JPH1031228A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率が大きく、コントラストが高いバスラ
イン遮光方式の液晶表示装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 透明基板１１上にゲートバスライン１
３、ドレインバスライン及びＴＦＴ等を形成し、これら
をアクリル樹脂等からなる平坦化層２６で被覆する。そ
して、平坦化層２６にゲートバスライン１３及びドレイ
ンバスラインに沿って、段差が１μｍ以上の溝１０又は
凸部を形成した後、全面にＩＴＯ膜を成膜する。この成
膜時に、溝１０又は凸部の部分でＩＴＯ膜の段切れが発
生し、各画素領域毎にＩＴＯ膜が電気的に分離して、画
素電極２８が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画素毎にスイッチ
ング素子が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示
装置及びその製造方法に関し、特にバスラインにより画
素間の領域を遮光するようにしてブラックマトリクスを
不要としたバスライン遮光方式の液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１４は従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を示す平面図、図１５は図１４のＡ３−Ａ
３線による断面図、図１６は図１４のＢ３−Ｂ３線によ
る断面図、図１７は図１４のＣ３−Ｃ３線による断面図
である。この液晶表示装置は、相互に対向して配置され
た一対の透明基板（ガラス基板）５１，７１と、これら
の透明基板５１，７１の間に封入された液晶６０と、一
対の基板５１，７１を挟んで配置された一対の偏光板
（図示せず）とにより構成されている。

【０００３】一方の基板５１の表面上（対向面側）には
複数のゲートバスライン（走査バスライン）５２及び複
数のドレインバスライン（信号バスライン）５３が上か
ら見て直角に交差するように形成されており、そのバス
ライン５２，５３で囲まれた領域には、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）７０とＩＴＯ（インジウム酸化スズ）によ
り形成された画素電極６８とが配設されている。ＴＦＴ
７０は、図１５に示すように、ゲート電極５２ａと、こ
のゲート電極５２ａ上に絶縁層６１を介して形成された
アモルファスシリコン層６２と、このアモルファスシリ
コン層６２上に相互に離隔して形成されたドレイン電極
６３及びソース電極６４とにより構成されている。ゲー
ト電極５２ａはゲートバスライン５２に接続され、ドレ
イン電極６３はドレインバスライン５３に接続されてい
る。そして、基板５１上にはこれらのＴＦＴ７０及びバ
スライン５２，５３を覆うようにして絶縁層６７が形成
されており、この絶縁層６７上には画素毎に画素電極６
８が形成されている。この画素電極６８は絶縁層６７に
設けられたコンタクト孔６７ａを介してソース電極６４
に接続されている。そして、これらの画素電極６８上に
は配向膜６９が形成されている。

【０００４】また、他方の透明基板７１の対向面（下
面）には、画素毎にＲ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）のい
ずれか一色のカラーフィルタ７２が設けられており、こ
れらのカラーフィルタ７２の間には、金属製の遮光膜
（以下、ブラックマトリクスという）７３が形成されて
いる。これらのカラーフィルタ７２及びブラックマトリ
クス７３は透明なオーバーコート層７４により覆われて
おり、このオーバーコート層７４の表面上には透明な共
通電極７５と配向膜７６とが積層されている。

【０００５】なお、図１４，１６の符号６６は容量電極
であり、この容量電極６６はゲートバスライン５２及び
その上の絶縁層６１とともに補助容量を構成するもので
ある。この容量電極は６６は絶縁層６７に設けられたコ
ンタクト孔６８ｂを介して隣接する画素の画素電極６８
に接続される。ところで、従来、画素電極６８とバスラ
イン５２，５３との間には、短絡防止等のために数μｍ
のギャップが設けられている。仮に、図１４〜図１７に
示す液晶表示装置にブラックマトリクス７３が設けられ
ていないとすると、画素電極６８の間の領域では光の透
過率を制御することができないため、この領域では常に
光が透過するいわゆる光抜けを生じ、画像のコントラス
トが著しく低下する。このため、上述の如く、従来はブ
ラックマトリクス７３を設け、画素電極６８間の領域で
光抜けを防止して画像のコントラストを高めている。

【０００６】しかし、ブラックマトリクス７３は、パタ
ーン形成時の位置ずれ等を考慮して画素電極６８間の間
隔よりも若干太く形成する必要がある。このため、図１
４〜図１７に示す従来の液晶表示装置では、実際に光が
通過する領域が狭められて開口率が低減してしまうとい
う欠点がある。そこで、これを解決する方法として、画
素電極６８となるＩＴＯ膜をゲートバスライン５２及び
ドレインバスライン５３の上方にまで延在させ、バスラ
イン５２，５３により画素間の領域を遮光するいわゆる
バスライン遮光方式の液晶表示装置が検討されている。

【０００７】図１８〜図２０はバスライン遮光方式の液
晶表示装置の下側基板を示す断面図である。但し、これ
らの図１８〜図２０はそれぞれ図１５〜図１７に対応し
た部分の断面であり、同一物には同一符号を付してその
詳しい説明は省略する。また、図１８〜図２０では配向
膜の図示を省略している。透明基板５１上には複数のゲ
ートバスライン５２及び複数のドレインバスライン５３
が上から見て直角に交差するように形成されている。そ
して、これらのゲートバスライン５２及びドレインバス
ライン５３に囲まれた領域にはそれぞれＴＦＴ７０及び
画素電極６８が設けられている。

【０００８】そして、基板５１上にはバスライン５２，
５３及びＴＦＴ７０を覆うようにして平坦化層８１が形
成されており、この平坦化層８１上にＩＴＯからなる画
素電極６８が形成されている。これらの画素電極６８
は、バスライン５２，５３の上方まで延び出している。
この種のバスライン遮光方式の液晶表示装置では、バス
ライン５２，５３により画素間の領域を遮光するため、
ブラックマトリクスが不要であり、開口率が大きく、コ
ントラストが高い画像が得られる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のバスライン遮光方式の液晶表示装置では、以下
に示す問題点がある。すなわち、各画素電極６８はバス
ライン５２，５３の上方の領域で隣接する画素電極６８
と電気的に分離する必要がある。この場合、パターン形
成時の位置ずれのマージンを考慮して、画素電極６８と
バスライン５２，５３との重ね幅は少なくとも１〜３μ
ｍ程度必要である。更に、画素電極同士の間隔もある程
度必要になる。すなわち、バスライン幅は、マージンを
α、画素電極間の間隔をβとすると、（２α＋β）以上
必要になる。

【００１０】しかし、バスライン幅を大きくすると液晶
表示装置の開口率が低下してしまうので好ましくない。
そこで、従来は、バスライン幅低減のために、画素電極
間の間隔を２〜６μｍ程度と小さくしている。しかし、
画素電極間の間隔が小さいと、画素電極となるＩＴＯ膜
のパターニングが困難になり、各画素電極の間にエッチ
ング残りが発生し、画素電極同士が短絡して歩留りが低
下するという問題点がある。

【００１１】本発明の目的は、従来よりも更に開口率が
大きく、コントラストが高いバスライン遮光方式の液晶
表示装置を提供することである。また、本発明の他の目
的は、画素電極間の間隔を短くすることができて、且つ
画素電極間の短絡を防止できるバスライン遮光方式の液
晶表示装置の製造方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、一対の
透明基板と、前記一対の透明基板の間に封入された液晶
と、前記一対の透明基板のうちの一方の透明基板上に相
互に平行に配置された複数の走査バスラインと、前記一
方の透明基板上に前記走査バスラインに交差して配置さ
れた複数の信号バスラインと、前記走査バスライン及び
前記信号バスラインを被覆する絶縁層と、前記走査バス
ライン及び前記信号バスラインに囲まれた各領域の前記
絶縁層上にそれぞれ形成された透明の画素電極と、前記
絶縁層に前記走査バスライン及び前記信号バスラインに
沿って設けられていて各画素電極の間を電気的に分離す
る段差部とを有することを特徴とする液晶表示装置によ
り解決する。

【００１３】また、上記した課題は、一対の透明基板
と、前記一対の透明基板の間に封入された液晶と、一方
の透明基板に格子状に設けられた溝と、前記溝内に形成
された走査バスライン及び信号バスラインと、前記溝に
囲まれた前記透明基板上の各領域にそれぞれ配置され、
前記溝により相互に分離された透明の画素電極とを有す
ることを特徴とする液晶表示装置により解決する。

【００１４】更に、上記した課題は、透明基板上に複数
の走査バスライン及び複数の信号バスラインを交差する
ようにして形成する工程と、前記透明基板上に前記走査
バスライン及び前記信号バスラインを覆う絶縁層を形成
する工程と、前記絶縁層に前記走査バスライン及び前記
信号バスラインに沿って溝又は凸部を形成する工程と、
前記絶縁層上に透明導電体膜を形成し、前記溝又は凸部
により段切れを発生させて前記溝又は凸部に囲まれた領
域毎に前記透明導電体膜を絶縁分離して画素電極を形成
する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
造方法により解決する。

【００１５】更にまた上記した課題は、透明基板に格子
状に溝を形成する工程と、前記溝内に走査バスライン及
び信号バスラインを形成する工程と、前記溝により囲ま
れた領域の前記基板上に透明導電体膜を形成し、前記溝
により段切れを発生させて各領域毎に前記透明導電体膜
を絶縁分離させ画素電極を形成する工程とを有すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。

【００１６】本発明においては、走査バスライン及び信
号バスライン上の絶縁層に溝又は凸状の段差を設け、こ
れにより画素電極材料を成膜する際に段切れを発生させ
ることによって、隣接する画素電極との間を電気的に分
離する。例えば、ＩＴＯ膜を０．１μｍ程度の厚さに成
膜する際に、段差部の側壁が垂直又は垂直に近い状態で
あるとすると、高低差が１μｍ以上の段差で段切れが確
実に発生する。本発明では、このようにして画素電極材
料の成膜時に段切れを発生させて画素電極間を相互に分
離するので、導電体膜をエッチングしてパターニングす
る従来の方法に比べて各画素電極を確実に分離すること
ができる。これにより、画素電極間の間隔を小さくして
開口率を高め、コントラストを向上させることができ
る。

【００１７】前記段差部は、例えばバスライン上に設け
た絶縁性の樹脂を凹状にエッチングしたり、凸部が残る
ようにエッチングして形成する。また、透明基板のバス
ラインが設けられる部分に深い溝を形成し、この溝の中
にバスラインを埋設してもよい。バスラインを形成した
後も段差は十分深く（１μｍ以上）残るようにしておく
ことにより、ＩＴＯ膜を成膜する際に段切れを発生させ
ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
に係る液晶表示装置の平面図、図２は図１のＡ１−Ａ１
線による断面図、図３は図１のＢ１−Ｂ１線による断面
図、図４は図１のＣ１−Ｃ１線による断面図である。

【００１９】本実施の形態の液晶装置は、相互に対向し
て配置された一対の透明基板（ガラス基板１１，１と、
これらの基板１１，１の間に封入された液晶１０と、一
対の基板１１，１を挟んで配置された一対の偏光板（図
示せず）とにより構成されている。下側の透明基板１１
上には、一方向に延びる複数本のゲートバスライン（走
査バスライン）１２と、前記一方向に直交する方向に延
びる複数本のドレインバスライン（信号バスライン）１
３とが形成されている。これらのゲートバスライン１２
とドレインバスライン１３とが交差する部分では両者の
間には絶縁層２１が設けられており、両者が短絡しない
ようになっている。また、これらのゲートバスライン１
２とドレインバスライン１３とに囲まれた各領域には、
ＩＴＯからなる画素電極２８と、ＴＦＴ１５とが形成さ
れている。

【００２０】ＴＦＴ１５は、図２に示すように、ゲート
バスライン１２に接続されたゲート電極１２ａと、この
ゲート電極１２ａを覆う絶縁層２１と、この絶縁層２１
上に選択的に形成されたアモルファスシリコン層２２
と、このアモルファスシリコン層２２上にゲート電極１
２ａを挟むようにして形成されたドレイン電極２３及び
ソース電極２４とにより形成されている。これらの上に
は、例えばアクリル樹脂等のように誘電率が低い材料か
らなる平坦化層（絶縁層）２６が形成されており、この
平坦化層２６上に画素電極２８が形成されている。そし
て、この画素電極２８は、平坦化層２６に形成された断
面がＶ字状の孔２６ａを介してソース電極２４に電気的
に接続されている。

【００２１】また、図３に示すように、ゲートバスライ
ン１２上には、各画素毎に、絶縁層２１を介して容量電
極２９が形成されている。この容量電極２９は、ゲート
バスライン１２及び絶縁層２１とともに補助容量を構成
するものであり、平坦化層２６に設けられた断面がＶ字
状の孔２６ｂを介して隣接画素の画素電極２８に電気的
に接続されている。

【００２２】各画素電極２８は、平坦化層２６に設けら
れた垂直な溝３０により相互に分離されている。なお、
溝３０は、上部の幅が狭く、底側ほど幅が広い逆テーパ
状の断面形状としてもよい。更に、基板１１上には各画
素電極２８を覆うようにして配向膜１７が形成されてい
る。一方、上側の透明基板１の対向面（下面）側には、
画素毎にＲ・Ｇ・Ｂのいずれか一色のカラーフィルタ２
が設けられている。また、これらのカラーフィルタ２は
オーバーコート層３に覆われており、このオーバーコー
ト層３の表面上には透明の共通電極４が形成されてい
る。更に、オーバーコート層３の表面上には配向膜５が
形成されている。

【００２３】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について説明する。まず、透明基板１１上にゲート
バスライン１２を形成する。その後、全面に絶縁層２１
を形成する。そして、この絶縁層２１上にアモルファス
シリコン層２２を選択的に形成する。次に、フォトリソ
グラフィ法を使用して、ゲート電極１２ａを挟むように
して、アモルファスシリコン層２２上にドレイン電極２
３及びソース電極２４を形成すると共に、絶縁層２１上
に、ゲートバスライン１２に交差するようにしてドレイ
ンバスライン１３を形成する。その後、全面に平坦化層
２６を１μｍ以上の厚さに形成する。この平坦化層２６
は、例えばアクリル樹脂をスピンコートして形成する。

【００２４】次に、エッチングガスとしてＯ₂ を使用し
てプラズマエッチングを行うことにより、平坦化層２６
に、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１３
に沿って幅が約４μｍ、深さが１μｍ以上の溝３０を形
成して、この溝３０により平坦化層２６を各画素領域に
分ける。また、フォトレジストに断面がＶ字状の孔を選
択的に形成した後、エッチングガスとしてＯ₂ を使用し
て前記フォトレジストとともに平坦化層２６をプラズマ
エッチングして、平坦化層２６に断面がＶ字状の孔２６
ａ，２６ｂを形成する。フォトレジストにＶ字状の孔を
形成するためには、露光マスクのＶ字状の孔２６ａ，２
６ｂに対応する部分の透過率を段階的に変化させたり、
露光マスクを基板から若干離して露光することにより光
をにじませて露光量を連続的に変化させる等の手法を使
用する。また、レジストとして感光性樹脂を使用する場
合は、ウェットエッチングによりＶ字状の孔２６ａ，２
６ｂを形成し、ドライエッチングにより溝３０を形成し
てもよい。溝３０の断面形状は矩形状又は逆テーパ状と
することが好ましく、孔２６ａ，２６ｂの壁面の角度は
基板面に垂直な線に対して約３０°以上とすることが好
ましい。

【００２５】次いで、基板１１上の全面にＩＴＯをスパ
ッタリングして画素電極２８となるＩＴＯ膜を形成す
る。このとき、溝３０の側壁部分にはＩＴＯが付着せ
ず、いわゆる段切れが発生して、溝３０の両側のＩＴＯ
膜が電気的に分断される。また、断面がＶ字状の孔２６
ａ，２６ｂの部分では、側壁の角度が比較的緩やかなた
め、側壁部分にＩＴＯが被着し、この側壁部に被着した
ＩＴＯによりソース電極２４と平坦化層２６上のＩＴＯ
膜とが電気的に接続される。また、ゲートバスライン１
２上の容量電極２９と隣接する画素領域のＩＴＯ膜とが
接続される。その後、ＩＴＯ膜を所定の形状にパターニ
ングして画素電極２８を形成する。そして、全面に配向
膜１７を形成し、この配向膜１７の表面をラビング処理
する。

【００２６】一方、上側基板１の表面上にＲ・Ｇ・Ｂの
カラーフィルタ２を形成し、全面にオーバーコート層３
を形成する。そして、このオーバーコート層３上に共通
電極４を形成し、この共通電極４を配向膜５で覆う。次
に、これらの基板１１，１をその配向膜１７、５側を対
向させて配置し、両者の間に液晶１０を封入し、基板１
１，１の外側に一対の偏光板（図示せず）を配置する。
これにより、本実施の形態に係る液晶表示装置が完成す
る。

【００２７】本実施の形態においては、ＩＴＯ膜形成時
に溝３０の部分で段切れを発生させて各画素電極２８を
電気的に分離するので、ＩＴＯ膜のエッチングにより各
画素電極を分離する従来方法に比べて、画素電極２８間
を極めて狭くすることができるとともに、各画素電極２
８を確実に分離することができて、歩留りが著しく向上
するという効果を奏する。また、バスライン１２，１３
で画素間の領域を遮光するので、ブラックマトリクスが
不要になり、開口率を大きくできる。これにより、コン
トラストが高い画像が得られる。更に、本実施の形態に
おいては、平坦化層２６の材料として誘電率が低いアク
リル樹脂を使用するので、バスラインと画素電極とによ
り構成される寄生容量を低くすることができる。

【００２８】なお、上述の実施の形態においては平坦化
層２６をエッチングして溝を形成する場合について説明
したが、平坦化層２６の材料としてネガタイプの感光性
樹脂を使用し、この感光性樹脂を塗布した後、選択露光
及び現像処理を行なって溝を形成してもよい。 （第２の実施の形態）図５は本発明の第２の実施の形態
に係る液晶表示装置を示す平面図、図６は同じくそのＴ
ＦＴ形成部近傍を示す斜視図、図７は図５のＡ２−Ａ２
線による断面図、図８は図５のＢ２−Ｂ２線による断面
図、図９は図５のＣ２−Ｃ２線による断面図である。な
お、本実施の形態において、上側基板については、第１
の実施の形態と同様であるので、上側基板の図示及びそ
の説明は省略する。

【００２９】透明基板１１には格子状に溝１１ａが形成
されており、一方向に延びる溝１１ａ内にはゲートバス
ライン４２が形成され、前記一方向に直交する方向に延
びる溝１１ａ内にはドレインバスライン４３が形成され
ている。これらのバスライン４２，４３が交差する部分
では、両者の間に絶縁層が設けられている。溝１１ａに
囲まれた各領域にはそれぞれＴＦＴ４５及び画素電極２
８が形成されている。ＴＦＴ４５は、図７に示すよう
に、基板１１上に形成されていてゲートバスライン４２
に電気的に接続されたゲート電極４２ａと、このゲート
電極４２ａ上に絶縁層４７を介して配設されたアモルフ
ァスシリコン層５２と、ゲート電極４２ａを挟むように
してアモルファスシリコン層５２に接続したドレイン電
極５３及びソース電極５４とにより構成されている。ド
レイン電極５３はドレインバスライン４３に接続されて
おり、ソース電極５４はコンタクト孔２８ａを介して画
素電極２８に接続されている。

【００３０】また、ゲートバスライン４２上には、絶縁
層４７を介して容量電極４９が形成されている。この容
量電極４９は、ゲートバスライン４２及びその上の絶縁
層４７とともに補助容量を構成するものであり、コンタ
クト孔２８ｂを介して隣接画素の画素電極２８に電気的
に接続されている。各画素電極２８はＩＴＯにより形成
されており、これらの画素電極２８は溝１１ａにより相
互に絶縁分離されている。

【００３１】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について説明する。まず、ガラス製の透明基板１１
に格子状に幅が４μｍ、深さが２μｍ以上の溝１１ａを
形成し、この溝１１ａにより透明基板１１を各画素領域
に分割する。そして、ＴＦＴ形成部及び保持容量形成部
部分には、イオンミーリング法等を使用して、図７，８
に示すように、一方の側に傾斜面を形成する。

【００３２】次に、一方向に延びる溝１１ａ内にゲート
バスライン４２を形成する。このとき同時に、溝１１ａ
内のゲートバスライン４２から基板１１上のＴＦＴ形成
領域まで導電体を延出させて、ゲート電極４２ａを形成
する。その後、ゲートバスライン４２及びゲート電極４
２ａ上に絶縁層４７を形成し、ＴＦＴ形成領域の絶縁層
４７上にアモルファスシリコン層５２を形成する。

【００３３】次に、前記一方向に直交する方向に延びる
溝１１ａ内にドレインバスライン４３を形成する。この
とき同時に、図７に示すように、アモルファスシリコン
層５２上にドレイン電極５３及びソース電極５４を相互
に離隔して形成するとともに、ドレイン電極５３とドレ
インバスライン４３とを電気的に接続する。更にこのと
き同時に、図８に示すように、ゲートバスライン４２の
上方に容量電極４９を形成する。

【００３４】そして、全面に絶縁層５６を形成した後、
この絶縁層５６にコンタクト孔２８ａ，２８ｂを選択的
に形成する。次に、スパッタリング法により、全面にＩ
ＴＯ膜を形成する。このとき、ＩＴＯ膜は溝１１ａ部分
で段切れが発生し、各画素領域上のＩＴＯ膜が電気的に
分離される。このＩＴＯ膜は、コンタクト孔２８ａを介
してソース電極５４に接続されるとともに、コンタクト
孔２８ｂを介して容量電極４９に接続される。その後、
ＩＴＯ膜を所定の形状のパターニングして画素電極２８
を形成する。

【００３５】次いで、全面に配向膜（図示せず）を形成
し、この配向膜の表面をラビング処理する。このように
して形成した下側基板を上側基板と対向させて配置し、
両者の間に液晶を封入する。そして、この一対の透明基
板を挟むようにして一対の偏光板を配置する。これによ
り、本実施の形態に係る液晶表示パネルが完成する。本
実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果
を得ることができる。また、本実施の形態においては、
透明基板１１に溝１１ａを形成するので、第１の実施の
形態に比べて平坦化層を形成する必要がなく、液晶表示
パネルの厚さが薄くなるという利点がある。

【００３６】なお、上述の実施の形態においては溝１１
ａ内にゲートバスライン４２及びドレインバスライン４
３を形成する場合について説明したが、ＴＦＴや容量電
極なども溝１１ａ内に形成することもできる。この場
合、バスラインの幅を狭くしてもバスラインの厚さを厚
くすることにより抵抗の増大を回避できる。また、画素
電極間の間隔が狭く、ＩＴＯ膜のエッチングにより画素
電極を形成する従来方法では画素電極同士の短絡が発生
しやすくなるが、本実施の形態では、基板１１に設けた
溝１１ａにより段切れを発生させて各画素電極２８を電
気的に分離するので、画素電極２８同士の短絡を確実に
回避できる。

【００３７】なお、図１０に示すように、基板１１に設
けた溝１１ａ内にゲートバスライン４２及びドレインバ
スライン４３を形成した後、第１の実施例と同様にして
全面に平坦化層２６を形成し、この平坦化層２６に溝１
１ａに対応させて溝１１ａよりも狭い幅で深さが１μｍ
以上の溝３０を形成し、この溝３０によりＩＴＯ膜の成
膜時に段切れを発生させて各画素電極２８を形成しても
よい。

【００３８】（第３の実施の形態）図１１〜図１３は本
発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置を示す断面
図である。なお、本実施の形態が第１の実施の形態と異
なる点は平坦化層２６に溝を設ける替りに凸部突起２６
ｃを設け、この凸部２６ｃにより各画素電極２８を分離
する点にあり、図１１〜図１３において図１〜図４と同
一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略す
る。

【００３９】以下、本実施の形態の液晶装置の製造方法
について説明する。すなわち、まず、第１の実施の形態
と同様にして基板１１上にゲートバスライン１２、ドレ
インバスライン１３、絶縁層２１、ＴＦＴ１５及び平坦
化層２６を形成した後、フォトリソグラフィ法により、
バスライン１２，１３の中央部に沿って平坦化層２６上
に格子状にレジスト膜（図示せず）を形成し、このレジ
スト膜をマスクにして平坦化層２６を１μｍ以上エッチ
バックして、幅が２〜４μｍの凸部２６ｃを形成する。
その後、前記レジストを除去する。なお、例えば平坦化
層２６の材料として感光性樹脂を使用し、露光及び現像
により平坦化層２６に凸部２６ｃを形成してもよい。

【００４０】次に、全面にＩＴＯを例えば０．１μｍの
厚さにスパッタリングする。これにより、凸部２６ｃで
ＩＴＯ膜の段切れが発生し、ＩＴＯ膜が各画素領域毎に
分断される。その後、ＩＴＯ膜を所定の形状にパターニ
ングして画素電極２８を形成する。なお、凸部２６ｃ上
に被着したＩＴＯ膜は、必要に応じて研磨等により除去
する。

【００４１】次いで、第１の実施の形態と同様に、全面
に配向膜（図示せず）を形成し、この配向膜の表面をラ
ビング処理する。このようにして形成した下側基板を上
側基板と対向させて配置し、両者の間に液晶を封入す
る。そして、この１対の透明基板を挟むように偏光板を
取付ける。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が
完成する。

【００４２】本実施の形態においても、第１の実施の形
態と同様の効果を得ることができる。なお、上述の第１
〜第３の実施の形態においては、いずれもアクティブ素
子として、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の
下方に位置するいわゆる逆スタガ型ＴＦＴの場合につい
て説明したが、これによりアクティブ素子が逆スタガ型
ＴＦＴに限定されるものでないことは勿論であり、アク
ティブ素子としては順スタガ型ＴＦＴやその他のスイッ
チング素子を使用することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る液晶
表示装置によれば、溝又は凸部などの段差部で画素電極
を分離しているので、画素電極間の間隔を短くすること
ができる。これにより、液晶表示装置の開口率が増大
し、コントラストが優れた画像を得ることができる。

【００４４】また、本発明方法によれば、画素電極とな
る導電体膜を成膜する際に、溝又は凸部等の段差部で段
切れを発生させて各画素電極間を分離するので、エッチ
ング等により画素電極間を分離する従来方法に比べ、画
素電極間の間隔を短縮できる。これにより、開口率が大
きく、コントラストの優れた画像を表示できる液晶表示
装置を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置
の平面図である。

【図２】図１のＡ１−Ａ１線による断面図である。

【図３】図１のＢ１−Ｂ１線による断面図である。

【図４】図１のＣ１−Ｃ１線による断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置
を示す平面図である。

【図６】第２の実施の形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ
形成部近傍を示す斜視図である。

【図７】図５のＡ２−Ａ２線による断面図である。

【図８】図５のＢ２−Ｂ２線による断面図である。

【図９】図５のＣ２−Ｃ２線による断面図である。

【図１０】第２の実施の形態の変形例を示す断面図であ
る。

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装
置のＴＦＴ形成部を示す断面図である。

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装
置のゲートバスライン部を示す断面図である。

【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装
置のドレインバスライン部を示す断面図である。

【図１４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す平面図である。

【図１５】図１４のＡ３−Ａ３線による断面図である。

【図１６】図１４のＢ３−Ｂ３線による断面図である。

【図１７】図１４のＣ３−Ｃ３線による断面図である。

【図１８】バスライン遮光方式の液晶表示装置の下側基
板のＴＦＴ形成部を示す断面図である。

【図１９】バスライン遮光方式の液晶表示装置の下側基
板のゲートバスラインを示す断面図である。

【図２０】バスライン遮光方式の液晶表示装置の下側基
板のドレインバスラインを示す断面図である。

【符号の説明】

１，１１，５１，７１ 透明基板 １１ａ，３０ 溝 ２，７２ カラーフィルタ ３，７４ オーバーコート層 ４，７５ 共通電極 ５，１７，６９，７６ 配向膜 １０，６０ 液晶 １２，４２，５２ ゲートバスライン １２ａ，４２ａ，５２ａ ゲート電極 １３，４３，５３ ドレインバスライン １５，４５，７０ ＴＦＴ ２１，４７，５６，６１，６７ 絶縁層 ２２，５２，６２ アモルファスシリコン層 ２３，５３，６３ ドレイン電極 ２４，５４，６４ ソース電極 ２６，８１ 平坦化層 ２６ａ，２６ｂ，２８ａ，２８ｂ，６８ａ，６８ｂ 孔 ２６ｃ 凸部 ２８，６８ 画素電極 ２９，４９，６６ 容量電極

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の透明基板と、 前記一対の透明基板の間に封入された液晶と、 前記一対の透明基板のうちの一方の透明基板上に相互に
   平行に配置された複数の走査バスラインと、 前記一方の透明基板上に前記走査バスラインに交差して
   配置された複数の信号バスラインと、 前記走査バスライン及び前記信号バスラインを被覆する
   絶縁層と、 前記走査バスライン及び前記信号バスラインに囲まれた
   各領域の前記絶縁層上にそれぞれ形成された透明の画素
   電極と、 前記絶縁層に前記走査バスライン及び前記信号バスライ
   ンに沿って設けられていて各前記画素電極の間を電気的
   に分離する段差部とを有することを特徴とする液晶表示
   装置。
2. 【請求項２】 前記段差部の段差が１μｍ以上であるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 一対の透明基板と、 前記一対の透明基板の間に封入された液晶と、 一方の透明基板に格子状に設けられた溝と、 前記溝内に形成された走査バスライン及び信号バスライ
   ンと、 前記溝に囲まれた前記透明基板上の各領域にそれぞれ配
   置され、前記溝により相互に分離された透明の画素電極
   とを有することを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記画素電極はＩＴＯからなることを特
   徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表
   示装置。
5. 【請求項５】 透明基板上に複数の走査バスライン及び
   複数の信号バスラインを交差するようにして形成する工
   程と、 前記透明基板上に前記走査バスライン及び前記信号バス
   ラインを覆う絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層に前記走査バスライン及び前記信号バスライ
   ンに沿って溝又は凸部を形成する工程と、 前記絶縁層上に透明導電体膜を形成し、前記溝又は凸部
   により段切れを発生させて前記溝又は凸部に囲まれた領
   域毎に前記透明導電体膜を絶縁分離して画素電極を形成
   する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記絶縁層の材料として感光性樹脂を使
   用し、前記溝又は凸部は感光性樹脂の膜を露光及び現像
   して形成することを特徴とする請求項５に記載の液晶表
   示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 透明基板に格子状に溝を形成する工程
   と、 前記溝内に走査バスライン及び信号バスラインを形成す
   る工程と、 前記溝により囲まれた領域の前記基板上に透明導電体膜
   を形成し、前記溝により段切れを発生させて各領域毎に
   前記透明導電体膜を絶縁分離させ画素電極を形成する工
   程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
   法。