JP2009265207A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特別な構造体を必要とせずに画素電極からなる凹凸反射面が設けられた反射型の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板３上に設けられた薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で基板３上に設けられた凹凸表面を有する下地絶縁膜１７と、下地絶縁膜１７の凹凸表面を覆う反射膜からなり下地絶縁膜１７に形成された接続孔１７ａを介して薄膜トランジスタＴｒに接続された画素電極１９とを備えた反射型の表示装置１-1において、基板３と下地絶縁膜１７との間には、下地絶縁膜１７の凹凸表面に対応してパターニングされた絶縁性の隔壁層１３が設けられている。隔壁層１３には、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部に対応する位置に第１開口１３ａが設けられると共に、接続孔１７ａに対応する位置に第２開口１３ｂが設けられ、第１開口１３ａ底部には、薄膜トランジスタＴｒの活性層を構成するチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関し、特には凹凸反射面を有する反射型の液晶表示装置に適する表示装置およびその製造方法に関する。

近年、アクティブマトリックス駆動の液晶表示装置における画素スイッチング用の素子として、有機材料からなる半導体層を用いた薄膜トランジスタ（thin film transistor：ＴＦＴ）、すなわち有機ＴＦＴの適用が注目されている。有機ＴＦＴは、半導体層を低温で成膜することが可能である。このため、プラスチック等の耐熱性のないフレキシブルな基板上への形成も可能であり、フレキシブル・ディスプレイのバックプレーン（駆動用の背面版）への搭載も期待されている。

有機ＴＦＴを形成する方法の１つとして、基板上に段差の大きな隔壁層（パターン化絶縁層）を形成し、この隔壁層上から半導体層を成膜することにより、隔壁層の下部と上部とで分断されたパターン形状の半導体層を形成する方法が提案されている。この場合、例えばゲート電極を覆うゲート絶縁膜上にソース／ドレインをパターン形成し、この上部に隔壁層を形成する。そしてこの隔壁層上からの半導体層の成膜により、隔壁層の上部の半導体層に対して分断された状態で、下部におけるソース／ドレイン間にチャネル部となる半導体層が形成形成される（例えば、下記特許文献１参照）。

ところで、フレキシブル・ディスプレイにおいては、外光を利用した反射型表示とすることにより、屈曲が困難なバックライトを不要とする構成が望まれている。反射型表示部を有する液晶表示装置おいては、外光を効率的に反射させて利用するにあたり、外光と液晶表示装置の表示パネルと観察者との位置関係によらず、視認性を高めることが要求されている。このため、画素電極の表面を反射面としてこの反射面を凹凸形状とし、この凹凸形状のテーパ状側壁において外光を拡散反射させる構成が採用されている。

このような反射面の形成は、先ず、レジスト材料膜をパターニングし、角部を丸める熱処理工程を行うことによって、側壁テーパ形状を有する複数のドットパターンを配列形成する。次に、これらのドットパターンの表面形状を保ちつつ、ドットパターンを覆う状態で反射層（例えば画素電極膜）を形成する。これにより、複数のドットパターンを配列した凹凸形状の反射面が得られる（例えば、下記特許文献２参照）。

またこの他にも、減圧乾燥処理によって凹凸が施された熱感応性樹脂層を凹凸下地層とし、この上部に反射層を形成することにより、反射面を得る方法が開示されている（例えば下記特許文献３参照）。

特開２０００−２６９５０４号公報（特に図１，図６および関連の記載を参照） 特許第２６９８２１８号公報 特開２００３−２４１１８３号公報

ところが、このような反射面の形成方法では、凹凸形状の反射面を得るため構造体としてドットパターンを形成する工程を特別に設ける必要があるため、製造工程数の増加と、これによる製造コストの上昇が引き起こされる。

そこで本発明は、特別な構造体を必要とすることなく画素電極からなる凹凸反射面が設けられた反射型の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するための本発明の反射型の表示装置は、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタを覆う状態で当該基板上に設けられた凹凸表面を有する下地絶縁膜と、当該下地絶縁膜の凹凸表面を覆う反射膜からなり当該下地絶縁膜に形成された接続孔を介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを備えている。そして特に、基板と前記下地絶縁膜との間には、当該下地絶縁膜の凹凸表面に対応してパターニングされた絶縁性の隔壁層が設けられている。この隔壁層には、薄膜トランジスタのチャネル部に対応する位置に第１開口が設けられると共に、前記接続孔に対応する位置に第２開口が設けられている。そして、第１開口底部には、薄膜トランジスタの活性層を構成するチャネル部半導体層が設けられている。

このような構成の表示装置では、隔壁層が、凹凸表面を有する下地絶縁膜の凹凸表面に対応してパターニングされており、下地絶縁膜の表面に凹凸を発生させる構造体となっている。しかもこの隔壁層の第１開口底部にはチャネル部半導体層が設けられていることから、隔壁層はチャネル部半導体層を分断してパターニング形成するための段差を与えるものとなる。このため、チャネル部半導体層のパターニングに用いる隔壁層を、凹凸形状の反射面を得るための構造体として兼用した構成となっている。

また本発明は、このような構成の表示装置の製造方法でもあり、次の手順を行う。先ず、基板上に、上述した隔壁層を形成する工程を行う。次に、隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記開口部の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層をパターン形成する工程とを行う。その後、隔壁層および半導体層を覆う状態で当該下地絶縁膜を成膜することにより、当該隔壁層のパターンに追従した凹凸表面を有する当該下地絶縁膜を形成する。

このような製造方法では、チャネル部半導体層のパターン形成において半導体層を分断するための段差として用いた隔壁層が、この上部に設ける下地絶縁膜の表面に凹凸形状を設けるための構造体として用いられる。このため、凹凸形状を得るための構造体を形成する工程を特別に行う必要はない。

以上説明したように、凹凸形状を得るためだけの特別な構造体を必要とせずに、画素電極からなる凹凸反射面を有する反射型の表示装置を得ることが可能になり、表示装置の製造工程数およびコストの削減を図ることが可能になる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、本発明をアクティブマトリックス方式の反射型液晶表示装置に適用した各実施形態を説明する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明を適用した表示装置１における駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、画素駆動用の薄膜トランジスタＴｒとしてボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いたものである。また図２は、第１実施形態の表示装置１-1の概略断面図であり、図１におけるＡ−Ａ’断面に対応する。

これらの図に示す表示装置１-1は、拡散反射用の凹凸反射表面を備えた画素電極を有するものであり、駆動側の基板３上の第１層目に、走査線５と共通配線７とが平行に配線されている。各走査線５からは薄膜トランジスタＴｒのゲート電極５ｇが共通配線７側に向かって延設されている。また、各共通配線７の中間部は、容量素子Ｃｓの下部電極７ｃとしてパターニングされている。

以上のような走査線５および共通配線７を覆う状態で、ゲート絶縁膜９（断面図のみに図示）が設けられている。

このゲート絶縁膜９上の第２層目には、複数の信号線１１が、走査線５および共通配線７に対して垂直に配置されている。そして、走査線５および信号線１１の各交差部に各画素部が設定される。

各信号線１１からは、薄膜トランジスタＴｒの一方のソース／ドレイン１１ｓｄが、ゲート電極５ｇ側に向かって延設されている。ゲート電極５ｇを挟んで配置されるもう一方のソース／ドレイン１１ｓｄは、容量素子Ｃｓの上部電極を兼ねており、ゲート絶縁膜９を介して下部電極７ｃ上重なるように延設して配置され、これらの積層部分が容量素子Ｃｓとして構成されている。

また、信号線１１およびソース／ドレイン１１ｓｄが形成された基板３の上部には、絶縁性の隔壁層１３が設けられている。この隔壁層１３は、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部に対応する位置、すなわちソース／ドレイン１１ｓｄ−１１ｓｄ間であってゲート電極５ｇ上に対応する位置に、第１開口１３ａを有している。また、この第１開口１３ａと共に、薄膜トランジスタＴｒのソース／ドレイン１１ｓｄのうち、容量素子Ｃｓの上部電極を構成する側のソース／ドレイン１１ｓｄに達する第２開口１３ｂが設けられている。

さらにこの隔壁層１３には、上記第１開口１３ａおよび第２開口１３ｂ以外の複数の凹凸用開口１３ｃが設けられている。これらの凹凸用開口１３ｃは、以降に説明する画素電極１９の凹凸表面を成形するための構造体である凹凸下地パターンとなる。このような凹凸用開口１３ｃは、以降に説明する画素電極１９の凹凸表面の形状に合わせて平面開口形状および配置間隔が設計されることとし、第１開口１３ａおよび第２開口１３ｂ以外の部分の全面に、均等に分散配置されていることとする。

尚、画素電極１９の凹凸表面の形状によっては、隔壁層１３の所定部分を、凹凸用開口１３ｃに換えて島状のドットパターンからなる構造体として構成し、凹凸下地パターンとても良い。

また、この隔壁層１３は、次に説明する半導体層１５が、隔壁層１３の上部と下部とで分断されるように構成されていることが重要である。このような隔壁層１３は、半導体層１５よりも充分に厚い膜厚を備えており、かつ第１開口１３ａ、第２開口１３ｂ、および凹凸開口１３ｃの側壁が、垂直か、より好ましくは開口上部に向かって開口径が狭くなるように傾斜した逆テーパ形状であることとする。

このような隔壁層１３の側壁形状(断面形状）は、図示したように傾斜角度が略均一に保たれた逆テーパ形状であっても良い。また、積層膜で構成された隔壁層１３において、下層膜ほど開口幅を広くした構成であっても良い。さらに、次に説明する半導体層１５が隔壁層１３の上部と下部とで分断されるのであれば、上部のみが逆テーパ形状であっても良い。

このような隔壁層１３の第１開口１３ａ底部には、薄膜トランジスタＴｒの活性層を構成するチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられている。そして、ゲート電極５ｇと、ゲート絶縁膜９を介してゲート電極５ｇの両脇上に配置されたソース／ドレイン１１ｓｄと、これらのソース／ドレイン１１ｓｄに接してゲート電極５ｇ上に積層されたチャネル部半導体層１５ｃｈとで薄膜トランジスＴｒが構成されている。

このチャネル部半導体層１５ｃｈは、隔壁層１３の上部から成膜された半導体層１５(断面図のみに図示）からなり、隔壁層１３上における半導体層１５とは分断された状態で第１開口１３ａの底部に設けられている。尚、隔壁層１３の上部から成膜された半導体層１５は、第１開口１３ａ以外の第２開口１３ｂおよび凹凸用開口１３ｃ底部にも設けられており、隔壁層１３の上部とは分断されている。

そして、以上のように基板３上に設けられた薄膜トランジスタＴｒと隔壁層１３と半導体層１５とを覆う状態で、下地絶縁膜１７が設けられている。この下地絶縁膜１７は、隔壁層１３の開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃに追従する凹凸表面を有している。この凹凸表面の側壁は、基板３と逆側に向けられた順テーパ形状に成型されていることとする。

このような下地絶縁膜１７は、例えば複数層からなるか、またはリフロー膜で構成されていても良い。

またこの下地絶縁膜１７には、接続孔１７ａが設けられている。この接続孔１７ａは、隔壁層１３に設けられた第２開口１３ｂ内に配置され、隔壁層１３上の半導体層１５に対して絶縁性を保った状態で設けられている。また、この接続孔１７ａは、第２開口１３ｂ底部の半導体層１５に対しても連続して設けられており、底部には容量素子Ｃｓを構成するソース／ドレイン１１ｓｄを露出させている。

このような下地絶縁膜１７上に、下地絶縁膜１７の凹凸表面形状に追従した凹凸表面を有する反射膜で構成された画素電極１９が設けられている。この画素電極１９は、接続孔１７ａを介して薄膜トランジスタＴｒのソース／ドレイン１１ｓｄに接続されている。

そして以上のような画素電極１９を覆う状態で配向膜２１が設けられ、駆動側の基板３の上部が構成されている。

一方、以上のような駆動側の基板３における画素電極１９の形成面側には、断面図のみに図示した対向基板３１が設けられている。この対向基板３１は、透明材料からなり画素電極１９に向かう面上には、全画素に共通の透明導電性材料からなる共通電極３３が設けられ、この共通電極３３を覆う状態で配向膜３５が設けられている。そして、二つの基板の配向膜２１−３５間に、スペーサ（図示省略）と共に液晶層ＬＣが挟持されている。

この液晶層ＬＣは、ポリマー分散型液晶、コレステリック液晶、表示モードおよび駆動モードに合わせた液晶で構成されていれば良く、特に限定されることはない。また、液晶以外の反射型表示部であってもよく、この場合例えばエレクトロウェッティング表示部等を用いることができる。

以上により、表示装置１-1が構成されている。この表示装置１-1は、対向基板３１側から入射した外光のうち液晶層ＬＣを通過して画素電極１９からなる凹凸反射面で多方向に分散して反射し、再び液晶層ＬＣを通過した光が対向基板３１から表示光として取り出される。

次にこのような表示装置１１-1の製造方法を図３，４の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、図３（１）に示すように、基板３を用意する。この基板３は、プラスチック、ガラス等、材質が限定されることはなく、ガラス基板またはプラスチック基板上に絶縁性の保護膜などが形成されているものであっても良い。ただし、ここで作製する表示装置がフレキシブル・ディスプレイである場合には、プラスチック基板を用いることが好ましい。

この基板３上に、第１層目のゲート電極５ｇおよび下部電極７ｃと共に、走査線および共通配線を配線形成する。これらの電極および配線の形成は、公知の技術および材料を適用することができ、これらが限定されることはない。例えば、より微細な電極および配線を形成するには、リソグラフィー法を適用することが好ましい。この場合、成膜した電極材料層をリソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクに用いてパターンエッチングする。電極材料層としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）との積層膜、銀(Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、さらにはこれらの積層膜などが用いられる。

次に、ゲート電極５ｇおよび下部電極７ｃなどを覆う状態で、基板３上にゲート絶縁膜９を成膜する。ゲート絶縁膜９の形成は、公知の技術および材料を適用することができ、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料膜、さらにはポリビニルフェノールやポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などの有機材料膜が用いられるが、これらが限定されることはない。

次いで、ゲート絶縁膜９上の第２層目に、ソース／ドレイン１１ｓｄおよび信号線を配線形成する。これらの電極および配線の形成は、公知の技術および材料を適用することができ、例えば第１層目のゲート電極５ｇおよび下部電極７ｃと同様に形成される。

次に、図３（２）に示すように、ソース／ドレイン１１ｓｄが形成されたゲート絶縁膜９上に、側壁逆テーパ形状の第１開口１３ａおよび第２開口１３ｂさらには凹凸開口１３ｃを備えた隔壁層１３を形成する。尚、各開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの形成位置は、図１,２を用いて説明した通りであり、第１開口１３ａをゲート電極５ｇ上に、第２開口部１３ｂを容量素子の上部電極を構成する側のソース／ドレイン１１ｓｄ上に、凹凸開口１ｃをその他の全面に形成する。

このような隔壁層１３の作製方法としては、例えば感光性樹脂を用い光パターニングによって作製する方法や、絶縁性薄膜の形成とエッチングとを併用して作製する方法などが挙げられる。絶縁性薄膜としては、ＰＭＭＡなどの樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁膜が用いられる。

そして、例えば開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの側壁の傾斜角度が略均一に保たれた逆テーパ形状の隔壁層１３であれば、感光性樹脂を用いて露光条件を調整したリソグラフィーを行う。これにより、側壁を逆テーパ形状とした開口１３ａ、１３ｂ、１３ｃを有する隔壁層１３が形成される。また、多層構造を持つ隔壁層１３も同様の方法で作製できる。例えば、光感光性樹脂を用いてこれを実現する場合には、第１層目の下層膜とその上層の第２層目の膜とに感光性の違いを持たせれば良い。また、第１層目に光感光性樹脂を用い、第２層目には第１層目の感光性樹脂に対して選択的にパターニングできる材料を用いても良い。さらに、絶縁性薄膜の形成とエッチングを併用する場合には、第１層目と第２層目にエッチング選択性を持たせれば良い。

以上のような隔壁層１３を形成した後には、図３（３）に示すように、隔壁層１３の上方から半導体層１５を成膜することにより、隔壁層１３上とは分断された状態で第１開口１３ａの底部に半導体層１５からなるチャネル部半導体層１５ｃｈを形成する。ここでは例えば、真空蒸着法により、基板１上の全面に半導体層１５を成膜する。尚これにより、第２開口１３ｂおよび凹凸開口１３ｃの底部にも、隔壁層１３上の半導体層１５とは分断された形状の半導体層１５が設けられることになる。

この半導体層１５は、例えばペンタセン、ゼキシチオフェンなどのチオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの有機半導体からなる。尚、インクジェット法などパターニングと成膜が同時に可能な方法を用いる場合には、隔壁層１３における第１開口１３ａの底面のみに選択的に半導体層１５を形成し、これをチャネル部半導体層１５ｃｈとしても良い。

以上のようにして、ゲート電極５ｇを覆うゲート絶縁膜９上に、ソース／ドレイン１１ｓｄが設けられ、これらのソース／ドレイン１１ｓｄ上からゲート電極５ｇの上方に重ねてチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられたボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒを得る。また、下部電極７ｃと一方のソース／ドレイン１１ｓｄ間にゲート絶縁膜９を狭持してなる容量素子Ｃｓを得る。

次に、図３（４）に示すように、隔壁層１３および半導体層１５を覆う状態で、下地絶縁膜１７を形成する。この下地絶縁膜１７は、パターン形成されている隔壁層１３による段差を埋め込むことなく、隔壁層１３の段差に対応する凹凸表面を有するように形成される。またこの下地絶縁膜１７の凹凸表面は、開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの側壁の逆テーパ形状を順テーパ形状に変換した側壁で構成されていることとする。このような形状であれば、下地絶縁膜１７は単層構造であっても積層構造であっても良い。

このような下地絶縁膜１７は、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、ポリパラキシリレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ＰＭＭＡなどのアクリル系樹脂などで構成されることとする。ただし、凹凸表面の側壁を順テーパ形状にするには、例えば塗布成膜されることが好ましい。また、下地絶縁膜１７の凹凸表面を調整するために、成膜後の下地絶縁膜１７を熱処理によってリフロー（流動化）させることが好ましい。

次に、図４（１）に示すように、隔壁層１３の第２開口１３ｂ内において、下地絶縁膜１７および半導体層１５に接続孔１７ａを形成し、第２開口１３ｂ底部のソース／ドレイン１１ｓｄを露出させる。この接続孔１７ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂの内側において、隔壁層１３上の半導体層１５に対して絶縁性を保った位置に形成されることが好ましい。このような接続孔１７ａは、例えばレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって形成される。なお、この接続孔１７ａの内壁は、次に形成される画素電極とソース／ドレイン１１ｓｄとを滑らかに接続するために順テーパ形状であることが好ましい。

尚、ここでは、印刷法や感光性樹脂の光パターニングによって、接続孔１７ａが形成された下地絶縁膜１７をマスクにして、接続孔１７ａ底部の半導体層１５をエッチングしてソース／ドレイン１１ｓｄを露出させても良い。この場合、印刷法や光パターニングによって予め接続孔１７ａが設けられた下地絶縁膜１７を形成しても良く、またリソグラフィー法によってレジスト材料膜に接続孔１７ａを形成して下地絶縁膜１７としても良い。このような場合であっても、下地絶縁膜１７の凹凸表面を調整するために、下地絶縁膜１７を熱処理によってリフロー（流動化）させることが好ましい。

次いで、図４（２）に示すように、下地絶縁膜１７上の各画素に、接続孔１７ａを介してソース／ドレイン１１ｓｄに接続された画素電極１９を形成する。この画素電極１９は、可視光を良好に反射する例えばＡｌやＡｇなどの金属を用いた反射膜からなる。このような画素電極１９の形成は、公知の技術および材料を適用することができる。

そして、画素電極１９を形成した後には、画素電極１９を覆う状態で基板３の上方に配向膜２１を形成することにより、駆動側の基板３（すなわち表示装置のバックプレーン）を完成させる。

その後は、図２に示したように、透明材料からなる対向基板３１上の、透明導電性材料からなる共通電極３３および配向膜３５の形成面を、基板３の配向膜２１形成面に対向配置し、これらの基板３−３１間にスペーサ（図示省略）を挟持させて液晶層ＬＣを注入封止することにより、反射型の液晶表示装置１-1を完成させる。

以上説明した第１実施形態では、チャネル部半導体層１５ｃｈのパターン形成において半導体層１５を分断するための段差として用いた隔壁層１３が、この上部に設ける下地絶縁膜１７の表面に凹凸形状を設けるための構造体として用いられる。このため、凹凸形状を得るための構造体を形成する工程を特別に行う必要はない。

したがって、画素電極１９の表面を凹凸反射面として用いた表示装置１-1の製造において、凹凸形状を得るためだけの特別な構造体の形成を必要とせず、表示装置１-1の製造工程数およびコストの削減を図ることが可能になる。

＜第２実施形態＞
図５は、第２実施形態の表示装置１-2の概略断面図であり、図１におけるＡ−Ａ’断面に対応する。この図に示す表示装置１-2が、図２を用いて説明した第1実施形態の表示装置と異なるところは、積層構造からなる下地絶縁膜１７’に対する接続孔１７ａ’(拡大図参照）の構成にあり、他の構成は同様であることとする。

すなわち、下地絶縁膜１７’は、例えば２層構造であり、第１絶縁膜１７-1と、この上部の第２絶縁膜１７-2とからなる。

第１絶縁膜１７-1は、隔壁層１３の第２開口１３ｂ底部を露出する開口として第１接続孔１７-1ａを有している。この第１接続孔１７-1ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂ底部の半導体層１５にも連続して設けられ、ソース／ドレイン１１ｓｄに達している。またこの第１接続孔１７-1ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂの内側において、隔壁層１３上の半導体層１５に対して絶縁性を保った位置に形成される。

第２絶縁膜１７-2は、第１絶縁膜１７-1の第１接続孔１７-1ａの内壁を覆う状態で、第１絶縁膜１７-1上に設けられている。この第２絶縁膜１７-2には、第１接続孔１７-1ａ内においてソース／ドレイン１１ｓｄに達する第２接続孔１７-2ａが形成されている。

尚、このような積層構造の下地絶縁膜１７’であれば、最上層の第２絶縁膜１７-2の表面が所定の凹凸表面となっていれば良い。

そして、この第２絶縁膜１７-2上に、第２接続孔１７-2ａを介してソース／ドレイン１１ｓｄに接続された反射膜からなる画素電極１９が設けられている。

このような構成の表示装置１-2であっても、第１実施形態の表示装置と同様に、対向基板３１側から入射した外光のうち液晶層ＬＣを通過して画素電極１９からなる凹凸反射面で多方向に分散して反射し、再び液晶層ＬＣを通過した光が対向基板３１から表示光として取り出される。

次にこのような表示装置１１-2の製造方法の特徴部を、図６の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、第１実施形態において、図３（１）〜図３（４）および図４（１）を用いて説明した工程を同様に行うことにより、隔壁層１３を覆う下地絶縁膜１７および隔壁層１３の第２開口１３ｂ底部の半導体層１５に、接続孔１７ａを形成するまでを行う。そして、本第２実施形態では、図６（１）示すように、下地絶縁膜１７を第１絶縁膜１７-1とし、接続孔１７ａを第１接続孔１７-1ａとする。

次に、図６（２）に示すように、第１絶縁膜１７-1を覆う状態で、第２絶縁膜１７-2を成膜する。この第２絶縁膜１７-2は、第１絶縁膜１７-1における第１開口部１７-1ａの角部をラウンド状に覆う状態で成膜されることが好ましい。このような第２絶縁膜1７-2は、例えば塗布成膜されることとする。また工程の簡略化を考慮すると、感光性樹脂を塗布成膜して第２絶縁膜１７-2とすることが好ましい。尚、ここで言う感光性樹脂とは、例えば感光性ポリイミドやレジストに代表される感光性有機材料であり、エネルギー線の照射とその後の現像とを行うリソグラフィー処理によってパターニング可能な材料である。

次いで、図６（３）に示すように、第１絶縁膜１７-1の第１接続孔１７-1ａ内における第２絶縁膜１７-2部分に、ソース／ドレイン１１ｓｄに達する第２接続孔１７-2ａを形成する。この場合、第２絶縁膜１７-2が感光性樹脂からなる場合には、リソグラフィー処理によって第２絶縁膜１７-2に第２接続孔１７-2ａを形成する。

また、第２絶縁膜１７-2の成膜と第２接続孔１７-2ａの形成とは、例えば印刷法等によって同時に行っても良い。この場合、予め第２接続孔１７-2ａが形成された状態で第２絶縁膜１７-2が成膜されることになる。

その後、第２接続孔１７-2ａが形成された第２絶縁膜１７-2を熱処理によってリフロー（流動化）させる。これにより、第１絶縁膜１７-1を覆う第２絶縁膜１７-2の凹凸表面の側壁がさらに傾斜のゆるい順テーパ状に成形する。また、第１絶縁膜１７-1表面の角部、例えば第１接続孔１７-1ａの開口上部の角部を覆う第２絶縁膜１７-2部分をさらにラウンド状に成形する。

以上の後には、第１実施形態と同様に行う。すなわち、図６（４）に示すように、第１絶縁膜１７-2上の各画素に、第２接続孔１７-2ａを介してソース／ドレイン１１ｓｄに接続された画素電極１９を形成し、さらに配向膜２１を形成して駆動側の基板３（すなわち表示装置のバックプレーン）を完成させる。

そして、図５に示したように、透明材料からなる対向基板３１上の、透明導電性材料からなる共通電極３３および配向膜３５の形成面を、基板３の配向膜２１形成面に対向は位置し、これらの基板３−３１間にスペーサ（図示省略）を挟持させて液晶層ＬＣを注入封止することにより、反射型の液晶表示装置１-2を完成させる。

以上説明した第２実施形態では、チャネル部半導体層１５ｃｈのパターン形成において半導体層１５を分断するための段差として用いた隔壁層１３が、この上部に設ける下地絶縁膜１７’の表面に凹凸形状を設けるための構造体として用いられる。したがって、第１実施形態と同様に、表示装置１-1の製造工程数およびコストの削減を図ることが可能になる。

さらに、下地絶縁膜１７’が積層構造であるため、チャネル部半導体層１５ｃｈをパターニングするための隔壁層１３に由来する段差を緩和したり、下地絶縁膜１７’の凹凸表面の形状を制御するための自由度が高くなる。さらに、第１絶縁膜１７-1に形成した接続孔１７-1ａの開口上部の角などをラウンド状に覆うことができるため、この上部に形成される画素電極１９の段切れを防止できる。

＜第３実施形態＞
図７は、第３実施形態の表示装置１-3の概略断面図であり、図１におけるＡ−Ａ’断面に対応する。この図に示す表示装置１-3が、図５を用いて説明した第２実施形態の表示装置と異なるところは、積層構造の下地絶縁膜１７’間にシールド層３７が配置されているところにあり、他の構成は同様であることとする。

すなわちシールド層３７は、導電性材料からなり、チャネル部半導体層１５ｃｈに積層される位置において、下地絶縁膜１７’を構成する第１絶縁膜１７-1と第２絶縁膜１７-2との間に挟まれた状態で設けられている。また、シールド層３７は、第１絶縁膜１７-1の凹凸表面を埋め込むことなく、この上部に設けられる第２絶縁膜１７-2の凹凸表面の形状に影響なく設けられていることとする。

このようなシールド層３７を備えた表示装置の製造方法は、第１絶縁膜１７-1を成膜した後で、かつ第２絶縁膜１７-2を成膜する前に、第１絶縁膜１７-1上にシールド層３７を形成するための工程を行う。シールド層３７の形成方法が特に限定されることはなく、例えばゲート電極５ｇや下部電極７ｃの形成と同様に行われる。

以上説明した第３実施形態では、第２実施形態の効果に加え、画素電極１９とチャネル部半導体層１５ｃｈとの間にシールド層３７を設けたことにより、画素電極１９の電位がチャネル部半導体層１５ｃｈに影響を及ぼす、いわゆるバックチャネル効果を抑制することが可能になる。これにより、薄膜トランジスタＴｒの動作電圧低減などの効果が得られる。

＜第４実施形態＞
図８は、本発明を適用した第４実施形態の表示装置４０における駆動側基板の1画素分の概略平面図であり、画素駆動用の薄膜トランジスタとしてトップゲート型の薄膜トランジスタＴｒ’を用いたものである。また図９は、第４実施形態の表示装置４０の概略断面図であり、図８におけるＡ−Ａ’断面に対応する。尚、先の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。

これらの図に示す表示装置４０は、拡散反射用の凹凸反射表面を備えた画素電極を有するものであり、駆動側の基板３上の第１層目に、複数の信号線１１が垂直方向に配線されている。各信号線１１からは、薄膜トランジスタＴｒ’の一方のソース／ドレイン１１ｓｄが、水平方向に向かって延設されている。また、第１層目には、ソース／ドレイン１１ｓｄに対向させて、容量素子Ｃｓの下部電極を兼ねたもう一方のソース／ドレイン１１ｓｄが設けられている。２つのソース／ドレイン１１ｓｄは端縁を対向させて設けられている。

以上のような信号線１１およびソース／ドレイン１１ｓｄが形成された基板３の上部には、第１実施形態と同様の隔壁層１３が設けられている。この隔壁層１３には、第１実施形態と同様の第１開口１３ａ，第２開口１３ｂ，および凹凸用開口１３ｃが設けられている。

すなわち、第１開口１３ａは、薄膜トランジスタＴｒ’のチャネル部に対応する位置、すなわちソース／ドレイン１１ｓｄ−１１ｓｄ間に対応する位置に設けられている。第２開口１３ｂは、薄膜トランジスタＴｒ’のソース／ドレイン１１ｓｄのうち、容量素子Ｃｓの下部電極を構成する側のソース／ドレイン１１ｓｄに達する位置に設けられている。

そして凹凸用開口１３ｃは、画素電極１９の凹凸表面の形状に合わせて平面開口形状および配置間隔が設計されることとし、第１開口１３ａおよび第２開口１３ｂ以外の部分の全面に、分散配置されていることとする。

また、画素電極１９の凹凸表面の形状によっては、隔壁層１３の所定部分を、凹凸用開口１３ｃに換えて島状のドットパターンからなる構造体として構成し、凹凸下地パターンとても良いことも、第１実施形態と同様である。

さらに、この隔壁層１３は、第１実施形態と同様に、次に説明する半導体層１５が隔壁層１３の上部と下部とで分断されるような膜厚を備えていること、さらには開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの側壁が、垂直か、より好ましくは開口上部に向かって開口径が狭くなるように傾斜した逆テーパ形状であることとする。

このような隔壁層１３の第１開口１３ａ底部には、薄膜トランジスタＴｒ’の活性層を構成するチャネル部半導体層１５ｃｈが設けられている。このチャネル部半導体層１５ｃｈは、隔壁層１３の上部から成膜された半導体層１５(断面図のみに図示）からなり、隔壁層１３上における半導体層１５とは分断された状態で第１開口１３ａの底部に設けられている。尚、隔壁層１３の上部から成膜された半導体層１５は、第１開口１３ａ以外の第２開口１３ｂおよび凹凸用開口１３ｃ底部にも設けられており、隔壁層１３の上部とは分断されている。

以上のような隔壁層１３および半導体層１５を覆う状態で、ゲート絶縁膜９（断面図のみに図示）が設けられている。ゲート絶縁膜９の表面は、隔壁層１３の開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃに追従する凹凸表面を有していることとする。ゲート絶縁膜９の凹凸表面の側壁は、基板３と逆側に向けられた順テーパ形状であることが好ましい。

またこのゲート絶縁膜９には、隔壁層１３の第２開口１３ｂ底部を露出する開口９ａが設けられている。この開口９ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂ底部の半導体層１５にも連続して設けられ、ソース／ドレイン１１ｓｄに達している。またこの開口９ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂの内側において、隔壁層１３上の半導体層１５に対して絶縁性を保った位置に形成される。

このようなゲート絶縁膜９上には、平面図のみに図示した走査線５および共通配線７が、信号線１１に対して垂直となる水平方向に配線されている。そして、走査線５および信号線１１の各交差部に各画素部が設定される。

各走査線５からは、薄膜トランジスタＴｒ’のゲート電極５ｇが、ソース／ドレイン１１ｓｄ間のチャネル部半導体層１５ｃｈを覆う位置に延設されている。そして、一対のソース／ドレイン１１ｓｄと、これらのソース／ドレイン１１ｓｄ間にわたって設けられたチャネル部半導体層１５ｃｈと、ゲート絶縁膜９を介してチャネル部半導体層１５ｃｈ上に設けられたゲート電極５ｇとで、トップゲート型の薄膜トランジスＴｒ’が構成されている。

また、各共通配線７の中間部は、容量素子Ｃｓの上部電極７ｃ’としてパターニングされている。この上部電極７ｃ’は、ゲート絶縁膜９を介して、下部電極を兼ねたソース／ドレイン１１ｓｄ上に重なるように配置されている。そして、凹凸用開口１３ｃの底部において、下部電極を兼ねたソース／ドレイン１１ｓｄと上部電極７ｃ’との間に、ゲート絶縁膜９と半導体層１５とを狭持してなる容量素子Ｃｓが構成されている。ここでは、各凹凸用開口１３ｃが独立している場合、複数の凹凸開口１３ｃに設けられた容量素子Ｃｓが並列に接続された状態となる。

尚、これらのゲート電極５ｇおよび上部電極７’は、ゲート絶縁膜９の凹凸表面を埋め込むことなく、この上部に設けられる下地絶縁膜１７の凹凸表面の形状に影響なく設けられていることとする。これにより、容量素子Ｃｓの配置状態に依存せずに、凹凸反射表面を設けることが可能である。

そして、これらのゲート電極５ｇおよび上部電極７ｃ’が設けられたゲート絶縁膜９上に、下地絶縁膜１７が設けられている。この下地絶縁膜１７は、隔壁層１３の開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃに追従する凹凸表面を有している。この凹凸表面の側壁は、基板３と逆側に向けられた順テーパ形状に成型されていることとする。

このような下地絶縁膜１７は、例えば複数層からなるか、またはリフロー膜で構成されていても良い。

またこの下地絶縁膜１７は、ゲート絶縁膜９の開口９ａの内壁を覆う状態で設けられており、この開口９ａ内においてソース／ドレイン１１ｓｄに達する接続孔１７ａを備えている。

以上のような下地絶縁膜１７上に、下地絶縁膜１７の凹凸表面形状に追従した凹凸表面を有する反射膜で構成された画素電極１９が設けられている。この画素電極１９は、下地絶縁膜１７の接続孔１７ａを介して薄膜トランジスタＴｒ’のソース／ドレイン１１ｓｄに接続されている。

そして以上のような画素電極１９を覆う状態で配向膜２１が設けられ、駆動側の基板３の上部が構成されている。

一方、以上のような駆動側の基板３における画素電極１９の形成面側には、第１実施形態と同様の対向基板３１（断面図のみに図示）が設けられている。すなわち、対向基板３１は透明材料からなり、画素電極１９に向かう面上には、全画素に共通の透明導電性材料からなる共通電極３３が設けられ、この共通電極３３を覆う状態で配向膜３５が設けられている。そして、二つの基板の配向膜２１−３５間に、スペーサ（図示省略）と共に液晶層ＬＣが挟持されている。

以上により、表示装置４０が構成されている。この表示装置４０は、第１実施形態の表示装置と同様に、対向基板３１側から入射した外光のうち液晶層ＬＣを通過して画素電極１９からなる凹凸反射面で多方向に分散して反射し、再び液晶層ＬＣを通過した光が対向基板３１から表示光として取り出される。

次にこのような表示装置４０の製造方法を、図１０，１１の断面工程図に基づいて説明する。

先ず、図１０（１）に示すように、基板３を用意する。この基板３は、プラスチック、ガラス等、材質が限定されることはなく、ガラス基板またはプラスチック基板上に絶縁性の保護膜などが形成されているものであっても良い。ただし、ここで作製する表示装置がフレキシブル・ディスプレイである場合には、プラスチック基板を用いることが好ましい。

この基板１上に、ソース／ドレイン１１ｓｄと共に、信号線を配線形成する。これらの電極および配線の形成は、第１実施形態と同様であり、公知の技術および材料を適用することができ、これらが限定されることはない。

次に、図１０（２）に示すように、ソース／ドレイン１１ｓｄが形成されたゲート絶縁膜９上に、側壁逆テーパ形状の第１開口１３ａおよび第２開口１３ｂさらには凹凸開口１３ｃを備えた隔壁層１３を形成する。尚、各開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの形成位置は、図８，９を用いて説明した通りであり、形成方法は第１実施形態と同様で有って良い。

その後、図１０（３）に示すように、隔壁層１３の上方から半導体層１５を成膜することにより、隔壁層１３上とは分断された状態で第１開口１３ａの底部に半導体層１５からなるチャネル部半導体層１５ｃｈを形成する。半導体層１５の成膜方法は、第１実施形態で同様であって良く、また半導体層１５が、例えばペンタセン、ゼキシチオフェンなどのチオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの有機半導体からなること、さらにはインクジェット法などパターニングと成膜が同時に可能な方法を用いる場合には、隔壁層１３における第１開口１３ａの底面のみに選択的に半導体層１５を形成し、これをチャネル部半導体層１５ｃｈとしても良いことも同様である。

次に、図１０（４）に示すように、隔壁層１３および半導体層１５を覆う状態で、ゲート絶縁膜９を成膜する。このゲート絶縁膜９は、パターン形成されている隔壁層１３による段差を埋め込むことなく、隔壁層１３の段差に対応する凹凸表面を有するように形成される。ゲート絶縁膜９の形成は、公知の技術および材料を適用することができ、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料膜、さらにはポリビニルフェノールやポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）などの有機材料膜が用いられるが、これらが限定されることはない。

次いで、図１０（５）に示すように、ゲート絶縁膜９上に、ゲート電極５ｇおよび上部電極７ｃ’と共に走査線や共通配線を配線形成する。これらの電極および配線の形成は、公知の技術および材料を適用することができる。ここでは特に、ゲート絶縁膜９の凹凸表面を埋め込むことのない膜厚でこれらの電極および配線を形成することが重要である。

以上のようにして、一対のソース／ドレイン１１ｓｄ間にわたって設けられたチャネル部半導体層１５ｃｈ上に、ゲート絶縁膜９を介してゲート電極５ｇを設けてなるトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタＴｒ’を得る。また、凹凸用開口１３ｃの底部において、下部電極を兼ねたソース／ドレイン１１ｓｄと上部電極７ｃ’との間に、ゲート絶縁膜９と半導体層１５とを狭持してなる容量素子Ｃｓを得る。

その後、図１１（１）に示すように、隔壁層１３の第２開口１３ｂ内において、ゲート絶縁膜９および半導体層１５に開口９ａを形成し、第２開口１３ｂ底部のソース／ドレイン１１ｓｄを露出させる。この開口９ａは、隔壁層１３における第２開口１３ｂの内側において、隔壁層１３上の半導体層１５に対して絶縁性を保った位置に形成されることが好ましい。このような開口９ａは、例えばレジストパターンをマスクに用いたエッチングによって形成される。

次に、図１１（２）に示すように、ゲート電極５ｇおよび下部電極７ｃ’が形成されたゲート絶縁膜９上に下地絶縁膜１７を形成する。この下地絶縁膜１７は、ゲート絶縁膜９における開口９ａの角部をラウンド状に覆う状態で成膜されることが好ましい。このような下地絶縁膜１７は、例えば塗布成膜されることとする。また工程の簡略化を考慮すると、感光性樹脂を塗布成膜して下地絶縁膜１７とすることが好ましい。

そして、ゲート絶縁膜９の開口９ａ内における下地絶縁膜１７部分に、ソース／ドレイン１１ｓｄに達する接続孔１７ａを形成する。ここでは、下地絶縁膜１７が感光性樹脂からなる場合には、リソグラフィー処理によって接続孔１７ａを形成する。

また下地絶縁膜１７の成膜と接続孔１７ａの形成とは、例えば印刷法等によって同時に行っても良い。この場合、予め接続孔１７ａが形成された状態で下地絶縁膜１７が成膜されることになる。

その後、接続孔１７ａが形成された下地絶縁膜１７を熱処理によってリフロー（流動化）させる。これにより、下地絶縁膜１７の凹凸表面の側壁がさらに傾斜のゆるい順テーパ状に成形する。また、ゲート絶縁膜９表面の角部、例えば開口９ａの上部の角部を覆う下地絶縁膜１７部分をさらにラウンド状に成形する。

尚、この下地絶縁膜１７の凹凸表面は、開口１３ａ，１３ｂ，１３ｃの側壁の逆テーパ形状を順テーパ形状に変換した側壁で構成されていることとする。このような形状であれば、下地絶縁膜１７は単層構造であっても積層構造であっても良い。

尚、ここでは、印刷法によって予め接続孔１７ａが設けられた下地絶縁膜１７を形成しても良く、またリソグラフィー法によってレジスト材料膜に接続孔１７ａを形成して下地絶縁膜１７としても良い。このような場合であっても、下地絶縁膜１７の凹凸表面を調整するために、下地絶縁膜１７を熱処理によってリフロー（流動化）させることが好ましい。

以上の後には、第１実施形態と同様に行う。すなわち、図１１（３）に示すように、下地絶縁膜１７上の各画素に、接続孔１７を介してソース／ドレイン１１ｓｄに接続された画素電極１９を形成し、さらに配向膜２１を形成して駆動側の基板３（すなわち表示装置のバックプレーン）を完成させる。

その後は、図９に示したように、透明材料からなる対向基板３１上の、透明導電性材料からなる共通電極３３および配向膜３５の形成面を、基板３の配向膜２１形成面に対向は位置し、これらの基板３−３１間にスペーサ（図示省略）を挟持させて液晶層ＬＣを注入封止することにより、反射型の液晶表示装置４０を完成させる。

以上説明した第４実施形態であっても、チャネル部半導体層１５ｃｈのパターン形成において半導体層１５を分断するための段差として用いた隔壁層１３が、この上部に設ける下地絶縁膜１７の表面に凹凸形状を設けるための構造体として用いられる。このため、凹凸形状を得るための構造体を形成する工程を特別に行う必要はない。

したがって、画素電極１９の表面を凹凸反射面として用いた表示装置４０の製造において、凹凸形状を得るためだけの特別な構造体の形成を必要とせず、表示装置４０の製造工程数およびコストの削減を図ることが可能になる。

ボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いた実施形態の表示装置における1画素分の要部平面図である。 第１実施形態の表示装置における1画素分の断面図である。 第１実施形態の表示装置の製造工程図（その１）である。 第１実施形態の表示装置の製造工程図（その２）である。 第２実施形態の表示装置における1画素分の断面図である。 第２実施形態の表示装置の製造工程図である。 第３実施形態の表示装置における1画素分の断面図である。 トップゲート型の薄膜トランジスタを用いた実施形態の表示装置における1画素分の要部平面図である。 第４実施形態の表示装置における1画素分の断面図である。 第４実施形態の表示装置の製造工程図（その１）である。 第４実施形態の表示装置の製造工程図（その２）である。

符号の説明

１，１-1，１-2，１-3，４０…表示装置、３…基板、５ｇ…ゲート電極、９…ゲート絶縁膜、１１ｓｄ…ソース／ドレイン、１３…隔壁層、１３ａ…第１開口、１３ｂ…第２開口、１５…半導体層、１５ｃｈ…チャネル部半導体層、１７，１７’…下地絶縁膜、１７-1…第１絶縁膜（下層の下地絶縁膜）、１７-2…第２絶縁膜（上層の下地絶縁膜）、１７ａ…接続孔、１７-1ａ…第１接続孔、１７-2ａ…第２接続孔、１９…画素電極、３７…シールド層、Ｃｓ…容量素子、ＬＣ…液晶層、Ｔｒ…薄膜トランジスタ（ボトムゲート型）、Ｔｒ’…薄膜トランジスタ（ボトムゲート型）

Claims (14)

1. 基板上に設けられた薄膜トランジスタと、
   当該薄膜トランジスタを覆う凹凸表面を有する下地絶縁膜と、
   前記基板と前記下地絶縁膜との間に設けられ、当該下地絶縁膜の凹凸表面に対応するパターンを有し、かつ、前記薄膜トランジスタのチャネル部に対応する位置に第１開口が設けられると共に、前記薄膜トランジスタの電極部に対応する位置に第２開口が設けられた絶縁性の隔壁層と、
   前記第１開口底部に設けられたチャネル部半導体層と、
   当該下地絶縁膜の凹凸表面を覆い、かつ、前記第２開口の当該下地絶縁膜に形成された接続孔を介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、
   を有する表示装置。
2. 請求項１記載の表示装置において、
   前記隔壁層の上部には前記チャネル部半導体層と同一材料からなる半導体層が設けられている表示装置。
3. 請求項１記載の表示装置において、
   前記下地絶縁膜は、
   前記第２開口底部に達する開口を備えた第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の開口底部において前記薄膜トランジスタの電極部に達する前記接続孔を備えて当該第1絶縁膜上に設けられた第２絶縁膜との積層構造からなる表示装置。
4. 請求項１記載の表示装置において、
   前記基板と前記チャネル部半導体層との間には、当該基板側から順にゲート電極およびゲート絶縁膜が設けられている表示装置。
5. 請求項３記載の表示装置において、
   前記チャネル部半導体層の上部に、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とに挟まれた状態で導電性のシールド層が配置されている表示装置。
6. 請求項１記載の表示装置において、
   前記下地絶縁膜と前記隔壁層との間に、前記隔壁層のパターンに追従した凹凸表面を有するゲート絶縁膜が設けられ、
   前記チャネル部半導体層の上部の前記ゲート絶縁膜と前記下地絶縁膜との間に、ゲート電極が設けられている表示装置。
7. 請求項６記載の表示装置において、
   前記ゲート絶縁膜には、
   前記隔壁層の第２開口底部に達する開口が設けられ、
   前記下地絶縁膜には、前記ゲート絶縁膜の開口底部において前記薄膜トランジスタの電極部に達する前記接続孔が設けられている表示装置。
8. 請求項６記載の表示装置において、
   前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と同一層からなる電極とゲート電極と同一層からなる電極とを備えた容量素子が設けられた表示装置。
9. 請求項１記載の表示装置において、
   前記基板に対向するように設けられた対向基板を有し、
   前記基板と、当該対向基板との間に、液晶層が挟持されている
   表示装置。
10. 請求項１記載の表示装置において、
    前記チャネル部半導体層は有機材料からなる
    表示装置。
11. 薄膜トランジスタが設けられた基板上に凹凸表面を有する下地絶縁膜を形成する工程と、
    前記下地絶縁膜を形成する工程の前に、前記基板上と前記下地絶縁膜との間に、前記薄膜トランジスタのチャネル部に対応する位置に第１開口を有すると共に、前記薄膜トランジスタの電極部に対応する位置に第２開口を有し、かつ画素電極が形成される領域において前記下地絶縁膜の凹凸表面に対応してパターニングされた絶縁性の隔壁層を形成する工程と、
    前記隔壁層を形成する工程の後であって前記下地絶縁膜を形成する工程の前に、前記第１開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する工程と、
    前記下地絶縁膜を形成する工程の後に、当該下地絶縁膜の凹凸表面を覆い、かつ、前記第２の開口の当該下地絶縁膜に形成された接続孔を介して前記薄膜トランジスタに接続させた画素電極を形成する工程を有する表示装置の製造方法。
12. 請求項１１記載の表示装置の製造方法において、
    前記チャネル半導体層を形成する工程は、前記隔壁層の上部からの半導体層の成膜により、当該隔壁層の上部とは分断された状態で前記第１開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する表示装置の製造方法。
13. 請求項１１記載の表示装置の製造方法において、
    前記チャネル半導体層を形成する工程は、半導体材料が含まれた溶液を第１開口底部のみに選択的に形成する方法により前記第１開口の底部に当該半導体層からなるチャネル部半導体層を形成する表示装置の製造方法。
14. 請求項１１記載の表示装置の製造方法において、
    前記下地絶縁膜を形成する工程では、当該下地絶縁膜を成膜した後に、熱処理を行うことで当該下地絶縁膜をリフローさせる
    表示装置の製造方法。

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