CN107706222B - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，包括：基板；形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域，从而解决了因“咖啡环”效应导致膜层不均匀的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
在显示技术领域中，现有的显示器件中的膜层制作方法主要包括喷墨印刷、微转印印刷、旋涂等。采用其中的喷墨印刷等方法制备膜层时，当膜层溶液滴落到像素区后，靠近像素界定层的液面会略高于中间区域，造成边缘厚度高于中间厚度，即会出现咖啡环效应，由于“咖啡环”效应的存在，将导致像素区内形成的膜层出现中间薄，两边厚，也即膜层不均匀，从而使显示器件的显示亮度不均匀。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决目前形成膜层时，因“咖啡环”效应导致膜层不均匀的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种阵列基板，包括：
基板；
形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；
覆盖在所述阳极层上的发光层；
形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。
优选的，所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。
优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构。
优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中。
优选的，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层呈阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。
优选的，所述第二像素界定层采用黑色光阻材料。
优选的，所述发光层为量子点发光层或有机发光层。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括所述的阵列基板。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：
在基板上形成阳极层以及第一像素界定层；
在所述阳极层上形成发光层；
在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。
优选的，所述在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层的步骤包括：
通过激光转印方式在所述第一像素界定层上形成所述第二像素界定层，并且所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。
优选的，所述在基板上形成第一像素界定层的步骤包括：
通过激光转印方式在基板上形成所述第一像素界定层，并且所述第一像素界定层呈现阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本发明提供的阵列基板包括：在基板上形成阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。通过第二像素界定层覆盖发光层的边缘区域，使得发光层边缘的不均匀区域部分被遮挡，从而使发光层的均匀部分用于显示区域，从而避免了因出现咖啡环效应导致膜层不均匀的问题，同时也避免了显示器件亮度不均匀的问题。
当然，实施本发明的任一产品不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
图1是本发明实施例一所述一种阵列基板的结构框图；
图2是本发明实施例二所述一种阵列基板的结构框图；
图3是本发明实施例三所述一种阵列基板的结构框图；
图4是本发明实施例五所述一种阵列基板的制备方法的流程图；
图5是本发明形成阳极层以及第一像素界定层的结构示意图；
图6是本发明在阳极层上形成发光层的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参见图1，其示出了本发明实施例一所述一种阵列基板的结构框图，具体包括：
基板1，然后图案化在所述基板1上形成阳极层5及第一像素界定层7，覆盖在所述阳极层5上的发光层6，形成在所述第一像素界定层7上的第二像素界定层8，所述第二像素界定层8覆盖所述发光层的边缘区域9。
在实际应用中，基板1可以是制作完成薄膜晶体管阵列的基板，也可以是其他基板，对此本发明不做具体限制，该薄膜晶体管包括源极2、漏极3和栅极4。
所述第一像素界定层7为正梯形结构，且所述第一像素界定层7上横截面的正投影小于等于下横截面在基板上的正投影。
第一像素界定层7的材料可以为有机硅、二氧化硅SiO2等材料，也可以为其他材料，对此本发明不做具体限制。
阳极层的材料可以为镁、铜、银、氧化铟锡中的至少一种，对此本发明不做具体限制。
所述发光层6为量子点发光层或有机发光层。
在实际应用中，由于第一像素界定层的存在，这样在形成发光层的时，会在第一像素界定层的周围产生不均匀的区域，将第一像素界定层的周围产生不均匀的区域称为发光层的边缘区域，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，这样第二像素界定层8可以将发光层的边缘区域9完全遮挡，这样可以避免发光层出现中间薄，两边厚，也即膜层不均匀，从而显示器件的显示亮度不均匀的问题。
在实际应用中，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，同时第一像素界定层7在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，或者第二像素界定层8在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，这样可以防止薄膜晶体管产生漏电流。
第二像素界定层8的材料可以与第一像素界定层7的材料相同，可以为有机硅、二氧化硅SiO2等材料，第二像素界定层8的材料也可以与第一像素界定层的材料不同，所述第二像素界定层8采用黑色光阻材料，该黑色光阻材料为树脂、聚酰亚胺等材料。
本实施例，提供的阵列基板包括：在基板上形成阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。通过第二像素界定层覆盖发光层的边缘区域，使得发光层边缘的不均匀区域部分被遮挡，从而使发光层的均匀部分用于显示区域，从而避免了因出现咖啡环效应导致膜层不均匀的问题，同时也避免了显示器件亮度不均匀的问题。
实施例二
参见图2，其示出了本发明实施例二所述一种阵列基板的结构框图，该阵列基板与实施例一所述的阵列基板基本相同，相同部分可以参照实施例一中的内容即可，本实施例二主要说明与实施例一的不同之处，不同之处主要在于第一像素界定层7和第二像素界定层8的结构不同。
本实施例二中，第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构，渐缩结构是指第一像素界定层的横截面在所述基板上呈现递减的方式，该渐缩结构具体包括：第一像素界定层7采用的是上窄下宽结构，即所述第一像素界定层7包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中。
第二像素界定层8采用的是长方形结构，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，这样第二像素界定层8可以将发光层的边缘区域9完全遮挡，避免了咖啡环效应的产生。
进一步的，在实际应用中，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板上的正投影，同时第一像素界定层7在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，或者第二像素界定层8在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板上的正投影，这样可以防止薄膜晶体管产生漏电流。
实施例三
参见图3，其示出了本发明实施例三所述一种阵列基板的结构框图，该阵列基板与实施例一所述的阵列基板基本相同，相同部分可以参照实施例一中的内容即可，主要不同之处在于第一像素界定层和第二像素界定层的结构不同，
本实施例三中，第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构，渐缩结构是指在所第一像素界定层的横截面述基板上呈现递减的方式，该渐缩结构具体包括：第一像素界定层7采用的是阶梯结构，该阶梯结构至少存在两个台阶或者更多个台阶，对此本发明不做具体限制，通过将第一像素界定层设置为阶梯结构可以减少发光层的爬坡现象。
第二像素界定层8采用的是长方形结构，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，这样第二像素界定层8可以将发光层的边缘区域完全遮挡，避免了咖啡环效应的产生。
进一步的，在实际应用中，所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影，同时第一像素界定层7在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，或者第二像素界定层8在基板1上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板1上的正投影，这样可以防止薄膜晶体管产生漏电流。
实施例四
本发明还公开了一种显示面板，包括实施例一至三中所述的阵列基板。
需要说明的是，本实施例中的显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
所述显示面板具有上述实施例一中阵列板的所有优点，在此不再赘述。
实施例五
参见图4，其示出了本发明实施例五所述一种阵列基板的制备方法的流程图，具体包括：
步骤401：在基板1上形成阳极层5以及第一像素界定层7，如图5所示。
在实际应用中，可以在基板1上先形成薄膜晶体管阵列，然后在形成有薄膜晶体管阵列的基板1上图案化形成阳极层5以及第一像素界定层7。
通过激光转印方式在基板上形成所述第一像素界定层7，并且所述第一像素界定层7可以为上窄下宽的结构，也可以是阶梯结构，也可以为其他结构，例如正梯形结构。
步骤402：在所述阳极层5上形成发光层6，如图6所示。
利用喷墨打印(IJP，ink-jet printing)的方法形成发光层。
步骤403：在所述第一像素界定层7上形成第二像素界定层8，所述第二像素界定层8覆盖所述发光层6的边缘区域9，如图1所示。
通过激光转印方式在所述第一像素界定层7上形成所述第二像素界定层8，并且所述第二像素界定层8在所述基板1上的正投影覆盖所述第一像素界定层7在所述基板1上的正投影。
具体的，采用波长为1064nm的激光，激光束穿过掩模版时，激光照射带有第二像素界定层的转印基板，转印基板上的光热转换层将光能转化为热能，从而形成第二像素界定层。
需要说明的是，采用上述阵列基板的制备方法同时也可以制备出如图2和图3所示的阵列基板，由于制备工艺相同，因此本发明不在此赘述，参见图4制备工艺即可。
本实施例，提供的阵列基板包括：在基板上形成阳极层及第一像素界定层；覆盖在所述阳极层上的发光层；形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域。通过第二像素界定层覆盖发光层的边缘区域，使得发光层边缘的不均匀区域部分被遮挡，从而使发光层的均匀部分用于显示区域，从而避免了因出现咖啡环效应导致膜层不均匀的问题，同时也避免了显示器件亮度不均匀的问题。
需要说明的是，对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明所必需的。
对于上述方法实施例而言，由于其与装置实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见装置实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域技术人员易于想到的是：上述各个实施例的任意组合应用都是可行的，故上述各个实施例之间的任意组合都是本发明的实施方案，但是由于篇幅限制，本说明书在此就不一一详述了。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”，不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
而且，上文中的“和/或”表示本文既包含了“和”的关系，也包含了“或”的关系，其中：如果方案A与方案B是“和”的关系，则表示某实施例中可以同时包括方案A和方案B；如果方案A与方案B是“或”的关系，则表示某实施例中可以单独包括方案A，或者单独包括方案B。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
以上对本发明所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的阳极层及第一像素界定层；
覆盖在所述阳极层上的发光层；
形成在所述第一像素界定层上的第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域；
所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构；
所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层为上窄下宽结构，所述上窄下宽结构包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中；
所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影，同时第一像素界定层在基板上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板上的正投影，或者第二像素界定层在基板上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板上的正投影；
所述第二像素界定层采用黑色光阻材料；所述发光层为量子点发光层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层呈阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。
4.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的阵列基板。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上形成阳极层以及第一像素界定层；
在所述阳极层上形成发光层；
在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层，所述第二像素界定层覆盖所述发光层的边缘区域，其中，所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构；所述第一像素界定层在所述基板上呈渐缩结构包括：所述第一像素界定层为上窄下宽结构，所述上窄下宽结构包括靠近所述基板的第一部分和远离所述基板的第二部分，所述第二部分在所述基板上的正投影部分覆盖所述第一部分在所述基板上的正投影，并部分覆盖所述第二像素界定层在所述基板上的正投影；所述发光层的边缘区域形成在由所述第二像素界定层、所述第一部分和所述第二部分形成的间隙中；所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影，同时第一像素界定层在基板上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板上的正投影，或者第二像素界定层在基板上的投影覆盖住薄膜晶体管在基板上的正投影；所述第二像素界定层采用黑色光阻材料；所述发光层为量子点发光层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一像素界定层上形成第二像素界定层的步骤包括：
通过激光转印方式在所述第一像素界定层上形成所述第二像素界定层，并且所述第二像素界定层在所述基板上的正投影覆盖所述第一像素界定层在所述基板上的正投影。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成第一像素界定层的步骤包括：
通过激光转印方式在基板上形成所述第一像素界定层，并且所述第一像素界定层呈现阶梯结构且阶梯宽度沿远离所述基板的方向递减。
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Citations (4)
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| CN104241329A (zh) * | 2014-08-22 | 2014-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 具有像素界定层的显示面板及像素界定层的制造方法 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
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