KR102537992B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치는 기판, 발광 구조물, 제1 화소 정의막 및 제2 화소 정의막을 포함하는 화소 정의 구조물, 그리고 제1 배선을 포함할 수 있다. 발광 구조물은 기판 상에 배치되며, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함할 수 있다. 제1 화소 정의막은 기판 상에 배치되며 화소 전극을 부분적으로 커버할 수 있다. 제2 화소 정의막은 제1 화소 정의막 상에 배치될 수 있다. 제1 배선은 기판의 상부에 배치되며, 제1 화소 정의막 및 제2 화소 정의막과 접촉할 수 있다. 제2 화소 정의막과 제1 배선 사이의 접착력은 제2 화소 정의막과 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 클 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICES}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화소 정의 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 통상적으로 화소 전극, 대향 전극 및 이들 사이에 형성되는 유기 발광층을 포함하는 발광 구조물을 구비한다. 또한, 상기 발광 구조물은 상기 화소 전극과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 정공 주입층 및 상기 대향 전극과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 정공 주입층에 주입되는 정공 및 상기 전자 주입층에서 주입되는 전자가 상기 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 광을 발생시킨다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하여 저전력으로 구동이 가능하고, 경량의 박형으로 제조될 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 명암비, 빠른 응답 속도 등의 우수한 품위 특성들을 갖는다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 상기 화소 전극에 대응되는 복수의 화소들을 포함하고, 상기 복수의 화소들은 화소 정의막에 의해 구분될 수 있다. 상기 화소 정의막은 상기 화소 전극의 주변부를 커버하여 상기 화소 전극의 중앙부를 노출시킨다.
유기 발광 표시 장치의 제조 공정에 있어서, 상기 화소 정의막을 형성한 후에 잉크젯 프린팅이나 노즐 프린팅 등의 방식으로 상기 정공 주입층, 상기 유기 발광층, 상기 전자 주입층 등을 형성할 수 있다. 상기 정공 주입층을 형성하는 과정에서 상기 정공 주입층이 상기 화소 정의막의 상부까지 형성될 수 있고, 상기 화소 전극과 상기 대향 전극이 상기 정공 주입층을 통해 전기적으로 연결되어 누설 전류가 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위하여, 화소 정의막을 폭이나 구성 물질이 상이한 복수의 층들로 형성하는 방법이 제시되어 있다. 그러나, 상기 화소 정의막을 구성하는 복수의 층들이 서로 다른 구성 물질을 함유하는 경우에 층들 사이의 계면에서 접착력이 충분하지 못하여 상기 화소 정의막을 구성하는 층들이 정해진 위치에서 벗어나는 불량이 발생될 수 있다.
본 발명의 목적은 화소 정의막들 사이의 접착력을 증가시킬 수 있는 화소 정의 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함하는 발광 구조물, 상기 기판 상에 배치되며 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막 및 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되는 제2 화소 정의막을 포함하는 화소 정의 구조물, 그리고 상기 기판의 상부에 배치되며, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제1 배선을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 실질적으로 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 화소 정의막은 무기물을 포함할 수 있으며, 상기 제2 화소 정의막은 유기물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 화소 정의막의 주변부를 노출시킬 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 화소 정의막은 상기 제1 배선을 부분적으로 노출시키는 제1 개구를 가지며, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 배선에 접촉할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선과 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선은 데이터 배선일 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 상기 기판의 상부에 배치되고, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제2 배선을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 화소 정의막과 상기 제2 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 실질적으로 클 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 화소 정의막은 상기 제2 배선을 부분적으로 노출시키는 제2 개구를 가지며, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제2 개구를 통해 상기 제2 배선에 접촉할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선, 상기 제2 배선 및 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 배선은 공통 전원 배선일 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 액티브 패턴은 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판 상에 상기 액티브 패턴을 커버하는 게이트 절연막이 배치되며, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막 상에 배치되고, 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극을 커버하는 층간 절연막이 배치되며, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 화소 전극, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은 상기 층간 절연막 상에 배치될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 전극 및 상기 드레인 전극은 일체로 형성될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 배선 및 상기 소스 전극은 일체로 형성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선은 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 배선을 커버할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선은 상기 제2 화소 정의막의 중앙부에 중첩될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 배선은 상기 제2 화소 정의막의 측부에 중첩될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 주입층과 정공 수송층, 및 상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층과 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 화소 전극의 상면 및 상기 제1 화소 정의막의 측면에 접촉하고, 상기 정공 수송층은 상기 제1 화소 정의막의 상면 및 상기 제2 화소 정의막의 측면에 접촉할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제2 화소 정의막과의 계면에서 접착력이 큰 제1 배선을 포함함으로써, 제2 화소 정의막이 제1 화소 정의막 상에서 정해진 위치에서 벗어나는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 제1 배선으로 데이터 배선을 사용하여 별도의 증착 공정이 필요하지 않기 때문에, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일부 예시적인 실시예들에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선을 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 'II' 부분을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5의 III-III' 선을 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들을 보다 상세하게 설명한다. 도면 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 2는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부 영역을 나타내는 평면도일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 복수의 화소들이 반복적으로 배치되는 표시 영역을 포함할 수 있다. 도 1에는 상기 복수의 화소들이 제1 방향 및 상기 제1 방향에 실질적으로 직교하는 제2 방향으로 반복적으로 배치되는 구성을 예시하고 있으나, 상기 화소들의 구성은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소들은 다양한 방법으로 배열될 수 있다.
상기 화소들은 각기 스위칭 트랜지스터(700), 구동 트랜지스터(200), 커패시터(800) 및 발광 구조물(300)을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(10)는 제1 방향을 따라 배치되는 게이트 배선(900), 제2 방향을 따라 배치되는 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)을 더 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 배선(500)은 데이터 배선일 수 있고, 제2 배선(600)은 공통 전원 배선일 수 있다.
발광 구조물(300)은 화소 전극(310), 유기 발광층(도 4의 325)을 포함하는 발광층(도 3의 320) 및 대향 전극(도 3의 330)을 포함할 수 있다. 여기서, 화소 전극(310)은 정공 주입 전극인 양극(anode)이고, 대향 전극(330)은 전자 주입 전극인 음극(cathode)일 수 있다. 화소 전극(310)으로부터 정공이 유기 발광층(325)으로 주입되고, 대향 전극(330)으로부터 전자가 유기 발광층(325)으로 주입될 수 있다. 상기 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때, 광이 방출될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 화소 전극(310)이 음극일 수 있고, 대향 전극(330)이 양극일 수도 있다. 여기서, 화소 전극(310)은 각 화소마다 하나 이상씩 형성되기 때문에, 유기 발광 표시 장치(10)는 서로 이격되는 복수의 화소 전극들(310)을 가질 수 있다.
스위칭 트랜지스터(700)는 스위칭 액티브 패턴(710), 스위칭 게이트 전극(720), 스위칭 소스 전극(730) 및 스위칭 드레인 전극(740)을 포함할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(200)는 구동 액티브 패턴(210), 구동 게이트 전극(220), 구동 소스 전극(230) 및 구동 드레인 전극(240)을 포함할 수 있다. 커패시터(800)는 제1 축전판(810) 및 제2 축전판(820)을 포함할 수 있다.
스위칭 트랜지스터(700)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용될 수 있다. 스위칭 게이트 전극(720)은 게이트 배선(900)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(730)은 데이터 배선에 상응하는 제1 배선(500) 연결되며, 스위칭 드레인 전극(740)은 스위칭 소스 전극(730)으로부터 이격되어 배치되며, 제1 축전판(810)에 연결될 수 있다. 여기서, 스위칭 드레인 전극(740)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 콘택 홀을 통해 제1 축전판(810)에 연결될 수 있다.
구동 트랜지스터(200)는 상기 선택된 화소 내의 발광 구조물(300)의 유기 발광층(325)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(310)에 인가할 수 있다. 구동 게이트 전극(220)은 제1 축전판(810)과 연결되고, 구동 소스 전극(230) 및 제2 축전판(820)은 각기 공통 전원 배선에 상응하는 제2 배선(600)에 연결될 수 있다. 화소 전극(310)은 구동 드레인 전극(240)으로부터 연장되어 구동 트랜지스터(200)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 전극(310)은 구동 소스 전극(230) 및 구동 드레인 전극(240)과 실질적으로 동일한 층에 형성될 수 있다.
스위칭 트랜지스터(700)는 게이트 배선(900)에 인가되는 게이트 전압에 의해 동작하여, 데이터 배선에 상응하는 제1 배선(500)에 인가되는 데이터 전압을 구동 트랜지스터(200)에 전달하는 역할을 할 수 있다. 공통 전원 배선에 상응하는 제2 배선(600)으로부터 구동 트랜지스터(200)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 트랜지스터(700)로부터 전달된 상기 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 커패시터(800)에 저장될 수 있고, 커패시터(800)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 트랜지스터(200)를 통해 발광 구조물(300)로 인가되어 유기 발광층(325)으로부터 광이 발생될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 스위칭 액티브 패턴(710), 구동 액티브 패턴(210) 및 제1 축전판(810)이 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있고, 스위칭 게이트 전극(720), 구동 게이트 전극(220), 제2 축전판(820), 게이트 배선(900)이 게이트 절연막(도 3의 120) 상에 배치될 수 있으며, 스위칭 소스 및 드레인 전극들(730, 740), 구동 소스 및 드레인 전극들(230, 240), 제1 배선(500), 및 제2 배선(600)이 층간 절연막(도 3의 130) 상에 형성될 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 축전판(810, 820)의 위치는 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 게이트 절연막(120) 및/또는 층간 절연막(130)을 사이에 두고 자유롭게 위치할 수 있다.
도 3은 도 2의 I-I' 선을 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일부 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 구동 트랜지스터(200), 발광 구조물(300), 화소 정의 구조물(400), 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)을 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(700)의 스위칭 액티브 패턴(710), 스위칭 게이트 전극(720), 스위칭 소스 및 드레인 전극들(730, 740)은 각기 구동 트랜지스터(200)의 구동 액티브 패턴(210), 구동 게이트 전극(220), 구동 소스 및 드레인 전극들(230, 240)과 동일 또는 극히 유사한 구조를 가지기 때문에, 이에 대한 설명은 생략한다.
기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 플라스틱 기판 등과 같은 투명 기판을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(100)은 연성을 갖는 기판(flexible substrate)으로 이루어질 수도 있다.
기판(100) 상에는 버퍼막(110)이 배치될 수 있다. 버퍼막(110)은 기판(100)으로부터 발생되는 불순물들의 확산을 방지하고, 구동 액티브 패턴(210)의 형성을 위한 결정화 공정 시에 열의 전달 속도를 조절하며, 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 버퍼막(110)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 버퍼막(110)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이러한 버퍼막(110)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(100)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성되지 않을 수도 있다.
버퍼막(110) 상에는 구동 액티브 패턴(210)이 배치될 수 있다. 구동 액티브 패턴(210)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 구동 액티브 패턴(210)의 양측부들에는 불순물을 함유하는 구동 소스 영역(212) 및 구동 드레인 영역(214)이 형성되고, 구동 소스 영역(212) 및 구동 드레인 영역(214)의 사이에는 불순물이 도핑되지 않은 구동 채널 영역(216)이 정의될 수 있다.
버퍼막(110) 상에는 구동 액티브 패턴(210)을 실질적으로 커버하는 게이트 절연막(120)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(120)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
게이트 절연막(120) 상에는 구동 게이트 전극(220)이 배치될 수 있다. 여기서, 구동 게이트 전극(220)은 구동 액티브 패턴(210)의 적어도 일부, 구체적으로는 구동 채널 영역(216)과 실질적으로 중첩될 수 있다. 예를 들어, 구동 게이트 전극(220)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속들의 질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연막(120) 상에는 구동 게이트 전극(220)을 실질적으로 커버하는 층간 절연막(130)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(130)은 실리콘 화합물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 층간 절연막(130)은 상부 구조물을 위해 실질적으로 평탄화층의 역할을 수행할 수 있다. 게이트 절연막(120) 및 층간 절연막(130)에는 각기 구동 액티브 패턴(210)의 구동 소스 영역(212) 및 구동 드레인 영역(214)을 노출시키는 콘택 홀들이 제공될 수 있다.
층간 절연막(130) 상에는 구동 소스 전극(230), 구동 드레인 전극(240), 화소 전극(310), 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)이 배치될 수 있다. 구동 소스 전극(230) 및 구동 드레인 전극(240)은 각기 상기 콘택 홀들을 통해 구동 액티브 패턴(210)의 구동 소스 영역(212) 및 구동 드레인 영역(214)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 전극(310)과 구동 드레인 전극(240)은 일체로 형성될 수 있고, 제2 배선(600)과 구동 소스 전극(230)은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구동 소스 전극(230), 구동 드레인 전극(240), 화소 전극(310), 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)은 각기 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 구동 소스 전극(230), 구동 드레인 전극(240), 화소 전극(310), 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)은 각기 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다.
화소 정의 구조물(400)은 제1 화소 정의막(410) 및 제1 화소 정의막(410) 상에 배치되는 제2 화소 정의막(420)을 포함할 수 있다.
층간 절연막(130) 상에는 구동 소스 전극(230) 및 구동 드레인 전극(240)은 실질적으로 커버하면서, 제1 배선(500), 제2 배선(600) 및 화소 전극(310)은 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막(410)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 정의막(410)은 화소 전극(310)의 주변부를 커버하면서 화소 전극(310)의 중심부를 노출시킬 수 있다. 또한, 제1 화소 정의막(410)은 제1 배선(500) 및 제2 배선(600)을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 화소 정의막(410)은 무기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 정의막(410)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 알루미늄 산화물(AlOx), 구리 산화물(CuOx), 테르븀 산화물(TbOx), 이트륨 산화물(YOx), 니오븀 산화물(NbOx) 및 프라세오디뮴 산화물(PrOx)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 또한, 제1 화소 정의막(410)은 약 1000 이하의 두께를 가질 수 있다.
제1 화소 정의막(410)은 제1 배선(500)을 부분적으로 노출시키는 제1 개구(412) 및 제2 배선(600)을 부분적으로 노출시키는 제2 개구(414)를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 개구(412)는 제1 배선(500)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있고, 제2 개구(414)는 제2 배선(600)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 화소 정의막(410)은 복수의 제1 개구들(412) 및 복수의 제2 개구들(414)을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 개구들(412)은 제1 배선(500)이 연장되는 방향을 따라 배열될 수 있고, 제2 개구들(414)은 제2 배선(600)이 연장되는 방향을 따라 배열될 수 있다. 도 2에는 제1 개구들(412) 및 제2 개구들(414)이 각기 실질적으로 직사각형의 형상을 가지는 경우를 예시하고 있으나, 제1 개구들(412) 및 제2 개구들(414)의 형상들은 이에 한정되지 않으며, 다양한 형상들을 가질 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 제1 화소 정의막(410) 상에는 제2 화소 정의막(420)이 배치될 수 있다. 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)의 단부로부터 소정의 거리로 이격되어 위치할 수 있다. 다시 말해, 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)의 주변부를 노출시킬 수 있다. 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)보다 실질적으로 큰 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 화소 정의막(420)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 화소 정의막(420)은 폴리아크릴(polyacryl), 폴리이미드(polyimide), 폴리아마이드(polyamaide), 벤조 사이클로 부텐(Benzo Cyclo Butene), 아크릴 수지 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.
제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)을 부분적으로 덮으면서 제1 개구(412)를 통해 제1 배선(500)과 접촉할 수 있고, 제2 개구(414)를 통해 제2 배선(600)과 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 화소 정의막(420)과 제1 배선(500) 사이의 접착력은 제2 화소 정의막(420)과 제1 화소 정의막(410) 사이의 접착력보다 실질적으로 클 수 있다. 또한, 제2 화소 정의막(420)과 제2 배선(600) 사이의 접착력은 제2 화소 정의막(420)과 제1 화소 정의막(410) 사이의 접착력보다 실질적으로 클 수 있다. 이에 따라, 서로 다른 물질을 포함하는 제1 화소 정의막(410)과 제2 화소 정의막(420) 사이의 접착력이 상대적으로 작기 때문에, 제2 화소 정의막(420)이 제1 화소 정의막(410) 상의 정해진 위치로부터 벗어나는 현상을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 데이터 배선을 제1 배선(500)으로 사용할 수 있기 때문에, 제1 배선(500)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않을 수 있다. 또한, 공통 전원 배선을 제2 배선(600)으로 사용할 수 있기 때문에, 제2 배선(600)을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않을 수 있다. 따라서, 제조 비용 및 제조 시간을 절감할 수 있다.
화소 전극(310) 상에는 발광층(320)이 배치될 수 있다. 발광층(320)은 화소 전극(310) 및 대향 전극(330)으로부터 각기 주입되는 정공 및 전자가 결합하여 광이 방출되는 유기 발광층(325)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광층(320)은 정공 주입층(hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)을 더 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치의 'II' 부분을 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 화소 전극(310) 상에는 정공 주입층(321)이 배치되고, 정공 주입층(321) 상에는 정공 수송층(323)이 배치될 수 있다. 정공 주입층(321)은, 예를 들어,4,4',4-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아미노(m-MTDATA), 3,5-트리스[4-(3-메틸페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDATB), 프탈로시아닌구리(CuPc), 4,4',4-트리스(N-카바졸릴)트리페닐아민(TCTA), N,N'-디(4-(N,N'-디페닐-아미노)페닐)-N,N'-디페닐벤지딘(DNTPD) 등을 포함할 수 있다. 정공 수송층(323)은, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸, 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, m-비스카바졸릴페닐 등의 정공 수송 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 정공 주입층(321)은 화소 전극(310)의 상면 및 제1 화소 정의막(410)의 측면에 접촉하고, 정공 수송층(323)은 제1 화소 정의막(410)의 상면 및 제2 화소 정의막(420)의 측면에 접촉할 수 있다. 이에 따라, 정공 주입층(321)이 화소 정의 구조물(400)의 측면을 따라 화소 정의 구조물(400)의 상면에까지 배치되어, 화소 전극(310)과 대향 전극(330) 사이에 누설 전류가 발생되는 현상을 방지할 수 있다.
정공 수송층(323) 상에는 유기 발광층(325)이 배치될 수 있다. 유기 발광층(325)은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질 및 에너지의 흡수와 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다.
유기 발광층(325) 상에는 전자 수송층(327)이 배치될 수 있고, 전자 수송층 상에는 전자 주입층(329)이 배치될 수 있다. 전자 수송층(327)은, 예를 들어,2,9-다이메틸-4,7-다이페닐페난트롤린 (DPhPhen(2,9-dimethyl-4,7-diphenylphenanthroline)), 폴리[(9,9-디-헥실플루오린-2,7-다일)-코-(피리딘-3,5-다일)] (PF-Py(poly[(9,9-di-hexylfluorene-2,7-diyl)-co-(pyridine-3,5-diyl)])), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨) (Bebq2(bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium)) 등의 전자 수송 물질을 포함할 수 있다. 전자 주입층(329)은, 예를 들어, 플루오르화리튬(LiF), 염화나트륨(NaCl), 플루오르화바륨(BaF), 플루오르화세슘(CsF), 산화리튬(Li2O) 등을 포함할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 발광층(320) 및 제2 화소 정의막(420) 상에는 대향 전극(330)이 배치될 수 있다. 대향 전극(330)은 발광층(320)을 사이에 두고 화소 전극(310)과 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 대향 전극(330)은 복수의 화소들에 공통적으로 배치되는 공통 전극으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 대향 전극(330)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 상대적으로 낮은 일 함수를 갖는 금속 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 평면도이다. 도 6 및 도 7은 도 5의 III-III' 선을 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는 스위칭 트랜지스터(700), 구동 트랜지스터(200), 커패시터(800), 발광 구조물(300), 화소 정의 구조물(400), 제1 배선(500)을 포함할 수 있다. 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대하여는 중복된 설명은 생략한다.
층간 절연막(130) 상에는 구동 소스 전극(230), 구동 드레인 전극(240), 화소 전극(310), 데이터 배선(510) 및 공통 전원 배선(610)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 전극(310)과 구동 드레인 전극(240)은 일체로 형성될 수 있고, 구동 전원 배선(610)과 구동 소스 전극(230)은 일체로 형성될 수 있다.
화소 정의 구조물(400)은 제1 화소 정의막(410) 및 제1 화소 정의막(410) 상에 배치되는 제2 화소 정의막(420)을 포함할 수 있다.
층간 절연막(130) 상에는 구동 소스 전극(230), 구동 드레인 전극(240), 데이터 배선(510) 및 구동 전원 배선(610)은 실질적으로 커버하면서, 화소 전극(310)은 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막(410)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 화소 정의막(410)은 화소 전극(310)의 주변부를 커버하면서 화소 전극(310)의 중심부를 노출시킬 수 있다.
제1 화소 정의막(410) 상에는 제1 배선(500)이 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 배선(500)은 실질적으로 신호를 전달하는 역할을 하지 않는 더미(dummy) 배선일 수 있다.
제1 화소 정의막(410) 상에는 제1 배선(500)을 커버하는 제2 화소 정의막(420)이 배치될 수 있다. 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)의 단부로부터 소정의 거리로 이격되게 위치할 수 있다. 다시 말해, 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)의 주변부를 노출시킬 수 있다. 제2 화소 정의막(420)은 제1 화소 정의막(410)보다 실질적으로 큰 두께를 가질 수 있다.
제2 화소 정의막(420)은 제1 배선(500)을 완전히 덮으면서 제1 화소 정의막(410) 상에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 화소 정의막(420)과 제1 배선(500) 사이의 접착력은 제2 화소 정의막(420)과 제1 화소 정의막(410) 사이의 접착력보다 실질적으로 클 수 있다. 이에 따라, 서로 다른 물질을 포함하는 제1 화소 정의막(410)과 제2 화소 정의막(420) 사이의 접착력이 상대적으로 작기 때문에, 제2 화소 정의막(420)이 제1 화소 정의막(410) 상의 정해진 위치로부터 벗어나는 현상을 방지할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 배선(500)은 제2 화소 정의막(420)의 중앙부에 중첩될 수 있다. 이 경우, 제2 화소 정의막(420)은 제1 배선(500)의 상면의 전부 및 측면의 전부를 실질적으로 커버할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 배선(500)은 제2 화소 정의막(420)의 측부에 중첩될 수 있다. 이 경우, 제2 화소 정의막(420)은 제1 배선(500)의 상면의 일부 및 측면의 일부를 커버할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비한 전자 기기에 다양하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어, 디지털 카메라, 비디오 캠코더 등에 적용될 수 있다.
10: 유기 발광 표시 장치 100: 기판
120: 게이트 절연막 130: 층간 절연막
200: 트랜지스터 210: 액티브 패턴
220: 게이트 전극 230: 소스 전극
240: 드레인 전극 300: 발광 구조물
310: 화소 전극 321: 정공 주입층
323: 정공 수송층 325: 유기 발광층
327: 전자 수송층 329: 전자 주입층
330: 대향 전극 400: 화소 정의 구조물
410: 제1 화소 정의막 412: 제1 개구
414: 제2 개구 420: 제2 화소 정의막
500: 제1 배선 600: 제2 배선

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판 상에 배치되며 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막 및 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되는 제2 화소 정의막을 포함하는 화소 정의 구조물; 및
    상기 기판의 상부에 배치되며, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제1 배선을 포함하고,
    상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 크며,
    상기 제1 화소 정의막은 상기 제1 배선을 부분적으로 노출시키는 제1 개구를 가지고, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 배선에 접촉하며,
    상기 제1 배선은 데이터 배선인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 화소 정의막은 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 화소 정의막은 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 화소 정의막의 주변부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 배선 및 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판 상에 배치되며 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막 및 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되는 제2 화소 정의막을 포함하는 화소 정의 구조물;
    상기 기판의 상부에 배치되며, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제1 배선; 및
    상기 기판의 상부에 배치되고, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제2 배선을 포함하고,
    상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 크며,
    상기 제1 화소 정의막은 상기 제1 배선을 부분적으로 노출시키는 제1 개구를 가지고, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 배선에 접촉하며,
    상기 제2 화소 정의막과 상기 제2 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 화소 정의막은 상기 제2 배선을 부분적으로 노출시키는 제2 개구를 가지며, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제2 개구를 통해 상기 제2 배선에 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1 배선, 상기 제2 배선 및 상기 화소 전극은 상기 기판 상부의 동일한 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 제2 배선은 공통 전원 배선인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서, 액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 액티브 패턴은 상기 기판 상에 배치되고, 상기 기판 상에 상기 액티브 패턴을 커버하는 게이트 절연막이 배치되며, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막 상에 배치되고, 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극을 커버하는 층간 절연막이 배치되며, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 화소 전극, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선은 상기 층간 절연막 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 화소 전극 및 상기 드레인 전극은 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제2 배선 및 상기 소스 전극은 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함하는 발광 구조물;
    상기 기판 상에 배치되며 상기 화소 전극을 부분적으로 커버하는 제1 화소 정의막 및 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되는 제2 화소 정의막을 포함하는 화소 정의 구조물; 및
    상기 기판의 상부에 배치되며, 상기 제1 화소 정의막 및 상기 제2 화소 정의막과 접촉하는 제1 배선을 포함하고,
    상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 배선 사이의 접착력은 상기 제2 화소 정의막과 상기 제1 화소 정의막 사이의 접착력보다 크며,
    상기 제1 배선은 상기 제1 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제2 화소 정의막은 상기 제1 배선을 커버하며,
    상기 제1 배선은 상기 제2 화소 정의막의 측부에 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 유기 발광층의 하부에 배치되는 정공 주입층과 정공 수송층, 및 상기 유기 발광층의 상부에 배치되는 전자 수송층과 전자 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 화소 전극의 상면 및 상기 제1 화소 정의막의 측면에 접촉하고, 상기 정공 수송층은 상기 제1 화소 정의막의 상면 및 상기 제2 화소 정의막의 측면에 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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