JP2020531882A - Ｏｌｅｄ表示マザーボード及びその製造方法、ｏｌｅｄ表示パネルの製造方法及びそのｏｌｅｄ表示装置 - Google Patents

Abstract

ＯＬＥＤ表示マザーボード及びその製造方法、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法及びそのＯＬＥＤ表示装置である。前記ＯＬＥＤ表示マザーボードは、表示エリア（５１）と、前記表示エリア（５１）を囲む非表示エリア（５２）を有するベース基板（５）と、前記ベース基板（５）の前記表示エリア（５１）内に位置するＴＦＴ（１５）とＯＬＥＤデバイス（１６）と、前記ベース基板（５）の前記非表示エリア（５２）内に位置する少なくとも２つの割れ止めスリット（３）と、前記割れ止めスリット（３）と前記ＯＬＥＤデバイス（１６）を覆うパッケージ層（１）と、を含み、前記割れ止めスリット（３）の延伸方向は前記ベース基板（５）の前記表示エリア（５１）のエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う前記割れ止めスリット（３）は割れ止めスリット段差（８）によって隔てられる。前記パッケージ層（１）における、前記表示エリア（５１）から最も離隔した前記割れ止めスリット（３）の、前記表示エリア（５１）とは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する。

Description

（関連出願の相互参照）
本願は２０１７年８月３１日に提出された中国特許出願第２０１７１０７８３５９２．２号の優先権を主張し、その全ての内容を引用して本願の一部とする。

本開示は表示技術分野に関するものであり、特にＯＬＥＤ表示マザーボード及びその製造方法、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法及びそのＯＬＥＤ表示装置に関するものである。

従来の液晶表示パネルと比較して、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、有機発光ダイオード）表示パネルは、レスポンスが速く、色域が広く、厚みが薄く、フレキシブル化を実現できるなどの利点を有するため、徐々に表示分野の主力となってきている。

本開示はＯＬＥＤ表示マザーボード及びその製造方法、ＯＬＥＤ表示パネルの製造方法及びそのＯＬＥＤ表示装置を提供する。

本開示の一態様では、表示エリア、及び、前記表示エリアを囲む非表示エリアを有するベース基板と、前記ベース基板の前記表示エリア内に位置するＴＦＴとＯＬＥＤデバイスと、前記ベース基板の前記非表示エリア内に位置する少なくとも２つの割れ止めスリットと、前記割れ止めスリットと前記ＯＬＥＤデバイスを覆うパッケージ層と、を含み、前記割れ止めスリットの延伸方向は前記ベース基板の前記表示エリアのエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う前記割れ止めスリットは割れ止めスリット段差によって隔てられる、ＯＬＥＤ表示マザーボードを提供する。前記パッケージ層における、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する。

本開示の実施例において、前記パッケージ層における前記部分の外側エッジの厚さは、前記表示エリアとは反対の方向に沿って徐々に小さくなる。

本開示の実施例において、前記パッケージ層は順次積層された第１の無機パッケージ層、有機パッケージ層、第２の無機パッケージ層を含む。前記第１の無機パッケージ層、前記有機パッケージ層、前記第２の無機パッケージ層は前記ＯＬＥＤデバイスを覆い、前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層は前記割れ止めスリットを覆う。

本開示の一態様では、ＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法をさらに提供する。前記方法は、ＴＦＴを有する表示エリア、及び、前記表示エリアを囲む非表示エリアを有するベース基板を提供し、前記ベース基板の前記非表示エリア内に少なくとも２つの割れ止めスリットを形成し、前記割れ止めスリットの延伸方向は前記ベース基板の前記表示エリアのエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う前記割れ止めスリットは割れ止めスリット段差によって隔てられ、前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成し、前記割れ止めスリットと、前記犠牲層と、前記ベース基板の前記表示エリア内に位置するＯＬＥＤデバイスとを覆うようにパッケージ層を形成し、前記犠牲層を除去して前記犠牲層上に位置する前記パッケージ層を除去することを含む。

本開示の実施例において、前記パッケージ層における、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する。

本開示の実施例において、前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成するステップには、前記ベース基板上に犠牲材料を堆積することと、前記犠牲材料上にフォトレジストを塗布することと、前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲材料をパターニングし、前記割れ止めスリット段差上に位置する前記犠牲材料を残すことで前記犠牲層を形成することと、を含む。

本開示の実施例において、前記犠牲材料はフッ素含有ポリマーを含む。

本開示の実施例において、前記フッ素含有ポリマーにおけるフッ素の含有量は２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。

本開示の実施例において、前記犠牲層を除去することには、ハイドロフルオロエーテル溶剤で前記犠牲層を除去することを含む。

本開示の実施例において、前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成することには、前記ベース基板上にフォトレジストを塗布することと、前記フォトレジストをパターニングし、前記割れ止めスリット段差上に位置する前記フォトレジストを残すことで前記犠牲層を形成することと、を含む。

本開示の実施例において、前記犠牲層の頂面は前記割れ止めスリット内に位置する前記パッケージ層の頂面よりも高い。

本開示の実施例において、前記犠牲層の厚さは１．５μｍ〜５μｍである。

本開示の実施例において、前記犠牲層の幅は前記割れ止めスリット段差の幅と同一であって、かつ前記犠牲層の幅は３μｍ〜２０μｍである。

本開示の実施例において、前記ベース基板と前記ＴＦＴとの間にはバッファ層が設けられ、前記バッファ層と前記ＴＦＴとの間には層間誘電体層が設けられる。前記少なくとも２つの割れ止めスリットを形成することには、前記非表示エリア内に位置する前記層間誘電体層をエッチングし、前記層間誘電体層内に前記割れ止めスリットを形成すること、或いは、前記非表示エリア内に位置する前記層間誘電体層と前記バッファ層をエッチングし、前記層間誘電体層と前記バッファ層内に前記割れ止めスリットを形成することを含む。

本開示の実施例において、前記少なくとも２つの割れ止めスリットを形成する前に、前記方法には、前記ベース基板上に平坦層を形成することと、前記平坦層上に、前記ＴＦＴのソースまたはドレインに接続される、前記ＯＬＥＤデバイスのアノードを形成することと、前記平坦層と前記アノード上に画素規制層を形成することと、をさらに含む。前記パッケージ層を形成する前に、前記方法には、前記画素規制層上に前記ＯＬＥＤデバイスの発光層を形成することと、前記発光層上に前記ＯＬＥＤデバイスのカソードを形成することと、をさらに含む。

本開示の実施例において、前記パッケージ層を形成することには、前記ベース基板上に、前記ＯＬＥＤデバイスを覆う第１の無機パッケージ層、有機パッケージ層、第２の無機パッケージ層を順次形成することを含む。前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層は前記割れ止めスリットと前記犠牲層を覆う。

本開示の実施例において、前記犠牲層を除去して前記犠牲層上に位置するパッケージ層を除去することには、前記犠牲層を除去することで前記犠牲層上に位置する前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層を除去することを含む。

本開示の一態様では、前記非表示エリア内に位置する切断線に沿って前記ＯＬＥＤ表示マザーボードを切断することを含む、上記のＯＬＥＤ表示マザーボードによってＯＬＥＤ表示パネルを製造する方法をさらに提供する。前記切断線は、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する。

本開示の実施例において、前記切断線は前記パッケージ層を跨ぐ。

本開示の一態様では、上記の製造方法で製造されたＯＬＥＤ表示パネルを含むＯＬＥＤ表示装置をさらに提供する。

本開示の実施例又は従来技術における技術案をより明瞭に説明するために、以下では、実施例の説明に要する図面について簡単に紹介する。明らかに、以下の説明における図面は、本開示の一部の実施例に過ぎず、当業者は、創造力を働かせることなく、これら図面からその他の図面を得ることができる。

図１は従来技術におけるＯＬＥＤ表示マザーボードの構造の断面模式図である。 図２は本開示の実施例が提供するＯＬＥＤ表示マザーボードの製造方法のフローチャートである。 図３は本開示の実施例による、ステップＳ２の後に得られた第１の種類の構造の断面模式図である。 図４は本開示の実施例による、ステップＳ２の後に得られた第１の種類の構造の平面図である。 図５は本開示の実施例による、ステップＳ３の後に得られた構造の断面模式図である。 図６は本開示の実施例による、ステップＳ４の後に得られた構造の断面模式図である。 図７は本開示の実施例による、ステップＳ５の後に得られた構造の断面模式図である。 図８は本開示の実施例による、ステップＳ２の後に得られた第２の種類の構造の断面模式図である。

以下、本開示の実施例における図面を組み合わせて、本開示の実施例における技術案について明瞭かつ完全に記述する。明らかに、説明する実施例は本開示の実施例の一部に過ぎず、全ての実施例ではない。本開示における実施例に基づいて、当業者が創造力を働かせずに得たすべてのその他の実施例はみな本開示の請求範囲に該当する。

ＯＬＥＤ表示パネルの寿命が短いということは、その発展を制限する重要な要素の一つとなっている。水蒸気と酸素などの成分がＯＬＥＤ表示パネルの寿命に与える影響も大きい。よって、従来のＯＬＥＤ表示マザーボードにおいては、図１に示すように、通常はＯＬＥＤ表示マザーボード内の各機能層を水蒸気と酸素などの成分から隔離するために、ＯＬＥＤ表示マザーボード内にパッケージ層１が設けられている。このほか、ＯＬＥＤ表示マザーボードを切断する時に、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂにクラックが生じないように、通常はＯＬＥＤ表示マザーボードの切断線２近傍に割れ止めスリット３が加えられ、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂがＯＬＥＤ表示マザーボードの切断過程の影響を受けないように、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂの堆積境界を、割れ止めスリット３とＯＬＥＤ表示マザーボードの障壁４との間とする。しかしながら、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂの堆積過程において、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂの厚さが均一でないエリアＡが形成されるため、ＯＬＥＤ表示マザーボードの枠エリアにおいて、エリアＡに対応するエリアを確保しておく必要があり、ＯＬＥＤ表示マザーボードの枠幅が大きくなってしまう。

本開示の実施例ではＯＬＥＤ表示マザーボード及びその製造方法、ＯＬＥＤ表示装置を提供しており、ＯＬＥＤ表示マザーボードにおける非表示エリアのエッジの均一でないエリアを解消し、ＯＬＥＤ表示マザーボードの枠幅を小さくすることができる。

本開示の実施例はＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法を提供する。図２に示すように、該ＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法はステップＳ１〜Ｓ５を含む。

続いて、図３〜図７を参照しながら本開示の実施例について詳しく説明する。

図３は本開示の実施例による、ステップＳ２の後で得られた第１の種類の構造の断面模式図である。図４は本開示の実施例による、ステップＳ２の後で得られた第１の種類の構造の平面図である。図３と４を参照すると、ステップＳ１ではベース基板５を提供する。該ベース基板５は、ＴＦＴ１５を有する表示エリア５１と、該表示エリア５１を囲む非表示エリア５２を有する。なお、本開示の実施例が提供するベース基板５はガラス基板またはその他の透明基板であってよい。

ベース基板５上にＴＦＴ１５を形成する具体的な方法は、ＴＦＴを製造する従来の方法を参照でき、本開示の実施例ではこれについて限定しない。一例として、図面において、本開示の実施例のＴＦＴ１５はソース／ドレイン電極層１５を含んでよい。

引き続き図３と４を参照すると、ステップＳ２では、少なくとも２つの割れ止めスリット３を形成する。具体的には、ベース基板５の非表示エリア５２内に少なくとも２つの割れ止めスリット３を形成する。割れ止めスリット３の延伸方向はベース基板５の表示エリア５１のエッジの延伸方向と同一である。隣り合う割れ止めスリット３は割れ止めスリット段差８によって隔てられる。

図５は本開示の実施例による、ステップＳ３の後で得られた構造の断面模式図である。図５を参照すると、ステップＳ３では犠牲層９を形成する。具体的には、割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成する。一例として、該犠牲層の材料は例えば、透明な樹脂などのポリマーであってよい。本開示の例示的な実施例において、割れ止めスリット段差８上に、例えば、透明な樹脂などのポリマーの材料を堆積し、その後、該材料上にフォトレジストを塗布し、次いで、露光、現像、エッチングなどのステップによって割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成してよい。

本開示の実施例において、犠牲層９の具体的な形状は割れ止めスリット段差８の具体的な形状とほぼ同一であってよい。例えば、犠牲層９の幅は割れ止めスリット段差８の幅と同一であってよく、割れ止めスリット段差８の幅よりも大きくてよく、或いは割れ止めスリット段差８の幅よりも小さくてもよく、本開示の実施例ではこれについて具体的に限定しない。なお、上記幅はベース基板５の表面に平行で、かつ割れ止めスリット段差８または犠牲層９の延伸方向に垂直な方向における寸法である。

図６は本開示の実施例による、ステップＳ４の後で得られた構造の断面模式図である。図６を参照すると、ステップＳ４では、割れ止めスリット３、犠牲層９、ベース基板５のＯＬＥＤデバイス１６上にパッケージ層１を形成する。一例として、上記パッケージ層１は単層の無機膜層または有機膜層であってよく、無機膜層と有機膜層からなる複数膜層構造であってもよい。

割れ止めスリット３はベース基板５の非表示エリア５２内に形成されるため、パッケージ層１が割れ止めスリット３と犠牲層９を覆うことができるよう、該パッケージ層１のエッジは表示エリア５１から最も離隔した割れ止めスリット３の、表示エリア５１とは反対の一側に位置する。

本開示の実施例において、パッケージ層１における、表示エリア５１から最も離隔した割れ止めスリット３の、表示エリア５１とは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する。

図７は本開示の実施例による、ステップＳ５の後で得られた構造の断面模式図である。図７を参照すると、ステップＳ５では、犠牲層９と、犠牲層９上に位置するパッケージ層１を除去する。

本開示の実施例において、犠牲層９の頂面は割れ止めスリット３内に位置するパッケージ層１の頂面よりも高い。

一例として、犠牲層９の材料に対応する分解溶剤を用いて、犠牲層９を分解して、該犠牲層９を除去し、これによって犠牲層９上に位置するパッケージ層１を除去することができる。

本開示の実施例は、ＯＬＥＤ表示パネルを製造する方法をさらに提供する。該方法は、非表示エリア５２内に位置する切断線２に沿って該ＯＬＥＤ表示マザーボードを切断することを含む。切断線２は、表示エリア５１から最も離隔した割れ止めスリット３の、表示エリア５１とは反対の一側に位置する。

本開示の実施例において、切断線２はパッケージ層１を跨ぐ。

本開示の実施例が提供する、ＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法において、ベース基板５の非表示エリア５２内に割れ止めスリット３を形成した後、隣り合う割れ止めスリット３の間にある割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成し、割れ止めスリット３と犠牲層９上にパッケージ層１を形成する。割れ止めスリット３はベース基板５の非表示エリア５２内に形成されるため、パッケージ層１が割れ止めスリット３と犠牲層９を覆うことができるよう、該パッケージ層１のエッジは、表示エリア５１から最も離隔した割れ止めスリット３の、表示エリア５１とは反対の一側に位置する。つまり、パッケージ層１を形成する過程では、パッケージ層１の厚さが均一でないエッジも切断線２外に位置し、切断された後のベース基板５内に現れることはない。よって、本開示の実施例が提供するＯＬＥＤ表示パネルを製造する方法を用いてＯＬＥＤ表示パネルを製造する時には、ＯＬＥＤ表示マザーボードの枠エリアに、パッケージ層１の厚さが均一でないエッジに対応するエリアを確保する必要がなく、ひいてはＯＬＥＤ表示マザーボードの枠幅を小さくすることができる。

このほか、犠牲層９を除去すると同時に、犠牲層９上に位置するパッケージ層１が除去されるため、切断線２近傍のパッケージ層１とベース基板５上に形成された、ＯＬＥＤデバイスに対応するパッケージ層が分断され、ひいてはＯＬＥＤ表示マザーボードの切断過程においてＯＬＥＤデバイスに対応するパッケージ層１にクラックが発生することを回避し、水蒸気と酸素がクラックを介してＯＬＥＤデバイス内に浸透することを防止し、ＯＬＥＤ表示パネルの寿命を延ばすことができる。

なお、犠牲層９を設けずに、割れ止めスリット３を覆うパッケージ層１を直接形成してから、パターニング工程によって割れ止めスリット段差８上に位置するパッケージ層１を除去するという方法と比較すると、本開示の実施例が提供する方法、つまり、割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成した後、犠牲層９を除去する、及び犠牲層９上に位置するパッケージ層１を除去するという方法を用いた場合は、除去の効果がより精緻である。犠牲層１を設けなければ、割れ止めスリット段差８上に位置するパッケージ層１を除去する過程において、除去する必要がないその他のパッケージ層１に損傷を与える可能性があり、パッケージ層１の封止効果に影響し、損傷箇所から水蒸気と酸素がＯＬＥＤ表示マザーボード内に侵入してしまい、ひいてはＯＬＥＤ表示パネルの寿命に影響を与える。

一例として、図３、５〜７を参照すると、ベース基板５とＴＦＴ１５との間にはバッファ層６が設けられ、バッファ層６とＴＦＴ１５との間には層間誘電体層７が設けられる。

本開示の実施例では、上記ステップＳ２において、形成された割れ止めスリット３はバッファ層６上に位置してよく、ベース基板５上に位置してもよい。具体的には、割れ止めスリット３を形成する具体的な方法は以下の二種類を含んでよい。

第１の種類：非表示エリア５２内に位置する層間誘電体層７をエッチングすることによって、層間誘電体層７内に割れ止めスリット３を形成する。このステップが完了した後、図３に示す構造が形成される。上記方法によって割れ止めスリット３を形成する時、形成された割れ止めスリット３は層間誘電体層７を貫通しており、割れ止めスリット３の底面は、層間誘電体層７側を向いたバッファ層６の一面であると理解できる。

第２の種類：非表示エリア５２内に位置する層間誘電体層７とバッファ層６をエッチングすることによって、層間誘電体層７とバッファ層６内に割れ止めスリット３を形成する。このステップが完了した後、図８に示す構造が形成される。上記方法によって割れ止めスリット３を形成する時、形成された割れ止めスリット３はバッファ層６と層間誘電体層７を貫通しており、割れ止めスリット３の底面は、バッファ層６側を向いたベース基板５の一面であると理解できる。

本開示の実施例において、割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成するステップは、ベース基板５上に犠牲材料を堆積することと、犠牲材料上にフォトレジストを塗布することと、フォトレジストをマスクとして犠牲材料をパターニングし、割れ止めスリット段差８上に位置する犠牲材料を残すことで犠牲層９を形成することと、を含んでよい。

一例として、スピンコートなどの方法を用いて、例えば、ポリマーの犠牲材料をベース基板５上に形成し、その後、犠牲材料上にフォトレジストを塗布し、次いで、露光、現像、エッチングなどのステップによって割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成してよい。

このほか、上記ステップＳ５では犠牲層９を除去する必要があるが、フッ素を含有するポリマーはその他のポリマーよりも除去しやすいため、本開示の実施例における犠牲材料はフッ素を含有するポリマーが好ましく、これにより犠牲層９がより容易に除去できる。

さらに、上記フッ素を含有するポリマーにおけるフッ素の含有量が高ければ高いほど、犠牲層の耐熱性、耐化学腐食性、耐久性はより好ましくなるが、フッ素の含有量が高くなるに従って、犠牲層９を除去することも難しくなり、犠牲層９の分解に影響する。よって、本開示の実施例のフッ素含有ポリマーにおけるフッ素の含有量は２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％が好ましく、これにより、犠牲層９の耐熱性、耐化学腐食性、耐久性が確保された状況のもと、犠牲層９を除去する難度を下げることができる。

この時に、該フッ素含有ポリマーに対して、ハイドロフルオロエーテル溶剤を用いてフッ素含有ポリマーの犠牲層９を除去することができる。一例として、Ｎｏｖｅｃ−７１００溶剤、Ｎｏｖｅｃ−７２００溶剤、Ｎｏｖｅｃ−７５００溶剤、Ｎｏｖｅｃ−７１ＩＰＡ溶剤、Ｎｏｖｅｃ−７２ＤＥ溶剤またはＮｏｖｅｃ−７２ＤＡ溶剤などを選択することで、犠牲層９の除去時に犠牲層９を徹底的に分解でき、ひいては犠牲層９を完全に除去することができる。

なお、フォトレジストを犠牲層の材料として直接選択することで、塗布、露光、現像というステップを一回経るだけで犠牲層９が形成できるというようにしてもよい。一例として、割れ止めスリット段差８上に犠牲層９を形成するステップは、ベース基板５上にフォトレジストを塗布することと、フォトレジストをパターニングし、割れ止めスリット段差８上に位置するフォトレジストを残すことで前記犠牲層９を形成することと、を含んでよい。

なお、図６に示すように、犠牲層９の厚さが小さければ小さいほど犠牲層９を製造する工程の難度は高まる反面、犠牲層９の厚さが大きければ大きいほど犠牲層９を除去する難度も高まり、犠牲層９の分解に影響する。よって、本開示の実施例における犠牲層９の厚さは１．５μｍ〜５μｍが好ましく、これにより犠牲層９を除去する工程の難度を下げながら、犠牲層９を製造する工程の難度を下げることができる。

一例として、図５に示すように、犠牲層９の幅は割れ止めスリット段差８の幅と同一であってよく、犠牲層９の幅と割れ止めスリット段差８の幅の具体的な値については、犠牲層９の幅が小さければ小さいほど犠牲層９を製造する工程の難度は高まるという点と、犠牲層９の幅が大きければ大きいほど犠牲層９を除去する難度も高まり、犠牲層９の分解に影響するという点から考慮することができる。よって、本開示の実施例における犠牲層９の幅は３μｍ〜２０μｍである。

本開示の実施例において、図６を参照すると、パッケージ層１を形成するステップは、ベース基板５上に、ＯＬＥＤデバイス１６を覆う第１の無機パッケージ層１ａ、有機パッケージ層１ｃ、第２の無機パッケージ層１ｂを順次形成することを含んでよい。第１の無機パッケージ層１ａ、有機パッケージ層１ｃと第２の無機パッケージ層１ｂはＯＬＥＤデバイスを覆う。第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂは割れ止めスリットと犠牲層を覆う。

さらに、図７を参照すると、パッケージ層１を形成した後、犠牲層９を除去することで犠牲層９上に位置するパッケージ層１を除去するステップは、犠牲層９を除去することで犠牲層９上に位置する第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂを除去することを具体的に含んでよい。

なお、図６に示すように、割れ止めスリット段差８上のパッケージ層１と、割れ止めスリット３におけるパッケージ層１との間に断層が生じ、つまり、犠牲層９の一部が露出することから、上記犠牲層９を除去する過程において、犠牲層９を溶剤で溶解した後、該犠牲層９上に位置するパッケージ層１は脱落し、つまり、該犠牲層９上に位置するパッケージ層１が同時に除去されており、エッチングなどの方法を単独で用いてパッケージ層１を除去する必要がないため、パッケージ層１を除去する難度を下げることができる。

このほか、図３を参照すると、上記ステップＳ２の前に、つまり、割れ止めスリット３を形成する前に、上記ＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法には、ベース基板５上に平坦層１０を形成することと、平坦層１０上に、ＴＦＴ１５のソースまたはドレインに接続される、ＯＬＥＤデバイス１６のアノード１１を形成することと、平坦層１０とアノード１１上に画素規制層１２を形成することと、をさらに含んでよい。

一例として、平坦層１０の材料は例えば、透明な絶縁樹脂などの材料を含んでよい。

一例として、アノード１１の材料は例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ）などの材料を含んでよい。

一例として、画素規制層１２の材料は無機親性材料（親性材料は有機発光材料の溶液に対して親和性がある）と有機疎性材料（疎性材料は有機発光材料の溶液に対して反発性がある）を含んでよい。

このほか、図６を参照すると、パッケージ層１を形成する前に、本開示の実施例が提供するＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法は、画素規制層１２上にＯＬＥＤデバイス１６の発光層１３を形成することと、発光層１３上にＯＬＥＤデバイス１６のカソード１４を形成することと、をさらに含んでよい。

一例として、インクジェット印刷などの方法によって発光層１３を形成することができる。

なお、上記ＯＬＥＤデバイス１６は、発光層１３とアノード１１との間に位置する正孔輸送層と正孔注入層、および、発光層１３とカソード１４との間に位置する電子輸送層と電子注入層をさらに含んでよい。当業者は、従来のＯＬＥＤデバイスにおける正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層を製造する方法を参照して製造することができ、本開示の実施例では説明を省略する。

このほか、本開示の実施例ではＯＬＥＤ表示マザーボードを提供する。図７に示すように、該ＯＬＥＤ表示マザーボード１００は、表示エリア５１と、表示エリア５１を囲む非表示エリア５２を有するベース基板５と、ベース基板５の表示エリア５１内に位置するＴＦＴ１５とＯＬＥＤデバイス１６と、ベース基板５の非表示エリア５２内に位置する少なくとも２つの割れ止めスリット３と、割れ止めスリット３とＯＬＥＤデバイス１６を覆うパッケージ層１と、を含み、割れ止めスリット３の延伸方向はベース基板５の表示エリア５１のエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う割れ止めスリット３は割れ止めスリット段差８によって隔てられる。

本開示の実施例において、図７に示すように、パッケージ層１における、表示エリア５１から最も離隔したスリット３の、表示エリア５１とは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する。本開示の実施例において、パッケージ層１における前記部分の外側エッジの厚さは表示エリア５１とは反対の方向に沿って徐々に小さくなる。

なお、上記パッケージ層１は単層の無機膜層または有機膜層であってよく、複数の無機膜層と有機膜層からなる複数膜層構造であってもよい。単層の無機膜層または有機膜層を含むパッケージ層が設けられたＯＬＥＤ表示マザーボードとの比較において、複数の無機膜層と有機膜層からなるパッケージ層が設けられたＯＬＥＤ表示マザーボードは、水蒸気と酸素が該ＯＬＥＤ表示マザーボードに浸透する経路がより長く、難度はより高い。よって、図７に示すように、本開示の実施例において、パッケージ層１は順次積層された第１の無機パッケージ層１ａ、有機パッケージ層１ｃ、第２の無機パッケージ層１ｂを含む。第１の無機パッケージ層１ａ、有機パッケージ層１ｃと第２の無機パッケージ層１ｂはＯＬＥＤデバイス１６を覆い、第１の無機パッケージ層１ａと第２の無機パッケージ層１ｂは割れ止めスリット３を覆う。

なお、ＯＬＥＤ表示パネルを製造する時に、通常は１つの大きなベース基板上に間隔を置いて複数のＯＬＥＤ表示パネルを製造してから、切断工程によって、設けられた切断線２に沿って（図７に示すように）切断し、これによって複数の独立したＯＬＥＤ表示パネルを得る。よって、切断線２は従来技術において、大きなベース基板を切断する時に設けられる切断線であってよいと理解できる。本開示の実施例において、切断線２はベース基板５の非表示エリア５２内に位置する。

関連部品の詳しい説明については、上記のＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法についての説明を参照でき、ここでは説明を省略する。

さらに、本開示の実施例は、上記のＯＬＥＤ表示パネルを製造する方法により製造されたＯＬＥＤ表示パネルを含むＯＬＥＤ表示装置をさらに提供する。

以上、本開示の具体的な実施の形態についてのみ説明したが、本開示の請求範囲は、これに限定されるものではない。本開示で開示された技術範囲内においてあらゆる当業者が容易に想到できる変更または置換は全て本開示の請求範囲内に含まれる。したがって、本開示の請求範囲は添付の請求項の請求範囲を基準とする。

１ パッケージ層
１ａ 無機パッケージ層
１ｂ 無機パッケージ層
１ｃ 有機パッケージ層
２ 切断線
３ 割れ止めスリット
４ 障壁
５ ベース基板
６ バッファ層
７ 層間誘電体層
８ 割れ止めスリット段差
９ 犠牲層
１０ 平坦層
１１ アノード
１２ 画素規制層
１３ 発光層
１４ カソード
１５ ＴＦＴ
１６ ＯＬＥＤデバイス
５１ 表示エリア
５２ 非表示エリア
１００ ＯＬＥＤ表示マザーボード

Claims (20)

1. 表示エリア、及び、前記表示エリアを囲む非表示エリアを有するベース基板と、
   前記ベース基板の前記表示エリア内に位置するＴＦＴとＯＬＥＤデバイスと、
   前記ベース基板の前記非表示エリア内に位置する少なくとも２つの割れ止めスリットと、
   前記割れ止めスリットと前記ＯＬＥＤデバイスを覆うパッケージ層と、を含み、
   前記割れ止めスリットの延伸方向は前記ベース基板の前記表示エリアのエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う前記割れ止めスリットは割れ止めスリット段差によって隔てられ、
   前記パッケージ層における、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する部分が均一でない厚さを有する
   ＯＬＥＤ表示マザーボード。
2. 前記パッケージ層における前記部分の外側エッジの厚さは、前記表示エリアとは反対の方向に沿って徐々に小さくなる
   請求項１に記載のＯＬＥＤ表示マザーボード。
3. 前記パッケージ層は順次積層された第１の無機パッケージ層、有機パッケージ層、第２の無機パッケージ層を含み、
   前記第１の無機パッケージ層、前記有機パッケージ層、前記第２の無機パッケージ層は前記ＯＬＥＤデバイスを覆い、前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層は前記割れ止めスリットを覆う
   請求項１に記載のＯＬＥＤ表示マザーボード。
4. ＴＦＴを有する表示エリア、及び、前記表示エリアを囲む非表示エリアを有するベース基板を提供し、
   前記ベース基板の前記非表示エリア内に少なくとも２つの割れ止めスリットを形成し、前記割れ止めスリットの延伸方向は前記ベース基板の前記表示エリアのエッジの延伸方向と同一であって、隣り合う前記割れ止めスリットは割れ止めスリット段差によって隔てられ、
   前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成し、
   前記割れ止めスリットと、前記犠牲層と、前記ベース基板の前記表示エリア内に位置するＯＬＥＤデバイスとを覆うように、パッケージ層を形成し、
   前記犠牲層を除去して前記犠牲層上に位置する前記パッケージ層を除去することを含む
   ＯＬＥＤ表示マザーボードを製造する方法。
5. 前記パッケージ層における、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する部分は均一でない厚さを有する
   請求項４に記載の方法。
6. 前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成することには、
   前記ベース基板上に犠牲材料を堆積することと、
   前記犠牲材料上にフォトレジストを塗布することと、
   前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲材料をパターニングし、前記割れ止めスリット段差上に位置する前記犠牲材料を残すことで前記犠牲層を形成することと、を含む
   請求項４に記載の方法。
7. 前記犠牲材料はフッ素含有ポリマーを含む
   請求項６に記載の方法。
8. 前記フッ素含有ポリマーにおけるフッ素の含有量は２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％である
   請求項７に記載の方法。
9. 前記犠牲層を除去することには、ハイドロフルオロエーテル溶剤で前記犠牲層を除去することを含む
   請求項７に記載の方法。
10. 前記割れ止めスリット段差上に犠牲層を形成することには、
    前記ベース基板上にフォトレジストを塗布することと、
    前記フォトレジストをパターニングし、前記割れ止めスリット段差上に位置する前記フォトレジストを残すことで前記犠牲層を形成することと、を含む
    請求項４に記載の方法。
11. 前記犠牲層の頂面は前記割れ止めスリット内に位置する前記パッケージ層の頂面よりも高い
    請求項４に記載の方法。
12. 前記犠牲層の厚さは１．５μｍ〜５μｍである
    請求項１１に記載の方法。
13. 前記犠牲層の幅は前記割れ止めスリット段差の幅と同一であって、かつ前記犠牲層の幅は３μｍ〜２０μｍである
    請求項４に記載の方法。
14. 前記ベース基板と前記ＴＦＴとの間にはバッファ層が設けられ、前記バッファ層と前記ＴＦＴとの間には層間誘電体層が設けられ、
    前記少なくとも２つの割れ止めスリットを形成することには、
    前記非表示エリア内に位置する前記層間誘電体層をエッチングし、前記層間誘電体層内に前記割れ止めスリットを形成すること、
    或いは、前記非表示エリア内に位置する前記層間誘電体層と前記バッファ層をエッチングし、前記層間誘電体層と前記バッファ層内に前記割れ止めスリットを形成することを含む
    請求項４に記載の方法。
15. 前記少なくとも２つの割れ止めスリットを形成する前に、
    前記ベース基板上に平坦層を形成することと、
    前記平坦層上に、前記ＴＦＴのソースまたはドレインに接続される、前記ＯＬＥＤデバイスのアノードを形成することと、
    前記平坦層と前記アノード上に画素規制層を形成することと、をさらに含み、
    前記パッケージ層を形成する前に、
    前記画素規制層上に前記ＯＬＥＤデバイスの発光層を形成することと、
    前記発光層上に前記ＯＬＥＤデバイスのカソードを形成することと、をさらに含む
    請求項４に記載の方法。
16. 前記パッケージ層を形成することには、
    前記ベース基板上に、前記ＯＬＥＤデバイスを覆う第１の無機パッケージ層、有機パッケージ層、第２の無機パッケージ層を順次形成することを含み、
    前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層は前記割れ止めスリットと前記犠牲層を覆う
    請求項４に記載の方法。
17. 前記犠牲層を除去して前記犠牲層上に位置する前記パッケージ層を除去することには、前記犠牲層を除去することで前記犠牲層上に位置する前記第１の無機パッケージ層と前記第２の無機パッケージ層を除去することを含む
    請求項１６に記載の方法。
18. 前記非表示エリア内に位置する切断線に沿って前記ＯＬＥＤ表示マザーボードを切断することを含み、前記切断線は、前記表示エリアから最も離隔した前記割れ止めスリットの、前記表示エリアとは反対の一側に位置する
    請求項１〜３の何れか１項に記載のＯＬＥＤ表示マザーボードによってＯＬＥＤ表示パネルを製造する方法。
19. 前記切断線は前記パッケージ層を跨ぐ
    請求項１８に記載の方法。
20. 請求項１８または１９に記載の方法で製造されたＯＬＥＤ表示パネルを含む
    ＯＬＥＤ表示装置。

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