JPH1138437A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH1138437A JPH1138437A JP19678697A JP19678697A JPH1138437A JP H1138437 A JPH1138437 A JP H1138437A JP 19678697 A JP19678697 A JP 19678697A JP 19678697 A JP19678697 A JP 19678697A JP H1138437 A JPH1138437 A JP H1138437A
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- interlayer insulating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号線及びスイッチング素子を覆う絶縁膜上
に画素電極をを設けた液晶表示装置において、スイッチ
ング素子の特性劣化を招くことなく、スイッチング素子
形成基板上に遮光膜を形成する。 【解決手段】 信号線８、２０及びスイッチング素子１
５を覆う絶縁膜１２に、スイッチング素子１５と画素電
極１３との接続を行うためのコンタクトホール１４を形
成すると同時に、スイッチング素子１５上にも凹部１６
を形成する。そして、該凹部１６に沿って遮光膜１１を
形成することによって、バックライトからの光が該遮光
膜１１に反射してスイッチング素子１５のチャネル領域
２１に入射することが無くなり、スイッチング素子の特
性劣化を防ぐことができる。
に画素電極をを設けた液晶表示装置において、スイッチ
ング素子の特性劣化を招くことなく、スイッチング素子
形成基板上に遮光膜を形成する。 【解決手段】 信号線８、２０及びスイッチング素子１
５を覆う絶縁膜１２に、スイッチング素子１５と画素電
極１３との接続を行うためのコンタクトホール１４を形
成すると同時に、スイッチング素子１５上にも凹部１６
を形成する。そして、該凹部１６に沿って遮光膜１１を
形成することによって、バックライトからの光が該遮光
膜１１に反射してスイッチング素子１５のチャネル領域
２１に入射することが無くなり、スイッチング素子の特
性劣化を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴ基板上に遮
光膜を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
光膜を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置としては、互いに直交差す
る複数のゲート信号線及びソース信号線、マトリクス状
の画素電極、スイッチング素子としてのＴＦＴを基板上
に形成した、いわゆるアクティブマトリクス型液晶表示
装置が知られている。
る複数のゲート信号線及びソース信号線、マトリクス状
の画素電極、スイッチング素子としてのＴＦＴを基板上
に形成した、いわゆるアクティブマトリクス型液晶表示
装置が知られている。
【０００３】図４の（ａ）にこの従来のアクティブマト
リクス型液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の平面図
を示す。なお、同図中１０８は画素電極、１２０はゲー
ト信号線、１１４はソース信号線、１１２は容量配線、
１１３はＴＦＴである。また、図４の（ｂ）に図４の
（ａ）のＢ−Ｂ断面図を示す。同図において、１０１は
ガラス等の透光性基板、１０２はゲート信号線１２０か
ら延出して形成されたゲート電極、１０３はゲート絶縁
膜、１０４はアモルファスＳｉ層、１０５、１０６はそ
れぞれｎ+型アモルファスＳｉ層からなるソース電極、
ドレイン電極、１０７はＩＴＯ等の透明導電膜、１０
９、１１０は金属層、１１１はチャネル保護膜をそれぞ
れ示している。なお、前記透明導電膜１０７及び金属層
１０９は同一形状に積層して設けられ、ソース信号線１
１４となっている。
リクス型液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の平面図
を示す。なお、同図中１０８は画素電極、１２０はゲー
ト信号線、１１４はソース信号線、１１２は容量配線、
１１３はＴＦＴである。また、図４の（ｂ）に図４の
（ａ）のＢ−Ｂ断面図を示す。同図において、１０１は
ガラス等の透光性基板、１０２はゲート信号線１２０か
ら延出して形成されたゲート電極、１０３はゲート絶縁
膜、１０４はアモルファスＳｉ層、１０５、１０６はそ
れぞれｎ+型アモルファスＳｉ層からなるソース電極、
ドレイン電極、１０７はＩＴＯ等の透明導電膜、１０
９、１１０は金属層、１１１はチャネル保護膜をそれぞ
れ示している。なお、前記透明導電膜１０７及び金属層
１０９は同一形状に積層して設けられ、ソース信号線１
１４となっている。
【０００４】ところで、前記画素電極１０８とゲート信
号線１２０及びソース信号線１１４とは分離されている
ので、この間隙からの光抜けを防ぐ必要がある。また、
ＴＦＴ１１３のアモルファスＳｉ層１０４のチャネル領
域１２１へ光が入射した場合、オフ電流が生じてしまい
ＴＦＴの特性が劣化するため、前記チャネル領域１２１
を遮光する必要がある。そのため、従来はＴＦＴ基板に
対向して設けられ、対向電極やマイクロカラーフィルタ
が形成されたカラーフィルタ基板に遮光膜を設けてい
た。
号線１２０及びソース信号線１１４とは分離されている
ので、この間隙からの光抜けを防ぐ必要がある。また、
ＴＦＴ１１３のアモルファスＳｉ層１０４のチャネル領
域１２１へ光が入射した場合、オフ電流が生じてしまい
ＴＦＴの特性が劣化するため、前記チャネル領域１２１
を遮光する必要がある。そのため、従来はＴＦＴ基板に
対向して設けられ、対向電極やマイクロカラーフィルタ
が形成されたカラーフィルタ基板に遮光膜を設けてい
た。
【０００５】ところが、近年カラーフィルタ基板のコス
トを下げるために、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように
前記遮光膜１１５をＴＦＴ基板側に形成する方法が知ら
れている。なお、図５の（ｂ）は図５の（ａ）における
Ｃ−Ｃ断面図である。なお、図５において、図４と同じ
部材については同一の符号を付し、説明を省略する。
トを下げるために、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように
前記遮光膜１１５をＴＦＴ基板側に形成する方法が知ら
れている。なお、図５の（ｂ）は図５の（ａ）における
Ｃ−Ｃ断面図である。なお、図５において、図４と同じ
部材については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０００６】このような構造とすることによって、カラ
ーフィルタ基板側に遮光膜を設けた場合に比べ、視差ず
れや貼合せ時のアライメントマージンを考慮して遮光膜
を大きく形成する必要がなくなり、開口率を限界まで大
きくすることができる。
ーフィルタ基板側に遮光膜を設けた場合に比べ、視差ず
れや貼合せ時のアライメントマージンを考慮して遮光膜
を大きく形成する必要がなくなり、開口率を限界まで大
きくすることができる。
【０００７】ところで、近年更なる開口率の向上を目指
し、図６に示す構造を有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置が開発されている。なお、図６の（ａ）はこ
のアクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられるＴ
ＦＴ基板の平面図であり、図６の（ｂ）は図６の（ａ）
におけるＤ−Ｄ断面図である。図６において、１１６は
ＩＴＯ等からなる接続用電極であり、容量配線１１２上
まで形成されている。また、１１７は層間絶縁膜であ
り、１１８はコンタクトホールである。画素電極１０８
はこの層間絶縁膜１１７上に形成されており、コンタク
トホール１１８において前記接続用電極１１６に接続さ
れている。
し、図６に示す構造を有するアクティブマトリクス型液
晶表示装置が開発されている。なお、図６の（ａ）はこ
のアクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられるＴ
ＦＴ基板の平面図であり、図６の（ｂ）は図６の（ａ）
におけるＤ−Ｄ断面図である。図６において、１１６は
ＩＴＯ等からなる接続用電極であり、容量配線１１２上
まで形成されている。また、１１７は層間絶縁膜であ
り、１１８はコンタクトホールである。画素電極１０８
はこの層間絶縁膜１１７上に形成されており、コンタク
トホール１１８において前記接続用電極１１６に接続さ
れている。
【０００８】このような構造の場合、ゲート信号線及び
ソース信号線と画素電極とをわずかに重ね合わせて形成
することができるため、ゲート信号線及びソース信号線
と画素電極との間を遮光する必要が無くなる。また、通
常ゲート信号線は遮光性の金属で形成されるため、ゲー
ト信号線上に新たに遮光膜を形成する必要はない。ま
た、ソース信号線１１４も２層で形成されており、その
内の一方が遮光性の金属１０９で形成されているため、
ソース信号線上も新たに遮光膜を形成する必要はない。
したがって、図６の（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ１
１３のチャネル領域１２１を遮光するために画素電極１
０８上の所定領域のみに遮光膜１１５を形成すれば良
い。
ソース信号線と画素電極とをわずかに重ね合わせて形成
することができるため、ゲート信号線及びソース信号線
と画素電極との間を遮光する必要が無くなる。また、通
常ゲート信号線は遮光性の金属で形成されるため、ゲー
ト信号線上に新たに遮光膜を形成する必要はない。ま
た、ソース信号線１１４も２層で形成されており、その
内の一方が遮光性の金属１０９で形成されているため、
ソース信号線上も新たに遮光膜を形成する必要はない。
したがって、図６の（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ１
１３のチャネル領域１２１を遮光するために画素電極１
０８上の所定領域のみに遮光膜１１５を形成すれば良
い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示す構造の液晶表示装置の場合、図６の（ｂ）の矢印で
示されるように、ＴＦＴ基板の背面に設けられる図示し
ないバックライトからの光が前記遮光膜１１５で反射
し、ＴＦＴ１１３のチャネル領域１２１に入射してしま
うという問題点があった。
示す構造の液晶表示装置の場合、図６の（ｂ）の矢印で
示されるように、ＴＦＴ基板の背面に設けられる図示し
ないバックライトからの光が前記遮光膜１１５で反射
し、ＴＦＴ１１３のチャネル領域１２１に入射してしま
うという問題点があった。
【００１０】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
ものであり、開口率が高く、ＴＦＴ基板上に遮光膜を有
する液晶表示装置において、バックライトからの光がチ
ャネル領域に入射することを防ぐ液晶表示装置及びその
製造方法を提供するものである。
ものであり、開口率が高く、ＴＦＴ基板上に遮光膜を有
する液晶表示装置において、バックライトからの光がチ
ャネル領域に入射することを防ぐ液晶表示装置及びその
製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置は、互いに直交する複数のゲート信号線及
びソース信号線と、マトリクス状のスイッチング素子を
有し、該ゲート信号線、ソース信号線及びスイッチング
素子を覆うようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜
が設けられ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホール
を介して前記スイッチング素子と接続された画素電極を
備えた液晶表示装置において、前記スイッチング素子上
の層間絶縁膜に凹部が形成され、前記スイッチング素子
のチャネル領域を遮光する遮光膜が、前記凹部に沿って
形成されていることを特徴とするものである。
液晶表示装置は、互いに直交する複数のゲート信号線及
びソース信号線と、マトリクス状のスイッチング素子を
有し、該ゲート信号線、ソース信号線及びスイッチング
素子を覆うようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜
が設けられ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホール
を介して前記スイッチング素子と接続された画素電極を
備えた液晶表示装置において、前記スイッチング素子上
の層間絶縁膜に凹部が形成され、前記スイッチング素子
のチャネル領域を遮光する遮光膜が、前記凹部に沿って
形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】したがって、バックライトからの光が前記
遮光膜で反射したとしても、ＴＦＴのチャネル領域に入
射する反射光を大幅に減少させることが可能となる。
遮光膜で反射したとしても、ＴＦＴのチャネル領域に入
射する反射光を大幅に減少させることが可能となる。
【００１３】前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した
場合には、該遮光膜をパターニングする際に、下層の層
間絶縁膜に与えるダメージを抑えることができる。ま
た、前記遮光膜と画素電極との電気的なコンタクト性が
悪いと液晶にかかる電界にむらが生じることがあるが、
前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した場合では、液
晶層にかかる電界を均一にすることができる。
場合には、該遮光膜をパターニングする際に、下層の層
間絶縁膜に与えるダメージを抑えることができる。ま
た、前記遮光膜と画素電極との電気的なコンタクト性が
悪いと液晶にかかる電界にむらが生じることがあるが、
前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した場合では、液
晶層にかかる電界を均一にすることができる。
【００１４】本発明の請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法は、互いに直交する複数のゲート信号線、ソース
信号線及びマトリクス状のスイッチング素子を有し、該
ゲート信号線、ソース信号線、スイッチング素子を覆う
ようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜が設けら
れ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して
前記スイッチング素子と接続された画素電極を備え、前
記スイッチング素子上の層間絶縁膜に凹部が形成され、
前記スイッチング素子のチャネル領域を遮光する遮光膜
が、前記凹部に沿って形成されている液晶表示装置の製
造方法であって、基板上にゲート信号線、ゲート絶縁
膜、スイッチング素子、ソース信号線を順次形成しパタ
ーニングする工程と、これらを覆って層間絶縁膜を形成
し、該層間絶縁膜のコンタクトホール形成領域及び凹部
形成領域に照射される光量が異なる露光マスクを用い
て、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及び凹部を同時
に形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とす
るものである。
造方法は、互いに直交する複数のゲート信号線、ソース
信号線及びマトリクス状のスイッチング素子を有し、該
ゲート信号線、ソース信号線、スイッチング素子を覆う
ようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜が設けら
れ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して
前記スイッチング素子と接続された画素電極を備え、前
記スイッチング素子上の層間絶縁膜に凹部が形成され、
前記スイッチング素子のチャネル領域を遮光する遮光膜
が、前記凹部に沿って形成されている液晶表示装置の製
造方法であって、基板上にゲート信号線、ゲート絶縁
膜、スイッチング素子、ソース信号線を順次形成しパタ
ーニングする工程と、これらを覆って層間絶縁膜を形成
し、該層間絶縁膜のコンタクトホール形成領域及び凹部
形成領域に照射される光量が異なる露光マスクを用い
て、前記層間絶縁膜にコンタクトホール及び凹部を同時
に形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とす
るものである。
【００１５】したがって、前記コンタクトホール及び凹
部を別工程で形成する必要がないため、従来の製造方法
に比べて製造工程の増加を伴うことなく製造することが
可能となる。
部を別工程で形成する必要がないため、従来の製造方法
に比べて製造工程の増加を伴うことなく製造することが
可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、図１
を用いて以下に説明する。図１の（ａ）は本実施形態に
おける液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の平面図を
示し、図１の（ｂ）に図１の（ａ）のＡ−Ａ断面図を示
す。同図において、１はガラス等の透光性基板、２はゲ
ート信号線２０から延出して形成されたゲート電極、３
は容量配線、４はゲート絶縁膜、５はアモルファスＳｉ
層、６はソース電極、７はドレイン電極、８はソース信
号線、９は接続電極、１０はチャネル保護膜、１１は遮
光膜、１２は層間絶縁膜、１３は画素電極、１４はコン
タクトホール、１５はＴＦＴをそれぞれ示している。な
お、本実施形態では、前記ソース信号線８及び接続電極
９を、透明導電膜３１、４１及び金属層３２、４２を積
層したものを用いている。
を用いて以下に説明する。図１の（ａ）は本実施形態に
おける液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の平面図を
示し、図１の（ｂ）に図１の（ａ）のＡ−Ａ断面図を示
す。同図において、１はガラス等の透光性基板、２はゲ
ート信号線２０から延出して形成されたゲート電極、３
は容量配線、４はゲート絶縁膜、５はアモルファスＳｉ
層、６はソース電極、７はドレイン電極、８はソース信
号線、９は接続電極、１０はチャネル保護膜、１１は遮
光膜、１２は層間絶縁膜、１３は画素電極、１４はコン
タクトホール、１５はＴＦＴをそれぞれ示している。な
お、本実施形態では、前記ソース信号線８及び接続電極
９を、透明導電膜３１、４１及び金属層３２、４２を積
層したものを用いている。
【００１７】図１の（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１
２には、ＴＦＴ１５上の領域において凹部１６が設けら
れており、該凹部１６の上に遮光膜１１が形成されてい
る。したがって、ＴＦＴ基板の背面に設けられる図示し
ないバックライトから照射された光は、該遮光膜１１で
反射したとしてもＴＦＴ１５のチャネル領域に入射する
光を大幅に減少させるので、ＴＦＴ１５の特性劣化を抑
えることができる。
２には、ＴＦＴ１５上の領域において凹部１６が設けら
れており、該凹部１６の上に遮光膜１１が形成されてい
る。したがって、ＴＦＴ基板の背面に設けられる図示し
ないバックライトから照射された光は、該遮光膜１１で
反射したとしてもＴＦＴ１５のチャネル領域に入射する
光を大幅に減少させるので、ＴＦＴ１５の特性劣化を抑
えることができる。
【００１８】なお、前記凹部１６のテーパ角度はプロセ
ス上の制御を考慮すると３０°から６０°、特に４５°
程度が好ましい。
ス上の制御を考慮すると３０°から６０°、特に４５°
程度が好ましい。
【００１９】以下に、本実施形態の液晶表示装置の製造
方法について、図１の（ａ）におけるＡ−Ａ断面におけ
る断面フロー図を用いて説明する。
方法について、図１の（ａ）におけるＡ−Ａ断面におけ
る断面フロー図を用いて説明する。
【００２０】まず、図２の（ａ）に示されるように、透
光性基板１上にＴａ等の金属からなるゲート信号線（図
示せず）及びこれから延出して形成されるゲート電極
２、及び容量配線３を形成し、所定の形状にパターニン
グする。
光性基板１上にＴａ等の金属からなるゲート信号線（図
示せず）及びこれから延出して形成されるゲート電極
２、及び容量配線３を形成し、所定の形状にパターニン
グする。
【００２１】続いて、図２の（ｂ）に示されるように、
前記ゲート電極２及び容量配線３を覆うようにゲート絶
縁膜４を形成した後、アモルファスＳｉ層５、及びソー
ス電極６、ドレイン電極７となるｎ+型アモルファスＳ
ｉ層を順次形成し、図示した形状にパターニングする。
前記ゲート電極２及び容量配線３を覆うようにゲート絶
縁膜４を形成した後、アモルファスＳｉ層５、及びソー
ス電極６、ドレイン電極７となるｎ+型アモルファスＳ
ｉ層を順次形成し、図示した形状にパターニングする。
【００２２】続いて、図２の（ｃ）に示されるように、
ソース信号線８、接続電極９となる透明導電膜３１、４
１及び金属層３２、４２を順次形成し、所定の形状にパ
ターニングする。更に、前記透明導電膜３１、４１及び
金属層３２、４２を順次パターニングした後、レジスト
パターン後或いは金属層３２、４２をエッチングマスク
としてチャネル領域２１をエッチングすることによっ
て、前記ｎ+型アモルファスＳｉ層をソース電極６、ド
レイン電極７に分割する。更に、これらを覆うチャネル
保護膜１０を形成し、ＴＦＴを作製する。
ソース信号線８、接続電極９となる透明導電膜３１、４
１及び金属層３２、４２を順次形成し、所定の形状にパ
ターニングする。更に、前記透明導電膜３１、４１及び
金属層３２、４２を順次パターニングした後、レジスト
パターン後或いは金属層３２、４２をエッチングマスク
としてチャネル領域２１をエッチングすることによっ
て、前記ｎ+型アモルファスＳｉ層をソース電極６、ド
レイン電極７に分割する。更に、これらを覆うチャネル
保護膜１０を形成し、ＴＦＴを作製する。
【００２３】なお、図示していないが、前記アモルファ
スＳｉ層５の上部に、その上に形成されるｎ+型アモル
ファスＳｉ層のエッチング時に受けるダメージを防ぐた
めのエッチングストッパを形成しても良い。
スＳｉ層５の上部に、その上に形成されるｎ+型アモル
ファスＳｉ層のエッチング時に受けるダメージを防ぐた
めのエッチングストッパを形成しても良い。
【００２４】続いて、感光性のアクリル系樹脂等からな
る層間絶縁膜１２をスピン塗布法等の手法によって基板
全面に形成する。前記層間絶縁膜１２としては、アクリ
ル系樹脂の他にもフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂等を
用いることもできる。続いて、図２の（ｄ）に示される
ように、前記層間絶縁膜１２に対してコンタクトホール
１４形成領域及びＴＦＴ上の凹部１６形成領域にのみ光
が照射される露光マスクを介して露光し、アルカリ性の
溶液によって処理する。このとき、ＴＦＴ上の凹部１６
に照射される光の光量を小さく抑えるために、該凹部に
対応する露光マスクは半透明とするか、或いは微細なメ
ッシュ状のパターンとする。このように、露光時に前記
凹部１６に照射される光の光量を小さく抑えることによ
って、層間絶縁膜１２を貫くコンタクトホール１４の形
成と、層間絶縁膜の途中まで形成される凹部１６の形成
とを同時に行うことができる。
る層間絶縁膜１２をスピン塗布法等の手法によって基板
全面に形成する。前記層間絶縁膜１２としては、アクリ
ル系樹脂の他にもフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂等を
用いることもできる。続いて、図２の（ｄ）に示される
ように、前記層間絶縁膜１２に対してコンタクトホール
１４形成領域及びＴＦＴ上の凹部１６形成領域にのみ光
が照射される露光マスクを介して露光し、アルカリ性の
溶液によって処理する。このとき、ＴＦＴ上の凹部１６
に照射される光の光量を小さく抑えるために、該凹部に
対応する露光マスクは半透明とするか、或いは微細なメ
ッシュ状のパターンとする。このように、露光時に前記
凹部１６に照射される光の光量を小さく抑えることによ
って、層間絶縁膜１２を貫くコンタクトホール１４の形
成と、層間絶縁膜の途中まで形成される凹部１６の形成
とを同時に行うことができる。
【００２５】続いて、図２の（ｅ）に示されるように、
ＩＴＯ等からなる画素電極１３をスパッタ法等により形
成しパターニングを行った後、金属からなる遮光膜１１
を形成し、前記凹部１６上にパターニングすることによ
って、ＴＦＴ基板が形成される。
ＩＴＯ等からなる画素電極１３をスパッタ法等により形
成しパターニングを行った後、金属からなる遮光膜１１
を形成し、前記凹部１６上にパターニングすることによ
って、ＴＦＴ基板が形成される。
【００２６】このようにして形成されたＴＦＴ基板と図
示しない対向電極及びカラーフィルタが形成されたカラ
ーフィルタ基板とを所定の間隙を保って貼合せ、該間隙
に液晶を封入し、図示しない駆動回路及び照明装置を組
み合わせることによって液晶表示装置が完成する。
示しない対向電極及びカラーフィルタが形成されたカラ
ーフィルタ基板とを所定の間隙を保って貼合せ、該間隙
に液晶を封入し、図示しない駆動回路及び照明装置を組
み合わせることによって液晶表示装置が完成する。
【００２７】この液晶表示装置は、ＴＦＴ基板上にＴＦ
Ｔ１５のチャネル領域を遮光する遮光膜１１が形成され
ているので、カラーフィルタ基板に遮光膜を形成する必
要が無くなり、カラーフィルタ基板を安価に形成するこ
とができると共に、前記遮光膜１１が、前記ＴＦＴ１５
のチャネル領域上の層間絶縁膜１２に形成された凹部に
沿って形成されているため、バックライトからの光が遮
光膜１１で反射してもＴＦＴ１５のチャネル領域に照射
される光を大幅に減少させることができる。
Ｔ１５のチャネル領域を遮光する遮光膜１１が形成され
ているので、カラーフィルタ基板に遮光膜を形成する必
要が無くなり、カラーフィルタ基板を安価に形成するこ
とができると共に、前記遮光膜１１が、前記ＴＦＴ１５
のチャネル領域上の層間絶縁膜１２に形成された凹部に
沿って形成されているため、バックライトからの光が遮
光膜１１で反射してもＴＦＴ１５のチャネル領域に照射
される光を大幅に減少させることができる。
【００２８】また、前記遮光膜１１が画素電極１３の上
に形成されているので、前記遮光膜１１をパターニング
する際に、下層の層間絶縁膜１２に与えるダメージを抑
えることができる。
に形成されているので、前記遮光膜１１をパターニング
する際に、下層の層間絶縁膜１２に与えるダメージを抑
えることができる。
【００２９】なお、前記遮光膜１１は、図３に示すよう
に層間絶縁膜１２と画素電極１３との間に形成しても良
い。図１に示す構造の場合、前記遮光膜と画素電極との
電気的なコンタクト性が悪いと液晶にかかる電界にむら
が生じることがあるが、図３に示す場合、遮光膜１１形
成箇所においても液晶層にかかる電界を均一にすること
ができる。
に層間絶縁膜１２と画素電極１３との間に形成しても良
い。図１に示す構造の場合、前記遮光膜と画素電極との
電気的なコンタクト性が悪いと液晶にかかる電界にむら
が生じることがあるが、図３に示す場合、遮光膜１１形
成箇所においても液晶層にかかる電界を均一にすること
ができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の液晶表示装置は、スイッチング素子上の層間絶縁
膜に凹部が形成され、前記スイッチング素子のチャネル
領域を遮光する遮光膜が、前記凹部に沿って形成されて
いるので、バックライトからの光が前記遮光膜で反射し
たとしても、ＴＦＴのチャネル領域に入射する反射光を
大幅に減少させることができるという効果を奏する。
記載の液晶表示装置は、スイッチング素子上の層間絶縁
膜に凹部が形成され、前記スイッチング素子のチャネル
領域を遮光する遮光膜が、前記凹部に沿って形成されて
いるので、バックライトからの光が前記遮光膜で反射し
たとしても、ＴＦＴのチャネル領域に入射する反射光を
大幅に減少させることができるという効果を奏する。
【００３１】前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した
場合には、該遮光膜をパターニングする際に、下層の層
間絶縁膜に与えるダメージを抑えることができる。ま
た、前記遮光膜と画素電極との電気的なコンタクト性が
悪いと液晶にかかる電界にむらが生じることがあるが、
前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した場合では、液
晶層にかかる電界を均一にすることができる。
場合には、該遮光膜をパターニングする際に、下層の層
間絶縁膜に与えるダメージを抑えることができる。ま
た、前記遮光膜と画素電極との電気的なコンタクト性が
悪いと液晶にかかる電界にむらが生じることがあるが、
前記遮光膜を前記層間絶縁膜上に形成した場合では、液
晶層にかかる電界を均一にすることができる。
【００３２】本発明の請求項４記載の液晶表示装置の製
造方法は、基板上にゲート信号線、ゲート絶縁膜、スイ
ッチング素子、ソース信号線を順次形成しパターニング
する工程と、これらを覆って層間絶縁膜を形成し、該層
間絶縁膜のコンタクトホール形成領域及び凹部形成領域
に照射される光量が異なる露光マスクを用いて、前記層
間絶縁膜にコンタクトホール及び凹部を同時に形成する
工程と、を少なくとも有しているので、前記コンタクト
ホール及び凹部を別工程で形成する必要がなく、従来の
製造方法に比べて製造工程の増加を伴わずに製造するこ
とができるという効果を奏する。
造方法は、基板上にゲート信号線、ゲート絶縁膜、スイ
ッチング素子、ソース信号線を順次形成しパターニング
する工程と、これらを覆って層間絶縁膜を形成し、該層
間絶縁膜のコンタクトホール形成領域及び凹部形成領域
に照射される光量が異なる露光マスクを用いて、前記層
間絶縁膜にコンタクトホール及び凹部を同時に形成する
工程と、を少なくとも有しているので、前記コンタクト
ホール及び凹部を別工程で形成する必要がなく、従来の
製造方法に比べて製造工程の増加を伴わずに製造するこ
とができるという効果を奏する。
【図１】本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面
図及び断面図である。
図及び断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造工程
を示すフロー図である。
を示すフロー図である。
【図３】本発明の別の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】従来技術の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図５】従来技術の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図６】従来技術の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
１ 透光性基板 ２ ゲート電極 ３ 容量配線 ４ ゲート絶縁膜 ５ アモルファスＳｉ層 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ ソース信号線 ９ 接続用電極 １０ チャネル保護膜 １１ 遮光膜 １２ 層間絶縁膜 １３ 画素電極 １４ コンタクトホール １５ ＴＦＴ １６ 凹部 ２０ ゲート信号線 ２１ チャネル領域 ３１ 透明導電膜 ３２ 金属層 ４１ 透明導電膜 ４２ 金属層
Claims (4)
- 【請求項１】 互いに直交する複数のゲート信号線及び
ソース信号線と、マトリクス状のスイッチング素子を有
し、該ゲート信号線、ソース信号線及びスイッチング素
子を覆うようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜が
設けられ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを
介して前記スイッチング素子と接続された画素電極を備
えた液晶表示装置において、 前記スイッチング素子上の層間絶縁膜に凹部が形成さ
れ、前記スイッチング素子のチャネル領域を遮光する遮
光膜が、前記凹部に沿って形成されていることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜が、前記層間絶縁膜上に形成
される画素電極上に形成されていることを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光膜が前記層間絶縁膜上に形成さ
れ、該遮光膜を覆うように画素電極が形成されているこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 互いに直交する複数のゲート信号線、ソ
ース信号線及びマトリクス状のスイッチング素子を有
し、該ゲート信号線、ソース信号線、スイッチング素子
を覆うようにコンタクトホールを有する層間絶縁膜が設
けられ、前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを介
して前記スイッチング素子と接続された画素電極を備
え、前記スイッチング素子上の層間絶縁膜に凹部が形成
され、前記スイッチング素子のチャネル領域を遮光する
遮光膜が、前記凹部に沿って形成されている液晶表示装
置の製造方法であって、 基板上にゲート信号線、ゲート絶縁膜、スイッチング素
子、ソース信号線を順次形成しパターニングする工程
と、 これらを覆って層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜のコ
ンタクトホール形成領域及び凹部形成領域に照射される
光量が異なる露光マスクを用いて、前記層間絶縁膜にコ
ンタクトホール及び凹部を同時に形成する工程と、を少
なくとも有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19678697A JPH1138437A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19678697A JPH1138437A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138437A true JPH1138437A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16363626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19678697A Pending JPH1138437A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1138437A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100380895B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2003-04-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100439925B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-07-12 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100729561B1 (ko) * | 2000-06-19 | 2007-06-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100854948B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2008-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 블랙매트릭스의 구조를 개선한 투과형 액정표시장치와 그제조방법 |
| US9035300B2 (en) | 2013-05-24 | 2015-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate comprising a thin film transistor and a pixel electrode |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP19678697A patent/JPH1138437A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100380895B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2003-04-23 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| US6795143B1 (en) | 1999-09-22 | 2004-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| KR100729561B1 (ko) * | 2000-06-19 | 2007-06-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100439925B1 (ko) * | 2000-11-22 | 2004-07-12 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정 표시 장치 |
| KR100854948B1 (ko) * | 2002-06-03 | 2008-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 블랙매트릭스의 구조를 개선한 투과형 액정표시장치와 그제조방법 |
| US9035300B2 (en) | 2013-05-24 | 2015-05-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate comprising a thin film transistor and a pixel electrode |
| US9977303B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-05-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and method of manufacturing the same |
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