CN103926808A - 氧化铟锡图案曝光装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种氧化铟锡图案曝光装置，其能够防止干涉条纹的产生，良好地保持膜标记的图像识别。在膜掩模（1）的与膜标记（60）对应的位置形成有掩模孔（2），膜掩模（1）被切开而开出孔。掩模孔（2）的尺寸充分大于膜标记（60）的尺寸，由于该掩模孔（2），不会在膜标记（60）的上部发生膜掩模（1）和掩模架（3）的贴合，不会在标记上产生干涉条纹。

Description

氧化铟锡图案曝光装置

技术领域

本发明涉及ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）图案曝光装置，其用于在触摸板用的膜电极制造中，在称作PET（Polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯）膜的透明膜上形成ITO图案。

背景技术

智能手机和平板电脑终端的画面上的触摸板由在透明膜上形成的透明电极构成。该透明电极由在透明膜上形成的ITO的膜的图案构成。而且，随着近年的智能手机和平板电脑终端的普及，对该ITO膜的配线图案的高精细化的要求提高，而作为实现它的一个手段采用了光刻（Photolithography）。

在光刻中，使描绘有电路图案的掩模与放置于载台上的透明的PET膜重合，利用照相机对在它们各自的表面设置的对位用的膜标记和掩模标记的位置进行观测，并通过图像处理求出它们的位置差分，之后，沿x、y、θ方向调整载台的位置来进行两者的对位，然后，曝光紫外线，将掩模上的图案转印到涂布在PET膜上的感光抗蚀剂。

关于掩模，存在玻璃掩模和膜掩模等，但从性价比的方面出发，主要采用膜掩模，将膜掩模贴合在用于支承它的、由玻璃或树脂等透明体制成的掩模架来使用。

在这样的ITO图案曝光装置中，作为大的问题点，存在上述膜掩模和PET膜的对位困难的问题。

其原因之一是，PET膜上的膜标记由ITO膜（透明电极）形成，而ITO膜对于可视光是透明的，因此对膜标记的位置的识别困难。

因此进行了以下等措施：以ITO膜的透过率低、反射率高的、比近紫外区（波长400nm左右）短的波长进行照射并利用照相机拍摄，或者相对于掩模架的玻璃面垂直地照射，由此增大ITO膜的膜标记和玻璃表面部之间的反射率差。

另外，还提出了以下等方法：在ITO膜上利用金属膜另行形成对准标记（专利文献1）；或在装置侧采用能够根据ITO的分光反射率选择照明波长的结构来进行标记识别（专利文献2）。

专利文献1：日本特开2011-100360号公报

专利文献2：日本特公平5-87763号公报

作为膜标记的位置识别困难的原因，除了ITO膜为透明之外，还有干涉条纹的产生，该干涉条纹使对位的精度大大降低。

在图8中示出了如下状态：在PET膜5’上设有由ITO膜形成的膜标记60’，在膜标记60’上形成有抗蚀膜51’，在此上重合保持于玻璃制的掩模架3’上的膜掩模1’，来进行膜掩模1’的掩模标记10’和膜标记60’的对位，并且，从上方照射照相机的照明装置的照明入射光95。

在膜掩模1’和掩模架3’的掩模架玻璃30’之间存在微米级的微小间隙S，由于该间隙S，如图所示地产生了照明入射光95在掩模架玻璃30’的背面32’反射的反射光与在膜掩模1’的表面12’反射的反射光干涉而出现干涉条纹F的现象。该干涉条纹F随着间隙S的大小的变化而变化。虽然干涉条纹F所具有的光强度变化很小，但由于ITO膜的对位标记60’自身的对比度低，因此存在干涉条纹F成为噪声图像，对基于图像处理的膜标记识别造成妨碍的问题。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术的问题。

为达成上述目的，本发明的ITO图案曝光装置具备：膜掩模，所述膜掩模描绘有待曝光的电路图案；和掩模架，所述掩模架由支承所述膜掩模的透明体构成，该ITO图案曝光装置在具有待形成所述电路图案的ITO膜的透明膜上进行曝光，其特征在于，所述ITO图案曝光装置具有：对位用的膜标记，其具有在所述透明膜上设置的ITO膜；掩模孔，其比所述膜标记大，所述掩模孔设在所述膜掩模的与所述膜标记对应的位置；以及对位用的掩模标记，其设在所述掩模孔的周围。

在以上结构中，通过掩模孔消除了来自膜掩模表面的反射光，消除了其与掩模架背面的反射光之间的干涉条纹，能够良好地进行膜标记的识别。

另外，期望所述ITO图案曝光装置还具备吸附槽，所述吸附槽设于所述掩模架，用于使所述膜掩模的掩模孔的周围吸附于掩模架。利用该结构，防止空气从掩模孔流入，防止了在以孔为中心的广大范围内膜掩模与掩模架之间的贴合度的降低，能够防止曝光分辨率的恶化。

根据本发明的ITO图案曝光装置，具有如下效果：防止了干涉条纹的产生，能够良好地保持膜掩模的图像识别，并能够在维持曝光分辨率的状态下进行高精度的对准曝光。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式的概略立体图。

图2是示出本发明的一个实施方式的局部侧剖视图。

图3是示出本发明的一个实施方式的动作的说明图。

图4是示出本发明的一个实施方式的吸附槽4的结构的局部放大俯视图。

图5是示出本发明的一个实施方式的吸附槽4的结构的俯视图。

图6是示出本发明的一个实施方式的吸附槽4的效果的说明图。

图7是示出本发明的一个实施方式的吸附槽4的另一结构的俯视图。

图8是示出以往的曝光装置中的干涉条纹的产生的说明图。

标号说明

1：膜掩模；2：掩模孔；3：掩模架；4：吸附槽；5：PET膜；6：ITO膜；8：控制装置；10：掩模标记；12：膜掩模表面；15：电路图案；30：掩模架玻璃；31：抽吸槽；32：掩模架玻璃背面；40：抽吸装置；45：连通槽；51：抗蚀膜；95：照明入射光；96：照相机照明装置；97：照相机；98：XYθ载台；99：曝光光源。

具体实施方式

以下基于附图对本发明的实施方式进行说明。

在图1中示出了本发明的ITO图案曝光装置的概略立体图。

在图1中，形成有ITO膜6的PET膜5被载置在能够沿XYθ方向移动的XYθ载台98上，利用来自曝光光源99的曝光光对电路图案15进行曝光，电路图案15描绘在被位于上方的掩模架3保持的膜掩模1上。

构成为：在PET膜5的四角的四个部位形成有膜标记60，并且在膜掩模1的与膜标记60对应的位置描绘有四个掩模标记10，利用具备照相机照明装置96的照相机97对该膜标记60和掩模标记10进行拍摄，并通过图像处理求出两者的位置差，利用XYθ载台98使PET膜5沿XYθ方向移动，从而使膜标记60和掩模标记10一致，由此进行PET膜5和膜掩模1的对位。从照相机照明装置96照射出ITO膜6的透过率低、反射率高的近紫外区（波长400nm左右）或波长更短的照明光。

构成为：该曝光装置的控制由控制装置8进行，所述膜标记60和掩模标记10的图像处理和对位也由控制装置8进行。另外，具备后述的抽吸装置40。

此外，在图1中，对掩模标记10、膜标记60、照相机照明装置96和照相机97进行了省略而只画出两个，但实际上各具备四个。

在图2中示出了局部放大图。在PET膜5上像前述那样形成有ITO膜6，膜标记60也由ITO膜6形成。在ITO膜6上还形成有抗蚀膜51。此外，在图2中省略了抗蚀膜51的图示。

膜掩模1贴合于掩模架3的掩模架玻璃30，并被设在掩模架玻璃30上的抽吸槽31吸附于掩模架3。掩模架玻璃30被抽吸装置40抽吸而变成负压，从而对膜掩模1进行吸附。

在膜掩模1的与所述膜标记60对应的位置形成有掩模孔2，膜掩模1被切开而开出孔。与膜标记60的尺寸相比，该掩模孔2具有直径为大约两倍的尺寸，在本实施方式中，相对于膜标记60的的尺寸，掩模孔2为的尺寸。

由于该掩模孔2，膜掩模1和掩模架玻璃30不会在膜标记60的上部贴合，从而不会在标记上产生干涉条纹。

在掩模孔2的周围描绘有圆环状的掩模标记10。掩模标记10的尺寸（外径）比掩模孔2的直径大，即使存在掩模孔2的形状变化或位置变动，也不会在对位精度上产生问题。在本实施方式中，掩模标记10外径为预先制作出的黑圆点，在其中央开出的掩模孔2，从而形成环状的掩模标记10。

在图2的（B）中示出了由照相机97拍摄的膜标记60和掩模标记10的图像。

在掩模架3的上方设有照相机97和照相机照明装置96，从照相机照明装置96大致垂直地照射照明光并对掩模标记10和膜标记60进行拍摄，从而获得所述图2的（B）的图像，并进行对位。

如图3的（A）和（B）所示，使上述结构的膜掩模1与PET膜5重合，来进行膜标记60和掩模标记10的对位。

如上所述，由于通过掩模孔2而切除了膜掩模1的一部分，因此没有在图8中说明那样的、照相机照明装置96的照明入射光95从膜掩模表面12反射的反射光，从而消除了该反射光与玻璃30的背面32的反射光a的干涉条纹。此外，如图所示，抗蚀膜51的反射光b与玻璃30的背面32的反射光a光程差变大，因此不会产生干涉条纹。由于照明入射光95的入射角大致垂直，因此该光程差的大小为膜掩模1的厚度（100μm～200μm左右）×2。另一方面，来自照相机照明装置96的照明光为波长400nm左右的近紫外区光线，所述光程差充分地大于照明光的可干涉距离，因此不会引起干涉，不会产生干涉条纹。

在掩模架玻璃30的与所述掩模孔2对应的位置形成有吸附槽4。构成为：利用抽吸装置40抽吸该吸附槽4，来使掩模孔2的周围贴合于掩模架玻璃30。

如图4和图5所示，在围绕各掩模孔2的位置分别形成有吸附槽4，各吸附槽4形成为与所述抽吸槽31连通。

如图所示，抽吸槽31、31在掩模架玻璃30的周围形成双层的框状，使膜掩模1的周围贴合于掩模架玻璃30。吸附槽4为与内侧的抽吸槽31连通的コ字形状的槽，利用吸附槽4和抽吸槽31的一部分形成包围掩模孔2的槽。

抽吸装置40构成为对这些吸附槽4和抽吸槽31、31一起进行抽吸，从而使膜掩模1贴合于掩模架玻璃30。

在图6中示出了吸附槽4的作用效果。

在未设有吸附槽4的情况下，如图6的（A）所示，空气从掩模孔2流入，在以掩模孔2为中心的广大范围内，膜掩模1和掩模架玻璃30之间的贴合度降低，在远离掩模孔2的部位曝光分辨率恶化。但是，如本实施方式所示，通过以包围掩模孔2的方式在掩模架玻璃30上形成吸附槽4，对从膜掩模1上开设的掩模孔2流入的空气进行抽吸，防止空气向吸附槽4的外侧的、具有电路图案15的膜掩模1的中央部流入，能够防止膜掩模1和掩模架玻璃30之间的贴合度降低。

图7示出了吸附槽4的另一实施方式。在该实施方式中，吸附槽4’、4’以构成具有与抽吸槽31、31相同的长度的平行线的方式沿纵向形成有两条。吸附槽4’在多个部位具备连通槽45，并通过该连通槽45与内侧的抽吸槽31连通。在该结构中，由吸附槽4’、连通槽45及内侧的抽吸槽31形成多个框形状的抽吸槽。

利用该结构能够在广大范围的区域进行抽吸。并且，还能够应对位于膜掩模1的长边方向或短边方向的各种位置的掩模孔2，还能够在广大范围内应对具有不同掩模孔2的不同的膜掩模1。

在以上说明的实施方式中，利用掩模孔2来消除照明光从膜掩模表面12的反射，能够防止干涉条纹的产生，从而良好地进行膜标记60的识别，实现对位精度的提高。

Claims (3)

1.一种氧化铟锡图案曝光装置，其具备：膜掩模，所述膜掩模描绘有待曝光的电路图案；和掩模架，所述掩模架具有支承该膜掩模的透明体，该氧化铟锡图案曝光装置在具有待形成所述电路图案的氧化铟锡膜的透明膜上进行曝光，其特征在于，

所述氧化铟锡图案曝光装置具有：

对位用的膜标记，其具有在所述透明膜上设置的氧化铟锡膜；

掩模孔，其比所述膜标记大，所述掩模孔设在所述膜掩模的与所述膜标记对应的位置；以及

对位用的掩模标记，其设在该掩模孔的周围。

2.根据权利要求1所述的氧化铟锡图案曝光装置，其中，

所述氧化铟锡图案曝光装置还具备吸附槽，所述吸附槽设于所述掩模架，用于使所述膜掩模的掩模孔的周围吸附于掩模架。

3.根据权利要求1所述的氧化铟锡图案曝光装置，其中，

所述氧化铟锡图案曝光装置还具备多个框形状的吸附槽，它们设于所述掩模架，并包围多个预定的范围。