CN105093636B - 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板 - Google Patents

触控显示基板及其制备方法和触控显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN105093636B
CN105093636B CN201510603936.8A CN201510603936A CN105093636B CN 105093636 B CN105093636 B CN 105093636B CN 201510603936 A CN201510603936 A CN 201510603936A CN 105093636 B CN105093636 B CN 105093636B
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment mark
photoresist
control electrode
touch control
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201510603936.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105093636A (zh
Inventor
张蕾
金贤镇
申澈
刘祺
吴值平
王培�
李付强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510603936.8A priority Critical patent/CN105093636B/zh
Publication of CN105093636A publication Critical patent/CN105093636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105093636B publication Critical patent/CN105093636B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，其中该触控显示基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，对位标记图形与触控电极图形同层设置，对位标记图形至少包括：非透明子图形，非透明子图形至少对应于对位标记图形的侧表面区域。本发明的技术方案可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。

Description

触控显示基板及其制备方法和触控显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及触控显示基板及其制备方法和触控显示面板。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，内嵌式触摸屏通过将触控电极内嵌在液晶显示屏内部，不但可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。
图1为现有技术中内嵌式触摸屏的彩膜基板的结构示意图，如图1所示，为保证触控电极图形和黑矩阵图形能精确的形成在衬底基板上对应的位置，则需要先在衬底基板上利用构图工艺制备出由金属材料构成的对位标记，在制备触控电极图形和黑矩阵图形时，利用该对位标记以使得用于制备触控电极图形的掩膜版和用于制备黑矩阵图形的掩膜版与衬底基板进行对位，从而可以在该衬底基板上精确的制备出触控电极图形和黑矩阵图形。
在现有技术中，该彩膜基板的制备工艺相对复杂，同时在制备金属材料的对位标记时，大量的金属材料会被刻蚀掉，从而导致金属材料的大量浪费，进而造成产线成本较高。
发明内容
本发明提供一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，可利用制备触控电极图形的材料来制备对位标记图形，且将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而可有效的降低生产成本和提高生产效率。
为实现上述目的，本发明提供了一种触控显示基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域。
可选地，所述对位标记图形还包括：透明子图形，所述透明子图形对应于所述对位标记图形的中间区域，所述非透明子图形围绕所述透明子图形的边缘。
可选地，所述非透明子图形还对应于所述对位标记图形的上表面区域。
为实现上述目的，本发明还提供了一种触控显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板的上方沉积透明薄膜；
利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域。
可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与触控电极掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和触控电极图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述触控电极图形；
对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形。
可选地，所述对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理的步骤之后还包括：
对所述触控电极图形和对位标记图形上方的光刻胶进行剥离处理。
可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和待加工图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；
对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形；
对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；
对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
可选地，所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工半色调掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形的位置的光刻胶部分保留，对应于待形成待加工图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；
对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行灰化处理，所述对位标记图形上方的光刻胶完全去除，所述待加工图形上方的光刻胶部分保留；
对所述对位标记图形的侧表面和上表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域和上表面区域变为非透明子图形；
对所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；
对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
可选地，所述透明薄膜的材料为ITO和AZO中的至少一种。
可选地，所述等离子体处理的工艺条件为：
等离子体处理设备的上电极输出功率为15KW，下电极输出功率为20KW；
反应气体为H2；
气体流量为1000～5000sccm；
反应气压为5MT～20MT。
为实现上述目的，本发明还提供了一种触控显示面板，包括：触控显示基板，所述触控显示基板采用上述的触控显示基板。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板，其中该触控显示基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有触控电极图形和对位标记图形，对位标记图形与触控电极图形同层设置，对位标记图形至少包括：非透明子图形，非透明子图形至少对应于对位标记图形的侧表面区域。本发明可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。
附图说明
图1为现有技术中内嵌式触摸屏的彩膜基板的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的一种触控显示基板的俯视图；
图3a为图2中对位标记图形的俯视图；
图3b为图2中A-A向的截面示意图；
图4为本发明实施例一提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图；
图5为本发明实施例一中经过步骤1021处理后的触控显示基板的截面示意图；
图6为本发明实施例一中经过步骤1022处理后的触控显示基板的截面示意图；
图7为本发明实施例一中经过步骤1023处理后的触控显示基板的截面示意图；
图8为本发明实施例二提供的一种触控显示基板的截面示意图；
图9为本发明实施例二提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图；
图10为本发明实施例二中经过步骤202处理后的触控显示基板的截面示意图；
图11为本发明实施例二中经过步骤203处理后的触控显示基板的截面示意图；
图12为本发明实施例二中经过步骤204处理后的触控显示基板的截面示意图；
图13为本发明实施例三提供的一种触控显示基板的俯视图；
图14为图13中B-B向的截面示意图；
图15为本发明实施例三提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图；
图16为本发明实施例三中经过步骤302处理后的触控显示基板的截面示意图；
图17为本发明实施例三中经过步骤303处理后的触控显示基板的截面示意图；
图18为本发明实施例三中经过步骤304处理后的触控显示基板的截面示意图；
图19为本发明实施例三中经过步骤305处理后的触控显示基板的截面示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种触控显示基板及其制备方法和触控显示面板进行详细描述。
实施例一
图2为本发明实施例一提供的一种触控显示基板的俯视图，图3a为图2中对位标记图形的俯视图；图3b为图2中A-A向的截面示意图，如图2、图3a和图3b所示，该触控显示基板包括：衬底基板1，衬底基板1上形成有触控电极图形3和对位标记图形2(对位标记图形2一般对应于衬底基板1的边缘区域)，对位标记图形2与触控电极图形3同层设置，对位标记图形2至少包括：非透明子图形21，非透明子图形21至少对应于对位标记图形2的侧表面区域。
需要说明的是，在附图中的对位标记图形2呈“十”字形的情况，仅起到示例性的作用，这并不会对本发明的技术方案产生限制，本发明中对对位标记图形2的形状不作限制。
可选地，对位标记图形2还包括：透明子图形22，透明子图形22对应于对位标记图形2的中间区域，非透明子图形21围绕透明子图形22的边缘。
本实施例中，透明子图形22与触控电极图形3的材料相同，同时，非透明子图形21可以基于制备触控电极图形3时所使用的材料而制备出来。本实施例的技术方案可有效的避免现有技术中采用金属材料制备对位标记图形2时产生的材料浪费问题，从而可有效的降低产线的生成成本。
本发明实施例一还提供了一种触控显示基板的制备方法，用于制备出图2所示的触控显示基板。图4为本发明实施例一提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图，如图4所示，该制备方法包括：
步骤101：在衬底基板的上方沉积透明薄膜。
在步骤101中，通过气相沉积技术在衬底基板1的上方沉积一层透明导电材料，以构成透明薄膜4。可选地，该透明导电材料可以为ITO(氧化铟锡)、AZO(氧化锌铝)中的至少一种。本实施例中以该透明薄膜4的材料为ITO为例进行说明。
步骤102：利用构图工艺对透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，对位标记图形与触控电极图形同层设置，对位标记图形至少包括：非透明子图形，非透明子图形至少对应于对位标记图形的侧表面区域。
需要说明的是，本发明中的构图工艺是指至少包含了光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离等工序。
可选地，步骤102包括：
步骤1021：在透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与触控电极掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和触控电极图形的位置的光刻胶完全保留。
图5为本发明实施例一中经过步骤1021处理后的触控显示基板的截面示意图，如图5所示，在步骤1021中，首先，通过光刻胶5涂布装置在ITO薄膜上涂布一层光刻胶5；然后，将对位标记与触控电极掩膜版与涂布了光刻胶5的基板进行对位，并通过曝光机对光刻胶5进行曝光处理；接着，利用显影液对曝光后的光刻胶5进行显影处理。待显影工艺完成后，对应于待形成对位标记图形2和触控电极图形3的位置的光刻胶5完全保留。
需要说明的是，在步骤1021中记载的“对位标记与触控电极掩膜版”，其具体为现有技术中用于制备对位标记图形2的掩膜版和用于制备触控电极图形3的掩膜版的结合。
步骤1022：对透明薄膜进行刻蚀处理，以形成对位标记图形和触控电极图形。
图6为本发明实施例一中经过步骤1022处理后的触控显示基板的截面示意图，如图6所示，在步骤1022中，对ITO薄膜进行湿法刻蚀，以形成对位标记图形2和触控电极图形3。此时，对位标记图形2和触控电极图形3上方的光刻胶5依然保留。
需要说明的是，由于ITO薄膜是透明的，因此通过刻蚀工艺所形成的对位标记图形2的整体也是透明的，其可视性较差，该整体透明的对位标记图形2无法作为后序构图工艺中的掩膜版的对位标记。因此还需要对步骤1022中所制备出的对位标记图形2作进一步地处理，以使得其具备良好的可视性。
步骤1023：对对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形。
图7为本发明实施例一中经过步骤1023处理后的触控显示基板的截面示意图，如图7所示，在步骤1023中，通过将步骤1022中制备出的触控显示基板置于等离子体处理设备中，并进行等离子体处理，可使得对位标记具备良好的可视性。本实施例中，可选地，该等离子体处理的工艺条件为：等离子体处理设备的上电极输出功率为15KW，下电极输出功率为20KW，反应气体为H2，气体流量为1000～5000sccm，反应气压为5MT～20MT。
在进行等离子体处理过程中，由于对位标记图形2的上方保留有光刻胶5，因此氢等离子体无法与对位标记图形2的上表面接触，此时氢等离子体只能与对位标记图形2的侧表面接触并发生反应，具体地，氢等离子体轰击ITO材料中的In–O键和Sn–O键，并使其断开，从而能从ITO材料中析出In单质和Sn单质，进而使得对位标记图形2的侧表面区域呈现黑色，该黑色区域即构成非透明子图形21。此时，对位标记图形2的中间区域仍为TIO材料构成且呈现透明，该透明区域即构成透明子图形，且非透明子图形21围绕透明子图形的边缘。
通过步骤1023的处理后，对位标记图形2为一个中间透明、边缘黑色的图形，此时通过摄影机可清楚的看到对位标记图形2的轮廓，进而方便与后序构图工艺中的掩膜版进行对位。
需要说明的是，在步骤1023中，由于触控电极图形3的侧表面也是暴露在等离子体环境中的，因此触控电极图形3的侧表面区域也会变为黑色图形6。为保证位于触控电极图形3的侧表面区域的黑色图形6不会影响到触控显示面板的显示，可以将触控电极图形3的边缘区域置于触控显示面板的非像素区域(被黑矩阵所覆盖的区域)内，此时像素区域所射出的光可以正常穿过触控电极图形3的透明区域。
需要说明的是，附图中触控电极图形3为条状的情况仅起到示例性作用，这并不会对本发明的技术方案产生限制。本发明对触控电极图形3的形状不作限制。
步骤1024：对触控电极图形和对位标记图形上方的光刻胶进行剥离处理。
在步骤1024中，通过剥离液可使得触控电极图形3和对位标记图形2上方的光刻胶5剥离。
本发明实施例一提供了一种触控显示基板及其制备方法，可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，在仅利用一块掩膜版和一次曝光工艺的情况下完成了对位标记图形和触控电极图形的制备，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。
实施例二
图8为本发明实施例二提供的一种触控显示基板的截面示意图，如图8所示，该触控显示基板与上述实施例一中的触控显示基板的区别在于，图8所示的触控显示基板中，仅位于最外侧的触控电极图形3上存在黑色图形6，而位于基板中间位置的触控电极图形3不存在黑色图形6。本实施例相较于上述实施例一而言，本实施例的技术方案可有效的避免黑色图形6对触控显示面板的显示造成影响。
本发明实施例二还提供了一种触控显示基板的制备方法，用于制备出图8所示的触控显示基板。图9为本发明实施例二提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图，如图9所示，该制备方法包括：
步骤201：在衬底基板的上方沉积透明薄膜。
需要说明的是，本实施例中仍以透明薄膜4的材料为ITO为例进行说明。
步骤202：在透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工图形掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和待加工图形的位置的光刻胶完全保留。
图10为本发明实施例二中经过步骤202处理后的触控显示基板的截面示意图，如图10所示，在步骤202中，首先，通过光刻胶5涂布装置在ITO薄膜上涂布一层光刻胶5；然后，将对位标记与待加工掩膜版与涂布了光刻胶5的基板进行对位，并通过曝光机对光刻胶5进行曝光处理；接着，利用显影液对曝光后的光刻胶5进行显影处理。待显影工艺完成后，对应于待形成对位标记图形2和待加工图形7的位置的光刻胶5完全保留。
需要说明的是，步骤202与上述实施例一中的步骤1021的区别在于，步骤202中的掩膜版与步骤1021中所使用的掩膜版不同。具体地，在步骤202中不需要进行触控电极图形3的掩膜。
步骤203：对透明薄膜进行刻蚀处理，以形成对位标记图形和待加工图形。
图11为本发明实施例二中经过步骤203处理后的触控显示基板的截面示意图，如图11所示，对ITO薄膜进行湿法刻蚀，以形成对位标记图形2和待加工图形7。此时，对位标记图形2和待加工图形7上方的光刻胶5依然保留。需要说明的是，在后续流程中，生产人员可基于该待加工图形7制备出触控电极图形3。
步骤204：对对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形。
图12为本发明实施例二中经过步骤204处理后的触控显示基板的截面示意图，如图12所示，采用与上述实施例一中步骤1023相同的工艺，以使得对位标记图形2的侧表面区域呈现黑色，该黑色区域即构成非透明子图形21，从而使得对位标记图形2具有良好的可视性。
需要说明的是，经过步骤204处理后，对位标记图形2仅侧表面区域呈现黑色。
步骤205：对对位标记图形和待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理。
步骤206：对待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
参见图8，采用现有技术中所使用的触控电极图形3的掩模板对待加工图形7进行构图工艺，以形成触控电极图形3，且触控电极图形3整体呈现透明(除位于最外侧的两个触控电极图形3外)。此时，可最大限度的避免触控电极图形3上出现黑色图形6而影响到触控显示面板的显示。
需要说明的是，由于采用构图工艺生成相应图形的技术手段为本领域的常用技术手段，因此对于步骤206通过构图工艺以将待加工图形7变为触控电极图形3的过程，此处不进行赘述。
需要说明的是，本实施例中可以将待加工图形7的尺寸预先设计的较大些，以使得待加工图形7的边缘不会作为最外侧触控电极图形3的一部分，则此时形成的各触控电极图形3均不会带有黑色图形6。此种情况未给出相应的附图。
本发明实施例二提供了一种触控显示基板及其制备方法，可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。
实施例三
图13为本发明实施例三提供的一种触控显示基板的俯视图；图14a为图13中对位标记图形的俯视图，图14b为图13中B-B向的截面示意图，如图13、图14a和图14b所示，该触控显示基板与上述实施例二中的触控显示基板的区别在于，在图13所示的触控显示基板中，非透明子图形21不仅位于对位标记图形2的侧表面区域还位于对位标记图形2的上表面区域。具体地，在本实施例中，该对位标记图形2包括：非透明子图形21和透明子图形22，非透明子图形21覆盖透明子图形22的侧面和上表面。
本实施例相较于上述实施例一和实施例二而言，本实施例的技术方案可使得对位标记图形2具备更佳的可视性。
本发明实施例三还提供了一种触控显示基板的制备方法，用于制备出图7所示的触控显示基板。图15为本发明实施例三提供的一种触控显示基板的制备方法的流程图，如图15所示，该制备方法包括：
步骤301：在衬底基板的上方沉积透明薄膜。
需要说明的是，本实施例中仍以透明薄膜4的材料为ITO为例进行说明。
步骤302：在透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工半色调掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形的位置的光刻胶部分保留，对应于待形成待加工图形的位置的光刻胶完全保留。
图16为本发明实施例三中经过步骤302处理后的触控显示基板的截面示意图，如图16所示，在步骤302中，首先，通过光刻胶5涂布装置在ITO薄膜上涂布一层光刻胶5；然后，将对位标记与待加工半色调掩膜版与涂布了光刻胶5的基板进行对位，并通过曝光机对光刻胶5进行曝光处理；接着，利用显影液对曝光后的光刻胶5进行显影处理。待显影工艺完成后，对应于待形成对位标记图形2的位置的光刻胶5部分保留，对应于待形成待加工图形7的位置的光刻胶5保完全保留。
需要说明的是，步骤302与上述实施例一中的步骤202的区别在于，步骤302中的掩膜版为半色调掩膜版，且对应于对位标记图形2位置的光刻胶5的曝光量小于对应于待加工图形7位置的光刻胶5的曝光量。由于半色调掩膜技术为本领域的常规技术，因此对于本实施例中使用半色调掩模技术，以实现对应于待形成对位标记图形2的位置的光刻胶5部分保留，对应于待形成待加工图形7的位置的光刻胶5保完全保留的具体过程，此处不进行详细描述。
步骤303：对透明薄膜进行刻蚀处理，以形成对位标记图形和待加工图形。
图17为本发明实施例三中经过步骤303处理后的触控显示基板的截面示意图，如图17所示，对ITO薄膜进行湿法刻蚀，以形成对位标记图形2和待加工图形7。此时，对位标记图形2上方的光刻胶5的厚度小于待形成待加工图形7上方的光刻胶5的厚度。
步骤304：对对位标记图形和待加工图形上方的光刻胶进行灰化处理，对位标记图形上方的光刻胶完全去除，待加工图形上方的光刻胶部分保留。
图18为本发明实施例三中经过步骤304处理后的触控显示基板的截面示意图，如图18所示，通过将上述步骤303所制备出的触控显示基板置于灰化设备中，并通过控制相应的灰化处理时间，可使得对位标记图形2上方的光刻胶5完全去除，且使得待加工图形7上方的光刻胶5部分去除(即部分保留)。
步骤305：对对位标记图形的侧表面和上表面进行等离子体处理，对位标记图形的侧表面区域和上表面区域变为非透明子图形。
图19为本发明实施例三中经过步骤305处理后的触控显示基板的截面示意图，如图19所示，采用与上述实施例一中步骤1023相同的工艺以对步骤304中制备出的触控显示基板进行等离子体处理。
在进行等离子体处理过程中，由于对位标记图形2的上表面和侧表面均暴露在等离子体环境中，因此对位标记图形2的上表面区域和侧表面区域均会与等离子进行反应，进而使得呈现黑色，即对位标记图形2的侧表面区域和上表面区域均变为非透明子图形21。因此，该对位标记会具有更佳的可视性。
步骤306：对待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理。
步骤307：对待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
对于步骤305和步骤306的过程可参见上述实施例二中对步骤205和步骤206的描述，此处不再进行赘述。
本发明实施例三提供了一种触控显示基板及其制备方法，可利用同一种材料来制备对位标记图形和触控电极图形，同时将对位标记图形的制备流程融入到触控电极图形的制备流程中，从而有效地降低了基板的生产成本和提高了产线的生产效率。
实施例四
发明实施例四还提供了一种触控显示面板，其中该触控显示面板包括：触控显示基板，该触控显示基板采用上述实施例一、实施例二或实施例三中任一所述的触控显示基板，具体内容可参见上述实施例一、实施例二以及实施例三中的描述，此处不再进行赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种触控显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的上方沉积透明薄膜；
利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域；
所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与触控电极掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和触控电极图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述触控电极图形；
对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形。
2.根据权利要求1所述的触控显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理的步骤之后还包括：
对所述触控电极图形和对位标记图形上方的光刻胶进行剥离处理。
3.一种触控显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的上方沉积透明薄膜；
利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域；
所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形和待加工图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；
对所述对位标记图形的侧表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域变为非透明子图形；
对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；
对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
4.一种触控显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的上方沉积透明薄膜；
利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形，所述对位标记图形与所述触控电极图形同层设置，所述对位标记图形至少包括：非透明子图形，所述非透明子图形至少对应于所述对位标记图形的侧表面区域；
所述利用构图工艺对所述透明薄膜进行处理，以形成触控电极图形和对位标记图形的步骤具体包括：
在所述透明薄膜上方涂布光刻胶，并利用对位标记与待加工半色调掩膜版对光刻胶进行曝光处理，以及将曝光后的光刻胶进行显影处理，对应于待形成对位标记图形的位置的光刻胶部分保留，对应于待形成待加工图形的位置的光刻胶完全保留；
对所述透明薄膜进行刻蚀处理，以形成所述对位标记图形和所述待加工图形；
对所述对位标记图形和所述待加工图形上方的光刻胶进行灰化处理，所述对位标记图形上方的光刻胶完全去除，所述待加工图形上方的光刻胶部分保留；
对所述对位标记图形的侧表面和上表面进行等离子体处理，所述对位标记图形的侧表面区域和上表面区域变为非透明子图形；
对所述待加工图形上方的光刻胶进行剥离处理；
对所述待加工图形进行构图工艺，以形成触控电极图形。
5.根据权利要求1-4中任一所述的触控显示基板的制备方法，其特征在于，所述透明薄膜的材料为ITO和AZO中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的触控显示基板的制备方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺条件为：
等离子体处理设备的上电极输出功率为15KW，下电极输出功率为20KW；
反应气体为H2；
气体流量为1000～5000sccm；
反应气压为5MT～20MT。
CN201510603936.8A 2015-09-21 2015-09-21 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板 Expired - Fee Related CN105093636B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510603936.8A CN105093636B (zh) 2015-09-21 2015-09-21 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510603936.8A CN105093636B (zh) 2015-09-21 2015-09-21 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105093636A CN105093636A (zh) 2015-11-25
CN105093636B true CN105093636B (zh) 2018-11-13

Family

ID=54574412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510603936.8A Expired - Fee Related CN105093636B (zh) 2015-09-21 2015-09-21 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105093636B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107463284A (zh) * 2016-06-02 2017-12-12 中强光电股份有限公司 触控显示系统及其校正方法
CN106647005B (zh) * 2017-02-04 2021-08-20 上海天马微电子有限公司 彩膜基板及其制造方法、显示装置及其制造方法
CN109407869B (zh) * 2017-08-15 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 触控结构及其制备方法、显示装置
CN109426397B (zh) 2017-08-22 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 触控结构的制备方法、触控结构
JP2019191239A (ja) * 2018-04-19 2019-10-31 シャープ株式会社 表示パネル
CN111221429A (zh) * 2018-11-26 2020-06-02 南昌欧菲显示科技有限公司 触控模组、触控屏及其制备方法
CN110441067A (zh) * 2019-07-23 2019-11-12 北京现代汽车有限公司 手伸及性的评价装置及人机交互部件的设计方法
CN113451274B (zh) * 2020-10-28 2022-08-05 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led芯片组件、显示面板及制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101441347A (zh) * 2008-12-23 2009-05-27 友达光电股份有限公司 彩色滤光触控基板、显示面板及两者的制造方法
CN102693960A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 瑞鼎科技股份有限公司 半导体装置
CN103226246A (zh) * 2013-05-06 2013-07-31 中航华东光电有限公司 一种光栅面板与显示面板的对位方法及该光栅面板
CN103412428A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种对位系统
CN103926808A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 株式会社阿迪泰克工程 氧化铟锡图案曝光装置
CN104155795A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 Cf基板的对组标记的制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612128A (ja) * 1984-06-13 1986-01-08 Sharp Corp 液晶表示素子の製造方法
JPH08146371A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP3973058B2 (ja) * 1997-11-21 2007-09-05 大日本印刷株式会社 透明電極膜用アライメントマーク
JP2002350888A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
KR101373406B1 (ko) * 2007-02-16 2014-03-13 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011100326A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Casio Computer Co Ltd タッチパネル用マザー基板とその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101441347A (zh) * 2008-12-23 2009-05-27 友达光电股份有限公司 彩色滤光触控基板、显示面板及两者的制造方法
CN102693960A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 瑞鼎科技股份有限公司 半导体装置
CN103926808A (zh) * 2013-01-15 2014-07-16 株式会社阿迪泰克工程 氧化铟锡图案曝光装置
CN103226246A (zh) * 2013-05-06 2013-07-31 中航华东光电有限公司 一种光栅面板与显示面板的对位方法及该光栅面板
CN103412428A (zh) * 2013-07-24 2013-11-27 北京京东方光电科技有限公司 一种对位系统
CN104155795A (zh) * 2014-08-26 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 Cf基板的对组标记的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105093636A (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105093636B (zh) 触控显示基板及其制备方法和触控显示面板
CN107481934B (zh) 一种薄膜晶体管的制作方法
CN105914183B (zh) Tft基板的制造方法
CN102645793B (zh) 柱状隔垫物的生成方法、系统以及液晶显示面板
US9626017B2 (en) Touch panel and manufacturing method thereof, display device
US10503325B2 (en) Display device, touch panel and method for manufacturing the same
CN105137672B (zh) 阵列基板及其制造方法
CN105957867B (zh) 阵列基板母板及其制作方法、显示装置
CN104037126A (zh) 一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置
CN107390926A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示面板
CN102709241A (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
CN107464776A (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN105742299B (zh) 一种像素单元及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN102468231B (zh) 阵列基板及其制造方法和有源显示器
CN102929459A (zh) 一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法
CN103646852A (zh) 一种基板的制作方法
CN102789106A (zh) 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法以及显示装置
CN104882450B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103487984A (zh) 彩膜基板、显示面板和彩膜基板的制造方法
CN103048840A (zh) 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
CN104091806B (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
CN104571716A (zh) 上基板及制备方法、触控显示面板及制备方法
CN102629018B (zh) 彩膜基板、tft阵列基板及其制造方法和液晶显示面板
CN104576527B (zh) 一种阵列基板的制备方法
CN102707832A (zh) 触摸屏显示器的制作方法、触摸屏显示器以及终端

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181113