CN101097941A

CN101097941A - 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法

Info

Publication number: CN101097941A
Application number: CNA2006101682022A
Authority: CN
Inventors: 朴宰希; 朴冏敏; 李锡宗
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2006-06-29
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2008-01-02
Anticipated expiration: 2026-12-15
Also published as: US7816161B2; KR101295192B1; KR20080001185A; US20110014735A1; US20120028387A1; US8048699B2; US20080012469A1; CN101097941B; US8158447B2

Abstract

一种有机电致发光器件，包括：在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；阴极上的发射层；和发射层上的阳极。

Description

双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法

本申请要求2006年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2006-059350的优先权，在此将其结合进来作为参考。

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件(OELD)，尤其涉及一种顶部发射型OELD。

背景技术

一般地，OELD器件通过将来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入发射层中、电子与空穴复合、产生激子并激子从激发态跃迁到基态而发射光。因为在OLED器件中由于激子在两个态之间跃迁导致了发射光，所以与液晶显示(LCD)器件相比，OELD器件不需要额外的光源。因此，OELD的尺寸和重量小于LCD器件。

OELD具有优秀的特性，如低能耗、高亮度、和快响应时间。因而OELD被视为用于下一代消费电子产品，如便携式电话、汽车导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、便携式摄像机、掌上型计算机等的优选显示器。此外，因为可以以较少处理步骤来制造有机ELD，所以可以比LCD器件更便宜地制造OELD。

此外，两种类型的OELD是无源矩阵OELD和有源矩阵OELD。尽管无源和有源矩阵OELD两个都具有简单的结构且可由简单的制造工序来形成，但无源矩阵OELD需要相对大量的电力来工作。此外，无源矩阵OELD的显示尺寸受到结构中所使用的导线宽度和厚度的限制。此外，随着导线数量增加，无源矩阵OELD的孔径比下降。相反，有源矩阵OELD效率高，且可以用相对低的电力在较大的显示器上产生高质量图像。

现在转向图1，其是依照相关技术的OELD1的示意性横截面图。如图所示，OELD1包括彼此面对且分开的第一和第二基板12和28。还包括形成在第一基板12上的阵列元件层14。如图所示，阵列元件层14包括薄膜晶体管“T”。尽管没有示出，但阵列元件层14还包括栅线、与栅线交叉以限定像素区域“P”的数据线、和与栅线和数据线之一交叉的电源线。此外，OELD1还包括阵列元件层14上的第一电极16、第一电极16上的有机电致发光(EL)层18、和有机EL层18上的第二电极20。此外，第一电极16与薄膜晶体管“T”相连。这里，有机EL层18包括位于在像素区域“P”中的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子有机EL层。

此外，第二基板28用作具有凹入部分21的封装面板。在凹入部分21中封装有干燥剂22以保护OELD1免于湿气影响，并且干燥剂22通过保持元件25固定。此外，在第一和第二基板12和28之间外围处形成有密封图案26，从而将第一和第二基板12和28彼此粘结。

接下来，图2是相关技术OELD的等效电路图。如图2中所示，形成在基板32上的栅线42和与栅线42交叉的数据线44限定了像素区域“P”。还包括与栅线42分开平行且与数据线44交叉的电源线55。

此外，在靠近栅线和数据线42和44交叉的区域中，开关元件“Ts”与栅线和数据线42和44相连，驱动元件“T_D”与开关元件“Ts”相连。例如，图2中的驱动元件“T_D”是正型薄膜晶体管。此外，在开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”之间形成有存储电容器“C_ST”。此外，驱动元件“T_D”的漏极63与有机EL二极管“E”的第一电极(没有示出)相连。此外，驱动元件“T_D”的源极66与电源线55相连，栅极68与电容器Cst和开关元件Ts相连。

下面，将详细解释OELD的工作原理。当给开关元件“Ts”的栅极46施加栅信号时，施加给数据线44的电流信号通过开关元件“Ts”变为电压信号并施加给驱动元件“T_D”的栅极68。

因此，驱动元件“T_D”被驱动且确定了施加给有机EL二极管“E”的电流金，从而有机EL二极管“E”可显示灰度级。此外，因为存储电容器“Cst”中的信号用于保持驱动元件“T_D”栅极68的信号，所以即使开关元件“Ts”处于截止状态，施加给EL二极管的电流仍可一直保持到施加下一个信号。

接下来，图3是相关技术OELD中一个像素的示意性平面图。如图所示，在像素区域“P”中基板32上形成有开关元件“Ts”、与开关元件“Ts”相连的驱动元件“T_D”和存储电容器“Cst”。可选择地，根据其工作特性，可在像素区域“P”中可形成多个开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”。

此外，基板32包括透明绝缘基板，如玻璃或塑料基板。在基板32上形成有栅线42，且数据线44与栅线42交叉从而限定了像素区域“P”。此外，在该例子中，电源线55平行于数据线44。

此外，开关元件“Ts”包括与第一栅线42相连的栅极46、在第一栅极46上方的第一半导体层50、与数据线44相连的第一源极56、和与第一源极56分开的第一漏极60。驱动元件“T_D”包括与漏极60相连的第二栅极68、在第二栅极68上方的第二半导体层62、与电源线55相连的第二源极66、以及第二漏极63。具体地说，第一漏极60和栅极68通过绝缘材料层(没有示出)的接触孔64彼此相连。

此外，在像素区域“P”中第一电极36与第一漏极63相连。尽管没有示出，但存储电容器“Cst”包括掺杂硅的第一存储电极、占据一部分电源线55的第二存储电极、和在第一与第二存储电极之间的绝缘材料层(没有示出)。

图4是沿图3中的线“IV-IV”提取的相关技术OELD的示意性横截面图。在图4中，在基板32上形成有第二半导体层62，在第二半导体层62上形成有栅绝缘层“GT”，在第二半导体层62上方的栅绝缘层“GT”上形成有栅极68，在栅极68上形成有层间绝缘层“IL”，其包括暴露第二半导体层62两个端部的第一和第二接触孔“C1”和“C2”。在层间绝缘层“IL”上形成有源极和漏极66和63，源极和漏极66和63通过第一和第二二接触孔“C1”和“C2”与第二半导体层62相连。

在第二源极和漏极66和63上还形成有钝化层67，钝化层67包括暴露一部分漏极63的漏极接触孔“C3”。第一电极36通过漏极接触孔“C3”与漏极63相连，在第一电极36上形成有有机EL层38，在有机EL层38上形成有第二电极80。第一电极36、有机EL层38和第二电极80组成了有机EL二极管“E”。此外，驱动元件“T_D”是负型TFT，第一电极36和第二电极80分别是阴极和阳极。可选择地，驱动元件“T_D”是正型TFT，第一电极36和第二电极80分别是阳极和阴极。

此外，存储电容器“Cst”和驱动元件“T_D”以行设置。这里，源极66与第二存储电极相连，第一存储电极35设置在第二存储电极34下方。

图5是相关技术发射区域的示意性横截面图。在图5中，OELD1的发射区域包括基板32上的阳极36、阳极36上的空穴注入层38a、空穴注入层38a上的空穴传输层38b、空穴传输层38b上的发射层38c、发射层38c上的电子传输层38d、电子传输层38d上的电子注入层38e、和电子注入层38e上的阴极80。这些层顺序地层叠在阳极36上。

此外，空穴传输层38b和电子传输层38d用于将空穴和电子传输到发射层38c，以提高发射效率。此外，在阳极36和空穴传输层38b之间的空穴注入层38a用于减小空穴注入能，在阴极80与电子传输层38d之间的电子注入层38e用于减小电子注入能，由此提高发射效率并减小OELD的驱动电压。

此外，阴极80由包括钙(Ca)、铝(Al)、铝合金、镁(Mg)、银(Ag)和锂(Li)的材料形成。此外，阳极36包括透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)。因而，因为通过溅射沉积由透明导电材料，如ITO形成的阳极36，所以会损坏阳极36下面的层。因此，为了防止损坏发射层38，阳极36不形成在发射层38上方。

因此，当来自发射层38的光向着形成在发射层38下方的阳极36发射时，由于阳极36下的阵列元件(没有示出)而限制了实际的开口区域。因而，因为相关技术的OELD是底部发射型OELD，所以亮度会由于阵列元件而降低。此外，为了将开口区域最小化，限制了阵列元件的设计。此外，驱动元件选自正型多晶硅型并且与有机EL二极管表面连接，所以阵列工序变得复杂且降低了生产率。

发明内容

因此，本发明涉及一种双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法，其基本克服了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。

本发明的一个优点是克服了上面提到的和其他的问题。

本发明的另一个优点是提供了一种作为顶部反射型OELD来驱动并且提高了亮度的OELD及其制造方法。

本发明的另一个优点是提供了一种包括通过减小生产成本的简单工序而形成的阵列元件的OELD及其制造方法。

本发明的另一个优点是提供一种防止由于阵列元件上的台阶差导致的发射层之间的分裂的OELD及其制造方法。

本发明的另一个优点是提供一种防止由于发射层的损坏而造成阳极和阴极之间短路的OELD及其制造方法。

将在下面的描述中列出本发明其他的特征和优点，且其中一部分从下面的描述变得显而易见，或者通过本发明的实践可以理解到。通过在所写说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的目的和其它的优点。

为了实现这些目的和其它的优点并根据本发明的目的，如这里具体和广泛描述的，一种有机电致发光器件包括：在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；阴极上的发射层；和发射层上的阳极。

在本发明的另一个方面中，一种制造有机电致发光器件的方法，包括：在包含像素区域的基板上形成彼此相连的开关元件和驱动元件；在开关元件和驱动元件上形成平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；平坦化层上形成阴极，该阴极与驱动元件相连；在阴极上形成发射层；和在发射层上形成阳极。

在本发明的另一个方面中，一种制造有机电致发光器件的方法，包括：在基板上形成彼此分开的栅线和电源线；在栅线和电源线上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成数据线，数据线与栅线交叉；形成与栅线和数据线相连的开关元件、以及与开关元件相连的驱动元件，开关元件包括第一栅极、第一半导体层、第一源极、和第一漏极，驱动元件包括第二栅极、第二半导体层、第二源极、和第二漏极；在开关元件和驱动元件上形成平坦化层；蚀刻平坦化层以形成暴露一部分第二漏极的漏极接触孔；在平坦化层上形成阴极，该阴极通过漏极接触孔与第二漏极相连；在阴极上形成发射层；和在发射层上形成阳极。

应当理解，本发明前面的概括性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在提供对权利要求中所述本发明的进一步解释。

附图说明

给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图示出了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是相关技术的OELD的示意性横截面图；

图2是相关技术的OELD的等效电路图；

图3是相关技术的OELD一个像素的示意性平面图；

图4是沿图3中的线“IV-IV”提取的相关技术的OELD的示意性横截面图；

图5是相关技术的OELD的发射区域的示意性横截面图；

图6是依照本发明实施方式的OELD的示意性横截面图；

图7是依照本发明实施方式的OELD“EL”阵列基板的示意性平面图；

图8A到8D是依照本发明实施方式沿图7中线“VIIIa-VIIIa”，“VIIIb-VIIIb”，“VIIIc-VIIIc”和“VIIId-VIIId”提取的有机ELD的示意性横截面图；以及

图9A到9E，10A到10E，11A到11E，以及12A到12E是依照本发明实施方式沿图7中的线“VIIIa-VIIIa”，“VIIIb-VIIIb”，“VIIIc-VIIIc”和“VIIId-VIIId”提取的OELD的制造工序的示意性横截面图。

具体实施方式

现在将参照本发明的优选实施方式详细描述，附图中示出了其实施例。

图6是依照本发明实施方式的OELD的示意性横截面图。如图6中所示，OELD“EL”包括基板100上的阵列元件(没有示出)、阵列元件上的阴极200、阴极200上的电子注入层202、电子注入层202上的电子传输层204、电子传输层204上的发射层206、发射层206上的空穴传输层208、空穴传输层208上的空穴注入层210、和空穴注入层210上的阳极214。

此外，在空穴注入层210与阳极214之间设置有缓冲层212，以在通过溅射ITO或IZO的阳极214的沉积工序过程中防止损坏空穴注入层210。例如，缓冲层212包括用于空穴注入层的有机分子材料。具体地说，缓冲层212选自具有结晶性的有机单分子材料和包含五氧化二钒(V₂O₅)中之一。此外，有机单分子材料包括铜酞菁(CuPc)。具体地说，CuPc以较薄的厚度形成并具有低阈值电压和高迁移率。

此外，阳极214包括透明导电材料，如ITO或IZO，阴极200包括钼(Mo)。一般地，尽管阴极200选自具有低功函的金属材料，如钙(Ca)、铝(Al)、铝合金、镁(Mg)、银(Ag)或锂(Li)，但具有低功函的金属材料通过在掩模工序过程中暴露于湿气和空气而容易氧化。因此，阴极200包括具有非氧化特性的Mo或者在阴极200和电子注入层202之间还包括缓冲层。具体地说，当构图缓冲层上的钝化层(没有示出)时，蚀刻缓冲层，从而将阴极200与驱动元件“T_D”的漏极连接。

如上所述，因为阳极214形成在OELD顶部，所以OELD是顶部发射型的，由此提高了孔径比。此外，尽管没有示出，但阴极200与负型TFT的驱动元件的漏极相连，由此减小了制造工艺步骤的数量，因而减小了制造成本。此外，因为防止阴极200的氧化，所以防止工序缺陷。

注意到，平坦化层(没有示出)设置在阴极200下方，以使阵列元件表面上的台阶差平坦化。

接下来，图7是依照本发明实施方式的OELD“EL”阵列基板的示意性平面图。在图7中，开关元件“Ts”和与开关元件“Ts”相连的驱动元件“T_D”形成在像素区域“P”中的基板100上。

开关元件“Ts”是负型薄膜晶体管，并且包括第一栅极102、第一半导体层118、第一源极122a和第一漏极122b。此外，驱动元件“T_D”是负型薄膜晶体管，并包括第二栅极104、第二半导体层120、第二源极124a和第二漏极124b。具体地说，驱动元件“T_D”通过将第二栅极104连接到第一漏极122b而与开关元件“Ts”相连。

第一半导体和第二半导体层118和120包括非晶硅，开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”以提高OELD工作特性的结构形成。例如，第一源极122a具有“U”形，第一漏极122b具有延伸到第一源极122a中并与电极122a分开的棒形。此外，第二源极124a具有环形，第二漏极124b具有包含在第二源极124a内并与第二源极124a分开的圆形。

通过开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”的沟道结构，可能减小沟道长度(没有示出)并且增加沟道宽度(没有示出)，由此将沟道宽度最大化，并且将OELD的热化最小化。

此外，沿着第一方向在基板100上形成有栅线106，其与第一栅极102相连，从而给第一栅极102施加扫描信号。数据线126与栅线106交叉以限定像素区域“P”，且数据线126与第一源极122a相连，从而给第一源极122a施加数据信号。此外，电源线110平行于栅线106并与栅线106分开。

此外，在栅线106、数据线126和电源线110的端部分别形成有栅焊盘108、数据焊盘128和电源焊盘114。此外，栅焊盘端子136、数据焊盘端子140和电源焊盘端子138分别与栅焊盘108、数据焊盘128和电源焊盘114相连。例如，栅焊盘端子136、数据焊盘端子140和电源焊盘端子138包括透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。

同时，尽管没有示出，但存储电容器“Cst”包括从第一漏极122b延伸的第一存储电极、从电源线110延伸的第二存储电极、以及在第一存储电极和第二存储电极之间的绝缘层。换句话说，顺序层叠第一存储电极、绝缘层和第二存储电极。

此外，作为第一电极的阴极134与第二漏极124b相连。尽管没有示出，但在阴极134上形成有发射层(没有示出)，并且在发射层上形成有作为第二电极的阳极(没有示出)。

这里，第一半导体层和第二半导体层118和120包括非晶硅，开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”以提高OELD工作特性的结构形成。例如，第一源极122a具有“U”形，第一漏极122b具有延伸到第一源极122a中并与电极122a分开的棒形。此外，第二源极124a具有环形，第二漏极124b具有包含在第二源极124a内并与第二源极124a分开的圆形。

通过开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”的沟道结构，可以减小沟道长度(没有示出)并且增加沟道宽度(没有示出)，由此使沟道宽度最大化，并且使OELD的热化最小化。

接下来，图8A，8B，8C和8D是依照本发明实施方式沿图7的线“VIIIa-VIIIa”，“VIIIb-VIIIb”，“VIIIc-VIIIc”和“VIIId-VIIId”提取的有机ELD的示意性横截面图。更详细地说，图8A示出了在基板100上限定的开关区域“S”、驱动区域“D”和存储区域“C”。图8B，8C和8D分别示出了栅区域“GA”、平行于栅区域“GA”的电源区域“VA”、和垂直于栅区域“GA”的数据区域“DA”。

如图8A中所示，开关元件“Ts”和与开关元件“Ts”相连的驱动元件“T_D”分别形成在开关区域“S”和驱动区域“D”中。此外，如上面参照图7讨论的，和如图8A中所示，开关元件“Ts”包括第一栅极102、第一半导体层118、第一源极122a和第一漏极122b。此外，驱动元件“T_D”包括第二栅极104、第二半导体层120、第二源极124a和第二漏极124b。如图7中所示，栅线106在基板100上沿第一方向形成，电源线110平行于栅线106并与栅线106分开，数据线126与栅线106交叉以限定像素区域“P”。

在存储区域“C”(没有示出)中，第一存储电极从第一漏极122b延伸，第二存储电极从电源线110延伸。此外，在第一存储电极上设置有栅绝缘层116。此外，如图8A中所示，阴极134与第二漏极124b相连，在阴极134上形成有发射层144，在发射层144上形成有阳极148。此外，阴极134包括不透明金属材料，阳极148包括透明导电材料。就是说，OELD“EL”作为顶部发射型器件来驱动，从而来自发射层144的光向着阳极148传输。

此外，第二栅极104通过栅绝缘层116的接触孔与第一漏极122b相连，第二源极124a与电源线110(图7中所示)相连。此外，在像素区域“P”之间的边界处在阴极134上形成有第一钝化层142，从而防止各像素区域“P”中的发射层彼此接触。

此外，如图7中所示，栅焊盘108、数据焊盘128和电源焊盘114分别形成在栅线106、数据线126和电源线110的末端。此外，栅焊盘端子136、数据焊盘端子140和电源焊盘端子138分别与栅焊盘108、数据焊盘128和电源焊盘114相连。图8B，8C和8D以横截面图分别显示了栅焊盘108、电源焊盘114和数据焊盘128。

此外，在开关元件“Ts”、驱动元件“T_D”和存储电容器“C_ST”上形成有第二钝化层130。例如，第二钝化层130包括绝缘无机材料，如硅的氧化物(SiO_x)或硅的氮化物(SiN_x)。

注意到，在第二钝化层130与阴极134之间形成有平坦化层132，以防止当发射层144在阵列元件台阶差处具有间隙时造成的电极短路或者由于发光层144的热化而发生的暗斑问题。

图9A到9E，10A到10E，11A到11E、以及12A到12E是依照本发明实施方式沿图7中的线“VIIIa-VIIIa”，“VIIIb-VIIIb”，“VIIIc-VIIIc”和“VIIId-VIIId”提取的OELD的制造工序的示意性横截面图。在该描述中也参照图7。

如图7和9A中所示，在基板100上形成像素区域“P”、开关区域“S”、驱动区域“D”和存储区域“C”。图10A，11A和12A分别示出了栅区域“GA”、电源区域“VA”和数据区域“DA”。数据区域“DA”和栅区域“GA”限定了像素区域“P”，电源区域“VA”设置在平行于栅区域“GA”的区域处。此外，如图9A中所示，通过在开关区域“S”和驱动区域“D”中沉积并构图包含铝(Al)，铝合金，如铝钕(AlNd)，铬(Gr)，Mo，铜(Cu)和钛(Ti)的材料来分别形成第一和第二栅极102和104。在栅区域“GA”中，如图7中所示，栅线106与第一栅极102相连并形成在基板100 上，栅焊盘108形成在栅线106的端部。此外，电源线110形成在电源区域“VA”中，电源焊盘114形成在电源线110的端部。从电源线110延伸的第一存储电极112形成在存储区域“C”中。

接下来，如图9A，10A，11A和12A中所示，通过在第一栅极102、第二栅极104和第二存储电极112上沉积无机绝缘材料，如硅的氮化物(SiN_x)或硅的氧化物(SiO_x)来形成栅绝缘层116。还参见图10B，11B和11C。

接下来，通过在开关区域“S”和驱动区域“D”中的栅绝缘层116上沉积本征非晶硅来分别形成第一有源层和第二有源层118a和120a。随后，通过在第一有源层和第二有源层118a和120a上沉积掺杂的非晶硅来分别形成第一和第二欧姆接触层118b和120b。这里，第一有源层118a和第一欧姆接触层118b组成了第一半导体层118，第二有源层120a和第二欧姆接触层120b组成了第二半导体层120。

接下来，如图9A中所示，通过蚀刻栅绝缘层116来形成第一和第二接触孔“CH1”“CH2”，以暴露一部分第二栅极104和一部分第一存储电极112。如图9B中所示，通过在开关区域“S”、驱动区域“D”和存储区域“C”中沉积导电金属材料，如与栅线106相同的材料来分别形成第一源极和第一漏极122a和122b、第二源极和第二漏极124a和124b、以及数据线126(图7中)。此外，第二存储电极122c从第一漏极122b延伸，第二栅极104通过第一接触孔“CH1”与第一漏极122b相连，第二漏极124b通过第二接触孔“CH2”与第二存储电极122c相连。

接下来，去除第一源极122a和第一漏极122b之间的一部分第一欧姆接触层118b，以暴露对应于该部分第一欧姆接触层118b的一部分第一有源层118a。此外，去除第二源极124a和第二漏极124b之间的一部分第二欧姆接触层120b，以暴露对应于该部分第二欧姆接触层120b的一部分第二有源层120a。这里，所暴露的第一有源层和第二有源层118a和120a用作有源沟道(没有示出)。此外，如图7中所示，为了减小沟道长度并增加沟道宽度，第一源极122a具有“U”形，第一漏极122b为棒形。另外，第二源极124a具有环形，第二漏极124b具有圆形。

此外，第一栅极102、第一半导体层118、第一源极122a、和第一漏极122b组成了开关元件“Ts”。同时，第二栅极104、第二半导体层120、第二源极124a、和第二漏极124b组成了驱动元件“T_D”。

接下来在图9C中，通过在开关元件“Ts”和驱动元件“T_D”上沉积无机绝缘材料形成第一钝化层130。接下来通过在第一钝化层130上涂敷绝缘有机材料，如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂形成平坦化层132。

在该步骤中，通过蚀刻第一钝化层130和平坦化层132形成第三接触孔“CH3”，以暴露一部分第二漏极124b。

同时，通过蚀刻第一钝化层130和平坦化层132形成第四、第五和第六接触孔“CH4”，“CH5”和“CH6”，以分别暴露栅焊盘108、电源焊盘114、和数据焊盘128的部分(还参见图10C，11C和12C)。

在图9D中，通过在驱动元件“T_D”上沉积钙(Ca)，铝(Al)，铝合金，镁(Mg)，银(Ag)和锂(Li)中的一种而形成阴极134。具体地说，阴极134通过第三接触孔“CH3”与第二漏极124b相连。在该步骤中，使用与阴极134相同的材料形成栅焊盘端子136、电源焊盘端子138和数据焊盘端子140。

在该步骤中，栅焊盘端子136、电源焊盘端子138和数据焊盘端子140分别通过第四接触孔“CH4”、第五接触孔“CH5”和第六接触孔“CH6”与栅焊盘108、电源焊盘114、和数据焊盘128相连。

接下来，在阴极134、栅焊盘端子136、电源焊盘端子138和数据焊盘端子140上形成第二钝化层142。蚀刻第二钝化层142以暴露阴极134、栅焊盘端子136、电源焊盘端子138和数据焊盘端子140。换句话说，第二钝化层142保留在阴极132、栅焊盘端子136、电源焊盘端子138和数据焊盘端子140的外围。

接下来，在图9E，10E，11E和12E中，在阴极132上方形成发射层144。此外，如图9E中所示，OELD包括阴极134上的电子注入层“EIL”、电子注入层“EIL”上的电子传输层“ETL”、电子传输层“ETL”上的发射层144、发射层144上的空穴传输层“HTL”、空穴传输层“HTL”上的空穴注入层“HIL”、和空穴注入层“HIL”上的缓冲层146。此外，发射层144包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子发射层。在每个实施例中，在每个像素区域“P”中都设置有发射层144。

例如，缓冲层146选自有机单分子材料和氧化物中的一种，其中有机单分子材料具有结晶性，氧化物包括五氧化二钒(V₂O₅)。有机单分子材料包括铜酞菁(CuPc)。

接下来，通过在缓冲层146上沉积并构图透明导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成阳极148。因而，通过上述工序，制造了顶部发射型有机ELD。

此外，依照本发明的OLED可以是下述颠倒的结构，即不透明材料的阴极设置为下电极，透明导电材料的阳极设置为上电极，从而形成顶部发射型OELD，由此在没有影响阵列元件的设计的情况下获得了提高的孔径比。此外，开关源极和驱动元件是负型的，由此减小了工序数、制造成本，并提高了电路稳定性。尤其是，防止了其中过薄地沉积发射层或者在阵列元件上的台阶差中没有沉积发射层而导致的缺陷。因此，通过在第一钝化层和阴极之间形成平坦化层而防止了发射层的热化和电极间短路的影响。

在不脱离本发明精神或实质特性的情况下可以以几种形式实施了本发明，还应当理解到，上述的实施方式并不限于前面描述的细节，除非另有说明，而是应当在由所附权利要求书确定的其精神和范围内广义理解，因此，所附权利要求书意欲包含落入权利要求边界和范围内或者其等效物内的所有改变和修改。

在不脱离本发明精神或范围的情况下，本发明的有机电致发光显示器件及其制造方法可做各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等效物范围内的本发明的修改和变化。

Claims

1.一种有机电致发光器件，包括：

在包含像素区域的基板上彼此相连的开关元件和驱动元件；

在开关元件和驱动元件上的平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；

平坦化层上的阴极，该阴极与驱动元件相连；

阴极上的发射层；以及

发射层上的阳极。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，阳极包括铟锡氧化物ITO和铟锌氧化物IZO中之一。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，阴极包括钙Ca，铝Al，铝合金，镁Mg，银Ag和锂Li中之一。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括阴极上的电子注入层、电子注入层上的电子传输层、发射层上的空穴传输层、空穴传输层上的空穴注入层、和空穴注入层上的缓冲层。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，缓冲层选自有机单分子材料和氧化物中的一种，其中有机单分子材料具有结晶性，氧化物包括五氧化二钒V₂O₅。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，有机单分子材料包括铜酞菁CuPc。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，驱动元件是负型薄膜晶体管，其包括第一栅极、对应于第一栅极的第一半导体层、第一源极、和与第一源极分开的第一漏极，其中第一源极和第一漏极与第一半导体层的端部相连。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一漏极与阴极相连。

9.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一源极具有“U”形，第一漏极具有棒形，第一漏极的一部分设置在第一源极中并与第一源极分开。

10.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，第一源极具有环形，第一漏极具有圆形，第一漏极设置在第一源极中并与第一源极分开。

11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括与开关元件相连并彼此交叉限定像素区域的栅线和数据线以及与栅线和数据线之一交叉的电源线。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，在栅线、数据线和电源线端部分别包括栅焊盘、数据焊盘和电源焊盘。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，开关元件包括与栅线相连的第二栅极、对应于第二栅极的第二半导体层、与数据线相连的第二源极、和与第二源极分开的第二漏极，其中第二源极和第二漏极与第二半导体层的端部相连。

14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括存储电容器，该存储电容器包括与电源线相连的第一存储电极、与第二漏极相连的第二存储电极、和在第一和第二存储电极之间的绝缘层。

15.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，平坦化层包括有机绝缘材料。

16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，平坦化层包括苯并环丁烯BCB和丙烯酸树脂。

17.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括在平坦化层与开关元件之间以及平坦化层与驱动元件之间的无机绝缘材料的钝化层。

18.一种制造有机电致发光器件的方法，包括：

在包含像素区域的基板上形成彼此相连的开关元件和驱动元件；

在开关元件和驱动元件上形成平坦化层，该平坦化层具有基本上平坦的顶面；

平坦化层上形成阴极，该阴极与驱动元件相连；

在阴极上形成发射层；和

在发射层上形成阳极。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括在阴极上形成电子注入层，在电子注入层上形成电子传输层，在发射层上形成空穴传输层，在空穴传输层上形成空穴注入层，和在空穴注入层上形成缓冲层。

20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，形成驱动元件包括形成负型薄膜晶体管，形成负型薄膜晶体管包括形成第一栅极，形成对应于第一栅极的第一半导体层，形成第一源极，和形成与第一源极分开的第一漏极，其中第一源极和第一漏极与第一半导体层的端部相连。

21.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括形成与开关元件相连并彼此交叉限定像素区域的栅线和数据线，和形成与栅线和数据线之一交叉的电源线。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，形成栅线、数据线和电源线包括分别在其端部形成栅焊盘、数据焊盘和电源焊盘。

23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，形成开关元件包括形成与栅线相连的第二栅极，形成对应于第二栅极的第二半导体层，形成与数据线相连的第二源极，以及形成与第二源极分开的第二漏极，第二源极和第二漏极与第二半导体层的端部相连。

24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括形成存储电容器，包括形成与电源线相连的第一存储电极、与第二漏极相连的第二存储电极、和在第一和第二存储电极之间的绝缘层。

25.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括在平坦化层与开关元件之间以及平坦化层与驱动元件之间形成无机绝缘材料的钝化层。

26.一种制造有机电致发光器件的方法，包括：

在基板上形成彼此分开的栅线和电源线；

在栅线和电源线上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成数据线，数据线与栅线交叉；

形成与栅线和数据线相连的开关元件、以及与开关元件相连的驱动元件，开关元件包括第一栅极、第一半导体层、第一源极、和第一漏极，驱动元件包括第二栅极、第二半导体层、第二源极、和第二漏极；

在开关元件和驱动元件上形成平坦化层；

蚀刻平坦化层以形成暴露一部分第二漏极的漏极接触孔；

在平坦化层上形成阴极，该阴极通过漏极接触孔与第二漏极相连；

在阴极上形成发射层；和

在发射层上形成阳极。

27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，还包括在开关元件与平坦化层之间以及驱动元件与平坦化层之间形成第一钝化层。

28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，第一钝化层与平坦化层同时蚀刻，以形成漏极接触孔。

29.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，还包括在阴极与发射层之间形成第二钝化层，和蚀刻第二钝化层，以暴露阴极的主要部分。