JPWO2014141463A1 - 発光装置及び発光装置の検査方法 - Google Patents
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Abstract
第2電極(150)は、基板(100)上の引出配線に接続している。第2電極(150)上には、被覆膜(210)が形成されている。被覆膜(210)上には、導電膜(220)が形成されている。また、基板(100)の一面側には、電極パッドが形成されている。電極パッドは、被覆膜(210)に設けられた開口を介して、導電膜(220)に接続している。そして、電極パッドにプローブ端子を接触させ、かつ引出配線のうち被覆膜(210)で覆われていない部分に別のプローブ端子を接触させた状態で、2つのプローブ端子の間に電圧を加える。
Description
本発明は、発光装置及び発光装置の検査方法に関する。
照明装置やディスプレイの光源の一つに、有機EL(organic electroluminescence)素子がある。有機EL素子は水分に弱いため、封止構造を有する必要がある。この封止構造の一つに、被覆膜を形成する方法がある。
一方、被覆膜で有機EL素子を封止する場合、被覆膜には微小な穴が発生しやすい。特許文献1には、この微小な穴を検出する技術として、以下の技術が記載されている。まず、被覆膜の上に金属膜を形成する。次いで、金属膜を化成液に接触させて、金属膜を陽極として陽極酸化を行う。この工程において、被覆膜の微小な穴は拡大する。次いで、有機EL素子を発光させ、この拡大した穴の有無を確認する。
特許文献1に記載の技術では、ピンホールの有無を目視等で確認する必要がある。目視等で分かる程度にピンホールを拡大させるためには、化成液による処理時間を長くする必要がある。このため、特許文献1に記載の方法を製造ラインに乗せた場合、有機EL素子を有する発光装置の製造効率が低下してしまう。
本発明が解決しようとする課題としては、短い時間で被覆膜の不良を検出できるようにすることが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に狭持されている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置である。
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に狭持されている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置である。
請求項5に記載の発明は、基板と、
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に狭持されている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置を準備する工程と、
前記導電膜、並びに前記第1電極及び前記第2電極のうち前記被覆膜を挟んでいる電極との間を流れる電流を測定することにより、前記被覆膜の不良の有無を判断する工程と、
を備える発光装置の検査方法である。
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に狭持されている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置を準備する工程と、
前記導電膜、並びに前記第1電極及び前記第2電極のうち前記被覆膜を挟んでいる電極との間を流れる電流を測定することにより、前記被覆膜の不良の有無を判断する工程と、
を備える発光装置の検査方法である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
(実施形態)
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図2は図1のA−A断面図であり、図3は図1のC−C断面図であり、図4は図1のB−B断面図である。図5は、基板100上の電極及び配線のレイアウトを説明するための平面図である。
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図2は図1のA−A断面図であり、図3は図1のC−C断面図であり、図4は図1のB−B断面図である。図5は、基板100上の電極及び配線のレイアウトを説明するための平面図である。
発光装置10は、例えばディスプレイや照明装置である。発光装置10が照明装置である場合、発光装置10は演色性を有していても良く、単色あるいは色可変なものであっても良い。照明装置としての発光装置10は、後述する隔壁170を形成せずに、第1電極110、有機層140、及び第2電極150が一面に形成されていてもよい。なお、以下の説明では、発光装置10がディスプレイである場合を例示している。
発光装置10は、基板100、第1電極110(下部電極)、有機EL素子、絶縁層120、複数の第1開口122、複数の第2開口124、複数の引出配線130、有機層140、第2電極150(上部電極)、複数の引出配線160、及び隔壁170を有している。そして、有機EL素子は、有機層140を第1電極110及び第2電極150で挟んだ積層物で構成される。言い換えると、有機EL素子は、第1電極110、有機層140、及び第2電極150が互いに重なった領域である。この有機EL素子は、複数の隔壁170の間に位置している。すなわち有機EL素子及び引出配線160は、基板100の一面側に位置している。そして、有機EL素子によって画素が構成されている。
基板100は、例えばガラスや樹脂材料で形成されているが、他の材料によって形成されていても良い。
第1電極110は、基板100の第1面側に形成され、後述する図5に示すように、第1方向(図1におけるY方向)にライン状に延在している。第1電極110は、例えばITO(Indium Thin Oxide)やIZO(インジウム亜鉛酸化物)などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子のほか、銀ナノワイヤ、カーボンナノチューブを網目状に形成するなどによって形成された透明電極である。また、第2電極150側から光を取り出すトップエミッション構造の場合、第1電極110は透明でなくても良い。第1電極110は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第1電極110の端部は、引出配線130に接続している。
引出配線130は、第1電極110と外部接続用の端子とを接続する配線である。引出配線130は、例えば、酸化導電材料であるITO、IZO、Al、Cr、又はAgなどの金属材料又は合金で構成される金属配線であるが、金属以外の導電性材料によって形成された配線であっても良い。図1に示す例では、基板100の上には、引出配線132及び引出配線130の順で形成されている。引出配線132は、第1電極110と同種の材料によって形成されている。本図に示す例では、引出配線130,132は第1開口122の近傍まで形成されている。図示の例では、第1電極110は絶縁膜120で覆われているが、第1電極110に電気的に接続される引出配線130及び引出配線132の少なくとも一部が覆われていても構わない。
絶縁層120は、図1〜図4に示すように、複数の第1電極110上及びその間の領域に形成されている。絶縁層120は、主としてポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層120としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層120はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良く、SiNなどの無機絶縁層をドライエッチングなどの化学エッチングで加工したものであっても良い。
絶縁層120には、複数の第1開口122及び複数の第2開口124が形成されている。第1開口122は、平面視で第1電極110と第2電極150の交点に位置している。複数の第1開口122は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の第1開口122は、第1電極110が延在する方向に並んでおり、かつ、第2電極150の延在方向にも並んでいる。このため、複数の第1開口122はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
第2開口124は、平面視で複数の第2電極150のそれぞれの一端に位置している。また第2開口124は、第1開口122が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向(例えば図1におけるY方向)で見た場合、第2開口124は、第1電極110に沿う方向において、所定の間隔で配置されている。第2開口124からは、引出配線160又は引出配線160の一部分が露出している。
なお、第1開口122を有する絶縁層120と、第2開口124を有する絶縁層120は同一の材料で形成してもよいし、異なる材料で形成してもよい。また、第1開口122を有する絶縁層120に対して基板100の外周部側に、第2開口124を有する絶縁層120を形成してもよい。また、第1開口122を有する絶縁層120と第2開口124を有する絶縁層120は連続する層であってもよく、分離した層(分断している)であってよい。
第1開口122と重なる領域には、有機層140が形成されている。図2に示す例では、有機層140は、正孔注入層142、発光層144、及び電子注入層146を積層したものである。なお、一部の有機層は、例えば、正孔注入層142、発光層144、電子注入層146、後述する正孔輸送層、又は電子輸送層を指す。正孔注入層142は第1電極110に接しており、電子注入層146は第2電極150に接している。このようにして、有機層140は第1電極110と第2電極150の間で挟持されている。なお、正孔注入層142と発光層144の間には正孔輸送層が形成されても良いし、発光層144と電子注入層146の間には電子輸送層が形成されてもよい。いずれの場合においても、正孔注入層142は、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されている。また、正孔輸送層、発光層144、電子輸送層、及び電子注入層146の少なくとも一方も、インクジェット法によって形成されていても良い。
なお、図2及び図3に示す例では、有機層140を構成する各層は、いずれも第1開口122の外側まではみ出している場合を示している。そして図3に示すように、有機層140を構成する各層は、隔壁170が延在する方向において、隣り合う第1開口122の間にも連続して形成されていても、連続して形成していなくても構わない。ただし、図4に示すように、有機層140は、第2開口124の周囲には形成されていない。
有機層140は、第1電極110及び第2電極150に挟持されている。第2電極150は、図1〜図4に示すように、有機層140上に形成され、第1方向と交わる第2方向(図1におけるX方向)に延在している。第2電極150は、例えばAgやAlなどの金属材料で形成された金属層、IZOなどの酸化導電材料で形成された層である。発光装置10は、互いに平行な複数の第2電極150を有している。一つの第2電極150は、複数の第1開口122上を通っている。第2電極150は引出配線160に接続している。図示の例では、第2電極150の端部が第2開口124上に位置することにより、第2開口124において第2電極150と引出配線160は接続している。なお、第2電極150側から光を取り出す場合は、第2電極150を透明または半透明となるように形成する。
図1の例では、引出配線160の下には引出配線162が形成されている。図1に示す例では、引出配線162の幅は、引出配線160の幅に対して大きいが、小さくてもよい。引出配線160,162は、基板100の第1面側のうち第1電極110及び引出配線130、132が形成されていない領域に形成されている。引出配線160は、例えば引出配線130と同時に形成されてもよいし、引出配線130とは別工程で形成されてもよい。同様に、引出配線162は、例えば引出配線132と同時に形成してもよいし、引出配線132とは別工程で形成されてもよい。
引出配線162は、第1電極110を構成する材料と同種の又は異なる材料で形成されている。ここで同種の材料の例としては、第1電極110が酸化導電材料であるITOで形成されている場合、第1電極110を構成するITOと組成が異なるITO、又はIZOなどの酸化導電材が挙げられる。また異なる材料の例として、Al等の金属材料などが挙げられる。
引出配線160の一端側の一部分は、絶縁層120に覆われており、かつ第2開口124にて露出している。そして第2開口124において、第2電極150は引出配線160に接続している。また、引出配線160の他端側の一部分は、絶縁層120の外側に引き出されている。すなわち、引出配線160の他端側は、絶縁層120から露出している。この引出配線160の他端側の一部分において、引出配線160は引出配線130と略直交する方向に延在している。
隣り合う第2電極150の間には、隔壁170が形成されている。隔壁170は、第2電極150と平行すなわち第2方向に延在している。隔壁170の下地は、例えば絶縁層120である。隔壁170は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁170は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁170はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
隔壁170は、断面が台形の上下を逆にした形状(逆台形)になっている。すなわち隔壁170の上面の幅は、隔壁170の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁170を第2電極150より前に形成しておくことで、複数の第2電極150を蒸着法やスパッタリング法を用いて一括で形成することができる。複数の第2電極150を一括で形成した場合、隔壁170の少なくとも下部には第2電極150となる導電層は形成されない。このため、隣り合う第2電極150を隔壁170により分断することができる。そして隔壁170の延在方向を変えることにより、第2電極150をストライプ形状、ドット形状、アイコン状、曲線などの自由な形状にパターニングできる。なお、隔壁170の上にも、第2電極150が形成されている。
また、隔壁170は、隣り合う第2電極150の下に位置する有機層140を構成する塗布材料が互いに繋がることを防止する機能を有していても構わない。この場合、隔壁170は、有機層140より前に形成されている。
本実施形態では、第2電極150上には、被覆膜210が形成されている。被覆膜210は、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。ALD法により成膜された膜は段差被覆性が高い。このため、被覆膜210は、第2電極150上のみではなく、隔壁170の側面及び上面にも連続して形成されている。被覆膜210は、有機EL素子を封止して水分などから保護するために設けられている。
被覆膜210は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化膜であり、その膜厚は、例えば10nm以上200nm以下である。被覆膜210は、図1に示すように、絶縁層120、引出配線160、及び引出配線130を、絶縁層120に覆われていない側の端部を除いて覆っている。ただし、被覆膜210は、引出配線130,160の全体を覆っていても良い。
そして、被覆膜210上には、導電膜220が形成されている。導電膜220は、平面視で、被覆膜210上のうち、有機EL素子が形成されている領域及びその周囲に形成されている。導電膜220は、例えばAl膜又はAg膜であり、スパッタリング法や蒸着法を用いて形成されている。このため、導電膜220は、隔壁170の上面上には形成されるが、隔壁170の側面には形成されない。そして導電膜220のうち隔壁170の上に位置する部分は、隔壁170の相互間に位置する部分(すなわち第2電極150の上に位置する部分)には接続していない。言い換えると、導電膜220のうち互いに連続している部分は、隔壁170が位置する部分に開口を有する形状となる。
また、基板100の一面側には、電極パッド230が形成されている。本図に示す例において、電極パッド230は、引出配線130と同一層に位置しており、引出配線130と同種の材料によって形成されている。そして電極パッド230の下には電極パッド232が形成されている。電極パッド232は、引出配線132と同一層に位置しており、電極パッド232と同種の材料によって形成されている。
電極パッド230の一部は被覆膜210で覆われているが、他の一部(例えば端部)は被覆膜210から露出している。また電極パッド230の他の一部は、平面視で導電膜220と重なっている。ただし、後述するプローブ端子240が被覆膜210を突き破ることができる場合、電極パッド230の全てが被覆膜210に覆われていても良い。
図6は、図1のD−D断面図である。本図に示すように、被覆膜210のうち平面視で電極パッド230と重なっている部分には、開口212が形成されている。そして電極パッド230は、被覆膜210に設けられた開口212を介して、導電膜220に接続している。
次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず基板100上に第1電極110となる導電層を形成し、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板100上には、第1電極110、引出配線132,162、及び電極パッド232が形成される。
次いで、基板100上、第1電極110上、及び引出配線132,162上に、引出配線130,160となる導電層を形成し、この導電層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、引出配線130,160、及び電極パッド230が形成される。
次いで、基板100上、第1電極110上、及び引出配線130,160上に絶縁層を形成し、この絶縁層をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)などを利用し、選択的に除去する。これにより、絶縁層120、第1開口122、及び第2開口124が形成される。例えば絶縁層120がポリイミドで形成されている場合、絶縁層120には加熱処理が行われる。これにより、絶縁層120のイミド化が進む。
次いで、絶縁層120上に隔壁170を形成し、この隔壁170をエッチング(例えばドライエッチング又はウェットエッチング)など利用し、選択的に除去する。これにより、隔壁170が形成される。隔壁170が感光性の絶縁膜で形成される場合、露光及び現像時の条件を調節することにより、隔壁170の断面形状を逆台形にすることができる。
隔壁170がネガ型レジストである場合、このネガ型レジストは、露光光源から照射光が照射された部分が硬化する。そして、このネガ型レジストのうち未硬化部分を現像液で溶解除去することにより、隔壁170が形成される。
次いで、第1開口122内に正孔注入層142、発光層144、及び電子注入層146を、この順に形成する。これらのうち少なくとも正孔注入層142は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成される。この場合、第1開口122内に塗布材料が入り込み、この塗布材料が乾燥することにより、上記した各層が形成される。塗布法で用いられる塗布材料としては、高分子材料、高分子材料中に低分子材料を含んだものなどが適している。塗布材料としては、例えば、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン、無機化合物のゾルゲル膜、ルイス酸を含む有機化合物膜、導電性高分子などを利用することができる。なお、有機層140のうち残りの層(例えば発光層144及び電子注入層146)は、蒸着法により形成される。ただしこれらの層も、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。
次いで、有機層140上に第2電極150を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。
なお、有機層140以外の層、例えば第1電極110、絶縁層120、引出配線130、引出配線160、第2電極150、及び隔壁170の少なくとも一つも、上記した塗布法のいずれかを用いて形成されても良い。
次いで、被覆膜210を、上述した方法を用いて形成する。次いで、被覆膜210上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして被覆膜210をエッチングする。これにより、被覆膜210には開口212が形成される。
次いで、被覆膜210上に導電膜220を、上述した方法を用いて形成する。このとき、導電膜220の一部が開口212内に位置するようにする。これにより、導電膜220は電極パッド230に接続する。
図7は、発光装置10における被覆膜210の検査方法を説明するための図である。被覆膜210は有機EL素子を封止するために設けられている。このため、被覆膜210に微細な孔もしくはクラック、又は膜厚が薄い部分(以下、欠陥と記載)が存在していると、発光装置10の信頼性は低下する。この欠陥は、被覆膜210が屈曲している部分(例えば隔壁170の側面の上端及び下端)で生じやすい。
そこで本実施形態では、電極パッド230にプローブ端子240を接触させ、かつ引出配線160のうち被覆膜210で覆われていない部分にプローブ端子242を接触させた状態で、プローブ端子240及びプローブ端子242の間に電圧を加える。上記したように、電極パッド230は導電膜220に接続しており、引出配線160は第2電極150に接続している。このため、導電膜220と第2電極150の間には電圧が加わる。
被覆膜210に微細な孔が存在していた場合、その孔を介して第2電極150と導電膜220が短絡するため、プローブ端子240とプローブ端子242の間に電流が流れる。また、短絡時に流れる電流により、短絡部分で第2電極150と導電膜220の間に赤外線が発生する。このため、プローブ端子240及びプローブ端子242の間に流れる電流を測定したり、赤外線の発光を測定することにより、被覆膜210の欠陥の有無を判断できる。また、平面視で被覆膜210と導電膜220が重なっている部分で発光がないか観察することによっても、被覆膜210の欠陥の有無を判断できる。なお、これらの測定及び観察の双方を行うのが好ましい。
そして、プローブ端子242に接続している引出配線160を切り替えつつ、上記した検査を繰り返し行う。そして、欠陥が発見された場合、被覆膜210の修復を行う。なお、いずれの引出配線160に接続しているときに欠陥が発見されたかを記録しておくことにより、欠陥の位置を絞り込むことができる。このため、被覆膜210の修復を容易に行える。
なお、隔壁170上に形成された第2電極150をいずれかの引出配線160に接続しておくと、被覆膜210の検査をさらに高い精度で行うことができる。
以上、本実施形態によれば、被覆膜210上には導電膜220が形成されている。このため、被覆膜210は第2電極150及び導電膜220で挟まれている。そして、導電膜220は、電極パッド230に接続しており、第2電極150は引出配線160に接続している。このため、電極パッド230及び引出配線160の間に電圧を加えることにより、第2電極150と導電膜220の間に電圧を加えることができる。従って、被覆膜210の欠陥の有無を容易かつ短時間で判断することができる。
(実施例1)
図8は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施形態における図1に対応している。本実施例に係る発光装置10は、電極パッド230,232の代わりに電極パッド222を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
図8は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施形態における図1に対応している。本実施例に係る発光装置10は、電極パッド230,232の代わりに電極パッド222を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
電極パッド222は、導電膜220の一部であり、平面視で第1電極110、第2電極150、引出配線130、及び引出配線160と重ならない領域に形成されている。導電膜220は、絶縁層120と重なっていても良いし、絶縁層120と重なっていなくても良い。また導電膜220は、被覆膜210と重なっていても良いし、被覆膜210と重なっていなくても良い。
本実施例によっても、実施形態と同様に、被覆膜210の欠陥の有無を容易に判断することができる。また、被覆膜210に開口212を形成する必要がないため、製造工程数を削減できる。
(実施例2)
図9は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図10は、図9のA−A断面図であり、図11は図9のC−C断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態又は実施例1に係る発光装置10と同様の構成である。
図9は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図10は、図9のA−A断面図であり、図11は図9のC−C断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態又は実施例1に係る発光装置10と同様の構成である。
まず、絶縁層120は、隔壁170の下にのみ設けられており、第2電極150と重なる領域には形成されていない。
また、基板100は、PET(Polyethylene terephthalate)などの樹脂からなる薄い板(例えば樹脂フィルム)である。このため、発光装置10は可撓性を有する。
本実施例によっても、実施形態又は実施例1と同様に、被覆膜210の欠陥の有無を容易に判断することができる。
また、絶縁層120をポリイミドで形成した場合、絶縁層120に水分が残っていると、この水分によって有機層140が劣化する可能性が出てくる。これを抑制するためには、一般的には絶縁層120の熱処理温度を高くする必要がある。しかし、絶縁層120の処理温度を高くすると、基板100の材料として樹脂を用いることはできなくなる。
これに対して本実施例では、絶縁層120を隔壁170の下にのみ形成している。このため、絶縁層120をイミド化するときの加熱温度を下げても、発光装置10を使用している間に絶縁層120から出てくる水分の量を少なくすることができる。このため、基板100を樹脂製としても、基板100が絶縁層120の熱処理においてダメージを受けることを抑制できる。
なお、発光装置10に絶縁層120を設けないことも考えられる。しかし、隔壁170を直接基板100の上に形成した場合、隔壁170と基板100の密着性が悪いため、隔壁170は倒れてしまう。本実施例では、隔壁170の下には絶縁層120を残しているため、隔壁170が倒れることを抑制できる。
(実施例3)
図12、図13、及び図14は、実施例3に係る発光装置10の断面図である。図12は、実施形態の図2に対応しており、図13は実施形態の図3に対応しており、図14は実施形態の図6に対応している。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて実施形態又は実施例1,2に係る発光装置10と同様の構成である。
図12、図13、及び図14は、実施例3に係る発光装置10の断面図である。図12は、実施形態の図2に対応しており、図13は実施形態の図3に対応しており、図14は実施形態の図6に対応している。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて実施形態又は実施例1,2に係る発光装置10と同様の構成である。
まず、基板100は、PETなどの樹脂から構成されている。基板100は、例えば樹脂フィルムであり、可撓性を有する。
そして、基板100上に導電膜220が形成されており、その上に被覆膜210が形成されている。そして、電極パッド230、第1電極110、絶縁層120、引出配線130,132、有機層140、第2電極150、引出配線160,162、及び隔壁170は、被覆膜210上に形成されている。
本実施例では、基板100は樹脂である。このため、基板100は水分を透過する可能性がある。これに対して、有機EL素子と基板100の間には被覆膜210が形成されている。このため、基板100を水分が透過してきても、その水分は被覆膜210でブロックされ、有機EL素子に達しない。このため、基板100に樹脂を用いても、有機EL素子が劣化することを抑制できる。
また、電極パッド230にプローブ端子240を接触させ、引出配線130にプローブ端子242を接触させることにより、第1電極110と導電膜220の間に電圧を加えることができる。このため、実施形態と同様に、被覆膜210の欠陥を検査することができる。また、いずれの第1電極110にプローブ端子242が接続しているときに欠陥が発見されたかを記録しておくことにより、欠陥の位置を絞り込むことができる。
なお、導電膜220の一部を被覆膜210から露出させることにより、電極パッド230の代わりに実施例1と同様の電極パッド222を設けても良い。
(実施例4)
図15は、実施例4に係る発光装置10の構成を示す断面図であり、実施形態における図2に対応している。本実施形態に係る発光装置10は、被覆膜210がALD法以外の制膜方法、例えばCVD法によって形成されている点を除いて、実施形態及び実施例1〜3のいずれかと同様の構成である。なお、本実施例では、導電膜220は、隔壁170の間に位置する領域及び隔壁170上に位置する領域が互いに繋がった状態(ベタ電極)として形成される場合もある。
図15は、実施例4に係る発光装置10の構成を示す断面図であり、実施形態における図2に対応している。本実施形態に係る発光装置10は、被覆膜210がALD法以外の制膜方法、例えばCVD法によって形成されている点を除いて、実施形態及び実施例1〜3のいずれかと同様の構成である。なお、本実施例では、導電膜220は、隔壁170の間に位置する領域及び隔壁170上に位置する領域が互いに繋がった状態(ベタ電極)として形成される場合もある。
本実施例によっても、実施形態及び実施例1〜3のいずれかと同様に、被覆膜210の欠陥の有無を容易に判断することができる。
(実施例5)
図16は、実施例5に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置10は、アクティブ型のディスプレイである。
図16は、実施例5に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置10は、アクティブ型のディスプレイである。
詳細には、基板100と第1電極110の間には、トランジスタ形成層300及び絶縁層310が設けられている、トランジスタ形成層300には、半導体層(例えばシリコン層)が形成されており、この半導体層を用いて、複数のTFT(Thin Film Transistor)302が形成されている。そしてトランジスタ形成層300と第1電極110の間には、絶縁層310が形成されている。絶縁層310は、平坦化層としても機能する。
本実施例において、第1電極110は画素単位で形成されている。そして各第1電極110は、絶縁層310に埋め込まれた導体320を介して互いに異なるTFT302に接続している。一方、第2電極150は共通電極であるため、画素の間の領域及び隔壁170の上にも形成されている。
そして、本実施例においても、第2電極150の上には、被覆膜210及び導電膜220が形成されている。また、図示されていないが、電極パッド230も形成されている。被覆膜210、導電膜220、及び電極パッド230の構成は、実施形態及び実施例1〜4のいずれかと同様である。
本実施例によっても、実施形態及び実施例1〜4のいずれかと同様に、被覆膜210の欠陥の有無を容易に判断することができる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に挟まれている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子又は前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記基板側から、前記第1電極、前記有機層、前記第2電極、前記被覆膜、及び前記導電膜の順に形成されている発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記基板側から、前記導電膜、前記被覆膜、前記第1電極、前記有機層、及び前記第2電極の順に形成されている発光装置。 - 請求項3に記載の発光装置において、
前記基板は樹脂を用いて形成されている発光装置。 - 基板と、
前記基板の一面側に位置しており、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極に狭まれている有機層を有する有機EL素子と、
前記有機EL素子及び前記基板の前記一面側を被覆する被覆膜と、
前記第1電極との間、又は前記第2電極との間に前記被覆膜を挟んでいる導電膜と、
前記基板の前記一面側に設けられ、前記導電膜に電気的に接続している電極パッドと、
を備える発光装置を準備する工程と、
前記導電膜、並びに前記第1電極及び前記第2電極のうち前記被覆膜を挟んでいる電極との間に電圧を加えることにより、前記被覆膜の不良の有無を判断する工程と、
を備える発光装置の検査方法。
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PCT/JP2013/057368 WO2014141463A1 (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 発光装置及び発光装置の検査方法 |
Publications (1)
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JPH0996662A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Nec Corp | Cmos論理回路の故障箇所特定方法 |
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