CN101893799B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及液晶显示面板及其制造方法，其中，液晶显示面板，包括夹合液晶层的两块基板，其中第一基板上设有薄膜晶体管和与薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线、与薄膜晶体管的漏极电连接的数据线以及与薄膜晶体管的源极电连接的像素电极。所述液晶显示面板还包括覆盖所述栅极线和数据线的有机膜，所述像素电极覆于所述有机膜之上并与所述栅极线和数据线位于有机膜的两侧。与现有技术相比，本发明使用有机膜将像素电极与栅极线和数据线隔离，因此，像素电极在第一基板上的投影可以与栅极线和/或数据线在第一基板上的投影有交叠，从而可以避免现有技术的缺陷，提高液晶显示面板的开口率。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示设备制造领域，尤其涉及液晶显示面板及其制造方法。
背景技术
近年来，显示器市场中心位置逐渐由平板显示器(Flat Panel Display，FPD)所占据。利用FPD可以制造大尺寸且薄而轻的显示设备。这类FPD包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、等离子体显示面板(Plasma Display Panel，PDP)、有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)等。
液晶显示器由于具备轻薄、省电、无辐射等优点而成为显示器发展的主流趋势。液晶显示器被大量的应用于个人数字助理器(PDA)、笔记本计算机、数字相机、摄录像机、移动电话等各式电子产品中。随着电子产业的不断发展，液晶显示器的性能也越来越高。
现有的液晶显示面板通常包含上面板、下面板和形成在上面板和下面板之间的液晶层，而其中一个面板上形成有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)电路。具体地说，如图1所示，液晶显示单元分为控制区域110和显示区域120。其中，显示区域120位于控制区域110的四周。控制区域110包括形成在基板100表面的栅极102；形成在基板100表面并覆盖栅极102的绝缘层103，形成在绝缘层103表面的栅极非晶硅层104以及掺杂非晶硅层104a；形成在栅极非晶硅层104表面的源极105、漏极106；以及用于传输信号的栅极线和数据线(图未示)。显示区域120包括形成在绝缘层基板100表面的绝缘层103；形成在绝缘层103上的钝化层107；形成在钝化层107上且与漏极106连接的像素电极101。例如美国专利公开号为2007/0155068A1的发明专利申请公开了上述液晶显示面板的制造方法。
但是，根据现有技术来制作液晶显示面板，为了避免栅极线和/或数据线与像素电极的串扰，通常将像素电极的边界与栅极线和数据线隔开一定的距离。因此，像素电极的尺寸有所降低，这导致液晶显示面板的开口率降低。
另外，在本领域中，开始使用具有透光性的且含有光致抗蚀剂的有机膜来替代光刻胶。例如，中国发明专利申请第200580020810.2号便公开一种替代光刻胶的有机膜。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：如何提高液晶显示面板的开口率。
为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，提供一种液晶显示面板，包括夹合液晶层的两块基板，其中第一基板上设有薄膜晶体管和与薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线、与薄膜晶体管的漏极电连接的数据线以及与薄膜晶体管的源极电连接的像素电极，还包括第一有机膜，所述像素电极覆于所述第一有机膜之上，所述栅极线和数据线位于所述第一有机膜之下。
可选地，还包括栅极线端子，所述栅极线端子处的电极导电层与所述栅极线连接，且所述电极导电层下设置有所述第一有机膜，相邻的所述像素电极间具有所述第一有机膜。
可选地，还包括数据线端子，所述数据线端子处的电极导电层与所述数据线连接，且所述电极导电层下设置有所述第一有机膜。
可选地，所述像素电极之上还包括第二有机膜。
可选地，还包括栅极线端子，所述栅极线端子的电极导电层上还部分设置有所述第二有机膜。
可选地，还包括数据线端子，所述数据线端子的电极导电层上还部分设置有所述第二有机膜。
可选地，所述像素电极在所述第一基板上的投影与所述栅极线和/或数据线在所述第一基板上的投影有交叠。
可选地，在所述第一有机膜之下还设置有隔离层。
根据本发明的另一个方面，提供一种液晶显示面板的制造方法，包括步骤：步骤一，在第一基板上形成薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线；步骤二，在所述第一基板上形成第一有机膜，并对所述第一有机膜进行曝光显影，露出所述薄膜晶体管的源极，所述第一有机膜至少覆盖所述栅极线和所述数据线；步骤三，在所述第一基板上形成与薄膜晶体管源极电连接的电极导电层，并对所述电极导电层进行刻蚀。
可选地，所述制造方法还包括：形成栅极线端子和数据线端子。
可选地，在所述第一基板上形成栅极金属层，并对所述栅极金属层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的栅极和与所述栅极连接的栅极线，对所述栅极金属层刻蚀后，所述栅极线端子处保留有栅极金属、所述数据线端子处的栅极金属层被去除。
可选地，刻蚀所述栅极金属层后，依次形成栅极绝缘层、非晶硅半导体层、掺杂非晶硅层、数据线金属层。
可选地，执行依次形成栅极绝缘层、非晶硅半导体层、掺杂非晶硅层、数据线金属层步骤之后，形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，在像素区露出需要形成像素电极位置的数据线金属层，在栅极线端子处也露出数据线金属层，在数据线端子处保留数据线金属层上的部分光刻胶。
可选地，执行形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层步骤之后，以所述光刻胶层为掩模湿法刻蚀所述数据线金属层，然后干法刻蚀所述掺杂非晶硅层和非晶硅层，在像素区露出需要形成像素电极位置的栅极绝缘层，在栅极线端子处也露出栅极绝缘层，在数据线端子处还保留数据线金属层上的部分光刻胶层。
可选地，执行干法刻蚀所述掺杂非晶硅层和非晶硅层步骤之后，对所述光刻胶层进行灰化，露出薄膜晶体管沟道区的数据线金属层，所述数据线端子处的所述光刻胶层被减薄。
可选地，执行对所述光刻胶层进行灰化步骤之后，对所述薄膜晶体管沟道区的数据线金属层和掺杂非晶硅层进行干法刻蚀，然后，剥离所述第一基板上的所述光刻胶层。
可选地，在所述步骤一之后、步骤二之前，还包括步骤：形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述薄膜晶体管。
可选地，在所述步骤二之后、步骤三之前，还包括：对所述隔离层和栅极绝缘层进行灰化以露出所述薄膜晶体管的源极、所述栅极线端子处的栅极金属层以及所述数据线端子处的数据线金属层。
可选地，在所述步骤三之后，还包括步骤：在电极导电层上形成第二有机膜，并图形化所述第二有机膜，在像素区露出所述薄膜晶体管上的电极导电层，在所述栅极线端子和数据线端子处保留所述第二有机膜。
可选地，以第二有机膜为掩膜，图形化所述电极导电层，形成与所述薄膜晶体管源极电连接的像素电极。
可选地，还包括：剥离所述第二有机膜和/或所述薄膜晶体管上的第一有机膜，在栅极线端子处，所述电极导电层与所述栅极线金属层连接，在数据线端子处，所述电极导电层与所述数据线金属层连接。
可选地，还包括：灰化所述第二有机膜，使在栅极线端子和数据线端子处，所述电极导电层被露出，并保留部分所述电极导电层上的第二有机膜。
与现有技术相比，本发明使用有机膜将像素电极与栅极线和数据线在垂直于第一基板的方向上进行有效的隔离距离，从而可以有效地避免信号串扰。因此，像素电极在第一基板上的投影可以与栅极线和/或数据线在第一基板上的投影有交叠。也就是说，像素电极的面积可以增大，从而可以避免现有技术的缺陷，提高液晶显示面板的开口率。
附图说明
图1为现有技术液晶显示面板结构示意图；
图2为本发明一个实施例液晶显示面板像素连接示意图；
图3为本发明一个实施例液晶显示面板单个像素截面结构示意图；
图4为图2中III-III’剖面图；
图5A至图18为根据本发明一个实施例制造液晶显示面板的示意图。
具体实施方式
对于现有技术中提及的液晶显示面板开口率过低的问题，本发明的发明人发现，由于现有技术中像素电极与栅极线和数据线在垂直于基板的方向上距离过近，会产生电极间的信号串扰，因而为避免串扰，不得不在平行于基板的方向上将像素电极与栅极线和数据线隔开一定的距离，从而导致像素电极的尺寸过小，因而开口率无法提高。
所以，发明人提出一种新的液晶显示面板201。图2是该液晶面板201的像素连接示意图，图3是该液晶面板201的单个像素的截面结构示意图。如图2和图3所示，该液晶显示面板201包括夹合液晶层240的第一基板220和第二基板230；其中第一基板220上设有薄膜晶体管250和与薄膜晶体管250的栅极202a电连接的栅极线251；覆盖所述栅极202a和栅极线251的栅极绝缘层203，以及位于栅极绝缘层203上的非晶硅层204；与薄膜晶体管250的漏极207电连接的数据线252a，位于漏极区的掺杂非晶硅层205；以及与薄膜晶体管250的源极208电连接的像素电极211，位于源极区的掺杂非晶硅层206；另外，该液晶显示面板201还包括覆盖栅极线251和数据线252a的第一有机膜263；像素电极211覆于第一有机膜263之上，栅极线251和数据线252a位于第一有机膜263之下。
本发明的液晶显示面板，进一步包括栅极线端子和数据线端子，所述栅极线端子和所述数据线端子分别位于所述栅极线251和所述数据线252a的端部。
上述液晶显示面板201中用于隔离像素电极211与栅极线251和数据线252a的第一有机膜263是一种含有光致抗蚀剂，可以进行光刻的第一有机膜263。并且该第一有机膜263还具有很好的透光性。
由于第一有机膜263的存在，使得像素电极211与栅极线251和数据线252a在垂直于第一基板220的方向上具有有效的隔离距离，从而可以有效地避免信号串扰。因此，如图2所示，像素电极211在第一基板220上的投影可以与栅极线251和/或数据线252a在第一基板220上的投影有交叠。也就是说，像素电极211的面积可以增大，从而可以避免现有技术的缺陷，提高液晶显示面板201的开口率。
图2中III-III’的剖面如图4所示，第一有机膜263还在不同像素的像素电极211之间形成了隔离，有效避免了不同像素电极之间的电场的影响。
另外，本发明还提供上述液晶显示面板的制造方法，包括步骤：
S101，在第一基板上形成薄膜晶体管和与薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线以及与薄膜晶体管的漏极电连接的数据线；
S102，在第一基板上形成至少覆盖所述栅极线和数据线的第一有机膜；
S103，在所述第一有机膜上形成与薄膜晶体管源极电连接的电极导电层，并对所述电极导电层进行刻蚀，以形成像素电极；
可选的，还可以包括以下步骤：
S104，在电极导电层上形成第二有机膜；
S105，图形化第二有机膜；
S106，以第二有机膜为掩膜，图形化电极导电层，形成与薄膜晶体管源极电连接的像素电极。
本实施例的制造方法还可以进一步包括形成栅极线端子和数据线端子。
下面结合附图对上述流程进行详细说明。
首先执行步骤S101，在第一基板220上形成薄膜晶体管250、与所述薄膜晶体管250的栅极202a电连接的栅极线251(参考图2)、与薄膜晶体管250的漏极207电连接的数据线252a(参考图2)。执行步骤S101后，其上具有薄膜晶体管250的第一基板220的切面结构如图10A所示。
形成薄膜晶体管250、栅极线251、数据线252a以及栅极线端子和数据线端子的具体方法可以依次包括以下的步骤：
首先，如图5A所示，在第一基板220上利用物理气相沉积的方法沉积栅极金属层202，所述栅极金属层202可以是由铝、铝钕合金构成；
然后，利用第一道掩模(未图示)，图形化栅极金属层202，形成栅极202a和与栅极202a电连接的栅极线251，在像素区形成如图5B所示的截面图形，并在栅极线251的端部(即栅极线端子处)形成如图5C所示的截面图形，第一基板220上的栅极线端子处保留有栅极线251的栅极金属层，数据线252a的端部形成如图5D所示的截面图形，所述数据线端子处的所述栅极金属层被去除了；
然后，再利用化学气相沉积的方法在第一基板220上沉积栅极绝缘层203，所述栅极绝缘层203至少覆盖栅极202a、栅极线251、以及栅极线端子和数据线端子；
可选地，可以对栅极绝缘层203进行刻蚀形成所需图形；
接着，利用化学气相沉积的方法沉积非晶硅层204；
可选的，可以对非晶硅层204进行刻蚀形成所需图形；
接着，再利用化学气相沉积的方法在非晶硅层204上沉积掺杂非晶硅层261；
可选的，可以对掺杂非晶硅层261进行刻蚀形成所需图形；
然后，利用化学气相沉积的方法在掺杂非晶硅层261上沉积数据线金属层252，在像素区域形成如图6A所示的截面图形，在栅极端子形成如图6B所示的截面图形，在数据线端子处形成如图6C所示的截面图形；
可选的，可以对数据线金属层252进行刻蚀形成所需图形；
然后，在数据线金属层252上涂布光刻胶层210，在像素区域形成如图7A所示的截面图形，在栅极端子形成如图7B所示的截面图形，在数据线端子处形成如图7C所示的截面图形，这里的光刻胶层210可以是本领域普遍使用的光刻胶所形成的；
然后，如图8A所示，再利用第二道掩模M2，例如可以是半灰调掩模，对光刻胶层210进行曝光显影，图形化光刻胶层210得到如图8B所示的像素区的截面图形、如图8C所示的栅极线端子处的截面图形、如图8D所示的数据线端子的截面图形，所述栅极线端子处的光刻胶层被完全去除，所述数据线端子处的光刻胶层210被保留；
接下来，以光刻胶层210为掩模对数据线金属层252进行湿法刻蚀，以去除未覆盖有光刻胶层210区域的数据线金属层252；然后，对掺杂非晶硅层261、非晶硅层204进行干法刻蚀，对所述光刻胶层210进行灰化，使位于薄膜晶体管250沟道区的光刻胶210被完全灰化而去除，使数据线端子处的光刻胶210减薄，在像素区形成如图9A所示的截面图形，在栅极端子处形成如图9B所示的截面图形，在数据线端子处形成如图9C所示的图形；
可选的，形成如图8B、8C、8D所示的截面结构之后，以图形化的光刻胶层210为掩膜，采用湿法刻蚀的方法刻蚀数据线金属层252，再采用干法刻蚀的方法刻蚀掺杂非晶硅层261和非晶硅层260，再对光刻胶层210进行灰化以露出薄膜晶体管250沟道处的数据线金属层252，也可形成如图9A、9B、9C所示的像素区、栅极端子处、数据线端子处的结构；
在上述实施例中，掺杂非晶硅层261、非晶硅层260以及数据线金属层252依次形成之后再统一刻蚀，这样所形成的掺杂非晶硅层261、非晶硅层260以及数据线金属层252的边界可以重合，也节省了工艺步骤。当然，也可以对上述各层分别形成后分别进行刻蚀。
图8A由于采用灰化处理的工艺来减薄光刻胶层210，使得数据线金属层252在光刻胶层210的开口处(薄膜晶体管250的沟道处)被氧化。这样的氧化使得后续如果采用湿法工艺来刻蚀金属层262的过程变得困难。
因此，本发明的发明人想到采用干法刻蚀工艺刻蚀氧化后的数据线金属层252，也即使用等离子体来图形化数据线金属层252，从而可以克服湿法工艺所带来的技术问题。图形化数据线金属层252除了形成数据线252a，还可以形成漏极207和源极208。
另外，在这里采用干法刻蚀工艺刻蚀氧化后的数据线金属层252的另一个好处在于，后续刻蚀掺杂非晶硅层261也是使用干法刻蚀工艺，因而可以提高工艺适应性。
在图形化数据线金属层252之后，再使用等离子体图形化掺杂非晶硅层261，形成漏极区的掺杂非晶硅层205和源极区的掺杂非晶硅层206。
在去除光刻胶层210之后，在像素区形成如图10A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图10B所示的截面结构，在数据线端子处形成如图10C所示的截面结构。然后，再形成一层覆盖薄膜晶体管250的沟道区以及栅极绝缘层203和数据线252a的隔离层209。设置隔离层209的主要目的是对薄膜晶体管250的沟道区进行隔离及保护。因此，隔离层209在覆盖薄膜晶体管250的沟道区的基础上也覆盖栅极绝缘层203和数据线252a的方案仅是本发明的一个优选的实施例。形成所述隔离层209之后，所述像素区形成如图11A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图11B所示的截面结构，在数据线端子处形成如图11C所示的截面结构。此隔离层209的形成只是可选步骤，并非必要工艺步骤。
接着执行步骤S102，在第一基板220上形成至少覆盖栅极线251和数据线252a的第一有机膜263。如前所述，第一有机膜263是一种含有光致抗蚀剂，可以进行光刻的第一有机膜263。并且该第一有机膜263还具有很好的透光性。
形成第一有机膜263之后，所述像素区形成如图12A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图12B所示的截面结构，在数据线端子处形成如图12C所示的截面结构。
接下来，以第三道掩模M3对第一有机膜263进行曝光显影，并固化所述第一有机膜263，刻蚀所述栅极绝缘层203和/或隔离层209后得到的各部分截面图，如图13A、13B、13C所示的。这里所说的显影，并不局限于湿法显影的方法，也包括干法显影的方法。
如图13A所示，图形化第一有机膜263后，覆盖在薄膜晶体管250上的第一有机膜263部分较厚，而覆盖在像素电极区的第一有机膜263部分较薄。实现这样的效果可以通过使用半灰调掩模(half tone mask，HTM)来实现，在此不再赘述。
这里采用半灰调掩模，还可以使得第一基板220上栅极线端子处和数据线端子处的第一有机膜263的厚度介于覆盖在薄膜晶体管250上的较厚第一有机膜263和覆盖像素电极区的的较薄第一有机膜263之间。这样设置的作用将在后进行阐述。
然后再以第一有机膜263为掩膜，利用等离子体干法刻蚀在隔离层209和栅极绝缘层203，暴露出薄膜晶体管250的源极的通孔，在所述像素区形成如图13A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图13B所示的截面结构，露出了栅极线251的端部，在数据线端子处形成如图13C所示的截面结构，露出了数据线252a的端部。
这里的第一有机膜263的作用主要是用于隔离像素电极211与栅极线251和数据线252a，防止串扰的产生。并且，由于第一有机膜263本身含有光致抗蚀剂，因此可以直接用于光刻，不需要再额外使用光刻胶。另外，第一有机膜263也不需要去除，省去了剥离的步骤。
接着执行步骤S103，利用物理气相沉积的方法形成导电层265，在第一基板220上沉积与薄膜晶体管250的源极电极208连接的电极导电层265。这里所沉积的电极导电层265的材料可以是透明的铟锡金属氧化物(indium tinoxides，ITO)或氧化铟锌。沉积电极导电层265之后，在所述像素区形成如图14A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图14B所示的截面结构，电极导电层265与栅极线251的端部电性连接，在数据线端子处形成如图14C所示的截面结构，电极导电层265与数据线252a的端部电性连接。
然后执行步骤S104，在电极导电层206上形成第二有机膜266，在所述像素区形成如图15A所示的截面结构，在栅极线端子处形成如图15B所示的截面结构，在数据线端子处形成如图15C所示的截面结构。在本发明的一个实施例中，第二有机膜266的材料和形成方法与第一有机膜263的材料和形成方法相同。
再执行步骤S105，采用灰化第二有机膜266的方法图形化第二有机膜266，暴露薄膜晶体管250之上的电极导电层206，形成如图16A所示的结构。执行步骤S105之后的栅极线端子和数据线端子的结构如图16B和图16C所示，仍保留所述第二有机膜。
接着执行步骤S106，以第二有机膜266为掩膜，图形化电极导电层265，形成与薄膜晶体管250的源极电极208连接的像素电极211，所述像素区形成如图17A所示的截面图形。
本发明的所述第一有机膜和所述第二有机膜的透光性很好，所以不会影响像素的透光，也不需要剥离，所以相对于现有技术中剥离光刻胶层，节省了工艺步骤和成本。
本实施例还可以包括如下步骤，将第二有机膜266进一步灰化，得到如图17B和17C所示的栅极线端子处和数据线端子处的截面图，即，将电极导电层265露出，使其可以与外部电连接。本步骤还可以是去除剩余的第二有机膜266和/或未被像素电极211所覆盖的第一有机膜263，即形成如图18所示的结构。去除第二有机膜266后，栅极线端子和数据线端子处的电极导电层265就完全暴露出来，可以进行后续电路连接使用。
当然，这里的第二有机膜266可以不去除的原因是因为如前所述，栅极线端子处和数据线端子处的第一有机膜263的厚度介于覆盖在薄膜晶体管250上的较厚第一有机膜263和覆盖栅极线251和数据线252a的较薄第一有机膜263之间。因此，可以采用减薄第二有机膜266的方法使得栅极线端子和数据线端子处的电极导电层265就暴露出。
不去除第二有机膜266，除了可以减少工艺步骤以外，还可以保护第二有机膜266之下的像素电极211，以及栅极线端子和数据线端子处的电极导电层265，避免药液通过电极导电层265腐蚀栅极金属层和数据线金属层。
由于第一有机膜263的存在，使得像素电极211与栅极线251和数据线252a在垂直于第一基板220的方向上具有有效的隔离距离，从而可以有效地避免信号串扰。因此，像素电极211在第一基板220上的投影可以与栅极线251和/或数据线252a在第一基板220上的投影有交叠。也就是说，像素电极211的面积可以增大，从而可以避免现有技术的缺陷，提高液晶显示面板201的开口率。
再经过一系列现有技术中制造液晶面板的工艺步骤，最后用第一基板220与第二基板230夹合液晶层240，即形成如图3所示的本发明一个实施例中的液晶显示面板201。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (19)
1.一种液晶显示面板，包括夹合液晶层的两块基板，其中第一基板上设有薄膜晶体管和与薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线、与薄膜晶体管的漏极电连接的数据线以及与薄膜晶体管的源极电连接的像素电极，其特征在于：还包括具有不同厚度的第一有机膜，所述像素电极覆于所述第一有机膜之上，所述被像素电极覆盖的第一有机膜的厚度小于薄膜晶体管上对应的第一有机膜的厚度，所述栅极线和数据线位于所述第一有机膜之下，所述像素电极在所述第一基板上的投影与所述栅极线和/或数据线在所述第一基板上的投影有交叠，只在所述像素电极之上覆盖有第二有机膜，且暴露出薄膜晶体管上对应的第一有机膜。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：还包括栅极线端子，所述栅极线端子处的电极导电层与所述栅极线连接，且所述电极导电层下设置有所述第一有机膜，相邻的所述像素电极间具有所述第一有机膜。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：还包括数据线端子，所述数据线端子处的电极导电层与所述数据线连接，且所述电极导电层下设置有所述第一有机膜。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：还包括栅极线端子，所述栅极线端子的电极导电层上还部分设置有所述第二有机膜。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于：还包括数据线端子，所述数据线端子的电极导电层上还部分设置有所述第二有机膜。
6.如权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于：在所述第一有机膜之下还设置有隔离层。
7.一种液晶显示面板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
步骤一，在第一基板上形成薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的栅极电连接的栅极线和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的数据线；
步骤二，在所述第一基板上形成第一有机膜，并对所述第一有机膜进行曝光显影，形成不同厚度的第一有机膜，露出所述薄膜晶体管的源极，所述第一有机膜至少覆盖所述栅极线和所述数据线；
步骤三，在所述第一基板上形成与薄膜晶体管源极电连接的电极导电层，在电极导电层上形成第二有机膜，灰化所述不同厚度的第二有机膜，以所述灰化后的第二有机膜为掩膜，图形化所述电极导电层，形成像素电极，所述像素电极在所述第一基板上的投影与所述栅极线和/或数据线在所述第一基板上的投影有交叠。
8.如权利要求7所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：形成栅极线端子和数据线端子。
9.如权利要求8所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，在所述第一基板上形成栅极金属层，并对所述栅极金属层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的栅极和与所述栅极连接的栅极线，对所述栅极金属刻蚀后，所述栅极线端子处保留有栅极金属层、所述数据线端子处的栅极金属层被去除。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，刻蚀所述栅极金属层后，依次形成栅极绝缘层、非晶硅半导体层、掺杂非晶硅层、数据线金属层。
11.如权利要求10所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，执行如权利要求10所述的步骤之后，形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，在像素区露出需要形成像素电极位置的数据线金属层，在栅极线端子处也露出数据线金属层，在数据线端子处保留数据线金属层上的部分光刻胶。
12.如权利要求11所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，执行如权利要求11所述的步骤之后，以所述光刻胶层为掩模湿法刻蚀所述数据线金属层，然后干法刻蚀所述掺杂非晶硅层和非晶硅层，在像素区露出需要形成像素电极位置的栅极绝缘层，在栅极线端子处也露出栅极绝缘层，在数据线端子处还保留数据线金属层上的部分光刻胶层。
13.如权利要求12所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，执行如权利要求12所述的步骤之后，对所述光刻胶层进行灰化，露出薄膜晶体管沟道区的数据线金属层，所述数据线端子处的光刻胶层被减薄。
14.如权利要求13所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，执行如权利要求13所述的步骤之后，对所述薄膜晶体管沟道区的数据线金属层和掺杂非晶硅层进行干法刻蚀，然后，剥离所述第一基板上的所有所述光刻胶层。
15.如权利要求14所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤一之后、步骤二之前，还包括步骤：形成隔离层，所述隔离层至少覆盖所述薄膜晶体管。
16.如权利要求15所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤二之后、步骤三之前，还包括：对所述隔离层进行灰化以露出所述薄膜晶体管的源极、所述栅极线端子处的栅极金属层以及所述数据线端子处的数据线金属层。
17.如权利要求14所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，灰化所述第二有机膜后，在像素区露出所述薄膜晶体管上的电极导电层，在所述栅极线端子和数据线端子处保留所述第二有机膜。
18.如权利要求17所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：剥离所述第二有机膜和/或所述薄膜晶体管上的第一有机膜，在栅极线端子处，所述电极导电层与所述栅极线金属层连接，在数据线端子处，所述电极导电层与所述数据线金属层连接。
19.如权利要求17所述的液晶显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：灰化所述第二有机膜，使在栅极线端子和数据线端子处，所述电极导电层被露出，并保留部分所述电极导电层上的第二有机膜。
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