极接触孔76c与第二漏极接触孔76d；
所述第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84分别通过第一源极接触孔76a、第一漏极接触孔76b、第二源极接触孔76c及第二漏极接触孔76d与所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321及第二漏极接触区322相接触；
所述第一源极81、第一漏极82、第一半导体图案31及第一栅极51构成开关TFT T1；所述第二源极83、第二漏极84、第二半导体图案32及第二栅极52构成驱动TFT T2；所述第一存储电极33与第二存储电极53构成存储电容Cst；
所述像素定义层91上设有对应于所述第二源极83上方的开口911，该开口911在所述第二源极83上限定出OLED发光区；所述第二源极83同时充当OLED阳极。
具体的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述缓冲层20包括设于所述衬底基板10上的第一氮化硅层21与设于所述第一氮化硅层21上的第二氧化硅层22。
具体的，所述第一半导体图案31、第二半导体图案32与第一存储电极33的材料均为多晶硅，所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321、第二漏极接触区322及整个第一存储电极33均为离子重掺杂区。
具体的，所述离子重掺杂区中的离子浓度范围为1019～1021ions/cm3。
优选的，所述第一源极接触区311、第一漏极接触区312、第二源极接触区321、第二漏极接触区322及整个第一存储电极33均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
具体的，所述栅极绝缘层40的材料包括氧化硅与氮化硅中的至少一种。
具体的，所述第一栅极51、第二栅极52与第二存储电极53的材料均为钼。
具体的，所述层间介电层60包括设于所述栅极材料层50与栅极绝缘层40上的第二氧化硅层61与设于所述第二氧化硅层61上的第二氮化硅层62。
具体的，所述第一源极81、第一漏极82、第二源极83及第二漏极84均包括两氧化铟锡层与夹设于两氧化铟锡层之间的银层。
具体的，所述像素定义层91与支撑物层92的材料均为有机光阻，二者材料相同，且在结构上为一体。
具体的，所述支撑物层92包括间隔设置的数个支撑物921，所述支撑物921的形状为柱形。
具体的，所述平坦层70上设有分别对应于所述第一源极接触区311与第一漏极接触区312上方的第一过孔701与第二过孔702、以及分别对应于所述第二源极接触区321与第二漏极接触区322上方的第三过孔703与第四过孔704；
所述层间介电层60上设有分别对应于所述第一过孔701、第二过孔702、第三过孔703及第四过孔704下方的第五过孔605、第六过孔606、第七过孔607及第八过孔608；
所述第一过孔701与第五过孔605构成第一源极接触孔76a，所述第二过孔702与第六过孔606构成第一漏极接触孔76b，所述第三过孔703与第七过孔607构成第二源极接触孔76c，所述第四过孔704与第八过孔608构成第二漏极接触孔76d。
具体的，所述第一存储电极33设于所述第一半导体图案31与第二半导体图案32之间，所述第二存储电极53设于所述第一栅极51与第二栅极52之间，从而使所述存储电容Cst位于所述开关TFT T1与驱动TFT T2之间。
上述OLED背板，通过在层间介电层60上设置平坦层70，使得制备于平坦层70表面的第二源极83的表面平整，OLED发光区的面积较大，开口率较高。
综上所述，本发明提供一种OLED背板及其制作方法。本发明的OLED背板的制作方法，通过在层间介电层上形成平坦层，所述平坦层一方面可以充当层间介电层蚀刻制程的掩膜，另一方面可以使制备于其表面的第二源极的表面平整，有利于增大OLED发光区的面积，提高开口率。本发明的OLED背板，通过在层间介电层上设置平坦层，使得制备于平坦层表面的第二源极的表面平整，OLED发光区的面积较大，开口率较高。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上从下到上依次形成缓冲层(20)、半导体层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极材料层(50)及层间介电层(60)；
所述半导体层(30)包括间隔设置的第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)；
所述栅极材料层(50)包括间隔设置的第一栅极(51)、第二栅极(52)与第二存储电极(53)，所述第一栅极(51)、第二栅极(52)与第二存储电极(53)分别对应于所述第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)的上方设置；所述第一存储电极(33)与第二存储电极(53)构成存储电容(Cst)；
所述第一半导体图案(31)的两端分别设有第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)，所述第二半导体图案(32)的两端分别设有第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)；
步骤2、在所述层间介电层(60)上形成平坦层(70)，在所述平坦层(70)与层间介电层(60)上形成分别对应于所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)上方的第一源极接触孔(76a)与第一漏极接触孔(76b)、以及分别对应于所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)上方的第二源极接触孔(76c)与第二漏极接触孔(76d)；
步骤3、在所述平坦层(70)上形成源漏极材料层(80)，对所述源漏极材料层(80)进行图形化处理，得到间隔设置的第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)及第二漏极(84)，所述第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)及第二漏极(84)分别通过第一源极接触孔(76a)、第一漏极接触孔(76b)、第二源极接触孔(76c)及第二漏极接触孔(76d)与所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)及第二漏极接触区(322)相接触；
所述第一源极(81)、第一漏极(82)、第一半导体图案(31)及第一栅极(51)构成开关TFT(T1)；所述第二源极(83)、第二漏极(84)、第二半导体图案(32)及第二栅极(52)构成驱动TFT(T2)；
步骤4、在所述源漏极材料层(80)与平坦层(70)上形成像素定义层(91)，在像素定义层(91)上形成支撑物层(92)；
所述像素定义层(91)上设有对应于所述第二源极(83)上方的开口(911)，该开口(911)在所述第二源极(83)上限定出OLED发光区；所述第二源极(83)同时充当OLED阳极。
2.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤1包括：
步骤11、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)；
步骤12、在所述缓冲层(20)上沉积非晶硅层(25)，采用结晶制程使所述非晶硅层(25)转化为多晶硅层(26)，对所述多晶硅层(26)进行图形化处理，得到半导体层(30)，所述半导体层(30)包括间隔设置的第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)；
步骤13、在所述半导体层(30)与缓冲层(20)上沉积栅极绝缘层(40)；
步骤14、在所述栅极绝缘层(40)上形成图案化光阻层(41)，所述图案化光阻层(41)暴露出所述栅极绝缘层(40)上对应于第一半导体图案(31)的两端、第二半导体图案(32)的两端以及整个第一存储电极(33)的区域；
以所述图案化光阻层(41)为掩膜，对所述第一半导体图案(31)的两端、第二半导体图案(32)的两端及整个第一存储电极(33)进行离子注入，实现离子重掺杂，从而在所述第一半导体图案(31)的两端形成第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)，在所述第二半导体图案(32)的两端形成第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)，所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)及整个第一存储电极(33)均为离子重掺杂区；
步骤15、剥离所述图案化光阻层(41)；在所述栅极绝缘层(40)上沉积栅极材料层(50)，对所述栅极材料层(50)进行图形化处理，得到间隔设置的第一栅极(51)、第二栅极(52)与第二存储电极(53)；
步骤16、在所述栅极材料层(50)与栅极绝缘层(40)上沉积层间介电层(60)。
3.如权利要求2所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤14中，对所述第一半导体图案(31)的两端、第二半导体图案(32)的两端及整个第一存储电极(33)进行P型离子注入，实现P型离子重掺杂；
所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)及整个第一存储电极(33)均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
4.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：
步骤21、在所述层间介电层(60)上涂布有机光阻，形成平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，在所述平坦层(70)上形成分别对应于所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)上方的第一过孔(701)与第二过孔(702)、以及分别对应于所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)上方的第三过孔(703)与第四过孔(704)；
步骤22、以图案化的平坦层(70)为掩膜，对所述层间介电层(60)进行蚀刻处理，在所述层间介电层(60)上形成分别对应于所述第一过孔(701)、第二过孔(702)、第三过孔(703)及第四过孔(704)下方的第五过孔(605)、第六过孔(606)、第七过孔(607)及第八过孔(608)；
所述第一过孔(701)与第五过孔(605)构成第一源极接触孔(76a)，所述第二过孔(702)与第六过孔(606)构成第一漏极接触孔(76b)，所述第三过孔(703)与第七过孔(607)构成第二源极接触孔(76c)，所述第四过孔(704)与第八过孔(608)构成第二漏极接触孔(76d)。
5.如权利要求1所述的OLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤4包括：
步骤41、在所述源漏极材料层(80)与平坦层(70)上涂布有机光阻，形成有机光阻层(90)；
步骤42、采用半色调光罩(95)对所述有机光阻层(90)进行曝光、显影，同时得到像素定义层(91)与支撑物层(92)。
6.一种OLED背板，其特征在于，包括：从下到上依次层叠设置的衬底基板(10)、缓冲层(20)、半导体层(30)、栅极绝缘层(40)、栅极材料层(50)、层间介电层(60)、平坦层(70)、源漏极材料层(80)、像素定义层(91)、以及支撑物层(92)；
所述半导体层(30)包括间隔设置的第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)；所述栅极材料层(50)包括间隔设置的第一栅极(51)、第二栅极(52)与第二存储电极(53)，所述第一栅极(51)、第二栅极(52)与第二存储电极(53)分别对应于所述第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)的上方设置；
所述源漏极材料层(80)包括间隔设置的第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)及第二漏极(84)；
所述第一半导体图案(31)的两端分别设有第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)，所述第二半导体图案(32)的两端分别设有第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)；
所述平坦层(70)与层间介电层(60)上设有分别对应于所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)上方的第一源极接触孔(76a)与第一漏极接触孔(76b)、以及分别对应于所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)上方的第二源极接触孔(76c)与第二漏极接触孔(76d)；
所述第一源极(81)、第一漏极(82)、第二源极(83)及第二漏极(84)分别通过第一源极接触孔(76a)、第一漏极接触孔(76b)、第二源极接触孔(76c)及第二漏极接触孔(76d)与所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)及第二漏极接触区(322)相接触；
所述第一源极(81)、第一漏极(82)、第一半导体图案(31)及第一栅极(51)构成开关TFT(T1)；所述第二源极(83)、第二漏极(84)、第二半导体图案(32)及第二栅极(52)构成驱动TFT(T2)；所述第一存储电极(33)与第二存储电极(53)构成存储电容(Cst)；
所述像素定义层(91)上设有对应于所述第二源极(83)上方的开口(911)，该开口(911)在所述第二源极(83)上限定出OLED发光区；所述第二源极(83)同时充当OLED阳极。
7.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述第一半导体图案(31)、第二半导体图案(32)与第一存储电极(33)的材料均为多晶硅，所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)及整个第一存储电极(33)均为离子重掺杂区。
8.如权利要求7所述的OLED背板，其特征在于，所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)、第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)及整个第一存储电极(33)均为P型离子重掺杂区，所述P型离子为硼离子。
9.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述平坦层(70)上设有分别对应于所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)上方的第一过孔(701)与第二过孔(702)、以及分别对应于所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区(322)上方的第三过孔(703)与第四过孔(704)；
所述层间介电层(60)上设有分别对应于所述第一过孔(701)、第二过孔(702)、第三过孔(703)及第四过孔(704)下方的第五过孔(605)、第六过孔(606)、第七过孔(607)及第八过孔(608)；
所述第一过孔(701)与第五过孔(605)构成第一源极接触孔(76a)，所述第二过孔(702)与第六过孔(606)构成第一漏极接触孔(76b)，所述第三过孔(703)与第七过孔(607)构成第二源极接触孔(76c)，所述第四过孔(704)与第八过孔(608)构成第二漏极接触孔(76d)。
10.如权利要求6所述的OLED背板，其特征在于，所述像素定义层(91)与支撑物层(92)的材料均为有机光阻，二者材料相同，且在结构上为一体。
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