CN107104202B - Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置 - Google Patents

Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种OLED显示器件的封装结构、封装方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决在对OLED显示器件进行封装处理时,容易在mask板边缘产生残留颗粒,影响OLED显示器件的使用寿命的问题。该OLED显示器件的封装方法包括:提供一基板,所述基板包括封装区域和位于封装区域周边的绑定区域,所述绑定区域上设置有用于绑定的电极引线;在所述电极引线上形成牺牲层;在所述封装区域形成OLED显示器件;形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜;去除所述牺牲层,使得所述牺牲层和位于所述牺牲层上的封装薄膜从所述基板上分离。本发明提供的OLED显示器件的封装方法用于封装OLED显示器件。

Description

OLED显示器件的封装结构、封装方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示器件的封装结构、封装方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件具有低能耗、对比度高、视角广等诸多优点,是目前受到广泛关注的一种显示器件。OLED显示器件采用有机发光材料制作有机发光层,当有电子和空穴在有机发光层中复合时,有机发光层发光,从而实现OLED显示器件的显示功能。由于有机发光材料对水和氧较为敏感,所以在OLED显示器件制作完成后,还需要对其进行封装处理,以使有机发光层与外界的水和氧隔离,保证OLED显示器件的使用寿命。
传统的封装处理通常包括:利用mask板覆盖待封装的OLED显示器件,采用低温化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术或原子层沉积(Atomic LayerDeposition,简称ALD)技术在待封装OLED显示器件上沉积封装薄膜,以实现对OLED显示器件的封装。但由于受到CVD技术和ALD技术本身影响,在沉积形成封装薄膜的过程中,会在mask板边缘产生残留颗粒,且这种残留颗粒容易导致水和氧进入到OLED显示器件中,影响OLED显示器件的使用寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示器件的封装结构、封装方法、显示装置,用于解决在对OLED显示器件进行封装处理时,容易在mask板边缘产生残留颗粒,影响OLED显示器件的使用寿命的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种OLED显示器件的封装方法,包括:提供一基板,所述基板包括封装区域和位于封装区域周边的绑定区域,所述绑定区域上设置有用于绑定的电极引线;所述封装方法还包括:在所述电极引线上形成牺牲层;在所述封装区域形成OLED显示器件;形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜;去除所述牺牲层,使得所述牺牲层和位于所述牺牲层上的封装薄膜从所述基板上分离。
进一步地,在所述形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜后,去除所述牺牲层之前,所述封装方法还包括:在位于所述封装区域的封装薄膜上形成粘结层;在所述粘结层上覆盖封装盖板。
进一步地,在所述去除所述牺牲层后,所述封装方法还包括:清洗去除所述牺牲层后的基板;在位于所述封装区域的封装薄膜上形成粘结层;在所述粘结层上覆盖封装盖板。
进一步地,所述封装区域包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,所述粘结层包括位于所述显示区域的填充胶层,和位于所述基板的非显示区域的封框胶层;或,所述粘结层为贴片胶层。
进一步地,所述在所述电极引线上形成牺牲层包括:采用光敏胶,形成牺牲薄膜;利用紫外光照射所述牺牲薄膜,形成固化后的牺牲薄膜;对所述固化后的牺牲薄膜进行构图,形成所述牺牲层;清洗形成有所述牺牲层的基板。
进一步地,所述在所述电极引线上形成牺牲层包括:利用有机溶液,采用喷墨打印技术工艺形成牺牲薄膜的图形;固化所述牺牲薄膜的图形,以形成所述牺牲层。
进一步地,所述去除所述牺牲层包括:利用碱性溶液浸泡所述牺牲层,或机械剥离所述牺牲层,以实现对所述牺牲层的去除。
进一步地,所述形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜包括:形成单层无机封装薄膜;或,形成无机封装薄膜和有机封装薄膜相互交叠的多层封装薄膜,且所述无机封装薄膜完全覆盖所述有机封装薄膜。
基于上述OLED显示器件的封装方法的技术方案,本发明的第二方面提供一种OLED显示器件的封装结构,采用上述OLED显示器件的封装方法制作,所述OLED显示器件的封装结构包括覆盖OLED显示器件的封装薄膜,所述封装薄膜未覆盖位于绑定区域的电极引线。
基于上述OLED显示器件的封装结构的技术方案,本发明的第三方面提供一种显示装置,包括上述OLED显示器件的封装结构,以及与所述封装结构中的电极引线绑定在一起的驱动芯片。
本发明提供的OLED显示器件的封装方法中,先在基板上位于绑定区域的电极引线上形成牺牲层,再在封装区域形成完整的OLED显示器件,避免了在形成牺牲层时,曝光显影操作对OLED显示器件中有机发光层产生的影响。在形成牺牲层和OLED显示器件后,本发明提供的OLED显示器件的封装方法不需要采用mask板,直接形成覆盖基板的全部区域的封装薄膜,避免了由于mask板的存在而产生的残留颗粒,保证了封装薄膜对OLED显示器件良好的封装效果。最后去除牺牲层,使牺牲层和位于牺牲层上的封装薄膜从基板上分离,使得位于基板绑定区域的电极引线能够正常进行后续的绑定操作。
此外,本发明提供的OLED显示器件的封装方法中,由于没有使用mask板,相应减少了mask板对位工艺,使得在采用该封装方法对OLED显示器件进行封装时,不需要应用高精度的对位系统、mask承载、运输系统,同时避免了相应的工艺保障,节约了OLED显示器件的封装成本。而且,在封装过程中,由于减少了mask板对位工艺,不仅提高了OLED显示器件的封装效率,还避免了在基板上保留用于mask对位的对位点区域,为基板的设计余留更大的支配空间。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构对应步骤101的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构对应步骤102和步骤103的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构对应步骤104的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构覆盖封装盖板的的第一结构示意图;
图5为本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构覆盖封装盖板的的第二结构示意图;
图6为本发明实施例提供的与图4结构对应的去除牺牲层的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的与图5结构对应的去除牺牲层的结构示意图。
附图标记:
1-基板, 2-电极引线,
3-牺牲层, 4-OLED显示器件,
5-封装薄膜, 6-封框胶层,
7-填充胶层, 8-贴片胶层,
9-封装盖板。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的OLED显示器件的封装结构、封装方法、显示装置,下面结合说明书附图进行详细描述。
正如背景技术所述,传统的封装处理需要采用mask板覆盖待封装的OLED显示器件,然后采用CVD技术或ALD技术,在待封装OLED显示器件上的封装区域沉积封装薄膜,以实现对OLED显示器件的封装。CVD技术是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室,借助空间气相化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的工艺技术;ALD技术是通过将气相前驱体交替地通入反应器,使气相前驱体沉积在位于反应器中的基材表面,在基材表面化学吸附并发生表面反应,进而形成沉积膜的一种技术,受到CVD技术和ALD技术本身影响,采用CVD技术或ALD技术在待封装OLED显示器件上的封装区域沉积封装薄膜时,容易在mask板边缘产生残留颗粒,进而影响OLED显示器件的使用寿命。
本发明的发明人经研究发现,在封装过程中,若不使用mask板覆盖待封装的OLED显示器件,在采用CVD技术或ALD技术形成封装薄膜时,就不会产生残留颗粒。基于上述结论,发明人经进一步研究发现,在对OLED显示器件进行封装时,可以在OLED显示器件的非封装区域(即绑定区域)设置一牺牲层,这样采用CVD技术或ALD技术形成封装薄膜时,就可以形成覆盖OLED显示器件全部区域的封装薄膜,从而避免了残留颗粒的产生,而且在对OLED显示器件完成封装后,可以将牺牲层和位于牺牲层上的封装薄膜全部去除,既保证了OLED显示器件的封装效果,又使得封装后的OLED显示器件正常进行后续的绑定操作。
本发明实施例提供的OLED显示器件的封装方法包括:
步骤101,如图1所示,提供一基板1,基板1包括封装区域和位于封装区域周边的绑定区域,绑定区域上设置有用于绑定的电极引线2;
步骤102,如图2所示,在电极引线2上形成牺牲层3;
步骤103,在封装区域形成OLED显示器件4;
步骤104,如图3所示,形成覆盖基板1的全部区域的封装薄膜5;
步骤105,如图6和图7所示,去除牺牲层3,使得牺牲层3和位于牺牲层3上的封装薄膜5从基板1上分离。
上述OLED显示器件的封装方法具体实施时,在步骤101中,提供的基板1可以为玻璃基板1,在玻璃基板1的绑定区域设置有用于绑定的电极引线2;在步骤102中,可以采用涂布工艺或喷墨打印工艺,在电极引线2上形成牺牲层3;在步骤103中,形成的OLED显示器件4至少包括:形成在基板1表面的像素驱动电路和依次形成在像素驱动电路上的平坦化层、阳极、有机发光层和阴极;其中,像素驱动电路、平坦化层和阳极可以与位于基板1绑定区域的电极引线2同时形成,即步骤101提供的基板1上设置有像素驱动电路、平坦化层、阳极和电极引线2;当像素驱动电路、平坦化层和阳极已经在步骤103之前形成时,在步骤103中,可以直接在阳极上依次形成机发光层和阴极,即可形成完整的OLED显示器件4;在步骤104中,不需要采用mask板,可以直接形成覆盖基板1的全部区域的封装薄膜5;在步骤105中,可以根据牺牲层3的材料,利用碱性溶液浸泡牺牲层3,或机械剥离牺牲层3,以实现对牺牲层3的去除;其中,利用碱性溶液浸泡牺牲层3时,虽然牺牲层3上形成有封装薄膜5,但碱性溶液能够从牺牲层3边缘的暴露部分渗透到牺牲层3中,将牺牲层3逐步溶解。
根据上述OLED显示器件的封装方法的具体实施过程可知,本发明实施例提供的OLED显示器件的封装方法中,先在基板1上位于绑定区域的电极引线2上形成牺牲层3,再在封装区域形成完整的OLED显示器件4,避免了在形成牺牲层3时,曝光显影操作对OLED显示器件4中有机发光层产生的影响。在形成牺牲层3和OLED显示器件4后,本发明实施例提供的OLED显示器件的封装方法不需要采用mask板,直接形成覆盖基板1的全部区域的封装薄膜5,避免了由于mask板的存在而产生的残留颗粒,保证了封装薄膜5对OLED显示器件4良好的封装效果。最后去除牺牲层3,使牺牲层3和位于牺牲层3上的封装薄膜5从基板1上分离,使得位于基板1绑定区域的电极引线2能够正常进行后续的绑定操作。
此外,本发明实施例提供的OLED显示器件的封装方法中,由于没有使用mask板,相应减少了mask板对位工艺,使得在采用该封装方法对OLED显示器件4进行封装时,不需要应用高精度的对位系统、mask承载、运输系统,同时避免了相应的工艺保障,节约了OLED显示器件4的封装成本。而且,在封装过程中,由于减少了mask板对位工艺,不仅提高了OLED显示器件4的封装效率,还避免了在基板1上保留用于mask对位的对位点区域,为基板1的设计余留更大的支配空间。
为了进一步保证OLED显示器件4的封装效果,可以在已经覆盖封装薄膜5的OLED显示器件4的表面,继续粘结封装盖板9,如图4和图5所示,下面给出在OLED显示器件4的表面设置封装盖板9时,OLED显示器件的封装方法的两种具体实施方式。
第一种实施方式:在形成覆盖基板1的全部区域的封装薄膜5后,去除牺牲层3之前,OLED显示器件的封装方法还包括:
步骤1041,在位于封装区域的封装薄膜5上形成粘结层;
步骤1042,在粘结层上覆盖封装盖板9。
具体的,第一种实施方式提出可以在形成封装薄膜5后,直接在位于封装区域的封装薄膜5上形成粘结层,然后在粘结层上覆盖封装盖板9,最后再去除牺牲层3。这种实施方式,在完成封装盖板9的粘结后,才去除牺牲层3,因此,去除牺牲层3的操作对OLED显示器件4几乎没有影响,保证了对OLED显示器件4的封装效果。
第二种实施方式:在去除牺牲层3后,OLED显示器件的封装方法还包括:
步骤1051,清洗去除牺牲层3后的基板1;
步骤1052,在位于封装区域的封装薄膜5上形成粘结层;
步骤1052,在粘结层上覆盖封装盖板9。
具体的,第二种实施方式提出先去除牺牲层3,并对去除牺牲层3后的基板1进行清洗和烘干,然后在位于封装区域的封装薄膜5上形成粘结层,并在粘结层上覆盖封装盖板9。由于这种实施方式是在未覆盖封装盖板9之前去除牺牲层3,而去除牺牲层3的操作可能产生残留杂质,因此,在去除牺牲层3后,需要清洗去除牺牲层3后的基板1,以将产生的残留杂质清洗掉,然后再对清洗后的基板1进行烘干,去除基板1上的水汽,在清洗、烘干的操作完成后,再进行形成粘结层以及覆盖封装盖板9的操作,这种实施方式同样能够保证OLED显示器件4的封装效果。
上述实施例提供的基板1的封装区域包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域,对于上述两种实施方式,可选的,如图4所示,粘结层包括位于显示区域的填充胶层7和位于基板1的非显示区域的封框胶层6;或如图5所示,粘结层为贴片胶层8。对于上述两种形式的粘结层,封装盖板9均可以选用金属盖板、玻璃盖板或柔性塑料盖板。此外,对于上述两种实施方式,在粘结层上覆盖封装盖板9后,均需要对粘结层进行固化,以使得封装盖板9能够牢固的覆盖在OLED显示器件4上。
上述实施例提出的在电极引线2上形成牺牲层3的方法多种多样,下面给出两种具体的形成方法,当然不仅限于这两种形成方法。
第一种形成方法,在电极引线2上形成牺牲层3包括:
步骤1021',采用光敏胶,形成牺牲薄膜;
步骤1022',利用紫外光照射牺牲薄膜,形成固化后的牺牲薄膜;
步骤1023',对固化后的牺牲薄膜进行构图,形成牺牲层3;
步骤1024',清洗形成有牺牲层3的基板1。
具体的,在步骤1021'中,可以采用涂布工艺形成牺牲薄膜,该牺牲薄膜可以覆盖基板1的全部区域。在步骤1022'中,可以通过多种方法对牺牲薄膜进行固化,例如:紫外光照射等。在步骤1023'中,在固化后的牺牲薄膜上涂覆一层光刻胶,采用mask板对光刻胶进行曝光,使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶保留区域对应于牺牲层3的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的牺牲薄膜,剥离剩余的光刻胶,形成牺牲层3。由于在步骤1023'中,在对牺牲薄膜进行构图时,会产生残留杂质,因此需要在步骤1024'中,清洗形成有牺牲层3的基板1,将产生的残留杂质清洗掉,以保证OLED显示器件4的封装效果。
第二种形成方法,在电极引线2上形成牺牲层3包括:
步骤1021",利用有机溶液,采用喷墨打印技术工艺形成牺牲薄膜的图形;
步骤1022",固化牺牲薄膜的图形,以形成牺牲层3。
具体的,在步骤1021"中,利用亚克力类有机胶材、环氧树脂类有机胶材等制备有机胶材溶液,采用喷墨打印技术工艺将有机胶材溶液喷射到在电极引线2所在的绑定区域,以形成牺牲薄膜的图形。在步骤1022"中,采用加热或红外线照射方式对牺牲薄膜的图形进行固化,以形成牺牲层3。
上述实施例提供的覆盖基板1的全部区域的封装薄膜5为:单层无机封装薄膜;或,无机封装薄膜和有机封装薄膜相互交叠的多层封装薄膜,且无机封装薄膜完全覆盖有机封装薄膜。更详细的说,在形成封装薄膜5的步骤中,不使用mask板,直接采用CVD工艺或ALD工艺沉积单层SiNx、SiOx、SiON或AlOx等高水氧阻挡薄膜作为单层无机封装薄膜;或,采用CVD工艺(或ALD工艺、喷墨打印技术工艺)沉积形成无机封装薄膜和有机封装薄膜相互交叠的多层封装薄膜,对于这种多层封装薄膜,其所包括的无机封装薄膜可以为单层SiNx、SiOx、SiON或AlOx等高水氧阻挡薄膜;优选的,多层封装薄膜中的无机封装薄膜与OLED显示器件4接触,且无机封装薄膜完全覆盖有机封装薄膜,使得有机封装薄膜不会暴露在外,保证了封装薄膜5的封装效果。此外,由于多层封装薄膜既包括无机封装薄膜又包括有机封装薄膜,使得多层封装薄膜应力较小,有效延长了封装薄膜5的封装寿命。
本发明实施例还提供了一种OLED显示器件的封装结构,采用上述OLED显示器件的封装方法制作,OLED显示器件的封装结构包括覆盖OLED显示器件4的封装薄膜5,封装薄膜5未覆盖位于绑定区域的电极引线2。采用上述OLED显示器件的封装方法制作的OLED显示器件的封装结构,保证了OLED显示器件的封装结构的封装效果,有效延长了OLED显示器件的封装结构的使用寿命。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述OLED显示器件的封装结构,以及与封装结构中的电极引线2绑定在一起的驱动芯片。具体的,在完成OLED显示器件4的封装后,位于绑定区域的电极引线2露出,在电极引线2上进行驱动芯片、柔性电路板等的绑定,完成显示装置的制备。本发明实施例还提供的显示装置,包括OLED显示器件的封装结构,使得显示装置具有良好的封装效果,有效延长了OLED显示装置的使用寿命。
所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种OLED显示器件的封装方法,包括:
提供一基板,所述基板包括封装区域和位于封装区域周边的绑定区域,所述绑定区域上设置有用于绑定的电极引线;
其特征在于,所述封装方法还包括:
在所述电极引线上形成牺牲层;
在形成所述牺牲层之后,在所述封装区域形成OLED显示器件;
沉积形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜;
利用碱性溶液浸泡所述牺牲层,使碱性溶液从牺牲层边缘的暴露部分渗透到牺牲层中,去除所述牺牲层,使得所述牺牲层和位于所述牺牲层上的封装薄膜从所述基板上分离;
在所述去除所述牺牲层后,所述封装方法还包括:
清洗去除所述牺牲层后的基板;
在位于所述封装区域的封装薄膜上形成粘结层;
在所述粘结层上覆盖封装盖板。
2.根据权利要求1所述的OLED显示器件的封装方法,其特征在于,所述封装区域包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,
所述粘结层包括位于所述显示区域的填充胶层,和位于所述基板的非显示区域的封框胶层;
或,所述粘结层为贴片胶层。
3.根据权利要求1所述的OLED显示器件的封装方法,其特征在于,所述在所述电极引线上形成牺牲层包括:
采用光敏胶,形成牺牲薄膜;
利用紫外光照射所述牺牲薄膜,形成固化后的牺牲薄膜;
对所述固化后的牺牲薄膜进行构图,形成所述牺牲层;
清洗形成有所述牺牲层的基板。
4.根据权利要求1所述的OLED显示器件的封装方法,其特征在于,所述在所述电极引线上形成牺牲层包括:
利用有机溶液,采用喷墨打印技术工艺形成牺牲薄膜的图形;
固化所述牺牲薄膜的图形,以形成所述牺牲层。
5.根据权利要求1所述的OLED显示器件的封装方法,其特征在于,所述形成覆盖所述基板的全部区域的封装薄膜包括:
形成单层无机封装薄膜;
或,形成无机封装薄膜和有机封装薄膜相互交叠的多层封装薄膜,且所述无机封装薄膜完全覆盖所述有机封装薄膜。
6.一种OLED显示器件的封装结构,其特征在于,采用如权利要求1~5任一项所述的OLED显示器件的封装方法制作,所述OLED显示器件的封装结构包括覆盖OLED显示器件的封装薄膜,所述封装薄膜未覆盖位于绑定区域的电极引线。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的OLED显示器件的封装结构,以及与所述封装结构中的电极引线绑定在一起的驱动芯片。
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