CN108461659B - Oled薄膜封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED薄膜封装方法，所述OLED薄膜封装方法：先在所述OLED基板的遮蔽区形成光阻遮挡层，再将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区，最后剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层，通过光阻遮挡层取代掩膜板完成封装区域的定义，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED薄膜封装方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED显示器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用氧化铟锡(ITO)像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
为了防止水汽侵入，破坏OLED器件的稳定性，需要对OLED器件进行薄膜封装，目前OLED薄膜封装主要采用无机层和有机层交替叠加的结构，具体包括覆盖在所述OLED基板的像素区的第一无机层、覆盖所述有机层及覆盖有机层的第二无机层，制作时，所述无机层及有机层均通过封装机台在真空环境下通过制备，所述封装机台可以为等离子增强化学气相沉积(PECVD)机台，为了使得所述无机阻挡层及有机缓存层形成在指定的区域，现有技术在沉积时需要在封装机台上设置掩膜板(Mask)，以遮挡无需进行封装的区域，但采用掩膜板进行沉积，需要将掩膜板搬运到封装机台上并进行对位，工作效率低下，且在搬运过程中会产生大量杂质，影响封装效果，在多次沉积时掩膜板的对位精度也难以保证，导致封装效果不稳定。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED薄膜封装方法，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。
为实现上述目的，本发明提供了一种OLED薄膜封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一OLED基板，所述OLED基板包括：至少一个OLED像素区、位于所述OLED像素区四周的遮蔽区以及位于包围所述遮蔽区的邦定区；
步骤S2、在所述OLED基板上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区及邦定区的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区的光阻遮挡层；
步骤S3、将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区；
步骤S4、剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层。
所述光阻遮挡层包括：覆盖所述遮蔽区的衬底部以及位于所述衬底部上的多个间隔排布的凸起部，所述凸起部靠近所述衬底部的一侧的宽度小于所述凸起部远离所述衬底部的一侧的宽度。
所述步骤S2中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述光阻薄膜。
所述凸起部的远离所述衬底部的一侧的宽度为3～10μm，相邻的两个凸起部之间的间隔为5～8μm。
所述薄膜封装层包括依次层叠的第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。
所述步骤S3中沉积的第一无机封装层及第二无机封装层的面积均小于所述光阻遮挡层的面积。
所述第一无机封装层和第二无机封装层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或氮化铝。
所述步骤S3中通过化学气相沉积或原子层沉积的方法沉积所述第一无机封装层及第二无机封装层。
所述OLED像素区包括阵列排布的多个OLED发光器件。
所述步骤S3中沉积的第一无机封装层及第二无机封装层的有效宽度均比所述光阻遮挡层的有效宽度小1～2mm。
本发明的有益效果：本发明提供一种OLED薄膜封装方法，所述OLED薄膜封装方法：先在所述OLED基板的遮蔽区形成光阻遮挡层，再将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区，最后剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层，通过光阻遮挡层取代掩膜板完成封装区域的定义，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的OLED薄膜封装方法的步骤S1的俯视示意图；
图2为图1中A-A处的剖面图；
图3为本发明的OLED薄膜封装方法的步骤S2的剖面示意图；
图4为本发明的OLED薄膜封装方法的步骤S3的剖面示意图；
图5为本发明的OLED薄膜封装方法的步骤S4的剖面示意图；
图6为本发明的OLED薄膜封装方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图6，本发明提供一种OLED薄膜封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图1和图2，提供一OLED基板10，所述OLED基板10包括：至少一个OLED像素区11、位于所述OLED像素区11四周的遮蔽区12以及位于包围所述遮蔽区12的邦定区13；
具体地，所述OLED像素区11中形成有阵列排布的多个OLED发光器件，以及对应于每一个OLED发光器件形成的用于驱动所述OLED发光器件发光的像素驱动电路，每一个像素驱动电路均包括若干个薄膜晶体管及电容，所述薄膜晶体管及电容的数量及连接方式可根据需要进行相应的设计，本发明对此不做限制，在所述邦定区13形成有多个邦定端子，所述邦定端子用于与外部驱动电路进行邦定(Bonding)，以及从外部驱动电路获取驱动信号并提供给像素驱动电路，从而驱动OLED发光器件发光，所述遮蔽区12位于所述邦定区13和所述OLED像素区11之间。
优选地，所述OLED基板10中包括两个OLED像素区11，也即所述OLED基板10经切割后可得到两个独立的OLED显示面板。当然，本发明同样不限制所述OLED基板10中包括的OLED像素区11的数量，在本发明的其他实施例，所述OLED像素区11的数量还可以为1个、3个及4个等任意数量，这些都可以根据需要进行选择，并不会影响本发明的实现。
步骤S2、请参阅图3，在所述OLED基板10上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区11及邦定区13的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区12的光阻遮挡层20。
具体地，为了便于后续光阻遮挡层20的剥离，在本发明的优选实施例中，所述光阻遮挡层20包括：覆盖所述遮蔽区12的衬底部21以及位于所述衬底部21上的多个间隔排布的凸起部22，所述凸起部22靠近所述衬底部21的一侧的宽度小于所述凸起部22远离所述衬底部21的一侧的宽度。优选地，所述凸起部22的远离所述衬底部21的一侧的宽度为3～10μm，相邻的两个凸起部22之间的间隔为5～8μm。
进一步地，在上述优选实施例中，所述光阻遮挡层20可通过一道半色调光罩(Halftone mask)或者一道灰阶光罩(Gray tone mask)制程制得，具体实施时，可以设置所述光罩在所述OLED像素区11及邦定区13为完全透光，在遮蔽区12对应待形成所述凸起部22的区域为完全不透光，在遮蔽区12除待形成所述凸起部22以外的区域为半透光，从而完全去除所述OLED像素区11及邦定区13的光阻薄膜，去除遮蔽区12除待形成所述凸起部22以外的区域的部分光阻薄膜，从而形成所述光阻遮挡层20。
步骤S3、请参阅图4，将制作有光阻遮挡层20的OLED基板10移入封装机台，在所述OLED基板10上形成薄膜封装层30，所述薄膜封装层30覆盖全部OLED像素区11及至少部分遮蔽区12。
具体地，所述步骤S3包括：在所述OLED基板10上依次沉积第一无机封装层31、有机封装层32及第二无机封装层33，从而得到所述薄膜封装层30，也即所述薄膜封装层30包括依次层叠的第一无机封装层31、有机封装层32及第二无机封装层33。
其中，所述步骤S3中通过化学气相沉积或原子层沉积的方法沉积所述第一无机封装层31及第二无机封装层33，沉积后，第一无机封装层31及第二无机封装层33覆盖全部OLED像素区11及至少部分遮蔽区12，此时所述薄膜封装层30覆盖全部OLED像素区11及至少部分遮蔽区12具体是指所述薄膜封装层30中的第一无机封装层31及第二无机封装层33覆盖全部OLED像素区11及至少部分遮蔽区12。
进一步地，所述步骤S3中沉积的第一无机封装层31及第二无机封装层33的面积均小于所述光阻遮挡层20的面积，优选地，所述步骤S3中沉积的第一无机封装层31及第二无机封装层33的有效宽度均比所述光阻遮挡层的有效宽度小1～2mm，以保证所述经过后续剥离制程后所述薄膜封装层30能够位于指定区域。
具体地，有机封装层32可通过喷墨印刷、狭缝涂布或化学气相沉积的方式制作。所述步骤S3中真空环境下完成所述第一无机封装层31、有机封装层32及第二无机封装层33的制作。
需要说明的是，与现有技术相比，由于光阻遮挡层20的存在，在步骤S3不再需要掩膜板来限定薄膜封装层30沉积的区域，直接将薄膜封装层30沉积到所述OLED像素区11及遮蔽区12的光阻遮挡层20上即可，能够省去薄膜封装制备过程中掩膜板的搬送与对位工序，提升OLED薄膜封装的产出良率以及产出效率。
优选地，所述第一无机封装层31和第二无机封装层33的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或氮化铝。
步骤S4、请参阅图5，剥离所述光阻遮挡层20和位于所述光阻遮挡层20上的薄膜封装层30。
具体地，所述光阻遮挡层20的材料优选为通过湿制程剥离的材料，优选组成成分包括树脂、添加剂和溶剂等。
进一步地，由于光阻遮挡层20中凸起部22的存在，在制作薄膜封装层30时，所述薄膜封装层30会落在所述凸起部22上且在相邻的凸起部22之间被分割，从而能够在所述光阻遮挡层20被剥离时，随着光阻遮挡层20一起被剥离，从而使得薄膜封装层30仅封装所述OLED像素区11。
综上所述，本发明提供一种OLED薄膜封装方法，所述OLED薄膜封装方法：先在所述OLED基板的遮蔽区形成光阻遮挡层，再将制作有光阻遮挡层的OLED基板移入封装机台，在所述OLED基板上形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖全部OLED像素区及至少部分遮蔽区，最后剥离所述光阻遮挡层和位于所述光阻遮挡层上的薄膜封装层，通过光阻遮挡层取代掩膜板完成封装区域的定义，能够提升OLED薄膜封装效率，减少OLED薄膜封装时的杂质，改善OLED薄膜封装效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种OLED薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一OLED基板(10)，所述OLED基板(10)包括：至少一个OLED像素区(11)、位于所述OLED像素区(11)四周的遮蔽区(12)以及位于包围所述遮蔽区(12)的邦定区(13)；
步骤S2、在所述OLED基板(10)上形成光阻薄膜，并对所述光阻薄膜进行图案化，去除所述OLED像素区(11)及邦定区(13)的光阻薄膜，得到位于所述遮蔽区(12)的光阻遮挡层(20)；
步骤S3、将制作有光阻遮挡层(20)的OLED基板(10)移入封装机台，在所述OLED基板(10)上形成薄膜封装层(30)，所述薄膜封装层(30)覆盖全部OLED像素区(11)及至少部分遮蔽区(12)；
步骤S4、剥离所述光阻遮挡层(20)和位于所述光阻遮挡层(20)上的薄膜封装层(30)；
所述光阻遮挡层(20)包括：覆盖所述遮蔽区(12)的衬底部(21)以及位于所述衬底部(21)上的多个间隔排布的凸起部(22)，所述凸起部(22)靠近所述衬底部(21)的一侧的宽度小于所述凸起部(22)远离所述衬底部(21)的一侧的宽度。
2.如权利要求1所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述步骤S2中通过一道半色调光罩或灰阶光罩图案化所述光阻薄膜。
3.如权利要求1所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述凸起部(22)远离所述衬底部(21)的一侧的宽度为3～10μm，相邻的两个凸起部(22)之间的间隔为5～8μm。
4.如权利要求1所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述薄膜封装层(30)包括依次层叠的第一无机封装层(31)、有机封装层(32)及第二无机封装层(33)。
5.如权利要求4所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述步骤S3中沉积的第一无机封装层(31)及第二无机封装层(33)的面积均小于所述光阻遮挡层(20)的面积。
6.如权利要求4所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述第一无机封装层(31)和第二无机封装层(33)的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、或氮化铝。
7.如权利要求4所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述步骤S3中通过化学气相沉积或原子层沉积的方法沉积所述第一无机封装层(31)及第二无机封装层(33)。
8.如权利要求1所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述OLED像素区(11)包括阵列排布的多个OLED发光器件。
9.如权利要求5所述的OLED薄膜封装方法，其特征在于，所述步骤S3中沉积的第一无机封装层(31)及第二无机封装层(33)的有效宽度均比所述光阻遮挡层(20)的有效宽度小1～2mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810226756.6A CN108461659B (zh) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Oled薄膜封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810226756.6A CN108461659B (zh) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Oled薄膜封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108461659A CN108461659A (zh) | 2018-08-28 |
| CN108461659B true CN108461659B (zh) | 2020-05-29 |
Family
ID=63237234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810226756.6A Active CN108461659B (zh) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | Oled薄膜封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108461659B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109994531B (zh) | 2019-03-29 | 2021-04-30 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示面板、制作方法及柔性显示装置 |
| CN110600630A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101814775B1 (ko) * | 2011-04-13 | 2018-01-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 |
| CN105322104B (zh) * | 2015-12-08 | 2017-09-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled显示面板的封装方法 |
| CN106328827B (zh) * | 2016-10-26 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
| CN107104202B (zh) * | 2017-06-02 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置 |
| CN107180923B (zh) * | 2017-07-20 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
| CN107591498B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
-
2018
- 2018-03-19 CN CN201810226756.6A patent/CN108461659B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108461659A (zh) | 2018-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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