CN109426397B - 触控结构的制备方法、触控结构 - Google Patents

触控结构的制备方法、触控结构 Download PDF

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Abstract

一种触控结构及其制备方法，该方法包括：在基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；对所述第一导电层和所述第二导电层构图以分别形成第一导电层图案和第二导电层图案；其中，在所述第二导电层图案形成之后形成所述第一导电层图案，且所述第一导电层图案和所述第二导电层图案彼此不同。该方法通过在第二导电层图案形成之后再形成第一导电层图案，可以使第二导电层图案与第一导电层图案的对位操作更加方便、更加准确。

Description

触控结构的制备方法、触控结构
技术领域
本公开的实施例涉及一种触控结构的制备方法、触控结构。
背景技术
触控结构作为一种信息输入设备，它能简单、方便地实现人机交互，为人们提供一种全新的多媒体人机交互方法。按照工作原理和传输介质的不同，触控结构可分为电阻式、电容式、表面声波式和红外式，其中电容式触控结构准确度高、抗干扰能力强，因而被广泛采用。而且，电容式触控结构具有触摸反应灵敏、易于实现多点触摸等优点，因此极大地满足了人们对操作便利性的追求。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，包括：在基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；对所述第一导电层和所述第二导电层构图以分别形成第一导电层图案和第二导电层图案；其中，在所述第二导电层图案形成之后形成所述第一导电层图案，且所述第一导电层图案和所述第二导电层图案彼此不同。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，对所述第二导电层构图以形成所述第二导电层图案后，对所述第一导电层进行光刻工艺以形成所述第一导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，利用所述第二导电层图案作为对位标记，对所述第一导电层进行光刻工艺以形成所述第一导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，在所述基底上形成所述第一导电层后，在所述第一导电层上进行光刻胶的涂覆、曝光、显影工艺以形成第一光刻胶图案；然后在所述第一导电层以及所述第一光刻胶图案上形成所述第二导电层，对所述第二导电层进行构图以得到所述第二导电层图案，之后利用所述第一光刻胶图案对所述第一导电层进行刻蚀以得到所述第一导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，以所述第一光刻胶图案作为对位标记，对所述第二导电层进行构图以得到所述第二导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，在同一刻蚀液中对所述第二导电层进行刻蚀以对所述第二导电层进行构图以及利用所述第一光刻胶图案对所述第一导电层进行刻蚀以得到所述第一导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述刻蚀液为弱酸溶液。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述弱酸溶液为草酸或磷酸溶液。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述第一导电层为第一透明导电层，所述第二导电层为金属层，所述第一导电层图案为第一透明导电层图案，所述第二导电层图案为金属层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述触控结构包括触控区和周边区，所述第二导电层图案形成在所述周边区中。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述第一导电层图案形成在所述触控区和所述周边区中，并且所述第一导电层图案在所述触控区中的部分包括：沿第一方向形成的第一感测线图案，所述第一感测线图案包括彼此间隔开的多个第一感测电极；沿着第二方向延伸的第二感测线图案，所述第二感测线图案穿过所述第一感测电极的间隔处；所述第二导电层图案以及所述第一导电层图案在所述周边区域中的部分在所述周边区域形成用于所述第一感测线图案和所述第二感测线图案的引线。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，还包括：形成第一保护层并对所述第一保护层进行构图以形成第一保护层图案；所述第一保护层图案至少暴露出所述第一感测电极的部分。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，在所述第一保护层图案中形成过孔以暴露出所述第一感测电极的部分。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，还包括：形成第三导电层并对所述第三导电层进行构图以形成第三导电层图案，所述第三导电层图案形成在所述第一保护层图案上，并通过所述第一感测电极暴露出的部分，将相邻的所述第一感测电极彼此电连接。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，还包括：形成第二保护层以覆盖至少所述第一导电层图案和所述第三导电层图案并对所述第二保护层进行构图以形成第二保护层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述第一保护层还暴露出所述第二导电层图案，且所述第二保护层图案覆盖所述第二导电层图案。
例如，本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法中，所述基底的材质为聚环烯烃高分子材料(COP)。
本公开至少一实施例提供一种触控结构，由上述的任一一种方法制备。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为本公开一实施例提供的一种触控结构的制备方法流程图一；
图2A-图2D为本公开一实施例提供的一种触控结构在制备过程中的截面图一；
图3为本公开一实施例提供的一种触控结构的第一导电层图案的示意图；
图4为本公开一实施例提供的一种触控结构的制备方法流程图二；
图5A1-图5C2为本公开一实施例提供的一种触控结构在制备过程中的截面图和平面图；
图6A-图6D为本公开一实施例提供的一种触控结构在制备过程中的截面图二；
图7为本公开一实施例提供的一种触控结构的示意图。
附图标记：
1-触控区；2-周边区；101-基底；102-第一导电层；1021A-第一感测电极；1021B-第二感测电极；1022-周边图案；103-第二导电层；1031-第二导电层图案；104-第一保护层；1041-过孔；105-第三导电层；106-第二保护层；100-控制单元；10-触控区；20-周边区；201-基底；202-第一导电层；2020-第一光刻胶图案；2021A-第一感测电极；2021B-第二感测电极；2022-周边图案；203-第二导电层；2030-第二光刻胶图案；2031-第二导电层图案；3021A-第一感测电极；3021B-第二感测电极；3022-周边图案；3031-金属线；304-第一保护层图案；305-第三导电层图案；300-控制单元。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
触控结构制备工艺通常采用在基底上逐一形成功能层并进行刻蚀形成功能图案的方式，例如在基底上形成第一功能层并对第一功能层进行刻蚀形成第一功能层图案，然后再形成第二功能层并对第二功能层进行刻蚀形成第二功能层图案……。在此过程中，当第一功能层图案形成后，可能由于第一功能层较薄等原因，导致在刻蚀第二功能层时，曝光机无法准确地与第一功能层进行对位，从而使得第一功能层图案与第二功能层图案之间存在偏差，导致产品功能及良率无法保证。通常，彼此不同的第一功能层图案与第二功能层图案例如需要两次构图工艺或一次灰色调工艺形成。
本公开至少一实施例提供一种触控结构的制备方法，包括：在基底上形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第二导电层；对所述第一导电层和所述第二导电层构图以分别形成第一导电层图案和第二导电层图案；其中，在所述第二导电层图案形成之后形成所述第一导电层图案，且所述第一导电层图案和所述第二导电层图案彼此不同。
第一导电层图案和第二导电层图案例如形成在不同的区域中，或者形成为具有至少部分不同的图案(例如不同的走线、电极、接触垫等)，或者二者虽然形成叠层但是被设计为具有不同宽度等，由此二者彼此不同。
本公开至少一实施例提供的一种触控结构，由本公开实施例提供的任一一种方法制备。
下面通过几个具体的实施例对本公开的触控结构的制备方法、触控结构进行说明。
实施例一
电容式触控结构可以是利用人体的电流感应进行工作的，当用户触摸电容式触控结构时，由于人体电场，例如用户手指和触控结构工作面形成一个耦合电容，因为工作面上加载有高频信号，于是手指吸收走一个很小的电流，控制器通过对该电流的感测，可以分析得出触摸位置。电容式触控结构可以分为表面式电容触控结构和投射式电容触控结构两种，投射式电容触控结构可分为自电容触控结构和互电容触控结构两种类型，下面以较常见的互电容触控结构为例做简单介绍。
互电容式触控结构通常包括在基底上形成的多个横向电极与多个纵向电极，两组电极交叉的位置将会形成电容，也即这两组电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到该触控结构时，手指会影响触摸点附近两个电极之间的耦合状态，从而改变了这两个电极之间的电容量。根据触控结构电容变化量数据以及各个电容的坐标，可以得出每一个触摸点的坐标。在检测电容大小时，横向电极依次发出激励信号，纵向的所有电极同时或依次接收信号，这样可以得到所有横向和纵向电极交汇点的电容值大小，即整个触控结构的二维平面的电容大小。因此，触控结构上即使有多个触摸点，也能计算出每个触摸点的真实坐标。
本实施例提供一种触控结构及其制备方法。图1为本实施例提供的触控结构的制备方法流程图；图3为该实施例提供的触控结构的第一导电层图案的示意图，图5C2为该触控结构的平面图。该触控结构形成在基底上。如图1所示，该方法包括如下的步骤S101-S104。
S101：形成第一导电层。
本实施例中，如图2A所示，首先在基底101上形成第一导电层102。本实施例中，基底101的材质例如可以为聚合物材料，例如聚环烯烃高分子材料(COP)，或者基底101的材质也可以为玻璃、石英、陶瓷等，本实施例对此不做限定；第一导电层102的材质例如可以为透明导电材料，例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。第一导电层102例如可以采用溅射或沉积的方法形成在基底101的表面上，例如当第一导电层102的材质为氧化铟锡(ITO)时，可以采用磁控溅射或者化学气相沉积等方法形成在基底101上。
在本实施例的另一个示例中，基底101例如也可以直接采用已涂覆好第一导电层102的材料，例如采用市售的表面已涂覆好ITO的聚环烯烃高分子材料(COP)材料。
S102：形成第二导电层。
本实施例中，如图2B所示，在第一导电层102形成后，直接在第一导电层102上形成第二导电层103。本实施例中，第二导电层103例如可以为金属层，该金属层的材质例如可以为铜或铜合金、铝或铝合金等。第二导电层103例如可以通过溅射等方法形成在第一导电层102表面。
S103：形成第二导电层图案。
本实施例中，如图2C所示，在第二导电层103形成后，对第二导电层103构图以形成第二导电层图案1031。本实施例中，在采用光刻工艺对第二导电层103进行构图时，可以使用仅对第二导电层103具有刻蚀作用而对第一导电层102不具有刻蚀作用的刻蚀液。例如，当第二导电层103为金属层，而第一导电层102为氧化铟锡层(ITO层)时，可以采用双氧水等对金属层具有刻蚀作用而对ITO不具有刻蚀作用的刻蚀液对第二导电层103进行刻蚀，从而得到第二导电层图案1031。由于该刻蚀液对第一导电层102不具有刻蚀作用，因此可以保持第一导电层102的完整性。本实施例中，触控结构可以包括触控区1和周边区2，第二导电层图案1031形成在周边区2中。本实施例中，例如可以采用光刻工艺对第二导电层103进行构图，该光刻工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀等步骤。
S104：形成第一导电层图案。
本实施例中，如图2D所示，在第二导电层图案1031形成后，对第一导电层102进行构图以形成第一导电层图案。本实施例中，例如可以采用光刻工艺对第一导电层102进行构图，该光刻工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀等步骤。本实施例中，当第一导电层102的材质为氧化铟锡(ITO)，例如可以利用王水作为刻蚀液对第一导电层102进行刻蚀以形成第一导电层图案。对于已经形成的第二导电层图案1031，可以被光刻胶图案覆盖而被保护，从而在刻蚀第一导电层102的过程中而不会收到刻蚀液的不利影响。
本实施例中，在进行光刻工艺时，为了将第一导电层图案与第二导电层图案1031对准，可以利用第二导电层图案1031或一部分(例如专门制作的用于对位的图案)作为对位标记对第一导电层103进行刻蚀以形成第一导电层图案。例如，在光刻工艺的曝光工序中，可以利用曝光机的摄影系统扫描第二导电层图案1031所在位置并进行对准操作；或者在第二导电层图案1031形成后以其为基准重新形成一个对位标记，并利用该对位标记进行曝光机的对准操作，使得所形成的第一导电层图案与第二导电层图案1031对准。
本实施例中，第一导电层图案例如可以形成在触控区1和周边区2中，并包括位于触控区1的触控图案和位于周边区2的周边图案1022。
例如，图3为本实施例中第一导电层图案的示意图。如图3所示，第一导电层图案在触控区1中的触控图案例如包括：沿第一方向，例如图中的X方向形成的第一感测线图案1021A，第一感测线图案1021A包括彼此间隔开的多个第一感测电极；触控图案还包括沿着第二方向，例如图中的Y方向延伸的第二感测线图案1021B，第二感测线图案1021B穿过第一感测电极1021A的间隔处。本实施例中，例如第一方向和第二方向彼此基本垂直。
需要说明的是，为清楚显示，图2D中触控区1仅示出了第一感测线图案1021A所包括的两个第一感测电极及位于该两个第一感测电极间隔处的一条沿Y方向延伸的第二感测线图案1021B，实际情况中，第一感测线图案1021A所包括的第一感测电极的数量及第二感测线图案1021B的数量可以为更多个，本实施例对此不做限定。
本实施例中，如图3所示，第二导电层图案1031以及第一导电层图案在周边区1中的周边图案1022例如可以作为第一感测线图案1021A和第二感测线图案1021B的引线，用于将第一感测线图案1021A和第二感测线图案1021B与执行计算触控位置等功能的控制单元100连接。本实施例中，第一导电层图案在周边区1中的周边图案1022的形成位置与第二导电层图案1031的形成位置相对应，因此第二导电层图案1031形成后，在刻蚀第一导电层图案的周边图案1022时，第二导电层图案1031上涂覆有光刻胶，从而防止用于刻蚀第一导电层的刻蚀液对第二导电层图案1031进行腐蚀。
本实施例提供的触控结构的制备方法，如图4所示，该方法还可以进一步包括步骤S105-S107。
S105：形成第一保护层图案。
图5A1和图5A2为本步骤中所形成的触控结构的截面图和平面图(为清楚显示，图5A1的截面图中触控区1仅示出了第一感测线图案1021A所包括的两个第一感测电极及位于该两个第一感测电极间隔处的一条沿Y方向延伸的第二感测线图案1021B)。本实施例中，如图5A1和图5A2所示，在第一导电层图案形成后，例如还可以在第一导电层图案上形成第一保护层104，并对第一保护层104进行构图以形成第一保护层图案，第一保护层图案至少暴露出部分第一感测电极1021A。例如，如图5A1和图5A2所示，可以通过在第一保护层图案中形成过孔1041的方式暴露出部分第一感测电极1021A。本实施例中，第一保护层图案可以覆盖或暴露出第二导电层图案1031。
本实施例中，第一保护层104例如可以为有机绝缘层，其材质例如可以为树脂等聚合物材料，并通过涂布等方法形成在第一导电层图案上，本实施例对第一保护层104的材质及具体形成方式不做限定。本实施例中，例如也可以采用光刻工艺对第一保护层104进行构图以形成第一保护层图案，该光刻工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀等步骤。
S106：形成第三导电层图案。
本实施例中，如图5B1和图5B2所示，在第一保护层图案形成后，例如还可以形成第三导电层105并对第三导电层105进行构图以形成第三导电层图案。本实施例中，例如也可以采用光刻工艺对第三导电层105进行构图以形成第三导电层图案。第三导电层图案例如可以形成在第一保护层图案的第一感测线图案1021A上，并通过过孔1041形成于第一感测电极暴露出的部分上，从而将相邻的第一感测电极彼此电连接。
S107：形成第二保护层图案。
本实施例中，如图5C1和图5C2所示，在第三导电层图案形成后，例如还可以形成第二保护层106并对第二保护层106进行构图以形成第二保护层图案。本实施例中，例如也可以采用光刻工艺对第二保护层106进行构图以形成第二保护层图案。该第二保护层图案例如可以覆盖第一导电层图案和第三导电层图案，例如还可以覆盖第二导电层图案1031，从而起到对各导电层的保护作用，防止图案被氧化。
本实施例提供的触控结构的制备方法通过在形成第一导电层之后形成第二导电层，然后先对第二导电层进行构图再对第一导电层进行构图的方法，实现将第二导电层图案与第一导电层图案更准确的对准，从而避免由于第一导电层较薄等原因所造成的第二导电层图案与第一导电层图案对位困难等问题。
实施例二
本实施例提供一种触控结构的制备方法，该方法同样包括实施例一中所包括的步骤S101-S104，与实施例一不同的是，本实施例中，步骤S101-S104采用的具体制备工艺与实施例一有所不同。本实施例提供的触控结构的制备方法如下：
S101：形成第一导电层。
本实施例中，如图6A所示，第一导电层202形成在基底201上，第一导电层202的形成方法及所用材料同实施例一，本实施例与实施例一不同之处在于，本实施例中，第一导电层202形成之后即在第一导电层202上进行光刻胶的涂覆、曝光、显影工艺以形成第一光刻胶图案2020，本实施例中，第一光刻胶图案2020例如可以形成在触控区10中。第一光刻胶图案2020形成后先不对第一导电层202进行刻蚀即进入下一步制备工艺。
S102：形成第二导电层。
本实施例中，如图6B所示，在第一光刻胶图案2020形成后，在第一导电层202以及第一光刻胶图案2020上形成第二导电层203。本实施例中，第二导电层203的形成方法及所用材料同实施例一，在此不再赘述。
S103：形成第二导电层图案。
本实施例中，对第二导电层203进行构图以得到第二导电层图案。本实施例所采用的对第二导电层203构图的方法与实施例一有所不同。本实施例中，在利用光刻工艺进行构图时，为了将第一导电层图案与第二导电层图案对准，可以以步骤S101中所形成的第一光刻胶图案2020或一部分(例如专门形成的用于对位的图案)作为对位标记，对第二导电层203进行光刻工艺以得到第二导电层图案。例如，在光刻工艺的曝光工序中，可以利用曝光机的摄影系统扫描第一光刻胶图案2020所在位置并进行对准操作；或者，由于第一导电层202中存在突起的对位标记(图中未示出)，在涂覆光刻胶时，光刻胶中存在对应于该对位标记的厚度突起部分，因此可以利用该厚度突起部分进行曝光机的对准操作，然后进行后续工艺，最终实现将第一导电层图案与第二导电层图案对准。
本实施例中，如图6C和图6D所示，利用上述对准操作进行光刻工艺，对第二导电层203进行光刻胶的涂覆、曝光、显影工序以形成第二光刻胶图案2030，第二光刻胶图案2030例如可以形成在周边区20中。第二光刻胶图案2030形成后可以利用同一刻蚀液中对第二导电层203进行刻蚀以得到位于周边区20的第二导电层图案2031以及利用第一光刻胶图案2020对第一导电层202进行刻蚀以得到第一导电层图案，第一导电层图案包括位于触控区的第一感测线图案2021A、第二感测线图案2021B和位于周边区20的周边图案2022。此时，该刻蚀液应对第一导电层202和第二导电层203所采用的材料均具有腐蚀效果。例如，本实施例中，当第一导电层202为ITO透明导电层，第二导电层203为金属层时，该刻蚀液例如可以为弱酸溶液，例如可以选用草酸或磷酸溶液等进行刻蚀，从而实现利用同一刻蚀液对ITO透明导电层和金属层这两个功能层同时进行刻蚀。
S104：形成第一导电层图案。
本实施例中，如图6D所示，由于利用同一刻蚀液中对第二导电层203及第一导电层202进行刻蚀，因此在位于上层的第二导电层图案2031形成后，或者在刻蚀液将第二导电层203腐蚀并与第一导电层202接触时，继续对第一导电层202进行刻蚀以得到第一导电层图案，因此第二导电层图案2031与第一导电层图案将会在较快的时间内先后形成或者近乎同时形成。
本实施例中，触控结构的制备方法当然也可以包括实施例一中所包括的步骤S105-S107，即包括形成第一保护层图案、第三导电层图案和第二导电层图案的步骤，这些步骤的具体操作方法同实施例一，在此不再赘述。
利用本实施例的制备方法或实施例一的制备方法可以得到基本相同的触控结构，该触控结构的各层导电图案对准更精确，因此触控感应灵敏，功能性更强。
实施例三
本公开至少一实施例提供一种触控结构，该触控结构由本公开实施例提供的任一种触控结构的制备方法制备。该触控结构例如可以为电容式触摸屏，例如可以为表面式电容触摸屏或投射式电容触摸屏，例如又可以为自电容触摸屏或互电容触摸屏，本实施例对触控结构的具体类型不做限定。本实施例提供的触控结构中，其各层导电图案对准更精确，因此触控感应灵敏，功能性更强。
例如，如图7所示，本实施例提供一种互电容式触摸屏，该触摸屏包括在基底(图中未示出)上形成的沿X方向的第一感测线图案3021A与沿Y方向形成的第二感测线图案3021B，第一感测线图案3021A包括彼此间隔开的多个第一感测电极，第二感测线图案3021B是连续的并穿过第一感测电极3021A的间隔处。该触摸屏还包括第一保护层图案304和第三导电层图案305，第一保护层图案304至少形成在第二感测线图案3021B的对应于第一感测电极3021A间隔处的部分上，例如本实施例中，第一保护层图案304形成在第一感测线图案3021A和第二感测线图案3021B表面并暴露出第一感测电极3021A的一部分(图中未示出)，第三导电层图案305形成在第一保护层图案304上并通过该暴露的部分将具有间隔的相邻的两个第一感测电极桥接，因此，第一感测线图案3021A与第二感测线图案3021B存在交叉的部分并且第一感测线图案3021A与第二感测线图案3021B的交叉处通过第一保护层图案304绝缘，使得交叉处形成电容，而第一感测线图案3021A与第二感测线图案3021B分别构成了电容的两个电极。
该触摸屏还包括作为引线的金属线3031和与第一感测线图案3021A、第二感测线图案3021B处于同一层的周边图案3022，金属线3031和周边图案3022将第一感测线图案3021A和第二感测线图案3021B与具有计算触摸点等功能的控制单元300连接。因此，当手指触摸到该触摸屏时，手会影响触摸点附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容量。控制单元300可以接收电容量变化数据，并根据该电容变化量数据，可以计算出每一个触摸点的坐标。在检测电容大小时，第一感测线图案3021A作为发出激励信号的电极依次发出激励信号，第二感测线图案3021B作为接收信号的电极在第一感测线图案3021A作为发出激励信号的同时接收信号，因此控制单元300可以获得所有第一感测线图案3021A和第二感测线图案3021B交汇点的电容值大小，即整个触摸屏的二维平面的电容大小，进而控制单元300可以计算出触摸屏上每个触摸点的坐标，进而实现触控操作。
需要说明的是，本实施例提供的互电容式触摸屏还可以包括保护各个功能层的其他保护层等结构，本实施例不再赘述。
本实施例还提供一种电子装置，包括本公开上述实施例的任一的触控结构。例如，该电子装置可以为显示装置。例如，该显示装置包括阵列基板以及与阵列基板对盒的对置基板(例如彩膜基板)。例如，触控结构可以设置在保护盖板上，保护盖板用于盖合在显示屏上对显示屏进行保护，且保护盖板的形成有触控结构的一侧朝向显示屏。即该触控结构与显示屏的结合方式为OGS(One Glass Solution)方式。又例如，触控结构可以设置在对置基板的背对阵列基板的一侧，且触控结构的背对对置基板的一侧还可以设置有偏光片。即该触控结构与显示屏的结合方式为On-Cell(外置式)方式。本公开实施例对触控结构在电子装置的结合方式不作限制。
本公开的至少一实施例提供一种触控结构的制备方法及触控结构具有以下至少一项有益效果：
(1)本公开的实施例提供的一种触控结构的制备方法，该方法在第一导电层之后形成第二导电层，然后先对第二导电层进行构图再对第一导电层进行构图，从而实现将第二导电层图案与第一导电层图案更准确的对准。
(2)本公开的实施例提供的一种触控结构的制备方法，该方法提供了多种将第二导电层图案与第一导电层图案进行对准的工艺，实际生产中可根据具体情况选择不同的工艺，实现将第二导电层图案与第一导电层图案更准确的对准，从而提高产品的生产良率。
(3)本公开的实施例提供的一种触控结构，该触控结构利用本公开实施例提供的制备方法得到，该触控结构的各层导电图案对准更精确，因此触控感应灵敏，功能性更强。
还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (35)

1.一种检测芯片，其特征在于，包括：
样品注入结构，用于注入被检测样品；
样品检测结构，用于使得所述被检测样品可以被检测，
样品过滤结构，在所述样品注入结构和所述样品检测结构之间且分别与所述样品注入结构和所述样品检测结构连通，以将注入的所述被检测样品以侧向层析的方式过滤且将过滤后的所述被检测样品传输至所述样品检测结构。
2.根据权利要求1所述的检测芯片，其特征在于，所述样品过滤结构包括过滤层，
所述过滤层配置为在第一侧接收来自所述样品注入结构的所述被检测样品，在沿所述过滤层所在平面内过滤所述被检测样品，在与所述第一侧相对的第二侧输出过滤后的所述被检测样品。
3.根据权利要求2所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构和所述样品过滤结构通过第一通道连接，
所述样品过滤结构和所述样品检测结构通过第二通道连接。
4.根据权利要求3所述的检测芯片，其特征在于，在所述过滤层的所述第一侧，所述第一通道与所述过滤层在垂直于所述过滤层所在平面的方向上至少部分重叠相接，以将来自所述样品注入结构的所述被检测样品注入所述过滤层以进行过滤。
5.根据权利要求4所述的检测芯片，其特征在于，在所述过滤层的所述第二侧，所述第二通道与所述过滤层在垂直于所述过滤层所在平面的方向上至少部分重叠相接，以接收过滤后的所述被检测样品。
6.根据权利要求5所述的检测芯片，其特征在于，在垂直于所述过滤层所在平面的方向上，所述第一通道和所述第二通道分别连接于所述过滤层的不同层表面或相同层表面。
7.根据权利要求3所述的检测芯片，其特征在于，所述样品过滤结构还包括容纳所述过滤层的过滤腔，所述过滤腔包括第一开口和第二开口，所述第一开口用于输入所述被检测样品，所述第二开口用于输出被过滤的所述被检测样品，
其中，所述第二开口连接所述第二通道的第一端，所述样品检测结构连接所述第二通道的第二端。
8.根据权利要求7所述的检测芯片，其特征在于，还包括第一基板和粘结层，其中，所述过滤腔设置在所述第一基板上，且所述粘结层贴附在所述第一基板的表面上且将所述过滤层固定在所述过滤腔中。
9.根据权利要求8所述的检测芯片，其特征在于，所述第一通道和所述第二通道设置在所述第一基板中。
10.根据权利要求9所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构以及所述样品检测结构设置在所述第一基板上。
11.根据权利要求8所述的检测芯片，其特征在于，还包括第二基板，其中，所述第二基板与所述第一基板层叠，且通过所述粘结层结合，
所述粘结层限定所述过滤腔的所述第一开口和所述第二开口，
所述第一通道和所述第二通道形成在所述第二基板中，且分别与所述第一开口和所述第二开口连通。
12.根据权利要求11所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构以及样品检测结构设置在所述第二基板上。
13.根据权利要求1-12任一所述的检测芯片，其特征在于，所述样品检测结构包括多个检测单元以及多个第一检测流道，
至少一个所述检测单元通过对应的第一检测流道连通于所述样品过滤结构。
14.根据权利要求13所述的检测芯片，其特征在于，所述第一检测流道的宽度为0.1mm-1mm，深度为0.1mm-1mm。
15.根据权利要求13所述的检测芯片，其特征在于，所述第一检测流道的至少部分弯曲延伸。
16.根据权利要求15所述的检测芯片，其特征在于，所述第一检测流道的所述弯曲延伸的至少部分呈折线形或者S形。
17.根据权利要求16所述的检测芯片，其特征在于，所述第一检测流道的所述弯曲延伸的至少部分包括2-20个弯折，相邻的两个所述弯折之间的流道长度为2mm-20mm。
18.根据权利要求17所述的检测芯片，其特征在于，当所述第一检测流道的所述弯曲延伸的至少部分呈折线形时，所述弯折的弯折角度为5°-120°。
19.根据权利要求13所述的检测芯片，其特征在于，所述检测单元包括容纳所述被检测样品的检测腔，
所述检测腔具有排气孔以及覆盖所述排气孔的透气阻液膜。
20.根据权利要求1-7任一所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构包括采样结构安装部，用于接纳采样结构。
21.根据权利要求20所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构还包括试剂池，
当所述采样结构安装于所述采样结构安装部后，所述采样结构可与所述试剂池连通，并且
所述试剂池还配置为可与所述样品过滤结构连通。
22.根据权利要求21所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构还包括位于所述试剂池的第一侧的第一密封层，
所述第一密封层用于在所述第一侧密封所述试剂池，
当所述采样结构安装于所述采样结构安装部后，所述采样结构可戳破所述第一密封层以与所述试剂池连通。
23.根据权利要求22所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构还包括位于所述试剂池的第二侧的第二密封层，
所述第二密封层用于在所述第二侧密封所述试剂池，且所述试剂池的第一侧与所述试剂池的第二侧彼此正对，
当所述第二密封层被戳破后，所述试剂池与所述样品过滤结构连通。
24.根据权利要求23所述的检测芯片，其特征在于，所述样品注入结构还包括位于所述试剂池的第二侧的弹性膜和作用通道，所述第二密封层夹置在所述弹性膜和所述试剂池之间，
所述作用通道允许当外力作用在所述弹性膜上使所述弹性膜变形时，能够使外力还作用在所述第二密封层上以戳破所述第二密封层。
25.根据权利要求24所述的检测芯片，其特征在于，所述弹性膜的材料为复合高分子材料。
26.根据权利要求24所述的检测芯片，其特征在于，还包括第一基板和粘结层，其中，所述采样结构安装部和所述试剂池设置在所述第一基板上，所述粘结层贴附在所述第一基板的表面上且将所述弹性膜固定在所述第一基板上。
27.根据权利要求26所述的检测芯片，其特征在于，所述粘结层至少部分露出所述第二密封层，以允许变形的所述弹性膜能够作用在所述第二密封层上以戳破所述第二密封层。
28.根据权利要求26所述的检测芯片，其特征在于，还包括第二基板，其中，所述第二基板与所述第一基板层叠，且通过所述粘结层结合，
所述第二基板包括基板开口以提供所述作用通道。
29.根据权利要求1-12任一所述的检测芯片，其特征在于，还包括设置在所述样品注入结构与所述样品过滤结构之间的样品混合腔室。
30.一种检测系统，其特征在于，包括权利要求1-19和29任一所述的检测芯片、采样结构和封装结构，
其中，所述检测芯片包括采样结构安装部，所述采样结构安装于所述采样结构安装部，所述封装结构用于密封所述采样结构。
31.根据权利要求30所述的检测系统，其特征在于，所述封装结构为硅胶帽。
32.根据权利要求31所述的检测系统，其特征在于，所述封装结构包括密封部和固定部，
所述密封部用于密封所述采样结构，所述固定部用于将所述采样结构固定于所述检测芯片上。
33.根据权利要求32所述的检测系统，其特征在于，还包括可移动的第一顶杆，所述第一顶杆设置在所述封装结构的远离所述采样结构的一侧。
34.根据权利要求33所述的检测系统，其特征在于，所述检测芯片还包括试剂池和第二密封层，
所述检测系统还包括可移动的第二顶杆，所述第二顶杆用于戳破所述第二密封层。
35.一种检测系统，其特征在于，包括权利要求20-28任一所述的检测芯片、采样结构和封装结构，
其中，所述采样结构安装于所述检测芯片的采样结构安装部，所述封装结构用于密封所述采样结构。
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