JP2005166315A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アクティブマトリクス駆動方式を採用した場合においても製造プロセスが複雑化することなく有機ＥＬ素子の電極が破損し難い有機ＥＬ表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１は、基板２０と、基板２０の一方の主面上で互いに離間して配列した電極２６と、電極２６上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層２７ａを含んだ有機物層２７と、有機物層２７及び電極２６間の領域を被覆した電極２８とを備えたアクティブマトリクス基板２と、電極２８と対向した基板３０と、基板３０の基板２０との対向面上であって電極２６間の領域に対応した位置に形成されたスペーサ３１とを備えた封止基板３と、アクティブマトリクス基板２と封止基板３との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層４とを具備したことを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表示装置に係り、特には有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。

有機ＥＬ素子は、水分や酸素などに対する耐性が低い。そのため、有機ＥＬ表示装置では、例えば、封止基板とシール層とを用いて基板の有機ＥＬ素子を形成した面を外気から隔離するとともに、有機ＥＬ素子を形成した基板と封止基板とシール層とによって囲まれた空間を乾燥した不活性ガスで満たすなどの方策が採られている。この封止技術によると、例えば、封止基板の内面にシート状の乾燥剤を貼り付けることにより、有機ＥＬ素子の水分による劣化を極めて効果的に抑制することができる。

しかしながら、上記の封止技術では、２枚の基板を所定の間隙を隔てて対向させるため、有機ＥＬ表示装置を大型にすると、基板の撓みに起因して、それら基板同士が接触することがある。基板同士が接触すると、単純マトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置では、隣り合う電極間で短絡やリーク電流を発生することがある。そのため、単純マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子を形成した基板に非導電性のスペーサをさらに形成することがある（例えば、以下の特許文献１を参照のこと）。

ところで、基板同士が接触することにより発生する短絡やリーク電流は、単純マトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置に特有である。すなわち、アクティブマトリクス駆動方式を採用した場合、有機ＥＬ素子の一対の電極のうち封止基板側に位置したものは共通電極として設けられるため、先の問題は生じ得ない。

しかしながら、本発明者は、本発明を為すに際し、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置では、基板同士が接触すると、アクティブマトリクス基板に共通電極として設けられた電極が破損するという事実を見出している。さらに、本発明者は、特許文献１に記載されるが如くアクティブマトリクス基板にスペーサを形成した場合には、共通電極の剥離を生じ易くなるか、或いは、有機ＥＬ素子の完成後に真空若しくは乾燥不活性雰囲気中でのパターニング工程などが必要となることを見出している。
特開２００２−１５１２５２号公報

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、アクティブマトリクス駆動方式を採用した場合においても製造プロセスが複雑化することなく有機ＥＬ素子の電極が破損し難い有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

本発明の第１の側面によると、第１基板と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記複数の第１電極間の領域を被覆した第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記複数の第１電極間の領域に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明の第２の側面によると、第１基板と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記第１基板の前記主面上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記隔壁絶縁層上に設けられた第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記隔壁絶縁層に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

本発明の第３の側面によると、第１基板と、前記第１基板の一方の主面上でマトリクス状に配列した複数の画素回路と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列するとともに前記複数の画素回路にそれぞれ接続された複数の第１電極と、前記複数の画素回路に接続されるとともに前記複数の画素回路のそれぞれに信号及び電力を供給する複数本の配線と、前記複数本の配線を被覆するとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれが発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記隔壁絶縁層上に設けられた第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記複数本の配線の交差部に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。

スペーサの材料は無機材料であってもよい。
また、第２基板の第１基板との対向面にはスペーサから離間して凹部が設けられていてもよい。この場合、封止基板は凹部に収容された乾燥剤をさらに備えていてもよい。

本発明によると、アクティブマトリクス駆動方式を採用した場合においても製造プロセスが複雑化することなく有機ＥＬ素子の電極が破損し難い有機ＥＬ表示装置が提供される。

以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似の機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図２は、図１の有機ＥＬ表示装置に採用可能な回路構成の一例を示す平面図である。図３は、図１の有機ＥＬ表示装置のアクティブマトリクス基板を概略的に示す平面図である。なお、図１の断面は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面の１画素分と表示装置の周縁部断面とに対応している。

図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス基板２と封止基板３とを備えている。アクティブマトリクス基板２と封止基板３とは互いに接触しておらず、シール層４を介して対向している。シール層４は封止基板３の周縁に沿って設けられており、それにより、アクティブマトリクス基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、例えば、Ａｒガスなどの希ガスやＮ₂ガスのような乾燥した不活性ガスで満たされている。

図２の構成では、画素ＰＸは、アクティブマトリクス基板２の一構成要素である第１基板２０上でマトリクス状に配列している。基板２０上には、画素ＰＸに加え、映像信号線ドライバＸＤＲ、走査信号線ドライバＹＤＲ、映像信号線Ｌsig、走査信号線Ｌscan、及び電源配線Ｌpsなどが設けられている。

走査信号線Ｌscnは、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されており、行方向に延在している。他方、映像信号線Ｌsigは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されており、列方向に延在している。電源配線Ｌpsは、行方向及び列方向の何れの方向に延在していてもよいが、ここでは、一例として、行方向に延在していることとする。

それぞれの画素ＰＸは、駆動トランジスタＴｒ、有機ＥＬ素子Ｄ、画素スイッチＳＷ、及びキャパシタＣを含んでいる。なお、ここでは、一例として、駆動トランジスタＴｒ及び画素スイッチＳＷは、ｐチャネル薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）であることとする。

駆動トランジスタＴｒ及び有機ＥＬ素子Ｄは、電源配線Ｌps上の第１電源端子Ｖｄｄと第２電源端子Ｖｓｓとの間でこの順に直列に接続されている。画素スイッチＳＷは、映像信号線Ｌsigと駆動トランジスタＴｒのゲートとの間に接続されるとともに、その制御端子であるゲートが走査信号線Ｌscnに接続されている。また、キャパシタＣは、第１電源端子Ｖｄｄと駆動トランジスタＴｒのゲートとの間に接続されている。

アクティブマトリクス基板２の第１基板２０は、絶縁基板であり、典型的にはガラス基板のような透明基板である。基板２０の封止基板３との対向面には、アンダーコート層２１として、例えば、ＳｉＮ_x層２１ａとＳｉＯ₂層２１ｂとが順次積層されている。アンダーコート層２１上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層（図１の断面では描かれていない）、ゲート絶縁膜２２、及びゲート電極（図１の断面では描かれていない）が順次積層されており、それらはトップゲート型のＴＦＴを構成している。なお、これらＴＦＴは、駆動トランジスタＴｒ、画素スイッチＳＷ、並びに走査信号線ドライバＹＤＲや映像信号線ドライバＸＤＲ内のトランジスタなどとして用いられる。

ゲート絶縁膜２２上には、ゲート電極に加え、走査信号線Ｌscnが設けられている。また、ゲート絶縁膜２２、ゲート電極、及び走査信号線Ｌscn上には、ＳｉＯ₂などからなる層間絶縁膜２３が設けられている。

層間絶縁膜２３上には映像信号線Ｌsig、電源配線Ｌps、及びソース・ドレイン電極（図１の断面では描かれていない）が設けられており、それらは、ＳｉＮ_xなどからなるパッシベーション膜２４で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極は、層間絶縁膜２３に設けられたコンタクトホールを介して上述したＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されている。

パッシベーション膜２４上には、第１電極として透明電極（陽極）２６が互いに離間して並置されている。第１電極２６は、パッシベーション膜２４に設けられたビアホールを介して駆動トランジスタＴｒのドレイン電極に電気的に接続されている。

パッシベーション膜２４上には、さらに、絶縁層２５ａが設けられている。絶縁層２５ａは、第１電極２６の中央部に対応した位置に貫通孔を有しており、パッシベーション膜２４の第１電極２６から露出した部分と第１電極２６の周縁部とを被覆している。絶縁層２５ａは、例えば、親水性の無機絶縁層である。

絶縁層２５ａ上には、絶縁層２５ｂが設けられている。絶縁層２５ｂは、第１電極２６に対応した位置に、絶縁層２５ａの貫通孔よりも大きな径の貫通孔を有している。絶縁層２５ｂは、例えば、撥水性の有機絶縁層である。

絶縁層２５ａと絶縁層２５ｂとの積層体は、第１電極２６に対応した位置に貫通孔，ここでは八角形状の貫通孔，を有する隔壁絶縁層２５を構成している。

隔壁絶縁層２５の貫通孔内で露出した第１電極２６上には、発光層２７ａを含む有機物層２７が設けられている。ここでは、一例として、有機物層２７は、発光層２７ａに加え、第１電極２６と発光層２７ａとの間に介在したバッファ層２７ｂをさらに含んでいる。

バッファ層２７ｂは、陽極である第１電極２６から発光層２７ａへの正孔の注入を媒介する役割を果たす。また、発光層２７ａ、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。

隔壁絶縁層２５及び有機物層２７上には、第２電極２８が共通電極（陰極）として設けられている。第２電極２８は、パッシベーション膜２４及び隔壁絶縁層２５に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して第２電源端子Ｖｓｓに電気的に接続されている。また、第２電極２８の表面には、隔壁絶縁層２５の開口に対応した位置に、それら開口に対応した形状の凹部，ここでは図３に示すような八角形状の凹部，が生じている。

それぞれの有機ＥＬ素子Ｄは、これら第１電極２６、有機物層２７、及び第２電極２８で構成されている。

封止基板３は、第２基板３０として、ガラス基板のような絶縁基板を備えている。封止基板３のアクティブマトリクス基板２との対向面上には、隔壁絶縁層２５に対応した位置に、スペーサ３１が設けられている。スペーサ３１は、アクティブマトリクス基板２及び／または封止基板３が撓んだ場合においても、第２基板３０が第２電極２８から離間した状態を維持する。スペーサ３１は、柱状及び壁状の何れであってもよいが、ここでは柱状であることとする。

第２基板３０のアクティブマトリクス基板２との対向面には、スペーサ３１が存在していない領域に、凹部，典型的には互いに離間した複数の凹部，を設けることができる。第２基板３０の凹部内には、例えば、シート状の乾燥剤３２を収容することができる。

さて、本態様では、上記の通り、封止基板３にスペーサ３１を設ける。こうすると、以下に説明するように、製造プロセスの複雑化を伴うことなく、有機ＥＬ素子Ｄの第２電極２８が破損するのを抑制することができる。

アクティブマトリクス基板２にスペーサ３１を設ける場合、スペーサ３１は、第２電極２８上に形成するか、或いは、隔壁２５上にスペーサ３１を形成した後に第２電極２８を形成することが考えられる。

先に説明したように有機ＥＬ素子は水分や酸素などに対する耐性が低いため、スペーサ３１を第２電極２８上に形成する場合、スペーサ３１を形成するための一連の工程を真空若しくは乾燥不活性雰囲気中で行わなければならない。したがって、現実的には、例えば、感光性樹脂などを用いてスペーサ３１を形成することは不可能である。

他方、隔壁２５上にスペーサ３１を形成した後に第２電極２８を形成する場合、第２電極２８の成膜は、極めて高い凸部が設けられた下地表面に対して行うこととなる。そのため、第２電極２８には、その成膜の段階で不連続部などが生じ、この不連続部に起因して剥離や亀裂が生じ易くなる。

また、一般に、感光性樹脂などを用いて形成したスペーサ３１は弾性を示し、特に柱状とした場合には外力を加えると大きく変形する。これとは逆に、第２電極２８は、そのようなスペーサ３１と比較して遥かに脆弱であり、外力を加えても大きく変形することはない。そのため、隔壁２５上にスペーサ３１を形成した後に第２電極２８を形成した場合、アクティブマトリクス基板２及び／または封止基板３が撓むのに伴ってスペーサ３１が変形すると、第２電極２８の剥離や亀裂を生じることとなる。

これに対し、封止基板３にスペーサ３１を設ける場合、隔壁２５上にスペーサ３１を形成した後に第２電極２８を形成する場合と比較して、第２電極２８の成膜はより平坦な下地表面に対して行うことができる。そのため、第２電極２８に、その成膜の段階で不連続部などが生じるのを抑制することができる。

また、封止基板３にスペーサ３１を設ける場合、アクティブマトリクス基板２及び／または封止基板３が撓むのに伴ってスペーサ３１が変形したとしても、それに起因して第２電極２８の剥離や亀裂が生じることはない。

しかも、封止基板３にスペーサ３１を設ける場合、有機ＥＬ素子Ｄを完成してからアクティブマトリクス基板２と封止基板３とを貼り合わせるまでの間、アクティブマトリクス基板２に対して真空若しくは乾燥不活性雰囲気中での成膜やパターニングなどを行う必要がない。また、封止基板３にスペーサ３１を設ける場合、スペーサ３１の形成方法などが、有機ＥＬ素子Ｄの水分や酸素などに対する低い耐性によって制限されることもない。

したがって、本態様によると、製造プロセスの複雑化を伴うことなく、有機ＥＬ素子Ｄの第２電極２８が破損するのを抑制することができる。

本態様において、スペーサ３１の数に特に制限はないが、数が多いほど、第２電極２８の破壊防止の観点で有利である。

また、スペーサ３１は、均一な密度で設けてもよく、或いは、封止基板３の周縁部よりも中央部でより高い密度となるように設けてもよい。アクティブマトリクス基板２及び／または封止基板３が撓んだ場合、通常、その変形量は基板中央部で最も大きくなる。したがって、スペーサ３１を封止基板３の周縁部よりも中央部でより高い密度となるように設ければ、上述した効果の大きさを基板周縁部と基板中央部とでほぼ等しくすることができる。

さらに、スペーサ３１は、アクティブマトリクス基板２及び封止基板３が撓んでいない状態において、第２電極２８と接触していてもよく、或いは、接触していなくてもよい。

第２基板３０上におけるスペーサ３１の配置は、スペーサ３１が第２基板３０のアクティブマトリクス基板２との対向面上であって隔壁絶縁層２７に対応した領域或いは第１電極２６間の領域内に位置している限り、任意に設定可能である。

但し、より低いスペーサ３１で十分な効果を達成する観点では、第２基板３０のアクティブマトリクス基板２との対向面に凹部を設ける場合、その凹部を避けてスペーサ３１を配置するか、或いは、スペーサ３１を避けるように凹部を配置する。

また、アクティブマトリクス基板２の封止基板３との対向面が凸部を有している場合、より低いスペーサ３１で十分な効果を達成する観点では、スペーサ３１は先の凸部に対応した領域内に配置することが望ましい。そのような凸部は、例えば、映像信号線Ｌsig、走査信号線Ｌscn、電源配線Ｌpsなどの配線上に生じる。特に、それら配線の交差部上には、より高い凸部が生じる。

図４は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の一変形例を示す断面図である。なお、図４の断面は、図３のＢ−Ｂ線に沿った断面に対応している。

図４から明らかなように、走査信号線Ｌscnに平行であり且つ走査信号線Ｌscnを通る断面では、第１基板２０からアクティブマトリクス基板２の表面までの距離は、走査信号線Ｌscnを通らない断面と比較して、走査信号線Ｌscnの厚さとほぼ等しい量だけ長くなる。また、図４に示すように、走査信号線Ｌscnに平行であり且つ走査信号線Ｌscnを通る断面では、映像信号線Ｌsigに対応した位置における第１基板２０からアクティブマトリクス基板２の表面までの距離は、それ以外の位置における第１基板２０からアクティブマトリクス基板２の表面までの距離と比較して、映像信号線Ｌsigの厚さとほぼ等しい量だけ長くなる。そのため、走査信号線Ｌscnと映像信号線Ｌsigとの交差部に対応した位置では、第１基板２０からアクティブマトリクス基板２の表面までの距離が極めて長くなる。すなわち、走査信号線Ｌscnと映像信号線Ｌsigとの交差部に対応した位置では、アクティブマトリクス基板２の表面と第２基板３０との間の距離が最も短くなる。

したがって、例えば、図１に示すように映像信号線Ｌsigなどの配線に対応した領域内にスペーサ３１を配置した場合には、より低いスペーサ３１で第２電極２８と第２基板との接触を十分に防止することができる。また、図４に示すように走査信号線Ｌscnと映像信号線Ｌsigとの交差部のような配線の交差部に対応した領域内にスペーサ３１を配置した場合には、さらに低いスペーサ３１で第２電極２８と第２基板との接触を十分に防止することができる。

スペーサ３１の高さは、それらを配置する位置や密度に応じて適宜設定する。但し、通常、スペーサ３１の高さは、約１μｍ乃至約１００μｍの範囲内とする。

次に、上述した有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
第１基板２０としては、その上に形成される構造を保持可能なものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板２０としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。

有機ＥＬ表示装置１が基板２０側から光を発する下面発光型の場合、第１電極２６としては光透過性を有する透明電極を使用する。透明電極の材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料を使用することができる。透明電極は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料を蒸着法やスパッタリング等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。

絶縁層２５ａの材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層２５ａは比較的高い親水性を示す。

絶縁層２５ｂの材料としては、例えば、有機絶縁材料を使用することができる。絶縁層２５ｂに使用可能な有機絶縁材料に特に制限はないが、感光性樹脂を使用した場合、貫通孔が設けられた絶縁層２５ｂを容易に形成可能である。絶縁層２６ｂは、例えば、感光性樹脂を基板２０の第１電極２６などが形成された面にスピンコート法などにより塗布し、それにより得られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得られる。

隔壁絶縁層２５の膜厚は、有機物層２７の膜厚以上であることが望ましい。なお、発光層２７ａやバッファ層２７ｂを形成する際には、インクジェット法による溶液塗布時の位置精度向上のため、絶縁層２５ｂの表面を予めＣＦ₄・Ｏ₂などのプラズマガスで撥水処理しておくことが望ましい。

バッファ層２７ｂの材料としては、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴという）のようなポリチオフェン誘導体及び／またはポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを使用することができる。また、アクセプタ性の有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳという）などを使用することができる。

バッファ層２７ｂは、隔壁絶縁層２５が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥させてそれら液膜から溶媒を除去することにより得られる。バッファ層２７ｂを形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。

発光層２７ａの材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。発光層２７ａは、隔壁絶縁層２５が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ルミネセンス性有機化合物を溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。発光層２７ａを形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。

有機ＥＬ表示装置１が基板２０側から光を発する下面発光型の場合、第２電極２８は光透過性を有している必要はない。第２電極２８が陰極である場合、第２電極２８は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。第２電極２８を多層構造の陰極とする場合、例えば、有機物層２７上にバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。また、有機物層２７上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層と銀やアルミニウムなどを含有した導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。さらに、有機物層２７上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層とバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる三層構造としてもよい。通常、陰極は、スペーサ３１の高さに比べて薄く、数１００ｎｍ以下である。

スペーサ３１の材料は、導電体であってもよく、或いは、絶縁体であってもよい。また、スペーサ３１の材料は、感光性樹脂のような有機材料であってもよく、或いは、無機材料であってもよい。

なお、第２基板３０としてアクティブマトリクス基板２との対向面に凹部を有しているものを使用する場合、スピンコート法では感光性樹脂の塗膜を均一な厚さに形成するのが難しい。したがって、この場合、スペーサ３１の材料としては、通常、感光性樹脂などの有機材料よりも無機材料を使用することが有利である。

スペーサ３１の材料として無機材料を使用する場合、マスクスパッタリング法によりスペーサ３１を形成することが望ましい。例えば、スペーサ３１に対応した位置に開口を有するマスクを用いたマスクスパッタリング法によると、堆積膜をさらにパターニングする必要がないため、製造プロセスを簡略化することができる。マスクスパッタリング法によると、例えば、二酸化ケイ素や酸化アルミニウム（アルミナ）などからなるスペーサ３１を形成することができる。

上記態様では、第１電極２６をパッシベーション膜２４上に設けたが、第１電極２６は層間絶縁膜２３上に設けてもよい。すなわち、映像信号線Ｌsigと第１電極２６とを同一平面上に設けてもよい。

また、上記態様では、有機ＥＬ表示装置１にアクティブマトリクス駆動方式を採用したが、電極の破損を抑制する効果は、単純駆動マトリクス駆動方式を採用した場合にも得ることができる。

さらに、上記態様では、有機ＥＬ表示装置１を下面発光型としたが、上面発光型とすることもできる。

また、上記態様では、画素ＰＸに図２の回路構成を採用したが、画素ＰＸには他の回路構成を採用してもよい。

加えて、上記態様では、第１電極２６を陽極とし且つ第２電極２８を陰極としたが、第１電極２６を陰極とし且つ第２電極２８を陽極としてもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
本例では、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を以下の方法により作製した。なお、画素ＰＸには図２の構成を採用し、スペーサ３１は図４に示すように映像信号線Ｌsigと走査信号線Ｌscnとの交差部上に配置した。

まず、ガラス基板２０のアンダーコート層２１が形成された面に対し、アクティブマトリクス基板を形成する通常のプロセスにより、画素ＰＸやドライバＹＤＲ，ＸＤＲ内のＴＦＴ、配線Ｌscn，Ｌsig，Ｌps、キャパシタＣ、層間絶縁膜２３、及びパッシベーション膜２４を形成した。

次に、パッシベーション膜２４上に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、このＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより第１電極２６を得た。なお、第１電極２６は、マスクスパッタリング法により形成してもよい。

次いで、基板２０の電極２６を形成した面に、各画素ＰＸの発光部に対応して開口を有する親水性の無機絶縁層２５ａを形成した。続いて、基板２０の電極２６を形成した面に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素ＰＸの発光部に対応して開口を有する撥水性の有機絶縁層２５ｂを形成した。以上のようにして、絶縁層２５ａと絶縁層２５ｂとを積層してなる隔壁絶縁層２５を得た。

その後、基板２０の隔壁絶縁層２５を形成した面に対して、反応性イオンエッチング装置により反応性フッ素含有ガスを用いた表面処理を施し、隔壁絶縁層２５及び電極２６の表面を改質した。次いで、隔壁絶縁層２５が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することによりバッファ層２７ｂを得た。

その後、赤、緑、青色の画素に対応したバッファ層２７ｂ上に、それぞれ、赤、緑、青色の発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することにより発光層２７ａを得た。

次いで、基板２０の発光層２７ａを形成した面にバリウムを真空蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着することにより第２電極２８を形成した。これにより、アクティブマトリクス基板２を完成した。

なお、このアクティブマトリクス基板２では、基板２０の主面を基準とした第２電極２８の表面位置は、映像信号線Ｌsigと走査信号線Ｌscnや電源配線Ｌpsとの交差部上で最も高かった。具体的には、これらの交差部上における第２電極２８の表面位置は、隔壁絶縁層２５上で第２電極２８の表面位置が最も低い部分よりも約０．７μｍ高かった。

上述した方法でアクティブマトリクス基板２を作製する一方で、以下の方法により封止基板３を作製した。すなわち、ガラス基板３０の一主面上に、マスクスパッタリング法により、二酸化ケイ素からなる柱状スペーサ３１を形成した。ここでは、スペーサ３１の高さは４μｍとし、直径は８μｍとした。また、ガラス基板３０としては、先の主面に複数の凹部が設けられたものを使用し、スペーサ３１は、ガラス基板３０の凹部を避けるように及びアクティブマトリクス基板２と封止基板３とを貼り合せた際にスペーサ３１が映像信号線Ｌsigと走査信号線Ｌscnとの交差部上に位置するように配置した。さらに、スペーサ３１は、平均して０．１７％程度の面密度となるように設けた。

その後、基板３０のスペーサ３１を形成した面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層４を形成した。また、基板３０の凹部にはシート状の乾燥剤３２を貼り付けた。次いで、封止基板３とアクティブマトリクス基板２とを、封止基板３の凹部が設けられた面とアクティブマトリクス基板２の電極２８を設けた面とが対向するように乾燥Ｎ₂ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射してシール層４を硬化させることにより、有機ＥＬ表示装置１を完成した。

この有機ＥＬ表示装置１について、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８に剥離や亀裂などは見られなかった。

また、この有機ＥＬ表示装置１を繰り返し撓ませた後、再度、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８に剥離や亀裂などの損傷は生じていないことを確認することができた。

（比較例１）
スペーサ３１を形成しなかったこと以外は上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置１を作製した。

この有機ＥＬ表示装置１について、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８に剥離や亀裂などは見られなかった。

また、上記実施例で行ったのと同様の条件のもとで、この有機ＥＬ表示装置１を繰り返し撓ませた後、再度、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８に剥離や亀裂などを生じた。

（比較例２）
スペーサ３１を隔壁絶縁層２５と第２電極２８との間に配置するとともに紫外線硬化樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術により形成したこと以外は上記実施例で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置１を作製した。

この有機ＥＬ表示装置１について、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８に不連続部が生じていることが確認された。

また、上記実施例で行ったのと同様の条件のもとで、この有機ＥＬ表示装置１を繰り返し撓ませた後、再度、第２電極２８の状態を調べた。その結果、第２電極２８の剥離や亀裂などが拡大した。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。 図１の有機ＥＬ表示装置に採用可能な回路構成の一例を示す平面図。 図１の有機ＥＬ表示装置のアクティブマトリクス基板を概略的に示す平面図。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の一変形例を示す断面図。

符号の説明

１…有機ＥＬ表示装置、２…アクティブマトリクス基板、３…封止基板、４…シール層、２０…第１基板、２１…アンダーコート層、２１ａ…ＳｉＮ_x層、２１ｂ…ＳｉＯ₂層、２２…ゲート絶縁膜、２３…層間絶縁膜、２４…パッシベーション膜、２５…隔壁絶縁層、２５ａ…絶縁層、２５ｂ…絶縁層、２６…第１電極、２７…有機物層、２７ａ…発光層、２７ｂ…バッファ層、２８…第２電極、３０…第２基板、３１…スペーサ、３２…乾燥剤、ＰＸ…画素、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ、Ｌsig…映像信号線、Ｌscan…走査信号線、Ｌps…電源配線、Ｔｒ…駆動トランジスタ、Ｄ…有機ＥＬ素子、ＳＷ…画素スイッチ、Ｃ…キャパシタ、Ｖｄｄ…第１電源端子、Ｖｓｓ…第２電源端子。

Claims (6)

1. 第１基板と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記複数の第１電極間の領域を被覆した第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、
   前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記複数の第１電極間の領域に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、
   前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 第１基板と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記第１基板の前記主面上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記隔壁絶縁層上に設けられた第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、
   前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記隔壁絶縁層に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、
   前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
3. 第１基板と、前記第１基板の一方の主面上でマトリクス状に配列した複数の画素回路と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列するとともに前記複数の画素回路にそれぞれ接続された複数の第１電極と、前記複数の画素回路に接続されるとともに前記複数の画素回路のそれぞれに信号及び電力を供給する複数本の配線と、前記複数本の配線を被覆するとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれが発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層及び前記隔壁絶縁層上に設けられた第２電極とを備えたアクティブマトリクス基板と、
   前記第２電極と対向した第２基板と、前記第２基板の前記第１基板との対向面上であって前記複数本の配線の交差部に対応した位置に形成されたスペーサとを備えた封止基板と、
   前記アクティブマトリクス基板と前記封止基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
4. 前記スペーサの材料は無機材料であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記第２基板の前記第１基板との対向面には前記スペーサから離間して凹部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記封止基板は前記凹部に収容された乾燥剤をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。

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