CN109634467A - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，能够简化工艺步骤。一种阵列基板包括设置于每个子像素区的薄膜晶体管和与其漏极电连接的像素电极；设置于显示区的多个相互绝缘的透明电极和与其电连接的触控电极线；触控电极线设置于数据线远离衬底一侧，每根触控电极线在衬底上的正投影与一根数据线的正投影重叠；透明电极设置于触控电极线远离衬底一侧；像素电极设置于透明电极远离衬底一侧，像素电极与漏极通过第一过孔直接接触；阵列基板还包括设置于绑定区的数据焊盘，数据焊盘与像素电极同层同材料；数据线延伸至绑定区，数据焊盘与其一一对应的数据线通过第二过孔电连接；第一过孔和第二过孔贯穿相同的绝缘层。

Description

一种阵列基板及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。其中，内嵌式触控显示面板，其整合度较高且厚度较小，具有成本低、超薄、和窄边框的优点，已演化为未来触控技术的主要发展方向。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，能够简化内嵌式触控显示面板中阵列基板的工艺步骤，降低制作成本，提高生产良率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底、设置于所述衬底上显示区且位于每个子像素区的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极；所述薄膜晶体管的源极与数据线同层同材料且电连接；所述阵列基板还包括设置于所述显示区的多个相互绝缘的透明电极、以及与所述透明电极电连接的触控电极线；所述触控电极线设置于所述数据线远离所述衬底的一侧，且每根所述触控电极线在所述衬底上的正投影与一根所述数据线在所述衬底上的正投影重叠；所述透明电极设置于所述触控电极线远离所述衬底一侧；所述像素电极设置于所述透明电极远离所述衬底的一侧，且所述像素电极与所述漏极通过第一过孔直接接触；所述阵列基板还包括设置于非显示区中绑定区的数据焊盘，所述数据焊盘与所述像素电极同层同材料；所述数据线还延伸至所述绑定区，所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过第二过孔电连接；其中，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿相同的绝缘层。

可选的，所述像素电极与所述透明电极之间设置有第一无机绝缘层，所述透明电极与所述触控电极线之间还设置有第二有机绝缘层，所述触控电极线与所述数据线之间还设置有第三有机绝缘层；所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述绑定区无交叠；其中，所述第三有机绝缘层包括位于显示区的第三过孔，所述第二有机绝缘层包括与所述第三过孔一一对应的第四过孔，一一对应的所述第四过孔与所述第三过孔重叠且连通，且所述第四过孔的尺寸大于所述第三过孔的尺寸；所述第一过孔贯穿所述第一无机绝缘层，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第一无机绝缘层覆盖所述第四过孔和所述第三过孔的侧壁。

在此基础上，可选的，所述阵列基板还包括位于所述绑定区中且与所述触控电极线同层且材料的多个辅助图案；每个所述辅助图案与一根所述数据线接触；所述数据焊盘与辅助图案通过所述第二过孔直接接触。

可选的，所述第三有机绝缘层与所述触控电极线之间还设置有第四无机绝缘层；所述第一过孔和所述第二过孔还贯穿所述第四无机绝缘层，所述第四无机绝缘层覆盖所述第三过孔的侧壁；所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过第二过孔直接接触。

可选的，所述薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管；所述阵列基板还包括设置于所述多晶硅薄膜晶的有源层靠近所述衬底一侧的遮光图案，所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

第二方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。

第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上显示区中每个子像素区形成薄膜晶体管；并形成与所述薄膜晶体管的源极同层同材料且电连接的数据线，所述数据线还延伸至非显示区中的绑定区；在形成有所述数据线的所述衬底上且在所述显示区形成触控电极线，每根所述触控电极线在所述衬底上的正投影与一根所述数据线在所述衬底上的正投影重叠；在形成有所述触控电极线的所述衬底上且在所述显示区形成多个相互绝缘的透明电极，所述透明电极与所述触控电极线电连接；在形成所述透明电极的所述衬底上且在每个所述子像素区形成像素电极，并在所述绑定区形成数据焊盘；所述像素电极与漏极通过第一过孔直接接触，所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过第二过孔电连接；其中，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿相同的绝缘层。

可选的，在所述数据线与所述触控电极线之间形成第三有机绝缘层、在所述触控电极线与所述透明电极之间形成第二有机绝缘层；所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述绑定区无交叠；其中，所述第三有机绝缘层包括位于所述显示区的第三过孔，所述第二有机绝缘层包括与所述第三过孔一一对应的第四过孔，一一对应的所述第四过孔与所述第三过孔重叠且连通，且所述第四过孔的尺寸大于所述第三过孔的尺寸；在所述透明电极与所述像素电极之间形成第一无机绝缘膜，通过对所述第一无机绝缘膜进行构图工艺，形成贯穿该第一无机绝缘膜的所述第一过孔和所述第二过孔，得到第一无机绝缘层；其中，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与位于显示区的所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第一无机绝缘层覆盖所述第四过孔和所述第三过孔的侧壁。

在此基础上，可选的，在所述绑定区形成与所述触控电极线同层且材料的多个辅助图案；每个所述辅助图案与一根所述数据线接触，以使所述数据焊盘通过所述第二过孔与所述辅助图案直接接触。

可选的，在形成所述第三有机绝缘层之后，形成所述触控电极线之前，所述的阵列基板的制备方法还包括：形成第四无机绝缘膜；

在通过构图工艺形成所述第一无机绝缘层的同时，使所述第一过孔和所述第二过孔还贯穿所述第四无机绝缘膜，分别露出所述漏极的部分以及所述数据线在所述绑定区的部分，形成第四无机绝缘层；所述第四无机绝缘层覆盖所述第三过孔的侧壁。

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，通过将触控电极线设置于数据线远离衬底的一侧，且每根触控电极线在衬底上的正投影与一根数据线在衬底上的正投影重叠，当该阵列基板应用于显示面板时，可以增加显示面板的开口率，进而提高透过率。在此基础上，由于像素电极与漏极通过第一过孔直接接触，可避免通过搭接图案进行过渡搭接时导致接触电阻大的问题，从而改善显示不良。此外，由于第一过孔和第二过孔贯穿相同的绝缘层，因此，可避免第一过孔和第二过孔刻蚀条件不同导致过度刻蚀的问题，从而可以管控第一过孔和第二过孔的形貌。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为相关技术提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图1b为图1a的阵列基板显示区沿A-A’方向的剖视示意图；

图2a为相关技术提供的另一种阵列基板显示区的剖视示意图；

图2b为相关技术提供的另一种阵列基板绑定区的剖视示意图；

图3a为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图3b为本发明实施例提供的一种沿图3a中C-C’方向的剖视示意图；

图3c为本发明实施例提供的一种沿图3a中B-B’方向的剖视示意图；

图4a为本发明实施例提供的另一种沿图3a中C-C’方向的剖视示意图；

图4b为本发明实施例提供的另一种沿图3a中B-B’方向的剖视示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种沿图3a中B-B’方向的剖视示意图；

图6a为本发明实施例提供的又一种沿图3a中C-C’方向的剖视示意图；

图6b为本发明实施例提供的又一种沿图3a中B-B’方向的剖视示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种沿图3a中C-C’方向的剖视示意图；

图8为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板制备方法的流程图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板制备方法的流程图；

图11a-图11b为本发明实施例提供的一种阵列基板制备过程中的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板制备方法的流程图；

图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板制备方法的流程图；

图14a-图14b为本发明实施例提供的另一种阵列基板制备过程的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1a和图1b所示，一种内嵌式触控显示面板中的阵列基板1包括衬底101、设置于所述衬底101上显示区S中每个像素区的薄膜晶体管102和与薄膜晶体管102的漏极1021电连接的像素电极104，其中，薄膜晶体管102的源极1022与数据线103同层同材料且电连接。在此基础上，所述阵列基板1还包括设置于显示区S的多个相互绝缘的透明电极105以及与透明电极105电连接的触控电极线106，触控电极线106与数据线103平行且同层同材料。可以理解的是，透明电极105分时用作公共电极和触控电极。

为提高产品的开口率，如图2a和图2b所示，另一种内嵌式触控显示面板中的阵列基板1中，将触控电极线106和数据线103分两层布线，即，使触控电极线106和数据线103沿阵列基板1的厚度方向层叠设置。其中，像素电极104设置于透明电极105远离衬底101的一侧，像素电极104和透明电极105之间通过第一无机绝缘层110隔离；透明电极105与触控电极线106之间设置第二有机绝缘层111，透明电极105与触控电极线106通过第二有机绝缘层111上的过孔电连接；触控电极线106和数据线103之间通过第三有机绝缘层112和第四无机绝缘层116隔离，其中，第四无机绝缘层116设置于第三有机绝缘层112远离衬底101一侧。

在此基础上，如图2a和图2b所示，像素电极104和薄膜晶体管102的漏极1021的电连接，通过与触控电极线106同层同材料的搭接图案1061进行过渡搭接。此外，在非显示区中的绑定区S’设置有向数据线103提供信号的数据焊盘108，数据焊盘108与像素电极104同层同材料，且通过将数据线103延伸至绑定区S’，而使数据焊盘108电连接。由于第二有机绝缘层111和第三有机绝缘层112均不会设置在绑定区S’，因此，数据焊盘108会通过贯穿第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116的过孔与数据线103电连接。

然而，一方面，在显示区S中像素电极104与薄膜晶体管102的漏极1021的电连接通过搭接图案1061进行过渡搭接时，会导致接触电阻较大，特别是在第二有机绝缘层111刻蚀不完全时，接触电阻会更大，从而容易导致显示不良现象。另一方面，在第一无机绝缘层110上形成用于使像素电极104和薄膜晶体管102的漏极1021电连接的过孔时，会同时在绑定区S’中的第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116上形成用于使数据焊盘108与数据线103的过孔，为优先保证绑定区S’中用于使数据焊盘108与数据线103的过孔被刻开，会导致显示区S中第一无机绝缘层110上形成用于使像素电极104和薄膜晶体管102的漏极1021电连接的过孔被过刻，从而使得该过孔的形貌不容易管控，易形成倒切角(undercut)。

基于此，本发明实施例提供一种阵列基板1，如图3a、图3b和图3c所示，包括衬底101、设置于衬底101上显示区S且位于每个子像素区的薄膜晶体管102和与薄膜晶体管102的漏极1021电连接的像素电极104；薄膜晶体管102的源极1022与数据线103同层同材料且电连接。

如图3a和图3b所示，阵列基板1还包括设置于显示区S的多个相互绝缘的透明电极105、以及与透明电极105电连接的触控电极线106；触控电极线106设置于数据线103远离衬底101的一侧，且每根触控电极线106在衬底101上的正投影与一根数据线103在衬底101上的正投影重叠；透明电极105设置于触控电极线106远离衬底101一侧。

可以理解的是，在显示阶段，通过触控电极线106向透明电极105提供公共电压信号，使透明电极105用作公共电极；在触控阶段，通过触控电极线106向透明电极105施加触控驱动信号，并接收触控反馈信号，可对触控位置进行识别，即，在此阶段，透明电极105用作触控电极。

如图3a和图3b所示，像素电极104设置于透明电极105远离衬底101的一侧，且像素电极104与漏极1021通过第一过孔107直接接触。

可以理解的是，由于像素电极104与漏极1021通过第一过孔107直接接触，因此，在像素电极104和漏极1021之间必然不存在搭接图案。

如图3a和图3c所示，阵列基板1还包括设置于非显示区中绑定区S’的数据焊盘108，数据焊盘108与像素电极104同层同材料；数据线103还延伸至绑定区S’，数据焊盘108与其一一对应的数据线103通过第二过孔109电连接。

其中，第一过孔107和第二过孔109贯穿相同的绝缘层。

当在绑定区S’进行IC(Integrated Circuit，集成电路)或柔性电路板的绑定后，则可向数据焊盘108提供数据信号，从而通过数据焊盘108将数据信号传输至数据线103。

本发明实施例提供一种阵列基板1，通过将触控电极线106设置于数据线103远离衬底101的一侧，且每根触控电极线106在衬底101上的正投影与一根数据线103在衬底101上的正投影重叠，当该阵列基板1应用于显示面板时，可以增加显示面板的开口率，进而提高透过率。在此基础上，由于像素电极104与漏极1021通过第一过孔107直接接触，可避免通过搭接图案进行过渡搭接时导致接触电阻大的问题，从而改善显示不良。此外，由于第一过孔107和第二过孔109贯穿相同的绝缘层，因此，可避免第一过孔107和第二过孔109刻蚀条件不同导致过度刻蚀的问题，从而可以管控第一过孔107和第二过孔109的形貌。

可选的，如图4a-4b所示，像素电极104与透明电极105之间设置有第一无机绝缘层110，透明电极105与触控电极线106之间还设置有第二有机绝缘层111，触控电极线106与数据线103之间还设置有第三有机绝缘层112；第二有机绝缘层111和第三有机绝缘层112在衬底101上的正投影与绑定区S’无交叠。

第二有机绝缘层111和第三有机绝缘层112在衬底101上的正投影与绑定区S’无交叠，即，第二有机绝缘层111和第三有机绝缘层112未设置在绑定区S’。

其中，第一无机绝缘层110的材料例如可包括氮化硅等无机材料。第二有机绝缘层111的材料例如可包括亚克力树脂等有机材料。第三有机绝缘层112的材料可以与第二有机绝缘层111的材料相同。

进一步的，如图4a所示，第三有机绝缘层112包括位于显示区S的第三过孔113，第二有机绝缘层111包括与第三过孔113一一对应的第四过孔114，一一对应的第四过孔114与第三过孔113重叠且连通，且第四过孔114的尺寸大于第三过孔113的尺寸。

本领域技术人员明白，在第四过孔114的尺寸大于第三过孔113的尺寸，且第四过孔114与第三过孔113重叠的情况下，第四过孔114在衬底101上的正投影完全覆盖第三过孔113在衬底101上的正投影。从而可以保证后续形成第一无机绝缘层110的成膜工艺时，形成的膜层连续不断开，进而保证第一过孔107的形成。

在此基础上，如图4a所示，第一过孔107贯穿第一无机绝缘层110，第一过孔107在衬底101上的正投影与第三过孔113在衬底101上的正投影重叠，第一无机绝缘层110覆盖第四过孔114和第三过孔113的侧壁。

由于在绑定区S’中的数据焊盘108与数据线103之间也形成第一无机绝缘层110，且第一过孔107和第二过孔109贯穿相同的绝缘层，因此，在第一过孔107贯穿第一无机绝缘层110的情况下，则，第二过孔109也贯穿第一无机绝缘层110(如图4b所示)。

可以理解的是，重叠且连通的第三过孔113与第四过孔114，与薄膜晶体管102的漏极1021正对。

在工艺上，在形成第一无机绝缘层110之前，重叠且连通的第三过孔113与第四过孔114露出薄膜晶体管102的漏极1021。基于此，在形成第一无机绝缘层110时，第一无机绝缘膜会覆盖第四过孔114和第三过孔113的侧壁和第三过孔113的底部，之后在刻蚀第一无机绝缘膜形成第一无机绝缘层110时，将第一无机绝缘膜位于第三过孔113底部的部分刻蚀，从而形成第一过孔107；同时，刻蚀形成位于绑定区S’的第二过孔109。

本发明实施例中，由于在触控电极线106与数据线103之间仅设置了第三有机绝缘层112，因此，相对于图2a所示阵列基板，可减少一次构图工艺次数。

在此基础上，可选的，如图5所示，阵列基板1还包括位于绑定区S’中且与触控电极线106同层且材料的多个辅助图案115；每个辅助图案115与一根数据线103接触；数据焊盘108与辅助图案115通过第二过孔109直接接触。

即，数据焊盘108可以通过第二过孔109经由辅助图案115与数据线103电连接。

由于第三有机绝缘层112未设置在绑定区S’，因此，辅助图案115直接形成在数据线103远离衬底101的表面，从而与数据线103直接接触。在此情况下，数据线103与辅助图案115的接触电阻非常小，一般在0.1欧姆左右，因而可忽略。

通过在绑定区S’中形成辅助图案115，可以起到垫高作用，从而有利于后续的绑定工艺。

可选的，如图6a-6b所示，第三有机绝缘层112与触控电极线106之间还设置有第四无机绝缘层116；第一过孔107和第二过孔109还贯穿第四无机绝缘层116，第四无机绝缘层116覆盖第三过孔113的侧壁；数据焊盘108与其一一对应的数据线103通过第二过孔109直接接触。

示例的，第二有机绝缘层111的材料包括亚克力树脂等有机材料，第三有机绝缘层112的材料可以和第二有机绝缘层111相同。第一无机绝缘层110的材料包括氮化硅等无机材料，第四无机绝缘层116的材料可以和第一无机绝缘层110相同。

在工艺上，在形成包括第三过孔113的第三有机绝缘层112后，形成第四无机绝缘膜，第四无机绝缘膜覆盖第三过孔113的侧壁和底部；之后形成包括第四过孔114的第二有机绝缘层111，接着形成第一无机绝缘膜，第一无机绝缘膜覆盖第四过孔114和第三过孔113的侧壁和第三过孔113的底部，其中，在第三过孔113的侧壁和底部，第一无机绝缘膜和第四无机绝缘膜层叠且接触。然后，在刻蚀第一无机膜和第四无机绝缘膜分别形成第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116时，将第一无机绝缘膜和第四无机绝缘膜位于第三过孔113底部的部分刻蚀，从而形成贯穿第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116的第一过孔107；同时，在绑定区S’刻蚀形成贯穿第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116的第二过孔109。

本发明实施例中，由于第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116通过一次构图工艺形成，因此，相对于图2a所示阵列基板，可减少一次构图工艺次数。

此外，相对于在第三有机绝缘层112上直接制作触控电极线106，会存在制作触控电极线106时温度较高导致第三有机绝缘层112的性能下降的问题，通过在第三有机绝缘层112与触控电极线106之间设置第四无机绝缘层116可以避免此问题。

可选的，薄膜晶体管102为多晶硅薄膜晶体管；如图7所示，阵列基板1还包括设置于多晶硅薄膜晶体管的有源层1023靠近衬底101一侧的遮光图案1024，遮光图案1024在衬底101上的正投影覆盖有源层1023在衬底101上的正投影。

本发明的实施例提供了一种显示面板2，如图8所示，该显示面板2包括上述阵列基板1，与该阵列基板1相对设置的对置基板3、以及位于阵列基板1和对置基板3之间的液晶层4。

本发明实施例提供的显示面板2，具有与上述阵列基板1相同的技术效果，在此不再赘述。

本发明的实施例提供一种阵列基板1的制备方法，如图9所示，该方法包括如下步骤：

S10、如图3a、图3b和图3c所示，在衬底101上显示区S中每个子像素区形成薄膜晶体管102，并形成与薄膜晶体管102的源极1022同层同材料且电连接的数据线103，数据线103还延伸至非显示区中的绑定区S’。

S20、如图3a和图3b所示，在形成有数据线103的衬底101上且在显示区S形成触控电极线106，每根触控电极线106在衬底101上的正投影与一根数据线103在衬底101上的正投影重叠。

S30、如图3a和图3b所示，在形成有触控电极线106的衬底101上且在显示区S形成多个相互绝缘的透明电极105，透明电极105与触控电极线106电连接。

S40、如图3a、图3b和图3c所示，在形成透明电极105的衬底101上且在每个子像素区形成像素电极104，并在绑定区S’形成数据焊盘108；其中，像素电极104与漏极1021通过第一过孔107直接接触，数据焊盘108与其一一对应的数据线103通过第二过孔109电连接。第一过孔107和第二过孔109贯穿相同的绝缘层。

一次构图工艺通常包括成膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工序。

本发明的实施例提供一种阵列基板1的制备方法，通过使像素电极104与漏极1021通过第一过孔107直接接触，可避免通过搭接图案进行过渡搭接时导致接触电阻大的问题，从而改善显示不良。此外，由于第一过孔107和第二过孔109贯穿相同的绝缘层，因此，可避免第一过孔107和第二过孔109刻蚀条件不同导致过度刻蚀的问题，从而可以管控第一过孔107和第二过孔109的形貌。

可选的，如图10所示，阵列基板1的制备方法还包括：

S21、如图11a所示，在数据线103与触控电极线106之间形成第三有机绝缘层112。

S31、如图11a所示，在触控电极线106与透明电极105之间形成第二有机绝缘层111，第二有机绝缘层111和第三有机绝缘层112在衬底101上的正投影与绑定区S’无交叠；其中，第三有机绝缘层112包括位于显示区S的第三过孔113，第二有机绝缘层111包括与第三过孔113一一对应的第四过孔114，一一对应的第四过孔114与第三过孔113重叠且连通，且第四过孔114的尺寸大于第三过孔113的尺寸。

示例的，第一无机绝缘层110的材料包括氮化硅等无机材料，第二有机绝缘层111的材料包括亚克力树脂等有机材料，第三有机绝缘层112的材料可以与第二有机绝缘层111的材料相同。

本领域技术人员明白，在第四过孔114的尺寸大于第三过孔113的尺寸，且第四过孔114与第三过孔113重叠的情况下，第四过孔114在衬底101上的正投影完全覆盖第三过孔113在衬底101上的正投影。从而可以保证后续形成第一无机绝缘层110的成膜工艺时，形成的膜层连续不断开，进而保证第一过孔107的形成。

可以理解的是，重叠且连通的第三过孔113与第四过孔114，且与薄膜晶体管102的漏极1021正对。

S41、如图11b所示，在透明电极105与像素电极104之间形成第一无机绝缘膜1101，通过对第一无机绝缘膜1101进行构图工艺，形成贯穿该第一无机绝缘膜1101的第一过孔107(如图4a所示)和第二过孔109(如图4b所示)，得到第一无机绝缘层110。其中，第一过孔107在衬底101上的正投影与位于显示区S的第三过孔113在衬底101上的正投影重叠，第一无机绝缘层110覆盖所述第四过孔114和第三过孔113的侧壁。

在形成第一无机绝缘层110之前，重叠且连通的第三过孔113与第四过孔114露出薄膜晶体管102的漏极1021。基于此，在形成第一无机绝缘层110时，第一无机绝缘膜1101会覆盖第四过孔114和第三过孔113的侧壁和第三过孔113的底部，之后在刻蚀第一无机绝缘膜1101形成第一无机绝缘层110时，将第一无机绝缘膜1101位于第三过孔113底部的部分刻蚀，从而形成第一过孔107；同时，刻蚀形成位于绑定区S’的第二过孔109。

可以理解的是，第一无机绝缘膜1101覆盖衬底101。

本发明实施例中，由于在触控电极线106与数据线103之间仅设置了第三有机绝缘层112，因此，相对于图2a所示阵列基板，可减少一次构图工艺次数。

在此基础上，可选的，如图12所示，阵列基板1的制备方法还包括：

S42、如图5所示，在绑定区S’形成与触控电极线106同层且材料的多个辅助图案115。其中，每个辅助图案115与一根数据线103接触，以使数据焊盘108通过第二过孔109与辅助图案115直接接触。

由于第三有机绝缘层112未设置在绑定区S’，因此，辅助图案115直接形成在数据线103远离衬底101的表面，从而与数据线103直接接触。在此情况下，数据线103与辅助图案115的接触电阻非常小，一般在0.1欧姆左右，因而可忽略。

通过在绑定区S’中形成辅助图案115，可以起到垫高作用，从而有利于后续的绑定工艺。

可选的，如图13所示，在形成第三有机绝缘层112之后，形成触控电极线106之前，阵列基板1的制备方法还包括：

S50、如图14a所示，形成第四无机绝缘膜1161。

可以理解的是，第四无机绝缘膜1161覆盖衬底101。

S51、如图14b所示，在通过构图工艺形成第一无机绝缘层110的同时，使第一过孔107和第二过孔109还贯穿第四无机绝缘膜1161，分别露出漏极1021的部分以及数据线103在绑定区S’的部分，形成第四无机绝缘层116；第四无机绝缘层116覆盖第三过孔113的侧壁。

示例的，第二有机绝缘层111的材料包括亚克力树脂等有机材料，第三有机绝缘层112的材料可以和第二有机绝缘层111相同。第一无机绝缘层110的材料包括氮化硅等无机材料，第四无机绝缘层116的材料可以和第一无机绝缘层110相同。

在形成包括第三过孔113的第三有机绝缘层112后，形成第四无机绝缘膜1161，第四无机绝缘膜1161覆盖第三过孔113的侧壁和底部；之后形成包括第四过孔114的第二有机绝缘层111，接着形成第一无机绝缘膜1101，第一无机绝缘膜1101覆盖第四过孔114和第三过孔113的侧壁和第三过孔113的底部，其中，在第三过孔113的侧壁和底部，第一无机绝缘膜1101和第四无机绝缘膜1161层叠且接触。然后，在刻蚀第一无机绝缘膜1101和第四无机绝缘膜1161分别形成第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116时，将第一无机绝缘膜1101和第四无机绝缘膜1161位于第三过孔113底部的部分刻蚀，从而形成贯穿第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116的第一过孔107；同时，在绑定区S’刻蚀形成贯穿第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116的第二过孔109。

由于第一无机绝缘层110和第四无机绝缘层116通过一次构图工艺形成，因此，相对于图2a所示阵列基板，可减少一次构图工艺次数。

此外，相对于在第三有机绝缘层112上直接制作触控电极线106，会存在制作触控电极线106时温度较高导致第三有机绝缘层112的性能下降的问题，通过在第三有机绝缘层112与触控电极线106之间设置第四无机绝缘层116可以避免此问题。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上显示区且位于每个子像素区的薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极；所述薄膜晶体管的源极与数据线同层同材料且电连接；

所述阵列基板还包括设置于所述显示区的多个相互绝缘的透明电极、以及与所述透明电极电连接的触控电极线；所述触控电极线设置于所述数据线远离所述衬底的一侧，且每根所述触控电极线在所述衬底上的正投影与一根所述数据线在所述衬底上的正投影重叠；所述透明电极设置于所述触控电极线远离所述衬底一侧；

所述像素电极设置于所述透明电极远离所述衬底的一侧，且所述像素电极与所述漏极通过第一过孔直接接触；

所述阵列基板还包括设置于非显示区中绑定区的数据焊盘，所述数据焊盘与所述像素电极同层同材料；所述数据线还延伸至所述绑定区，所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过第二过孔电连接；

其中，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿相同的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述透明电极之间设置有第一无机绝缘层，所述透明电极与所述触控电极线之间还设置有第二有机绝缘层，所述触控电极线与所述数据线之间还设置有第三有机绝缘层；所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述绑定区无交叠；

其中，所述第三有机绝缘层包括位于显示区的第三过孔，所述第二有机绝缘层包括与所述第三过孔一一对应的第四过孔，一一对应的所述第四过孔与所述第三过孔重叠且连通，且所述第四过孔的尺寸大于所述第三过孔的尺寸；

所述第一过孔贯穿所述第一无机绝缘层，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第一无机绝缘层覆盖所述第四过孔和所述第三过孔的侧壁。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述绑定区中且与所述触控电极线同层且材料的多个辅助图案；每个所述辅助图案与一根所述数据线接触；

所述数据焊盘与辅助图案通过所述第二过孔直接接触。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第三有机绝缘层与所述触控电极线之间还设置有第四无机绝缘层；

所述第一过孔和所述第二过孔还贯穿所述第四无机绝缘层，所述第四无机绝缘层覆盖所述第三过孔的侧壁；

所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过所述第二过孔直接接触。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括设置于所述多晶硅薄膜晶的有源层靠近所述衬底一侧的遮光图案，所述遮光图案在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上显示区中每个子像素区形成薄膜晶体管；并形成与所述薄膜晶体管的源极同层同材料且电连接的数据线，所述数据线还延伸至非显示区中的绑定区；

在形成有所述数据线的所述衬底上且在所述显示区形成触控电极线，每根所述触控电极线在所述衬底上的正投影与一根所述数据线在所述衬底上的正投影重叠；

在形成有所述触控电极线的所述衬底上且在所述显示区形成多个相互绝缘的透明电极，所述透明电极与所述触控电极线电连接；

在形成所述透明电极的所述衬底上且在每个所述子像素区形成像素电极，并在所述绑定区形成数据焊盘；所述像素电极与漏极通过第一过孔直接接触，所述数据焊盘与其一一对应的所述数据线通过第二过孔电连接；

其中，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿相同的绝缘层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述数据线与所述触控电极线之间形成第三有机绝缘层、在所述触控电极线与所述透明电极之间形成第二有机绝缘层；所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述绑定区无交叠；其中，所述第三有机绝缘层包括位于所述显示区的第三过孔，所述第二有机绝缘层包括与所述第三过孔一一对应的第四过孔，一一对应的所述第四过孔与所述第三过孔重叠且连通，且所述第四过孔的尺寸大于所述第三过孔的尺寸；

在所述透明电极与所述像素电极之间形成第一无机绝缘膜，通过对所述第一无机绝缘膜进行构图工艺，形成贯穿该第一无机绝缘膜的所述第一过孔和所述第二过孔，得到第一无机绝缘层；其中，所述第一过孔在所述衬底上的正投影与位于显示区的所述第三过孔在所述衬底上的正投影重叠，所述第一无机绝缘层覆盖所述第四过孔和所述第三过孔的侧壁。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，还包括在所述绑定区形成与所述触控电极线同层且材料的多个辅助图案；每个所述辅助图案与一根所述数据线接触，以使所述数据焊盘通过所述第二过孔与所述辅助图案直接接触。

10.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述第三有机绝缘层之后，形成所述触控电极线之前，所述的阵列基板的制备方法还包括：形成第四无机绝缘膜；

在通过构图工艺形成所述第一无机绝缘层的同时，使所述第一过孔和所述第二过孔还贯穿所述第四无机绝缘膜，分别露出所述漏极的部分以及所述数据线在所述绑定区的部分，形成第四无机绝缘层；所述第四无机绝缘层覆盖所述第三过孔的侧壁。