CN104465510A - 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，涉及显示技术领域，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。该方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、平坦层和钝化层的图形，所述薄膜晶体管的图形包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极的图形，其中，所述平坦层和所述钝化层的图形是通过一次构图工艺形成的。本发明应用于显示器件的制作技术中。

Description

一种阵列基板及其制作方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)是一种主要的显示装置，随着技术的进步，消费者对电子产品的显示效果提出了更高的要求。为了提高显示器件的显示效果、增强薄膜晶体管的显示性能，减小功耗，多会在薄膜晶体管上形成一层树脂平坦层。
但是现有的技术方案中在形成平坦层图案和钝化层图案时，需要通过两次构图工艺来形成。由于平坦层的厚度相对于钝化层的厚度较大，如图1中所示，平坦层上的过孔的孔径较大。钝化层和平坦层上的过孔11无论是采用半套式还是全套式方案，都会使得平坦层和钝化层上的两个过孔11的尺寸过大，从而使得平坦层和钝化层上的过孔11无法完全重叠，会极大的减小显示器件的开口率，影响画面显示效果。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、平坦层和钝化层的图形，所述薄膜晶体管的图形包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极的图形，其中：
所述平坦层和所述钝化层的图形是通过一次构图工艺形成的。
可选的，所述方法还包括：
在形成所述钝化层的图形后，形成与所述漏极连接的像素电极层的图形。
可选的，所述方法还包括形成数据线的图形，其中：
所述数据线层的引线之间通过所述像素电极层连通。
可选的，所述方法还包括在所述平坦层的图形上形成公共电极层的图形，形成所述平坦层的图形和所述钝化层的图形包括：
在所述薄膜晶体管的图形上形成平坦层材料薄膜；
在所述公共电极层的图形上形成钝化层材料薄膜；
利用一次构图工艺，将所述平坦层材料薄膜形成为所述平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为所述钝化层的图形。
可选的，所述利用一次构图工艺，将所述平坦层材料薄膜形成为所述平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为所述钝化层的图形，包括：
在形成有平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜的基板上，涂布光刻胶；
利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全去除区域对应所述漏极区域，其他区域为光刻胶完全保留区域；
去除位于光刻胶完全去除区域的平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜；
将剩下的光刻胶剥离。
可选的，所述方法还包括：
在所述平坦层的图形上，利用一次构图工艺形成公共电极层的图形。
可选的，所述平坦层的材料为树脂材料。
第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：形成在衬底基板上的薄膜晶体管、平坦层和钝化层，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，其特征在于，
所述平坦层和所述钝化层上与所述漏极对应的过孔是平滑连接的。
可选的，所述阵列基板还包括设置在所述钝化层上与所述漏极连接的像素电极层和与所述源漏极同层设置的数据线，其中：
所述数据线层的引线之间通过所述像素电极层连通。
第三方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括第二方面所述的任一阵列基板。
本发明的实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示面板，通过采用一次构图工艺形成平坦层和钝化层，相对于现有技术中需要两次构图工艺来形成平坦层和钝化层，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种阵列基板上像素单元俯视结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的一种阵列基板上像素单元俯视结构示意图；
图3为图2所示的阵列基板沿A-A’的剖视结构示意图；
图4为本发明的实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图5为本发明的实施例提供的另一种阵列基板的制作方法的流程示意图；
图6为制作图3所示阵列基板的过程中，在平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜上涂一层光刻胶后的示意图；
图7为制作图3所示阵列基板的过程中，对图6中的光刻胶进行显影后的示意图；
图8为制作图3所示阵列基板的过程中，去除位于光刻胶完全去除的区域的平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜后的示意图；
图9为制作图3所示阵列基板的过程中，剥离光刻胶后的示意图。
附图标记：1-栅线；2-数据线；3-有源层的图形；4-像素电极层的图形；5-衬底基板；6-栅绝缘层的图形；7-漏极的图形；8-平坦层的图形；9-钝化层的图形；10-光刻胶；80-平坦层材料薄膜；90-钝化层材料薄膜；11-过孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2所示的是现有的阵列基板的俯视示意图。图3所示的是图2所示阵列基板沿着图2中的A-A’的剖视图，如图2中所示，阵列基板包括：栅线1、数据线2、有源层3和像素电极层4；如图3中所示，阵列基板包括：设置在衬底基板5上的栅极(图中未示出)，覆盖栅极栅绝缘层6；位于栅绝缘层6上方的有源层3；位于有源层3上方的源极(图中未示出)和漏极7；位于源漏极上方的平坦层8；位于平坦层8上的公共电极层(图中未示出)，位于公共电极层上的钝化层9，以及位于钝化层9上的像素电极层4。以下是本发明实施例提供的一种制作阵列基板的方法，但本发明不限于图示结构的阵列基板。
所谓“构图工艺”是将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺；而构图工艺通常包含：在薄膜上涂光刻胶，利用掩膜板对光刻胶进行曝光，再利用显影液将需去除的光刻胶去除掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离。而在本发明所有实施例中，“一次构图工艺”是指该构图工艺过程中所包含的曝光过程只有一次。
本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、平坦层和钝化层的图形，薄膜晶体管的图形包括栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极的图形，其中：
平坦层和钝化层的图形是通过一次构图工艺形成的。
具体的，还包括在平坦层的图形上形成公共电极层的图形，形成平坦层和钝化层的图形包括：
在薄膜晶体管的图形上形成平坦层材料薄膜；
在公共电极层的图形上形成钝化层材料薄膜。
利用一次构图工艺，将平坦层材料薄膜形成为平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为钝化层的图形。
需要说明的是，薄膜晶体管可以是顶栅型，也可以是底栅型，在此不作限定。其中，顶栅、底栅是相对栅极和栅绝缘层的位置而定的，即：相对衬底基板，当栅极靠近衬底基板，栅绝缘层远离衬底基板时，为底栅型薄膜晶体管；当栅极远离衬底基板，栅绝缘层靠近衬底基板时，为顶栅型薄膜晶体管。
下面将提供一具体实施例，以详细描述上述阵列基板的制作过程。如图4所示，以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管为例进行说明，该阵列基板的制作方法包括：
101、在衬底基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的图形的栅金属层。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层厚度在至的金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
102、在栅金属层上形成一层栅绝缘层的图形。
具体的，可以采用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为至的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
103、在栅绝缘层的图形上形成有源层、源极、漏极和数据线的图形。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体或者氮化硅材料薄膜，然后对金属氧化物半导体或者氮化硅材料薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层的图形即可。
进一步，采用和制作栅线类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在到金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成源极、漏极和数据线的图形。
104、在有源层、源极、漏极和数据线的图形上形成平坦层材料薄膜。
105、在平坦层材料薄膜上形成公共电极层的图形。
具体的，采用磁控溅射的方法在平坦层材料薄膜上沉积氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)或者掺铟氧化锌(indium-doped zincoxide，简称IZO)，然后在涂覆光刻胶之后用普通的掩膜板经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层的图形。
106、在公共电极层的图形上形成钝化层材料薄膜。
具体的，采用化学气相沉积法形成平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜，钝化层材料薄膜的材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料，平坦层材料薄膜的材料通常为树脂材料，钝化层材料薄膜的厚度在到
107、利用一次构图工艺，将平坦层材料薄膜形成为平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为钝化层的图形。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过采用一次构图工艺形成平坦层和钝化层，相对于现有技术中需要两次构图工艺来形成平坦层和钝化层，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
下面将提供一具体实施例，以详细描述上述阵列基板的制作过程。如图5所示，以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管为例进行说明，该阵列基板的制作方法包括：
201、在衬底基板上形成包括栅极、栅线和栅线引线的图形的栅金属层。
具体的，可以采用磁控溅射的方法在基板例如玻璃基板或石英基板上沉积一层厚度在至的金属薄膜，该金属薄膜通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模板通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板的一定区域上形成栅金属层。
202、在栅金属层上形成一层栅绝缘层的图形。
具体的，可以采用化学气相沉积法或者磁控溅射的方法在玻璃基板上沉积厚度为至的栅电极绝缘层薄膜，该栅绝缘层薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。
203、在栅绝缘层的图形上形成有源层、源极、漏极和数据线的图形。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体或者氮化硅材料薄膜，然后对金属氧化物半导体或者氮化硅材料薄膜进行一次构图工艺形成有源层，即在光刻胶涂覆后，用掩模板对基板进行曝光、显影、刻蚀形成有源层的图形即可。
进一步，采用和制作栅线类似的方法，在基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在到金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成源极、漏极和数据线的图形。
204、在衬底基板上形成平坦层材料薄膜。
具体的，采用化学气相沉积法在源极、漏极和数据线形成平坦层材料薄膜，示例性的平坦层材料薄膜的材料可以为树脂材料。
205、利用一次构图工艺在平坦层材料薄膜上形成公共电极层的图形。
具体的，采用磁控溅射的方法在平坦层材料薄膜上沉积ITO或者IZO，然后在涂覆光刻胶之后用普通的掩膜板经过曝光、显影、刻蚀形成公共电极层的图形。
206、在公共电极层的图形上形成钝化层材料薄膜。
具体的，采用化学气相沉积法在公共电极层上涂覆一层厚度在到的钝化层材料薄膜，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。
207、在形成有平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜的基板上，涂布光刻胶。
优选利用沉积的方式在源极和漏极上面形成一层平坦层材料薄膜，再在公共电极层上面沉积一层钝化层材料薄膜，再在钝化层材料薄膜上面涂覆一层光刻胶。如图6所示，在平坦层材料薄膜80和钝化层材料薄膜90上面涂布有一层光刻胶10。
208、利用掩膜板对光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。
其中，掩膜板包括：全透光部分和不透光部分，全透光部分对应全透光区域，不透光部分对应不透光区域。
其中，光刻胶完全去除区域对应漏极区域，其他区域为光刻胶完全保留区域。
具体的，如图7中所示，光刻胶完全保留区域如图7中所示的A区域。如图7所示，光刻胶完全保留部分的厚度应尽量均匀，且为光刻胶涂覆完成的初始厚，其他区域的光刻胶完全被去除。
209、去除位于光刻胶完全去除区域的平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜。
如图8所示，具体的，可以是利用刻蚀液将平坦层材料薄膜80和钝化层材料薄膜90未覆盖光刻胶的区域刻蚀掉,将平坦层材料薄膜形成为平坦层8，将钝化层材料薄膜形成钝化层9。
210、将剩下的光刻胶剥离。
如图9所示，即将保留的光刻胶剥离，露出平坦层4和钝化层5。
211、在钝化层的图形上形成与漏极连接的像素电极层的图形。
采用磁控溅射的方法在钝化层上沉积ITO或者IZO，然后经过曝光、显影、刻蚀形成像素电极层。
具体的，本实施例中的钝化层和平坦层的图案是采用一次构图工艺形成的，相比于现有技术方案中的分别形成钝化层的图案和平坦层的图案，每次形成的与漏极对应区域处的过孔的尺寸由于制作工艺水平自身的限制，与实际需要的尺寸有一定误差，这样两次构图形成的与漏极对应区域处的过孔尺寸会更大，当然，无论现有技术中的两个过孔是采用全套孔的方式还是半套孔的方式，都会存在上述的问题。本实施例中平坦层和钝化层采用一次构图工艺形成，如图3中所示，得到的与漏极对应区域处的过孔11的尺寸大大的减小，因而开口率也随之增大。
需要说明的是，现有技术方案中是采用公共电极层实现与显示器件的周边线路中的数据线层的引线之间的连通，本发明实施例中是采用像素电极层，更具体说是通过像素电极层位于周边的部分来实现显示器件的周边线路中的数据线层的引线的连通，还需要说明的是，周边线路中的数据线层的引线之间的连通可以理解为，数据线层的引线是与数据线同层同材料形成的，在显示器件的周边线路中具有横向和纵向交错的排布方式，由于空间布线的影响，横向、纵向交错时，会出现需要跳线的情况，此时则需要通过导电层将跳线相连。这样即使是要考虑周边线路中的数据线层的引线之间的跳线的问题，本发明实施例也可以很好的实现数据线层的引线的连通，形成的显示器件的性能依然很好。
本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法，通过采用一次构图工艺形成平坦层和钝化层，相对于现有技术中需要两次构图工艺来形成平坦层和钝化层，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
本发明的实施例提供一种阵列基板，如图3中所示，该阵列基板包括：形成在衬底基板5上的薄膜晶体管、平坦层8和钝化层9，薄膜晶体管包括：栅极(图中未示出)、栅绝缘层6、有源层3、源极(图中未示出)和漏极7，其中：
平坦层8和钝化层9上与漏极7对应的过孔是平滑连接的。
进一步，阵列基板还包括设置在钝化层9上与漏极7连接的像素电极层4和与源极、漏极7同层设置的数据线2，其中：
数据线2层的引线之间通过像素电极层4连通。
需要说明的是，本实施例中对阵列基板中的相关特征的说明可以参考上述实施例中的描述此处不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板，通过采用一次构图工艺形成平坦层和钝化层，使得平坦层和钝化层上与漏极对应的过孔平滑连接，相对于现有技术中需要两次构图工艺来形成平坦层和钝化层，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
本发明的实施例提供一种显示面板，该显示面板包括采用上述任一实施例提供的阵列基板，该显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示面板。
本发明的实施例提供的显示面板，通过采用一次构图工艺形成显示面板中的平坦层和钝化层，相对于现有技术中需要两次构图工艺来形成平坦层和钝化层，减少了阵列基板制作过程中构图工艺的次数。同时，可以减小平坦层和钝化层上的过孔的大小，增大显示器件的开口率，增强画面的显示效果。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：在衬底基板上形成包括薄膜晶体管、平坦层和钝化层的图形，所述薄膜晶体管的图形包括：栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极的图形，其特征在于，
所述平坦层和所述钝化层的图形是通过一次构图工艺形成的。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成所述钝化层的图形后，形成与所述漏极连接的像素电极层的图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成数据线的图形，其中：
所述数据线层的引线之间通过所述像素电极层连通。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述平坦层的图形上形成公共电极层的图形，形成所述平坦层和所述钝化层的图形包括：
在所述薄膜晶体管的图形上形成平坦层材料薄膜；
在所述公共电极层的图形上形成钝化层材料薄膜；
利用一次构图工艺，将所述平坦层材料薄膜形成为所述平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为所述钝化层的图形。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用一次构图工艺，将所述平坦层材料薄膜形成为所述平坦层的图形，将钝化层材料薄膜形成为所述钝化层的图形，包括：
在形成有平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜的基板上，涂布光刻胶；
利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再对曝光后的光刻胶进行显影，显影后形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全去除区域对应所述漏极区域，其他区域为光刻胶完全保留区域；
去除位于光刻胶完全去除区域的平坦层材料薄膜和钝化层材料薄膜；
将剩下的光刻胶剥离。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述平坦层的图形上，利用一次构图工艺形成公共电极层的图形。
7.根据权利要求1～6任一所述的方法，其特征在于，
所述平坦层的材料为树脂材料。
8.一种阵列基板，所述阵列基板包括：形成在衬底基板上的薄膜晶体管、平坦层和钝化层，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极，其特征在于，
所述平坦层和所述钝化层上与所述漏极对应的过孔是平滑连接的。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述钝化层上与所述漏极连接的像素电极层和与所述源漏极同层设置的数据线，其中：
所述数据线层的引线之间通过所述像素电极层连通。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8或9所述的阵列基板。
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