JP6142359B2 - 表示パネルの製造方法および表示パネル - Google Patents
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Description
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有する第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に、前記第1の開口部よりも面積の小さな第2の開口部を有する第2の層を形成する工程と、前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、前記第2の層は、前記第1の層上に存在する部分と、前記第1の開口部内に存在する部分とを含み、前記第2の層の前記第1の開口部内に存在する部分が、前記第1の開口部の内周面を被覆している。
<全体構成>
図1は、本発明の実施の形態1に係る表示パネルの構造を示す断面図である。同図には1画素分が示されている。表示パネルは、基板1、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4、隔壁層5、半導体層6、オーバーコート層7、平坦化層8、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12、および、封止層13を備える。駆動回路を構成するトランジスタは、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4および半導体層6から構成されている。トランジスタは、無機TFT(Thin Film Transistor)または有機TFTであり、本実施形態では、1画素当たり2個のトランジスタが用いられている。発光素子は、画素電極9、有機EL層11および共通電極12から構成されている。駆動回路と発光素子との間に介在する絶縁層は、隔壁層5、オーバーコート層7および平坦化層8からなる。図中A部において、隔壁層5、オーバーコート層7および平坦化層8は、平面視でソースドレイン電極4に重なる位置にそれぞれ開口部を有し、これらによりコンタクトホールが形成されている。そして、画素電極9の一部がコンタクトホールの内周面に沿って凹入し、コンタクトホールの底部に露出したソースドレイン電極4に接触している。画素電極9のコンタクトホール内に存在する部分がソースドレイン電極4に接触する配線層として機能する。
基板1は、樹脂またはガラスなどの公知の絶縁性の材料を用いて形成することができる。
図2乃至図7は、図1の表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。
実施の形態1では、コンタクトホールを形成するための開口部を設ける層として、第1の層を隔壁層5とし、第1の層の上に存在する第2の層をオーバーコート層7として説明しているが、これに限られず、第1の層の開口部と第2の層の開口部とを別の工程で形成する場合であれば、如何なる層の組み合わせでも適用可能である。
図8は、本発明の実施の形態2に係る表示パネルの構造を示す断面図である。表示パネルは、基板1、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソースドレイン電極4、隔壁層5、半導体層6、オーバーコート層7、平坦化層8、画素電極9、隔壁層10、有機EL層11、共通電極12、および、封止層13を備える。
図9乃至図14は、図8の表示パネルの製造工程を説明するための断面図である。
以上、実施の形態を説明したが、これらの実施の形態に限られるものではない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
実施の形態では、2層構造の各層で開口部を形成しているが、これに限られず、3層構造以上でも適用可能である。この場合、N番目の層の開口部の面積が、N−1番目の層の開口部の面積よりも小さければよい(Nは2以上の整数)。
実施の形態では、隔壁層5の開口部の平面形状とオーバーコート層7の開口部の平面形状とが同じであることを前提として説明しているが、これに限られず、オーバーコート層7の開口部の面積が隔壁層5の開口部の面積よりも小さいという条件さえ満たしていれば、隔壁層5の開口部の平面形状とオーバーコート層7の開口部の平面形状が異なることとしてもよい。隔壁層5の開口部およびオーバーコート層7の開口部の平面形状は、例えば、四角形、円形、楕円形、多角形などがある。
実施の形態では、第2の層(実施の形態1ではオーバーコート層7、実施の形態2では隔壁層5)の材料として、現像時に未露光部分が除去され露光部分が残留するタイプの感光性材料を用いているが、これに限られず、逆のタイプの感光性材料を用いてもよい。例えば、実施の形態1で逆のタイプを用いた場合、図18に示すように、フォトマスク7uは、開口領域7tが平面視でオーバーコート材料層7rの開口予定部に重なり、遮光領域7sがそれ以外の領域に重なるように形成される。実施の形態2で逆のタイプを用いた場合も同様である。
図1に示すように、実施の形態1では、下地基板の上面に形成されたソースドレイン電極4の面積は、隔壁層5の開口部の面積よりも大きい。そして、オーバーコート層7の隔壁層5の開口部の内部に存在する部分72の下面73は、全周にわたりソースドレイン電極4の上面に接触している。これに対し、例えば、図19に示すように、ソースドレイン電極4の面積が隔壁層5の開口部の面積よりも小さくてもよい(図中A部参照)。この場合、オーバーコート層7の隔壁層5の開口部の内部に存在する部分72の下面73はゲート絶縁膜3の上面に接触することになる。図1の構造と図19の構造とを比べると、それぞれ以下の特徴がある。どちらの構造を採用するかは、これらの特徴を勘案して決定すればよい。
図20は、図1の表示パネルを表示装置に適用した場合の機能ブロックを示す図である。図21は、図20の表示装置の外観を例示する図である。表示装置20は、表示パネル21と、これに電気的に接続された駆動制御部22とを備える。駆動制御部22は、駆動回路23と、駆動回路23の動作を制御する制御回路24とからなる。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
3a ゲート絶縁材料層
3b 遮光領域
3c 開口領域
4 ソースドレイン電極
4a SD材料層
4b レジストパターン
5 隔壁層
5a 隔壁材料層
5b 遮光領域
5c 開口領域
5d フォトマスク
6 半導体層
7 オーバーコート層
7a オーバーコート材料層
7b 遮光領域
7c 開口領域
7d フォトマスク
7r オーバーコート材料層
7s 遮光領域
7t 開口領域
7u フォトマスク
8 平坦化層
8a 平坦化材料層
8b 遮光領域
8c 開口領域
8d フォトマスク
8e コンタクトホール
9 画素電極
10 隔壁層
11 有機EL層
12 共通電極
13 封止層
14 オーバーコート層
14a オーバーコート材料層
14b 遮光領域
14c 開口領域
14d フォトマスク
20 表示装置
21 表示パネル
22 駆動制御部
23 駆動回路
24 制御回路
51 基板
51 内周面
52 ゲート電極
53 ゲート絶縁膜
54 ソースドレイン電極
56 半導体層
57 パッシベーション膜
58 平坦化膜
59 画素電極
60 隔壁
61 有機EL層
62 共通電極
63 封止樹脂層
64 封止基板
65 コンタクトメタル
Claims (10)
- 電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、
前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に、前記第1の開口部よりも面積の小さな第2の開口部を有し、さらに、前記第2の開口部とは異なる位置に、半導体層を少なくとも含む機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層を形成する工程と、
前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、
前記隔壁層は、前記ゲート絶縁膜上に存在する部分と、前記第1の開口部内に存在する部分とを含み、前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分が、前記第1の開口部の内周面を被覆している、
表示パネルの製造方法。 - 前記第1の開口部の面積が、前記電極の面積よりも小さく、
前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分の下面が、全周にわたり前記電極の上面に接触している、
請求項1に記載の表示パネルの製造方法。 - 前記配線層は、ソース電極又はドレイン電極である、
請求項1に記載の表示パネルの製造方法。 - 電極が上面に形成された下地基板と、
前記下地基板上に形成され、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に、前記第1の開口部よりも面積の小さな第2の開口部を有し、さらに、前記第2の開口部とは異なる位置に、半導体層を少なくとも含む機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層と、
前記第1および第2の開口部の内部に形成され、前記電極に接触する配線層と、を備え、
前記隔壁層は、前記ゲート絶縁膜上に存在する部分と、前記第1の開口部内に存在する部分とを含み、前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分が、前記第1の開口部の内周面を被覆している、
表示パネル。 - 前記配線層は、ソース電極又はドレイン電極である、
請求項4に記載の表示パネル。 - 電極が上面に形成された下地基板を用意する工程と、
前記下地基板上に、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に、前記第1の開口部よりも面積の小さな第2の開口部を有し、さらに、前記第2の開口部とは異なる位置に、半導体層を少なくとも含む機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層を形成する工程と、
前記第1および第2の開口部の内部に、前記電極と接触する配線層を形成する工程と、を含み、
前記隔壁層は、前記ゲート絶縁膜上に存在する部分と、前記第1の開口部内に存在する部分とを含み、前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分が、前記第1の開口部の内周面を被覆している、
トランジスタアレイの製造方法。 - 前記第1の開口部の面積が、前記電極の面積よりも小さく、
前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分の下面が、全周にわたり前記電極の上面に接触している、
請求項6に記載のトランジスタアレイの製造方法。 - 前記配線層は、ソース電極又はドレイン電極である、
請求項6に記載のトランジスタアレイの製造方法。 - 電極が上面に形成された下地基板と、
前記下地基板上に形成され、平面視で前記電極に重なる位置に第1の開口部を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、平面視で前記第1の開口部に重なる位置に、前記第1の開口部よりも面積の小さな第2の開口部を有し、さらに、前記第2の開口部とは異なる位置に、半導体層を少なくとも含む機能性材料層を形成するための第3の開口部を有する隔壁層と、
前記第1および第2の開口部の内部に形成され、前記電極に接触する配線層と、を備え、
前記隔壁層は、前記ゲート絶縁膜上に存在する部分と、前記第1の開口部内に存在する部分とを含み、前記隔壁層の前記第1の開口部内に存在する部分が、前記第1の開口部の内周面を被覆している、
トランジスタアレイ。 - 前記配線層は、ソース電極又はドレイン電極である、
請求項9に記載のトランジスタアレイ。
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