CN105260052B - 盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法，该盖板包括盖板基底以及形成盖板基底的出光面上的触控电极图形；还包括形成在所述触控电极图形之上的钝化层图形；在触控区域，所述触控电极图形在所述盖板基底上的投影和所述钝化层图形在所述盖板基底上的投影重合。本发明提供的盖板中，形成在所述触控电极图形之上的钝化层图形能够有效避免触控区域的触控电极在后续的制作工艺中被划伤，从而提高制作显示装置的良率。

Description

盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种盖板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的急速进步，具有触控功能的显示装置由于其所具有的可视化操作等优点而逐渐得到越来越多人们的欢迎。现有技术中的一种显示装置中，将触控电极作为彩膜基板的一部分制作在彩膜基板的出光面上。这样一方面可以降低显示装置的整体盒厚，另一方面能够降低制作难度。但是这样的彩膜基板上的触控电极可能在后续的工艺中(比如在彩膜基板的基底上制作其他膜层时)被划伤，降低了制作显示装置的良率。
发明内容
本发明的一个目的在于解决上述技术问题。
第一方面，本发明提供了一种盖板，包括盖板基底以及形成盖板基底的出光面上的触控电极图形；还包括形成在所述触控电极图形之上的钝化层图形；
在触控区域，所述触控电极图形在所述盖板基底上的投影和所述钝化层图形在所述盖板基底上的投影重合。
进一步的，在压接区域所述触控电极图形延伸到所述钝化层图形之外。
进一步的，所述钝化层图形的材质为氮化硅或者二氧化硅。
进一步的，还包括形成在所述盖板基底的入光面上的彩色滤光层。
第二方面，本发明还提供了一种盖板的制作方法，包括：在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形；其中，在触控区域，所述触控电极图形在所述盖板基底上的投影和所述钝化层图形在盖板基底上的投影重合。
进一步的，在压接区域所述触控电极图形延伸到所述钝化层图形之外。
进一步的，所述在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形包括：
在盖板基底的出光面上形成触控电极材料层和钝化材料层；
在所述钝化材料层上形成光刻胶层；
对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域；
以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层和触控电极材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形；
对图案化工艺后得到的光刻胶层进行干法刻蚀，去除光刻胶半保留区域的光刻胶；
以干法刻蚀后的光刻胶层作为掩膜对初始钝化层图形进行刻蚀，去除压接区域的钝化材料层得到钝化层图形。
进一步的，所述对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域，包括：
采用半曝光工艺对光刻胶层进行曝光显影得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域。
进一步的，所述以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形包括：
以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜，对钝化材料层进行干法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形，之后对触控电极材料层进行湿法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的触控电极图形。
进一步的，所述在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形包括：
利用氮化硅或者二氧化硅形成钝化层图形。
进一步的，还包括：在盖板基底的入光面上形成彩色滤光层。
第三方面，本发明还提供了一种显示装置的制作方法，包括：将盖板基底与阵列基板进行封装的步骤和在封装之后，按照的第二方面所述的方法制作盖板的步骤。
第四方面，本发明还提供了一种显示装置，包括显示背板和显示盖板，所述显示盖板为第一方面任一项所述的盖板。
本发明提供的盖板中，还包括形成在所述触控电极图形之上的钝化层图形；在触控区域，触控电极图形在盖板基底上的投影和钝化层图形在盖板基底上的投影重合。这样就能够有效避免触控区域的触控电极在后续的制作工艺中被划伤，从而提高制作显示装置的良率。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种盖板的结构示意图；
图2-图7为制作图1中的盖板的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
第一方面，本发明提供了一种盖板，该盖板包括盖板基底以及形成盖板基底的出光面上的触控电极图形；还包括形成在触控电极图形之上的钝化层图形；
在触控区域，触控电极图形在盖板基底上的投影和钝化层图形在盖板基底上的投影重合。
本发明提供的盖板中，形成在触控电极图形之上的钝化层图形能够有效避免触控区域的触控电极在后续的制作工艺中被划伤，从而提高制作显示装置的良率。
第二方面，本发明还通过了一种盖板的制作方法，该方法包括：
盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形；在触控区域，触控电极图形在盖板基底上的投影和钝化层图形在盖板基底上的投影重合。
本发明提供的盖板的制作方法所制作的盖板中，形成在触控电极图形之上的钝化层图形能够有效避免触控区域的触控电极在后续的制作工艺中被划伤，从而提高制作显示装置的良率。
第三方面，本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：将盖板基底与阵列基板进行封装的步骤和在封装之后，按照第二方面所述的制作方法制作盖板的步骤。
在具体实施时，上述的盖板可以为形成有彩色滤光层的彩膜基板，或者也可以为没有形成有彩色滤光层的盖板，比如用于彩光有机电致发光元件显示装置(OLED)中的盖板。相应的，盖板的具体结构和对应的制作方法也可能存在一些差异，下面结合附图进行简要说明。
参见图1，为本发明一实施例提供的盖板的结构示意图，该盖板包括盖板基底110、形成在盖板基底110下表面的彩色滤光层140、形成在盖板基底100上表面的触控电极图形120、以及形成在触控电极图形120上方的钝化层图形130；上述的盖板可以分为触控区域A和压接区域P，在触控区域A内，触控电极图形120和钝化层图形130在盖板基底100上的投影重合，而在压接区域P触控电极图形120伸出钝化层图形130，即在压接区域P内，触控电极图形120的上方没有形成钝化层图形130。
在实际应用中，上述的盖板形成有彩色滤光层一面(即盖板基底的下表面)会与阵列基板对盒封装，则阵列基板出射的光线从下向上入射到盖板，并从盖板出射。这样盖板基底形成有彩色滤光层一面即为入光面，而盖板基底形成有触控电极图形的一面为出光面。本发明实施例提供的盖板中，由于在盖板的盖板基底的出光面的触控电极图形的上方形成有钝化层图形，且钝化层图形在盖板基底上的投影与触控电极图形重合，则能够有效防止在后续的工艺中触控电极图形被划伤，从而提高制作显示装置的良率。
同时本发明实施例中，在压接区域P触控电极图形120的上方没有形成钝化层图形130，这样由于触控电极图形120在压接区域P暴露，方便触控驱动电路在此处与触控电极图形120压接相连。
在具体实施时，这里的钝化层图形130的材质可以为氮化硅或者二氧化硅，或者其他绝缘材料制作。
不难理解的是，本发明中钝化层图形130在盖板基底110上的投影和触控电极图形120在盖板基底110上的投影重合，可以是指二者的投影完全重合，也可以是指二者的投影部分重合。比如在实际应用中，由于制作工艺的问题，所制作的触控电极图形120的面积可能略小于钝化层图形130的面积，这样触控电极图形120在盖板基底110上的投影仅和钝化层图形130在盖板基底110上的部分投影重合，这样的技术方案也能够达到本发明的基本目的，相应的也均应落入本发明的保护范围。
对于包含图1中的盖板的显示装置的制作方法可以参见图2-图6，包括：
步骤S1，在盖板基底110的入光面上形成彩色滤光层140，并将得到的结构与阵列基板进行对盒封装。为经步骤S1之后得到的结构可以参考图2，包括阵列基板200、用于封装阵列基板200和半成品盖板(这里的半成品盖板包括盖板基底110以及形成在盖板基底110之上的彩色滤光层140)封装的封框胶300，以及半成品盖板。
步骤S2，在盖板基底110的出光面上形成触控电极材料层120和钝化材料层130，经步骤S1之后得到的结构可以参考图3，与图2相比，还包括形成在盖板基底110上的触控电极材料层120和钝化材料层130。
在具体实施时，这里的触控电极材料层120可以使用氧化铟锡并通过磁控溅射工艺形成，而钝化材料层130则可以使用氮化硅或者二氧化硅并通过气相沉积工艺形成在触控电极材料层120之上。
步骤S3，在钝化材料层130之上形成光刻胶层150，并对光刻胶层150进行图案化工艺，得到对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域、对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域、以及光刻胶区域去除区域。经步骤S2之后得到的阵列基板的结构可以参考图4，与图3相比，还具有对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域、对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域、以及光刻胶区域去除区域。
在具体实施时，可以通过涂覆工艺将光刻胶形成在钝化材料层130的上方，之后对光刻胶层150进行图案化工艺。对光刻胶层150进行图案化工艺的具体过程可以为：采用半曝光工艺对光刻胶层150进行图案化，从而通过一次图案化工艺形成相应的光刻胶图形，这样可以降低图案化工艺的次数，从而降低制作难度。这里的半曝光工艺是指在对光刻胶层进行曝光时，在一部分区域完全曝光，在一部分区域进行部分曝光，并在另一部分区域不曝光，从而在一次曝光显影中形成多于两种形态的光刻胶的区域。这里的半曝光工艺可以采用半色调掩膜板实现，也可以具有狭缝的狭缝掩膜板实现，狭缝的密度在完全曝光区域和部分曝光区域不同。当然采用多次图案化工艺得到上述的光刻胶图形也能够达到本发明的基本目的，相应的技术方案也应该落入本发明的保护范围。
步骤S4，以图案化工艺后得到的光刻胶层150作为掩膜对钝化材料层130和触控电极材料层120进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形130和触控电极图形120。经步骤S4之后得到的阵列基板的结构可以参考图5，与图4相比，在触控区域钝化材料层130和触控电极图形120被刻蚀为与光刻胶完全去除区域一致的形状。
在具体实施时，上述的步骤S3可以具体包括：以图案化工艺后得到的光刻胶层150作为掩膜，对钝化材料层130进行干法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形，之后对触控电极材料层120进行湿法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的触控电极图形。
步骤S5，对图案化工艺后得到的光刻胶层150进行干法刻蚀，去除光刻胶半保留区域处的光刻胶。经步骤S4之后得到的结构可以参考图6，与图5相比，压接区域(即光刻胶半保留区域)的光刻胶被去除。
步骤S5中所指的干法刻蚀可以是指使用相应的气体对整个光刻胶图形进行灰化，使得光刻胶整体减薄，直至光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除。
步骤S6，以步骤S5之后得到的光刻胶层150作为掩膜对初始钝化层图形进行刻蚀，去除压接区域P的钝化材料层130得到钝化层图形。经步骤S6之后得到的结构可以参考图7，与图6相比，压接区域P的钝化材料层130被刻蚀掉。
在步骤S6还可以剥离光刻胶层150，从而得到具有图1中的盖板的显示装置。
由于在步骤S1-S6中形成了用于保护触控电极图形120的钝化层图形130，则在之后的工艺中，钝化层图形130可以有效的防止触控电极图形120被划伤。且上述的方法中，钝化层图形130和触控电极图形120通过同一图案化工艺形成，降低了制作难度。且上述的制作方法中，在完成对盒封装之后才形成触控电极图形120和钝化层图形130，与对盒封装之前制作彩色滤光层140的方式相比，能够避免彩色滤光层140或者触控电极图形120和钝化层图形130的划伤。
当然在实际应用中，也可以在完成触控电极图形、钝化层图形和彩色滤光层之后的在将形成的盖板与阵列基板进行对盒封装，此时制作盖板的方法可以包括上述的步骤S2-步骤S6，另外在步骤S2之前或者步骤S6之后还可以包括制作彩色滤光层的过程。
第四方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述所述的显示基板。
这里的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
不难理解的是，本发明提供的显示装置可以为液晶显示装置，也可以为其他类型的显示装置。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种盖板的制作方法，其特征在于，包括：在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形；其中，在触控区域，所述触控电极图形在所述盖板基底上的投影和所述钝化层图形在盖板基底上的投影重合，所述钝化层图形的材料为氮化硅或二氧化硅；
在压接区域所述触控电极图形延伸到所述钝化层图形之外；
所述在盖板基底形成触控电极图形和钝化层图形包括：
在盖板基底的出光面上形成触控电极材料层和钝化材料层；
在所述钝化材料层上形成光刻胶层；
对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域；
以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层和触控电极材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形；
对图案化工艺后得到的光刻胶层进行干法刻蚀，去除光刻胶半保留区域的光刻胶；
以干法刻蚀后的光刻胶层作为掩膜对初始钝化层图形进行刻蚀，去除压接区域的钝化材料层得到钝化层图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对光刻胶层进行图案化工艺得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域，包括：
采用半曝光工艺对光刻胶层进行曝光显影得到光刻胶完全去除区域、对应于触控区域的触控电极图形的光刻胶完全保留区域和对应于压接区域的触控电极图形的光刻胶半保留区域。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜对钝化材料层进行刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形和触控电极图形包括：
以图案化工艺后得到的光刻胶层作为掩膜，对钝化材料层进行干法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的初始钝化层图形，之后对触控电极材料层进行湿法刻蚀得到对应于光刻胶半保留区域和光刻胶完全保留区域的触控电极图形。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在盖板基底的入光面上形成彩色滤光层。
5.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括：将盖板基底与阵列基板进行封装的步骤和在封装之后，按照如权利要求1-4任一项所述的方法制作盖板的步骤。
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