WO2014141463A1 - 発光装置及び発光装置の検査方法 - Google Patents

Abstract

　第２電極（１５０）は、基板（１００）上の引出配線に接続している。第２電極（１５０）上には、被覆膜（２１０）が形成されている。被覆膜（２１０）上には、導電膜（２２０）が形成されている。また、基板（１００）の一面側には、電極パッドが形成されている。電極パッドは、被覆膜（２１０）に設けられた開口を介して、導電膜（２２０）に接続している。そして、電極パッドにプローブ端子を接触させ、かつ引出配線のうち被覆膜（２１０）で覆われていない部分に別のプローブ端子を接触させた状態で、２つのプローブ端子の間に電圧を加える。

Description

発光装置及び発光装置の検査方法

　本発明は、発光装置及び発光装置の検査方法に関する。

　照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機ＥＬ（organic electroluminescence）素子がある。有機ＥＬ素子は水分に弱いため、封止構造を有する必要がある。この封止構造の一つに、被覆膜を形成する方法がある。

　一方、被覆膜で有機ＥＬ素子を封止する場合、被覆膜には微小な穴が発生しやすい。特許文献１には、この微小な穴を検出する技術として、以下の技術が記載されている。まず、被覆膜の上に金属膜を形成する。次いで、金属膜を化成液に接触させて、金属膜を陽極として陽極酸化を行う。この工程において、被覆膜の微小な穴は拡大する。次いで、有機ＥＬ素子を発光させ、この拡大した穴の有無を確認する。

特開２００６－２７８０２１号公報

　特許文献１に記載の技術では、ピンホールの有無を目視等で確認する必要がある。目視等で分かる程度にピンホールを拡大させるためには、化成液による処理時間を長くする必要がある。このため、特許文献１に記載の方法を製造ラインに乗せた場合、有機ＥＬ素子を有する発光装置の製造効率が低下してしまう。

　本発明が解決しようとする課題としては、短い時間で被覆膜の不良を検出できるようにすることが一例として挙げられる。

　請求項１に記載の発明は、基板と、
　前記基板の一面側に位置しており、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に狭持されている有機層を有する有機ＥＬ素子と、
　前記有機ＥＬ素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
　前記第１電極との間、又は前記第２電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
　前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置である。

　請求項５に記載の発明は、基板と、
　前記基板の一面側に位置しており、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に狭持されている有機層を有する有機ＥＬ素子と、
　前記有機ＥＬ素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
　前記第１電極との間、又は前記第２電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
　前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置を準備する工程と、
　前記導電膜、並びに前記第１電極及び前記第２電極のうち前記被覆膜を挟んでいる電極との間を流れる電流を測定することにより、前記被覆膜の不良の有無を判断する工程と、
を備える発光装置の検査方法である。

　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＣ－Ｃ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 基板上の電極及び配線のレイアウトを説明するための平面図である。 図１のＤ－Ｄ断面図である。 発光装置における被覆膜の検査方法を説明するための図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図９のＡ－Ａ断面図である。 図９のＣ－Ｃ断面図である。 実施例３に係る発光装置の断面図である。 実施例３に係る発光装置の断面図である。 実施例３に係る発光装置の断面図である。 実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。

　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態）
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１のＡ－Ａ断面図であり、図３は図１のＣ－Ｃ断面図であり、図４は図１のＢ－Ｂ断面図である。図５は、基板１００上の電極及び配線のレイアウトを説明するための平面図である。

　発光装置１０は、例えばディスプレイや照明装置である。発光装置１０が照明装置である場合、発光装置１０は演色性を有していても良く、単色あるいは色可変なものであっても良い。照明装置としての発光装置１０は、後述する隔壁１７０を形成せずに、第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０が一面に形成されていてもよい。なお、以下の説明では、発光装置１０がディスプレイである場合を例示している。

　発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０（下部電極）、有機ＥＬ素子、絶縁層１２０、複数の第１開口１２２、複数の第２開口１２４、複数の引出配線１３０、有機層１４０、第２電極１５０（上部電極）、複数の引出配線１６０、及び隔壁１７０を有している。そして、有機ＥＬ素子は、有機層１４０を第１電極１１０及び第２電極１５０で挟んだ積層物で構成される。言い換えると、有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０が互いに重なった領域である。この有機ＥＬ素子は、複数の隔壁１７０の間に位置している。すなわち有機ＥＬ素子及び引出配線１６０は、基板１００の一面側に位置している。そして、有機ＥＬ素子によって画素が構成されている。

　基板１００は、例えばガラスや樹脂材料で形成されているが、他の材料によって形成されていても良い。

　第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、後述する図５に示すように、第１方向（図１におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子のほか、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブを網目状に形成するなどによって形成された透明電極である。また、第２電極１５０側から光を取り出すトップエミッション構造の場合、第１電極１１０は透明でなくても良い。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。

　引出配線１３０は、第１電極１１０と外部接続用の端子とを接続する配線である。引出配線１３０は、例えば、酸化導電材料であるＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、Ｃｒ、又はＡｇなどの金属材料又は合金で構成される金属配線であるが、金属以外の導電性材料によって形成された配線であっても良い。図１に示す例では、基板１００の上には、引出配線１３２及び引出配線１３０の順で形成されている。引出配線１３２は、第１電極１１０と同種の材料によって形成されている。本図に示す例では、引出配線１３０，１３２は第１開口１２２の近傍まで形成されている。図示の例では、第１電極１１０は絶縁膜１２０で覆われているが、第１電極１１０に電気的に接続される引出配線１３０及び引出配線１３２の少なくとも一部が覆われていても構わない。

　絶縁層１２０は、図１～図４に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０は、主としてポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良く、SiNなどの無機絶縁層をドライエッチングなどの化学エッチングで加工したものであっても良い。

　絶縁層１２０には、複数の第１開口１２２及び複数の第２開口１２４が形成されている。第１開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０の交点に位置している。複数の第１開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の第１開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向に並んでおり、かつ、第２電極１５０の延在方向にも並んでいる。このため、複数の第１開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

　第２開口１２４は、平面視で複数の第２電極１５０のそれぞれの一端に位置している。また第２開口１２４は、第１開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１におけるＹ方向）で見た場合、第２開口１２４は、第１電極１１０に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。第２開口１２４からは、引出配線１６０又は引出配線１６０の一部分が露出している。

　なお、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と、第２開口１２４を有する絶縁層１２０は同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０に対して基板１００の外周部側に、第２開口１２４を有する絶縁層１２０を形成してもよい。また、第１開口１２２を有する絶縁層１２０と第２開口１２４を有する絶縁層１２０は連続する層であってもよく、分離した層（分断している）であってよい。

　第１開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。図２に示す例では、有機層１４０は、正孔注入層１４２、発光層１４４、及び電子注入層１４６を積層したものである。なお、一部の有機層は、例えば、正孔注入層１４２、発光層１４４、電子注入層１４６、後述する正孔輸送層、又は電子輸送層を指す。正孔注入層１４２は第１電極１１０に接しており、電子注入層１４６は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。なお、正孔注入層１４２と発光層１４４の間には正孔輸送層が形成されても良いし、発光層１４４と電子注入層１４６の間には電子輸送層が形成されてもよい。いずれの場合においても、正孔注入層１４２は、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されている。また、正孔輸送層、発光層１４４、電子輸送層、及び電子注入層１４６の少なくとも一方も、インクジェット法によって形成されていても良い。

　なお、図２及び図３に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも第１開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図３に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う第１開口１２２の間にも連続して形成されていても、連続して形成していなくても構わない。ただし、図４に示すように、有機層１４０は、第２開口１２４の周囲には形成されていない。

　有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図１～図４に示すように、有機層１４０上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図１におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、例えばＡｇやＡｌなどの金属材料で形成された金属層、ＩＺＯなどの酸化導電材料で形成された層である。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２電極１５０を有している。一つの第２電極１５０は、複数の第１開口１２２上を通っている。第２電極１５０は引出配線１６０に接続している。図示の例では、第２電極１５０の端部が第２開口１２４上に位置することにより、第２開口１２４において第２電極１５０と引出配線１６０は接続している。なお、第２電極１５０側から光を取り出す場合は、第２電極１５０を透明または半透明となるように形成する。

　図１の例では、引出配線１６０の下には引出配線１６２が形成されている。図１に示す例では、引出配線１６２の幅は、引出配線１６０の幅に対して大きいが、小さくてもよい。引出配線１６０，１６２は、基板１００の第１面側のうち第１電極１１０及び引出配線１３０、１３２が形成されていない領域に形成されている。引出配線１６０は、例えば引出配線１３０と同時に形成されてもよいし、引出配線１３０とは別工程で形成されてもよい。同様に、引出配線１６２は、例えば引出配線１３２と同時に形成してもよいし、引出配線１３２とは別工程で形成されてもよい。

　引出配線１６２は、第１電極１１０を構成する材料と同種の又は異なる材料で形成されている。ここで同種の材料の例としては、第１電極１１０が酸化導電材料であるＩＴＯで形成されている場合、第１電極１１０を構成するＩＴＯと組成が異なるＩＴＯ、又はＩＺＯなどの酸化導電材が挙げられる。また異なる材料の例として、Ａｌ等の金属材料などが挙げられる。

　引出配線１６０の一端側の一部分は、絶縁層１２０に覆われており、かつ第２開口１２４にて露出している。そして第２開口１２４において、第２電極１５０は引出配線１６０に接続している。また、引出配線１６０の他端側の一部分は、絶縁層１２０の外側に引き出されている。すなわち、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０から露出している。この引出配線１６０の他端側の一部分において、引出配線１６０は引出配線１３０と略直交する方向に延在している。

　隣り合う第２電極１５０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１５０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１５０より前に形成しておくことで、複数の第２電極１５０を蒸着法やスパッタリング法を用いて一括で形成することができる。複数の第２電極１５０を一括で形成した場合、隔壁１７０の少なくとも下部には第２電極１５０となる導電層は形成されない。このため、隣り合う第２電極１５０を隔壁１７０により分断することができる。そして隔壁１７０の延在方向を変えることにより、第２電極１５０をストライプ形状、ドット形状、アイコン状、曲線などの自由な形状にパターニングできる。なお、隔壁１７０の上にも、第２電極１５０が形成されている。

　また、隔壁１７０は、隣り合う第２電極１５０の下に位置する有機層１４０を構成する塗布材料が互いに繋がることを防止する機能を有していても構わない。この場合、隔壁１７０は、有機層１４０より前に形成されている。

　本実施形態では、第２電極１５０上には、被覆膜２１０が形成されている。被覆膜２１０は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。ＡＬＤ法により成膜された膜は段差被覆性が高い。このため、被覆膜２１０は、第２電極１５０上のみではなく、隔壁１７０の側面及び上面にも連続して形成されている。被覆膜２１０は、有機ＥＬ素子を封止して水分などから保護するために設けられている。

　被覆膜２１０は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化膜であり、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。被覆膜２１０は、図１に示すように、絶縁層１２０、引出配線１６０、及び引出配線１３０を、絶縁層１２０に覆われていない側の端部を除いて覆っている。ただし、被覆膜２１０は、引出配線１３０，１６０の全体を覆っていても良い。

　そして、被覆膜２１０上には、導電膜２２０が形成されている。導電膜２２０は、平面視で、被覆膜２１０上のうち、有機ＥＬ素子が形成されている領域及びその周囲に形成されている。導電膜２２０は、例えばＡｌ膜又はＡｇ膜であり、スパッタリング法や蒸着法を用いて形成されている。このため、導電膜２２０は、隔壁１７０の上面上には形成されるが、隔壁１７０の側面には形成されない。そして導電膜２２０のうち隔壁１７０の上に位置する部分は、隔壁１７０の相互間に位置する部分（すなわち第２電極１５０の上に位置する部分）には接続していない。言い換えると、導電膜２２０のうち互いに連続している部分は、隔壁１７０が位置する部分に開口を有する形状となる。

　また、基板１００の一面側には、電極パッド２３０が形成されている。本図に示す例において、電極パッド２３０は、引出配線１３０と同一層に位置しており、引出配線１３０と同種の材料によって形成されている。そして電極パッド２３０の下には電極パッド２３２が形成されている。電極パッド２３２は、引出配線１３２と同一層に位置しており、電極パッド２３２と同種の材料によって形成されている。

　電極パッド２３０の一部は被覆膜２１０で覆われているが、他の一部（例えば端部）は被覆膜２１０から露出している。また電極パッド２３０の他の一部は、平面視で導電膜２２０と重なっている。ただし、後述するプローブ端子２４０が被覆膜２１０を突き破ることができる場合、電極パッド２３０の全てが被覆膜２１０に覆われていても良い。

　図６は、図１のＤ－Ｄ断面図である。本図に示すように、被覆膜２１０のうち平面視で電極パッド２３０と重なっている部分には、開口２１２が形成されている。そして電極パッド２３０は、被覆膜２１０に設けられた開口２１２を介して、導電膜２２０に接続している。

　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０、引出配線１３２，１６２、及び電極パッド２３２が形成される。

　次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１３２，１６２上に、引出配線１３０，１６０となる導電層を形成し、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、引出配線１３０，１６０、及び電極パッド２３０が形成される。

　次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び引出配線１３０，１６０上に絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０、第１開口１２２、及び第２開口１２４が形成される。例えば絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。

　次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、この隔壁１７０をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁１７０が形成される。隔壁１７０が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁１７０の断面形状を逆台形にすることができる。

　隔壁１７０がネガ型レジストである場合、このネガ型レジストは、露光光源から照射光が照射された部分が硬化する。そして、このネガ型レジストのうち未硬化部分を現像液で溶解除去することにより、隔壁１７０が形成される。

　次いで、第１開口１２２内に正孔注入層１４２、発光層１４４、及び電子注入層１４６を、この順に形成する。これらのうち少なくとも正孔注入層１４２は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。この場合、第１開口１２２内に塗布材料が入り込み、この塗布材料が乾燥することにより、上記した各層が形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層１４０のうち残りの層（例えば発光層１４４及び電子注入層１４６）は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。

　次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。

　なお、有機層１４０以外の層、例えば第１電極１１０、絶縁層１２０、引出配線１３０、引出配線１６０、第２電極１５０、及び隔壁１７０の少なくとも一つも、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。

　次いで、被覆膜２１０を、上述した方法を用いて形成する。次いで、被覆膜２１０上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして被覆膜２１０をエッチングする。これにより、被覆膜２１０には開口２１２が形成される。

　次いで、被覆膜２１０上に導電膜２２０を、上述した方法を用いて形成する。このとき、導電膜２２０の一部が開口２１２内に位置するようにする。これにより、導電膜２２０は電極パッド２３０に接続する。

　図７は、発光装置１０における被覆膜２１０の検査方法を説明するための図である。被覆膜２１０は有機ＥＬ素子を封止するために設けられている。このため、被覆膜２１０に微細な孔もしくはクラック、又は膜厚が薄い部分（以下、欠陥と記載）が存在していると、発光装置１０の信頼性は低下する。この欠陥は、被覆膜２１０が屈曲している部分（例えば隔壁１７０の側面の上端及び下端）で生じやすい。

　そこで本実施形態では、電極パッド２３０にプローブ端子２４０を接触させ、かつ引出配線１６０のうち被覆膜２１０で覆われていない部分にプローブ端子２４２を接触させた状態で、プローブ端子２４０及びプローブ端子２４２の間に電圧を加える。上記したように、電極パッド２３０は導電膜２２０に接続しており、引出配線１６０は第２電極１５０に接続している。このため、導電膜２２０と第２電極１５０の間には電圧が加わる。

　被覆膜２１０に微細な孔が存在していた場合、その孔を介して第２電極１５０と導電膜２２０が短絡するため、プローブ端子２４０とプローブ端子２４２の間に電流が流れる。また、短絡時に流れる電流により、短絡部分で第２電極１５０と導電膜２２０の間に赤外線が発生する。このため、プローブ端子２４０及びプローブ端子２４２の間に流れる電流を測定したり、赤外線の発光を測定することにより、被覆膜２１０の欠陥の有無を判断できる。また、平面視で被覆膜２１０と導電膜２２０が重なっている部分で発光がないか観察することによっても、被覆膜２１０の欠陥の有無を判断できる。なお、これらの測定及び観察の双方を行うのが好ましい。

　そして、プローブ端子２４２に接続している引出配線１６０を切り替えつつ、上記した検査を繰り返し行う。そして、欠陥が発見された場合、被覆膜２１０の修復を行う。なお、いずれの引出配線１６０に接続しているときに欠陥が発見されたかを記録しておくことにより、欠陥の位置を絞り込むことができる。このため、被覆膜２１０の修復を容易に行える。

　なお、隔壁１７０上に形成された第２電極１５０をいずれかの引出配線１６０に接続しておくと、被覆膜２１０の検査をさらに高い精度で行うことができる。

　以上、本実施形態によれば、被覆膜２１０上には導電膜２２０が形成されている。このため、被覆膜２１０は第２電極１５０及び導電膜２２０で挟まれている。そして、導電膜２２０は、電極パッド２３０に接続しており、第２電極１５０は引出配線１６０に接続している。このため、電極パッド２３０及び引出配線１６０の間に電圧を加えることにより、第２電極１５０と導電膜２２０の間に電圧を加えることができる。従って、被覆膜２１０の欠陥の有無を容易かつ短時間で判断することができる。

（実施例１）
　図８は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図１に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、電極パッド２３０，２３２の代わりに電極パッド２２２を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

　電極パッド２２２は、導電膜２２０の一部であり、平面視で第１電極１１０、第２電極１５０、引出配線１３０、及び引出配線１６０と重ならない領域に形成されている。導電膜２２０は、絶縁層１２０と重なっていても良いし、絶縁層１２０と重なっていなくても良い。また導電膜２２０は、被覆膜２１０と重なっていても良いし、被覆膜２１０と重なっていなくても良い。

　本実施例によっても、実施形態と同様に、被覆膜２１０の欠陥の有無を容易に判断することができる。また、被覆膜２１０に開口２１２を形成する必要がないため、製造工程数を削減できる。

（実施例２）
　図９は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１０は、図９のＡ－Ａ断面図であり、図１１は図９のＣ－Ｃ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態又は実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。

　まず、絶縁層１２０は、隔壁１７０の下にのみ設けられており、第２電極１５０と重なる領域には形成されていない。

　また、基板１００は、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）などの樹脂からなる薄い板（例えば樹脂フィルム）である。このため、発光装置１０は可撓性を有する。

　本実施例によっても、実施形態又は実施例１と同様に、被覆膜２１０の欠陥の有無を容易に判断することができる。

　また、絶縁層１２０をポリイミドで形成した場合、絶縁層１２０に水分が残っていると、この水分によって有機層１４０が劣化する可能性が出てくる。これを抑制するためには、一般的には絶縁層１２０の熱処理温度を高くする必要がある。しかし、絶縁層１２０の処理温度を高くすると、基板１００の材料として樹脂を用いることはできなくなる。

　これに対して本実施例では、絶縁層１２０を隔壁１７０の下にのみ形成している。このため、絶縁層１２０をイミド化するときの加熱温度を下げても、発光装置１０を使用している間に絶縁層１２０から出てくる水分の量を少なくすることができる。このため、基板１００を樹脂製としても、基板１００が絶縁層１２０の熱処理においてダメージを受けることを抑制できる。

　なお、発光装置１０に絶縁層１２０を設けないことも考えられる。しかし、隔壁１７０を直接基板１００の上に形成した場合、隔壁１７０と基板１００の密着性が悪いため、隔壁１７０は倒れてしまう。本実施例では、隔壁１７０の下には絶縁層１２０を残しているため、隔壁１７０が倒れることを抑制できる。

（実施例３）
　図１２、図１３、及び図１４は、実施例３に係る発光装置１０の断面図である。図１２は、実施形態の図２に対応しており、図１３は実施形態の図３に対応しており、図１４は実施形態の図６に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて実施形態又は実施例１，２に係る発光装置１０と同様の構成である。

　まず、基板１００は、ＰＥＴなどの樹脂から構成されている。基板１００は、例えば樹脂フィルムであり、可撓性を有する。

　そして、基板１００上に導電膜２２０が形成されており、その上に被覆膜２１０が形成されている。そして、電極パッド２３０、第１電極１１０、絶縁層１２０、引出配線１３０，１３２、有機層１４０、第２電極１５０、引出配線１６０，１６２、及び隔壁１７０は、被覆膜２１０上に形成されている。

　本実施例では、基板１００は樹脂である。このため、基板１００は水分を透過する可能性がある。これに対して、有機ＥＬ素子と基板１００の間には被覆膜２１０が形成されている。このため、基板１００を水分が透過してきても、その水分は被覆膜２１０でブロックされ、有機ＥＬ素子に達しない。このため、基板１００に樹脂を用いても、有機ＥＬ素子が劣化することを抑制できる。

　また、電極パッド２３０にプローブ端子２４０を接触させ、引出配線１３０にプローブ端子２４２を接触させることにより、第１電極１１０と導電膜２２０の間に電圧を加えることができる。このため、実施形態と同様に、被覆膜２１０の欠陥を検査することができる。また、いずれの第１電極１１０にプローブ端子２４２が接続しているときに欠陥が発見されたかを記録しておくことにより、欠陥の位置を絞り込むことができる。

　なお、導電膜２２０の一部を被覆膜２１０から露出させることにより、電極パッド２３０の代わりに実施例１と同様の電極パッド２２２を設けても良い。

（実施例４）
　図１５は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、被覆膜２１０がＡＬＤ法以外の制膜方法、例えばＣＶＤ法によって形成されている点を除いて、実施形態及び実施例１～３のいずれかと同様の構成である。なお、本実施例では、導電膜２２０は、隔壁１７０の間に位置する領域及び隔壁１７０上に位置する領域が互いに繋がった状態（ベタ電極）として形成される場合もある。

　本実施例によっても、実施形態及び実施例１～３のいずれかと同様に、被覆膜２１０の欠陥の有無を容易に判断することができる。

（実施例５）
　図１６は、実施例５に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置１０は、アクティブ型のディスプレイである。

　詳細には、基板１００と第１電極１１０の間には、トランジスタ形成層３００及び絶縁層３１０が設けられている、トランジスタ形成層３００には、半導体層（例えばシリコン層）が形成されており、この半導体層を用いて、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０２が形成されている。そしてトランジスタ形成層３００と第１電極１１０の間には、絶縁層３１０が形成されている。絶縁層３１０は、平坦化層としても機能する。

　本実施例において、第１電極１１０は画素単位で形成されている。そして各第１電極１１０は、絶縁層３１０に埋め込まれた導体３２０を介して互いに異なるＴＦＴ３０２に接続している。一方、第２電極１５０は共通電極であるため、画素の間の領域及び隔壁１７０の上にも形成されている。

　そして、本実施例においても、第２電極１５０の上には、被覆膜２１０及び導電膜２２０が形成されている。また、図示されていないが、電極パッド２３０も形成されている。被覆膜２１０、導電膜２２０、及び電極パッド２３０の構成は、実施形態及び実施例１～４のいずれかと同様である。

　本実施例によっても、実施形態及び実施例１～４のいずれかと同様に、被覆膜２１０の欠陥の有無を容易に判断することができる。

　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (5)

1. 　基板と、
   　前記基板の一面側に位置しており、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に挟まれている有機層を有する有機ＥＬ素子と、
   　前記有機ＥＬ素子又は前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
   　前記第１電極との間、又は前記第２電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
   　前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
   を備える発光装置。
2. 　請求項１に記載の発光装置において、
   　前記基板側から、前記第１電極、前記有機層、前記第２電極、前記被覆膜、及び前記導電膜の順に形成されている発光装置。
3. 　請求項１に記載の発光装置において、
   　前記基板側から、前記導電膜、前記被覆膜、前記第１電極、前記有機層、及び前記第２電極の順に形成されている発光装置。
4. 　請求項３に記載の発光装置において、
   　前記基板は樹脂を用いて形成されている発光装置。
5. 　基板と、
   　前記基板の一面側に位置しており、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極に狭まれている有機層を有する有機ＥＬ素子と、
   　前記有機ＥＬ素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
   　前記第１電極との間、又は前記第２電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
   　前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
   を備える発光装置を準備する工程と、
   　前記導電膜、並びに前記第１電極及び前記第２電極のうち前記被覆膜を挟んでいる電極との間に電圧を加えることにより、前記被覆膜の不良の有無を判断する工程と、
   を備える発光装置の検査方法。

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