CN107994061B - 一种盖板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种盖板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可改善由于盖板反光而导致反射光线进入阵列基板，影响阵列基板性能的问题。一种盖板，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的辅助阴极，还包括设置于所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧的包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上设置有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层设置于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

Description

一种盖板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种盖板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置以轻薄、低功耗、高响应、高分辨率等优点，受到广泛关注。顶发射OLED可有效解决由于复杂的像素电路所带来的开口率降低及亮度降低的问题，同时利用顶发射OLED结构中存在的微腔效应，还可以对OLED显示装置的色域进行改善，提高显示效果。

如图1所示，现有技术中顶发射OLED显示装置包括阵列基板10和盖板20；阵列基板10包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)(图中未标识出)、像素界定层11和顶发射型OLED 12，OLED12包括阳极121、有机材料功能层122和阴极123；盖板20包括辅助阴极21、隔垫物22和导电层23，导电层23用于使阴极123与辅助阴极21电连接。

由于仅有部分辅助阴极21处设置了隔垫物22，其余辅助阴极21处仅有一层非常薄的透明的导电层23，因此，从阵列基板10发出的光照射到金属的辅助阴极21上会产生比较强的反射光(如图1所示的虚线箭头)，反射光线会通过各子像素的阳极121之间的区域进入阵列基板10内部，并在阵列基板10内部进行漫反射，最终影响阵列基板10上TFT(Thin FilmTransistor)的稳定性。

发明内容

本发明的实施例提供一种盖板及其制备方法、显示装置，可改善由于盖板反光而导致反射光线进入阵列基板，影响阵列基板性能的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种盖板，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的辅助阴极，还包括设置于所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧的包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上设置有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层设置于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

优选的，所述包覆层设置于非发光区；所述柱状图形与所述包覆层为一体结构。

进一步优选的，所述包覆层和所述柱状图形的材料为感光性有机树脂。

优选的，所述接触孔均匀分布，在一个像素区域至少设置一个所述接触孔。

优选的，所述盖板还包括黑矩阵，所述辅助阴极设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底一侧。

进一步优选的，所述盖板还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底的一侧。

第二方面，提供一种显示装置，包括阵列基板和第一方面所述的盖板；所述阵列基板包括第二衬底、设置于所述第二衬底上每个子像素区域的顶栅型OLED。

第三方面，提供一种盖板的制备方法，包括：在第一衬底上形成辅助阴极，还包括：在所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧形成包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层上还形成有多个柱状图形以及多个接触孔；导电层形成于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接。

优选的，所述包覆层位于非发光区；所述柱状图形与所述包覆层为一体结构。

进一步优选的，形成一体结构的所述包覆层和所述柱状图形，包括：在形成有辅助阴极的第一衬底上形成有机膜，所述有机膜的材料包括感光性树脂；采用半色调或灰色调掩膜板对所述有机膜进行曝光，显影后形成所述包覆层，以及位于所述包覆层上的所述柱状图形和所述接触孔。

本发明的实施例提供一种盖板及其制备方法、显示装置，通过在辅助阴极远离第一衬底一侧的设置包覆层，使其包覆辅助阴极，可有效解决辅助阴极反光的问题，因此，可有效避免对阵列基板上TFT的性能造成的影响。其中，虽然包覆层上形成露出辅助阴极的多个接触孔，但是由于接触孔本身尺寸较小，因此，不会由于反光而影响阵列基板上TFT的稳定性。此外，通过包覆层包覆辅助阴极，还可防止高温工艺使金属材料的辅助阴极氧化，因而可避免造成在低电压端产生电压降(IR Drop)。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种OLED显示装置的示意图；

图2(a)为本发明提供的一种盖板的俯视示意图一；

图2(b)为图2(a)中AA′向剖视示意图一；

图2(c)为图2(a)中BB′向剖视示意图；

图3为本发明提供的一种盖板的俯视示意图二；

图4为本发明提供的一种辅助阴极的示意图；

图5为图2(a)中AA′向剖视示意图二；

图6为图2(a)中AA′向剖视示意图三；

图7为发明提供的一种显示装置的示意图；

图8为发明提供的一种制备盖板的流程示意图；

图9(a)-9(b)为形成一体化结构的柱状图形与包覆层的过程示意图。

附图标记：

10-阵列基板；11-像素界定层；12-OLED；121-阳极；122-有机材料功能层；123-阴极；20-盖板；21-辅助阴极；22-隔垫物；23-导电层；24-包覆层；25-柱状图形；26-接触孔；27-黑矩阵；28-彩色滤光层；29-OC层；30-有机膜；40-半色调掩膜板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种盖板20，如图2(a)～2(c)和图3所示，包括第一衬底、设置于第一衬底上的辅助阴极21，所述盖板20还包括设置于辅助阴极21远离第一衬底一侧的包覆层24，包覆层24包覆辅助阴极21；所述包覆层24上设置有多个柱状图形25以及多个接触孔26；导电层23设置于包覆层24远离第一衬底的一侧，导电层23通过所述接触孔26与辅助阴极21电连接。

需要说明的是，第一，可以理解的是，当所述盖板20应用于显示装置时，盖板20与阵列基板的显示区对应的区域(图4中虚线框区域)包括发光区和非发光区，辅助阴极21设置于非发光区。

其中，辅助阴极21的材料可以为Ag(银)、Pt(金)、Al(铝)、Mo(钼)、Cu(铜)等具有良好导电性的金属材料。其厚度例如可以为300～600nm。

第二，柱状图形25设置于包覆层24远离第一衬底的一侧。

柱状图形25和位于其下方的包覆层24构成隔垫物，即柱状图形与其下方的包覆层24的厚度总和为所需的隔垫物的厚度。

其中，对于上述的“柱状”，不限于其具体的形状，例如可以为棱台、棱柱、圆台、圆柱等。

第三，包覆层24由透明绝缘材料制成。包覆层24可以如图2(a)所示位于非发光区，即在发光区形成开口，其中，为了包覆住辅助阴极21，包覆层24的开口尺寸应小于辅助阴极21的开口尺寸。即，包覆层24的图形与辅助阴极21的图形相同，包覆层24在第一衬底上的正投影的边界超出辅助阴极21在第一衬底上的正投影的边界。

包覆层24也可以如图3所示，即位于非发光区也位于发光区，即，包覆层24整层位于辅助阴极21上包覆住辅助阴极21。

第四，为保证盖板20的透过率，导电层23采用透过率高的导电材料，例如ITO(氧化铟锡)等

本发明实施例提供一种盖板20，通过在辅助阴极21远离第一衬底一侧的设置包覆层24，使其包覆辅助阴极21，可有效解决辅助阴极21反光的问题，因此，可有效避免对阵列基板上TFT的性能造成的影响。其中，虽然包覆层24上形成露出辅助阴极21的多个接触孔26，但是由于接触孔26本身尺寸较小，因此，不会由于反光而影响阵列基板上TFT的稳定性。此外，通过包覆层24包覆辅助阴极21，还可防止高温工艺使金属材料的辅助阴极21氧化，因而可避免造成在低电压端产生电压降(IR Drop)。

优选的，如图2(a)～2(c)所示，包覆层24设置于非发光区；柱状图形25与包覆层24为一体结构。

其中，包覆层24的厚度可以为1～2μm。

可以理解的是，柱状图形25与包覆层24为一体结构，即为，柱状图形25与包覆层24材料相同，且通过一次构图工艺形成。

一方面，本发明实施例通过使包覆层24仅设置于非发光区，可避免包覆层24影响光透过率。另一方面，在柱状图形25与包覆层24为一体结构的情况下，能够增加柱状图形25在盖板20上的粘附力，可避免隔垫物直接在辅助阴极21上图形化而存在粘附力不佳导致的脱落问题，因而本发明实施例还可提高良率。再一方面，辅助阴极21可能为几层金属层的堆栈结构，在形成辅助阴极21时由于刻蚀速率的差异容易出现底切问题(即下层金属层相对上层金属层向内缩进)，这样在不设置包覆层24的情况下，形成导电层23时容易出现断裂问题，而本发明实施例在一体化结构的柱状图形25与包覆层24上形成导电层23时，工艺过程的爬坡良率会更高，因而可增加工艺余量(Margin)。

进一步优选的，包覆层24和柱状图形25的材料为感光性有机树脂。这样可简化工艺。

基于上述的描述，优选的，接触孔26均匀分布，在一个像素区域至少设置一个接触孔26。这样，当盖板20应用于显示装置时，可使每个像素区域的阴极的电导率均匀一致。

可以理解的是，阵列基板的显示区包括多个像素区域，盖板20上的像素区域与阵列基板上的像素区域对应。盖板20上每个像素区域均包括发光区和非发光区。

优选的，如图5所示，盖板20还包括黑矩阵27，辅助阴极21设置于黑矩阵27远离第一衬底一侧。

其中，黑矩阵27设置于非发光区。考虑避免混光等问题，可将黑矩阵27的尺寸做的略大一些，即，黑矩阵27的图形与包覆层24的图形和辅助阴极21的图形相同，黑矩阵27在第一衬底上的正投影的边界与包覆层24在第一衬底上的正投影的边界重叠，或黑矩阵27在第一衬底上的正投影的边界超出包覆层24在第一衬底上的正投影的边界。

进一步的，如图6所示，盖板20还包括彩色滤光层28，彩色滤光层28设置于黑矩阵27远离第一衬底的一侧。

在此基础上，所述盖板20还可包括OC层29(Over Coating，涂覆保护层)。OC层29其平坦化作用，辅助阴极21可设置于OC层29上。OC层29的材料例如可以是聚硅氧烷系材料，亚克力系材料，或聚酰亚胺系材料。

其中，彩色滤光层28在对应每个像素区域可包括红色(R)滤光层、绿色(G)滤光层和蓝色(B)滤光层。

通过在盖板20上设置彩色滤光层28，可当该盖板应用于OLED显示装置使，使阵列基板上的OLED发白光，而发白光的OLED相对于发彩色光的OLED的使用寿命较长。

本发明实施例还提供一种显示装置，如图7所示，包括阵列基板10和上述的盖板20；阵列基板10包括第二衬底、设置于第二衬底上每个子像素区域的顶栅型OLED12。

其中，OLED12包括反射型阳极121、有机材料功能层122和透射型阴极123。

阳极121的结构例如可以是透明导电层/金属导电层/透明导电层的堆栈结构，例如ITO/Ag/ITO的堆栈结构。阴极123的材料例如可以为AZO(氧化铝锌)。

有机材料功能层122可包括层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；空穴注入层靠近阳极121，电子注入层靠近阴极123。进一步的，有机材料功能层122还可包括位于发光层与电子传输层之间的空穴阻挡层。

当所述盖板20包括彩色滤光层的情况下，所述发光层发白光。

需要说明的是，阵列基板10的每个子像素区域还可包括TFT，由TFT构造的驱动电路用于驱动OLED12发光。所述TFT可以是采用氧化物、硅材料以及有机物材料作为有机层的TFT，其结构可以是底栅型也可以是顶栅型。

本发明实施例提供一种显示装置，通过在盖板20的辅助阴极21远离第一衬底一侧的设置包覆层24，使其包覆辅助阴极21，可有效解决辅助阴极21反光的问题，因此，可有效避免对阵列基板10上TFT的性能造成的影响。其中，虽然包覆层24上形成露出辅助阴极21的多个接触孔26，但是由于接触孔26本身尺寸较小，因此，不会由于反光而影响阵列基板10上TFT的稳定性。此外，通过包覆层24包覆辅助阴极21，还可防止高温工艺使金属材料的辅助阴极21氧化，因而可避免造成在低电压端产生电压降。

本发明实施例还提供一种盖板的制备方法，如图2(a)～2(c)和图3所示，包括在第一衬底上形成辅助阴极21，还包括：在辅助阴极21远离第一衬底一侧形成包覆层24，包覆层24包覆辅助阴极21；所述包覆层24上还形成有多个柱状图形25以及多个接触孔26；导电层23形成于包覆层24远离第一衬底的一侧，导电层23通过接触孔26与辅助阴极21电连接。

需要说明的是，通过该制备方法可制备得到如上所述的盖板20，因此，此处不再对具体涉及的膜层进行解释说明，可参考上述针对盖板20中各膜层的解释。

本发明实施例提供的盖板的制备方法，具有与上述盖板20相同的技术效果。

优选的，如图2(a)～2(c)所示，包覆层位于非发光区；柱状图形25与包覆层24为一体结构。

柱状图形25与包覆层24为一体结构，可通过一次构图工艺形成。

具体的，如图8所示，形成一体化结构的柱状图形25与包覆层24包括如下步骤：

S10、如图9(a)所示，在形成有辅助阴极21的第一衬底上形成有机膜30，所述有机膜30的材料包括感光性树脂。

示例的，所述有机膜30的材料可以是聚硅氧烷系材料，亚克力系材料，或聚酰亚胺系材料。

S11、如图9(a)所示，采用半色调掩膜板40或灰色调掩膜板对所述有机膜30进行曝光，显影后形成所述包覆层24，以及位于包覆层24上的所述柱状图形25和接触孔26。

所述半色调掩膜板40是指在透明衬底上在某些区域形成不透光的遮光金属层，在另外一些区域形成半透光的遮光金属层，其他区域不形成任何遮光金属层，从而使得所述半色调掩膜板包括完全不透明部分、完全透明部分和半透明部分；其中，半透明部分的遮光金属层的厚度小于完全不透明部分的遮光金属层的厚度。

基于上述描述，所述半色调掩膜板40的工作原理说明如下：通过控制所述半色调掩膜板40上不同区域处遮光金属层的厚度，使曝光在不同区域的透过光的强度有所不同，从而使有机膜30进行有选择性的曝光、显影后，形成与所述半色调掩膜板40的完全不透明部分对应的柱状图形25和与位于该柱状图形25下方的部分包覆层24，与所述半色调掩膜板40的半透明部分对应的包覆层24除位于柱状图形25下方的其余部分，与所述半色调掩膜板的完全透明部分对应的接触孔26以及除包覆层24所在区域外的其他区域。其中，此处以有机膜30的材料为正性感光树脂进行说明，但本发明实施例的有机膜30的材料还可以是负性感光树脂，具体原理与此相似，在此不再赘述。

所述灰色调掩膜板的原理与所述半色调掩膜板的原理类似，此处不再赘述，仅对灰色调掩膜板与半色调掩膜板不同之处加以说明：所述半色调掩膜板的半透明部分，是通过在透明衬底上形成厚度相对较薄的半透光的遮光金属层，即，通过控制金属层的厚度来调节紫外光的透过率，从而使与该部分对应的光刻胶的曝光量与其他区域的曝光量不同；而所述灰色调掩膜板的半透明部分，是通过制作一些窄条形的狭缝结构，当紫外光通过狭缝结构时，发生散射、衍射等光学现象，从而使与该部分对应的所述光刻胶的曝光量与其他区域的曝光量不同。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种盖板，包括第一衬底、设置于所述第一衬底上的辅助阴极，其特征在于，还包括设置于所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧的包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层设置于非发光区；所述包覆层上设置有多个柱状图形以及多个接触孔；所述柱状图形与所述包覆层为一体结构；所述包覆层和所述柱状图形的材料为感光性有机树脂；

导电层设置于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接；

所述盖板还包括黑矩阵，所述辅助阴极设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底一侧；所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影的边界与所述包覆层在所述第一衬底上的正投影的边界重叠，或所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影的边界超出所述包覆层在所述第一衬底上的正投影的边界；

所述盖板在顶发射型OLED中使用。

2.根据权利要求1所述的盖板，其特征在于，所述接触孔均匀分布，在一个像素区域至少设置一个所述接触孔。

3.根据权利要求2所述的盖板，其特征在于，所述盖板还包括彩色滤光层，所述彩色滤光层设置于所述黑矩阵远离所述第一衬底的一侧。

4.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板和权利要求1-2任一项所述的盖板；

所述阵列基板包括第二衬底、设置于所述第二衬底上每个子像素区域的顶栅型OLED。

5.一种盖板的制备方法，包括：在第一衬底上形成辅助阴极，其特征在于，还包括：在所述辅助阴极远离所述第一衬底一侧形成包覆层，所述包覆层包覆所述辅助阴极；所述包覆层位于非发光区；所述包覆层上还形成有多个柱状图形以及多个接触孔；且所述多个柱状图形与所述包覆层为一体结构；所述包覆层和所述柱状图形的材料为感光性有机树脂；

导电层形成于所述包覆层远离所述第一衬底的一侧，所述导电层通过所述接触孔与所述辅助阴极电连接；

形成黑矩阵，所述辅助阴极位于所述黑矩阵远离所述第一衬底的一侧；所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影的边界与所述包覆层在所述第一衬底上的正投影的边界重叠，或所述黑矩阵在所述第一衬底上的正投影的边界超出所述包覆层在所述第一衬底上的正投影的边界；

所述盖板在顶发射型OLED中使用。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成一体结构的所述包覆层和所述柱状图形，包括：

在形成有辅助阴极的第一衬底上形成有机膜，所述有机膜的材料包括感光性树脂；

采用半色调或灰色调掩膜板对所述有机膜进行曝光，显影后形成所述包覆层，以及位于所述包覆层上的所述柱状图形和所述接触孔。

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