CN102403311A - 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该阵列基板的衬底基板上设置有多个导电图案以及绝缘层，绝缘层中形成有过孔，其中：导电图案至少包括第一导电图案，绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一导电图案形成在第一绝缘材料之上且覆盖在第二绝缘层之下；过孔包括第一过孔和第二过孔，第一过孔贯穿于第一绝缘层和第二绝缘层中，第二过孔贯穿于第二绝缘层中且位于第一导电图案的上方；第一导电图案和第二绝缘层之间还形成有保护层。本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示器，通过在过孔下方的导电图案上设置保护层，从而在过孔刻蚀过程中对导电图案进行保护，防止过刻现象发生，从而保证液晶显示器的显示效果。

Description

阵列基板及其制造方法和液晶显示器

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

图1A所示为现有典型阵列基板的局部俯视结构示意图，图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。如图1A和图1B所示，该阵列基板包括衬底基板1；衬底基板1上形成有横纵交叉的数据线5和栅线2；数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极11；TFT开关包括栅电极3、源电极7、漏电极8和有源层6；栅电极3连接栅线2，源电极7连接数据线5，像素电极11通过漏电极过孔10连接漏电极8，有源层6形成在源电极7和漏电极8与栅电极3之间。上述各个图案可统称为导电图案，为保持上述导电图案之间的彼此绝缘，可布设绝缘层。一般在栅线2和栅电极3上覆盖栅绝缘层4，在源电极7、漏电极8、有源层6和数据线5上覆盖钝化层9，像素电极11形成在钝化层9上。

阵列基板上不仅包括由上述像素单元构成的像素区域30，在像素区域30四周还包括接口区域40。接口区域40用于将栅线2和数据线5导出至四周以便与驱动电路相连。为实现驱动电路与栅线2和数据线5相连，需要在接口区域40栅线2和数据线5的上方分别开设栅线过孔13和数据线过孔14，以便露出下方的金属线。栅线过孔13一般需贯穿钝化层9和栅绝缘层4而形成，数据线过孔14则需贯穿钝化层9来形成。形成过孔之后，通常还以像素电极11的材料填充至过孔中作为连接电极15，从而来连接栅线2、数据线5和驱动电路。

但上述结构在制备过程中存在一定缺陷。为尽量减少工艺步骤，通常栅线过孔13、数据线过孔14和漏电极过孔10是在形成钝化层9之后同步刻蚀形成的。如图1B所示，当同步刻蚀时，漏电极过孔10、数据线过孔14和栅线过孔13处的钝化层9被一齐刻蚀掉，此后需继续刻蚀栅线过孔13处的栅绝缘层4，然而此时数据线过孔14和漏电极过孔10处已经露出了数据线5和漏电极8，不会再刻蚀栅绝缘层4了。此时会对暴露在外的数据线5和漏电极8进行过刻。

如图2所示为金属线的层次结构示意图，数据线5和栅线2都属于金属线，漏电极8与数据线5的材质相同，其通常可以有多种金属构成叠层，如图2所示即包括了中间的铝(Al)层和两侧的钼(Mo)层，两侧也可能是铬(Cr)层。上侧采用钼材料的优点在于可以保护铝层，还可以减少铝层与像素电极材料之间的接触电阻，使导电性能更佳。虽然刻蚀绝缘材料的刻蚀剂对数据线等金属材料的刻蚀作用没有那么大，但是仍然会对数据线和漏电极等造成损坏。由于轻薄化的要求，金属线的厚度在逐渐减小，特别是钼层。因此很有可能刻蚀掉金属线表面的钼层，使得钼层表面粗糙化和针孔化，像素电极材料会与铝层接触。由于通常情况下液晶显示面板会工作在潮湿的环境下，所以粗糙化和针孔化的钼层会渗透水分，使得金属线发生腐蚀。则会出现断线(Line Open)和密封泄漏(Seal Leak)等问题，导致显示不良。

上述金属过刻腐蚀现象是阵列基板中的典型问题，不仅出现于接口区域的数据线过孔和像素区域的漏电极过孔处，其他的同步刻蚀两类过孔，且两类过孔需刻蚀的绝缘层总厚度不同，而使得某一类过孔首先暴露出金属材料的情况下，都会出现金属过刻，进而导致金属腐蚀现象。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器，以避免刻蚀两类过孔时对一类过孔下的金属材料进行过刻的问题，从而保证液晶显示器的显示效果。

本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个导电图案以及绝缘层，所述绝缘层中形成有过孔，其中：

所述导电图案至少包括第一导电图案，所述绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一导电图案形成在所述第一绝缘材料之上且覆盖在所述第二绝缘层之下；

所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿于所述第一绝缘层和第二绝缘层中，所述第二过孔贯穿于所述第二绝缘层中且位于所述第一导电图案的上方；

所述第一导电图案和第二绝缘层之间还形成有保护层。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在所述绝缘层中形成过孔的流程，其中，所述导电图案至少包括第一导电图案，所述绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述过孔至少包括第一过孔和第二过孔，则制备所述第一导电图案、第一绝缘层、第二绝缘层、第一过孔和第二过孔的流程包括：

在衬底基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一导电图案；

在所述第一导电图案上形成保护层的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层和第一绝缘层采用构图工艺进行刻蚀，贯穿刻蚀所述第二绝缘层和第一绝缘层以形成第一过孔的图案，同时贯穿所述第二绝缘层直至所述保护层以形成第二过孔的图案，所述第二过孔位于所述第一导电图案的上方。

本发明还包括一种液晶显示器，包括框架和液晶面板，其中，所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明所提供的阵列基板，所述液晶面板固定在所述框架中。

本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示器，通过在过孔下方的导电图案上设置保护层，从而在过孔刻蚀过程中对导电图案进行保护，防止过刻现象发生，从而保证液晶显示器的显示效果。

附图说明

图1A所示为现有典型阵列基板的局部俯视结构示意图；

图1B为图1A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；

图2为金属线的层次结构示意图；

图3A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图3B为图3A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图；

图4A为本发明实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图4B为图4A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图；

图4C为图4A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图；

图5为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图6为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图7A为本发明实施例四中形成栅线和栅电极图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图7B为图7A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图；

图8A为本发明实施例四中形成有源层、源电极、漏电极和数据线图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图8B为图8A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图；

图9A为本发明实施例四中形成保护层图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图9B为图9A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图；

图10A为本发明实施例四中形成过孔图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图10B为图10A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图；

图11为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法的流程图；

图12A为本发明实施例五中形成栅线和栅电极图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图12B为图12A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图；

图12C为图12A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图；

图13A为本发明实施例五中形成有源层、源电极、漏电极和数据线图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图13B为图13A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图；

图13C为图13A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图；

图14A为本发明实施例五中形成保护层和第一透明电极图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图14B为图14A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图；

图14C为图14A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图；

图15A为本发明实施例五中形成过孔图案的阵列基板的局部俯视结构示意图；

图15B为图15A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图；

图15C为图15A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图。

附图标记：

1-衬底基板；    2-栅线；      3-栅电极；

4-栅绝缘层；    5-数据线；    6-有源层；

7-源电极；      8-漏电极；    9-钝化层；

10-漏电极过孔； 11-像素电极； 13-栅线过孔；

14-数据线过孔；  15-连接电极；    16-保护层；

17-第一透明电极；18-第二透明电极；30-像素区域；

40-接口区域。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有多个导电图案以及绝缘层，绝缘层中形成有过孔。各导电图案至少包括第一导电图案，绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一导电图案形成在第一绝缘材料之上且覆盖在第二绝缘层之下；过孔包括第一过孔和第二过孔，第一过孔贯穿于第一绝缘层和第二绝缘层中，第二过孔贯穿于第二绝缘层中且位于第一导电图案的上方；第一导电图案和第二绝缘层之间还形成有保护层。

本发明所提供的阵列基板适用于需要同时刻蚀两类过孔，且两类过孔所需刻蚀的绝缘层总厚度不同的情况。本发明通过在第一导电图案上覆盖保护层的方式来为防止在刻蚀过孔中过刻损伤第一导电图案。该保护层的材料优选采用像素电极所使用的铟锡氧化物(Indium Tin Oxides，简称ITO)等透明导电材料，可以不引入额外的材料，并且ITO等透明导电材料相对于制备栅线和数据线的金属材料具有较强的抗腐蚀性，能够有效的保护导电图案免于绝缘层刻蚀剂的过刻。

阵列基板上各导电图案和绝缘层根据具体需要有多种设计形式，下面介绍几种优选的阵列基板结构。

实施例一

图3A为本发明实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，图3B为图3A中沿B-B线的侧视剖切结构示意图。如图3A和3B所示，为典型垂直电场形式的扭曲向列(Twisted Nematic，简称TN)阵列基板。该阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1上设置有多个导电图案以及绝缘层，绝缘层中形成有过孔。

导电图案具体包括横纵交叉的数据线5和栅线2，形成开关元件的栅电极3、有源层6、源电极7和漏电极8，还包括像素电极11。数据线5和栅线2围设形成矩阵形式排列的多个像素单元，每个像素单元中均设置有开关元件和像素电极11。各像素单元构成像素区域30，像素区域30周围形成接口区域40。位于接口区域40的数据线5和/或位于像素区域30的漏电极8可作为第一导电图案。栅线过孔13作为第一过孔，形成在位于接口区域40的栅线2的上方。栅线2和栅电极3上覆盖有栅绝缘层4，栅绝缘层4作为第一绝缘层；有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5形成在栅绝缘层4上；有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5上覆盖有钝化层9，钝化层9作为第二绝缘层；像素电极11形成在钝化层9上，通过漏电极过孔10与漏电极8相连。

本实施例以接口区域40的数据线5作为第一导电图案，其上形成的数据线过孔14作为第二过孔为例进行说明。保护层16采用像素电极11的ITO材料制备，覆盖在接口区域40的数据线5上。当形成钝化层9之后，同时刻蚀数据线过孔14和栅线过孔13，通过控制刻蚀时间来控制所刻蚀的钝化层9和栅绝缘层4的厚度。在栅线过孔13中的钝化层9刻蚀完成之后继续刻蚀栅绝缘层4，同时，数据线过孔14中的钝化层9刻蚀完成之后，保护层16被暴露出来，从而保护其下的数据线5不会被过刻损坏。类似的，漏电极8也可以作为第一导电图案，其上覆盖保护层16。

在本实施例中，第一导电图案优选为叠层结构，在邻近第二绝缘层的方向上至少包括钼层和铝层，或至少包括铬层和铝层，如图2所示，可以是上述两层的叠层结构，也可以再增设其他层次。则ITO材料的保护层16主要可以保护邻近第二绝缘层的钼层或铬层不会被过刻损坏，从而避免金属腐蚀引起的断线、粗糙化和针孔化，能够保证显示效果。

本实施例的阵列基板上优选还包括连接电极15，连接电极15填充在第一过孔和第二过孔中，即填充在栅线过孔13和数据线过孔14中的连接电极15，能够有效的连通栅线2、数据线5和外部的驱动电路。连接电极15通常与像素电极11采用相同材料同步形成。当保护层16与连接电极15为相同的材料时，其接触和导通效果更佳。

实施例二

图4A为本发明实施例二提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，图4B为图4A中沿C-C线的侧视剖切结构示意图，图4C为图4A中沿D-D线的侧视剖切结构示意图。如图4A、4B和4C所示，本实施例为典型高开口率高级超维场开关技术(High aperture ratio Advanced-Super DimensionalSwitching；简称：HAD-SDS)阵列基板，AD-SDS通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。该阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1上设置有多个导电图案以及绝缘层，绝缘层中形成有过孔。

导电图案具体包括横纵交叉的数据线5和栅线2，形成开关元件的栅电极3、有源层6、源电极7和漏电极8，还包括第一透明电极17和第二透明电极18。位于接口区域40的数据线5作为第一导电图案，作为第一过孔的栅线过孔13形成在位于接口区域40的栅线2的上方。栅线2和栅电极3上覆盖有栅绝缘层4，作为该第一绝缘层；有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5形成在栅绝缘层4上；第一透明电极17相当于像素电极，形成在栅绝缘层4上，且与漏电极8搭接相连；有源层6、源电极7、漏电极8、数据线5和第一透明电极17上覆盖有钝化层9，作为第二绝缘层；第二透明电极18形成在钝化层9上，第二透明电极18相当于公共电极，为具有缝隙的图案。第一透明电极17和第二透明电极18形成在像素区域30，栅线2和数据线5延伸至像素区域30周围的接口区域40。

本实施例以接口区域40的数据线5作为第一导电图案，其上形成的数据线过孔14作为第二过孔为例进行说明。本实施例中，形成在第一导电图案上的保护层16采用第一透明电极17的材料与第一透明电极17同步成型。

本实施例的优点在于，不仅能够防止第一导电图案被过刻，而且保护层的制备可以与第一透明电极同步形成，不必增加额外的构图工艺步骤。本实施例能够有效防止HAD-SDS结构中金属线的腐蚀。

实施例三

图5为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程图。该制造方法包括在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在绝缘层中形成过孔的流程，其中，导电图案至少包括第一导电图案，绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，过孔至少包括第一过孔和第二过孔，则制备第一导电图案、第一绝缘层、第二绝缘层、第一过孔和第二过孔的流程包括：

步骤510、在衬底基板上形成第一绝缘层；

步骤520、在第一绝缘层上形成第一导电图案；

步骤530、在第一导电图案上形成保护层的图案；

步骤540、在形成上述图案的衬底基板上形成第二绝缘层；

步骤550、对第二绝缘层和第一绝缘层采用构图工艺进行刻蚀，贯穿刻蚀第二绝缘层和第一绝缘层以形成第一过孔的图案，同时贯穿第二绝缘层直至保护层以形成第二过孔的图案，第二过孔位于所述第一导电图案的上方。

本实施例所提供的阵列基板的制造方法，既实现了对两类过孔的同时刻蚀，能够分别刻蚀两类过孔中不同总厚度的绝缘层，而且能够通过保护层避免绝缘层较薄的过孔中的第一导电图案的过刻，避免了导电图案的损坏，从而能够保证液晶显示器的显示效果。该保护层的材料优选为ITO，即可以采用透明导电材料来制备，既具有良好的抗腐蚀性，又能够不额外增加阵列基板的原始材料。

本发明实施例的阵列基板可以采用本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法来制备，形成相应的图案结构。对于不同结构的阵列基板而言，导电图案和绝缘层可以有不同的形式，下面分别介绍几种优选实施方式。

实施例四

图6为本发明实施例四提供的阵列基板的制造方法的流程图。本实施例制造方法中在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在绝缘层中形成过孔的流程具体包括：

步骤610、在衬底基板1上形成栅线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括栅线2和栅电极3的图案；

所谓构图工艺可以是包括掩膜、曝光显影、刻蚀和去除光刻胶等一系列工艺，经步骤610之后所形成的阵列基板如图7A和7B所示。

步骤620、在形成上述图案的衬底基板1上形成栅绝缘层4作为第一绝缘层；

步骤630、在第一绝缘层上形成有源层薄膜和数据线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5的图案；

有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5可以通过双色调掩膜版采用一次构图工艺刻蚀而成，经步骤620之后所形成的阵列基板如图8A和8B所示。

步骤640、在形成上述图案的衬底基板1上形成第一透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成保护层16的图案，保护层16覆盖在位于接口区域40的数据线5上，如图9A和9B所示；

本步骤中，也可以将保护层16覆盖在位于像素区域30的漏电极8图案上，或者同时覆盖在位于接口区域40的数据线5和位于像素区域30的漏电极8图案上。

步骤650、在形成上述图案的衬底基板1上形成钝化层9作为第二绝缘层，并通过构图工艺形成漏电极过孔10、栅线过孔13和数据线过孔14，该栅线过孔13作为第一过孔，该数据线过孔14作为第二过孔，如图10A和10B所示；

步骤660、在第二绝缘层上形成第二透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括像素电极11和连接电极15的图案，该连接电极15填充于第一过孔和第二过孔之中，即填充于栅线过孔13和数据线过孔14中，可参见图3A和3B所示。

本实施例中为典型TN阵列基板的制造方法，不同图案的构图工艺和图案位置并不限于本实施例，还可以根据需要进行其他变化。

实施例五

图11为本发明实施例五提供的阵列基板的制造方法的流程图。本实施例制造方法中在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在绝缘层中形成过孔的流程具体包括：

步骤111、在衬底基板1上形成栅线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括栅线2和栅电极3的图案，如图12A、12B和12C所示；

步骤112、在形成上述图案的衬底基板1上形成栅绝缘层4作为第一绝缘层；

步骤113、在第一绝缘层上形成有源层薄膜和数据线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括有源层6、源电极7、漏电极8和数据线5的图案，如图13A、13B和13C所示；

步骤114、在形成上述图案的衬底基板1上形成第一透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括保护层16和第一透明电极17的图案，保护层16覆盖在位于接口区域40的数据线5上，第一透明电极17形成在栅线2和数据线5围设形成的像素单元中，搭接在漏电极8上与漏电极8导通，如图14A、14B和14C所示；

步骤115、在形成上述图案的衬底基板1上形成钝化层9作为第二绝缘层，并通过构图工艺形成栅线过孔13和数据线过孔14，栅线过孔13作为第一过孔，数据线过孔14作为第二过孔，如图15A、15B和15C所示；

步骤116、在第二绝缘层上形成第二透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括第二透明电极18和连接电极15的图案，第二透明电极18形成在像素区域30中，连接电极15填充于第一过孔和第二过孔之中，即填充于栅线过孔13和数据线过孔14中，可参见图4A、4C和4C所示。

本实施例中为典型HAD-SDS阵列基板的制造方法，不同图案的构图工艺和图案位置并不限于本实施例，还可以根据需要进行其他变化。本实施例的优点在于，在制备第一透明电极的过程中同时制备保护层，无需采用额外的材料和额外的构图工艺，对已有制备工艺的改动较小。

本发明还提供了一种液晶显示器，包括框架和液晶面板，其中，液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和本发明任意实施例所提供的阵列基板，该液晶面板固定在框架中。

本发明的液晶显示器能够有效防止数据线等导电图案在过孔刻蚀中的过刻，防止出现断线、表面粗糙化和针孔化等不良，从而保证显示效果。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个导电图案以及绝缘层，所述绝缘层中形成有过孔，其特征在于：

所述导电图案至少包括第一导电图案，所述绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一导电图案形成在所述第一绝缘材料之上且覆盖在所述第二绝缘层之下；

所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿于所述第一绝缘层和第二绝缘层中，所述第二过孔贯穿于所述第二绝缘层中且位于所述第一导电图案的上方；

所述第一导电图案和第二绝缘层之间还形成有保护层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述第一导电图案为叠层结构，在邻近第二绝缘层的方向上至少包括钼层和铝层，或至少包括铬层和铝层；所述保护层的材料为铟锡氧化物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：连接电极，填充在所述第一过孔和第二过孔中。

4.根据权利要求1或2或3所述的阵列基板，其特征在于：

所述导电图案包括横纵交叉的数据线和栅线，形成开关元件的栅电极、有源层、源电极和漏电极，还包括像素电极，位于接口区域的所述数据线和/或位于像素区域的漏电极作为所述第一导电图案，所述第一过孔形成在位于接口区域的所述栅线的上方；

所述栅线和栅电极上覆盖有栅绝缘层，作为所述第一绝缘层；

所述有源层、源电极、漏电极和数据线形成在所述栅绝缘层上；

所述有源层、源电极、漏电极和数据线上覆盖有钝化层，作为所述第二绝缘层；

所述像素电极形成在所述钝化层上，通过漏电极过孔与漏电极相连。

5.根据权利要求1或2或3所述的阵列基板，其特征在于：

所述导电图案包括横纵交叉的数据线和栅线，形成开关元件的栅电极、有源层、源电极和漏电极，还包括第一透明电极和第二透明电极，位于接口区域的所述数据线作为所述第一导电图案，所述第一过孔形成在位于接口区域的所述栅线的上方；

所述栅线和栅电极上覆盖有栅绝缘层作为所述第一绝缘层；

所述有源层、源电极、漏电极和数据线形成在所述栅绝缘层上；

第一透明电极形成在所述栅绝缘层上，且与所述漏电极搭接相连，形成在第一导电图案上的所述保护层采用第一透明电极的材料且与第一透明电极同步成型；

所述有源层、源电极、漏电极、数据线和第一透明电极上覆盖有钝化层，作为所述第二绝缘层；

所述第二透明电极形成在所述钝化层上。

6.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在所述绝缘层中形成过孔的流程，其特征在于，所述导电图案至少包括第一导电图案，所述绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述过孔至少包括第一过孔和第二过孔，则制备所述第一导电图案、第一绝缘层、第二绝缘层、第一过孔和第二过孔的流程包括：

在衬底基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一导电图案；

在所述第一导电图案上形成保护层的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层和第一绝缘层采用构图工艺进行刻蚀，贯穿刻蚀所述第二绝缘层和第一绝缘层以形成第一过孔的图案，同时贯穿所述第二绝缘层直至所述保护层以形成第二过孔的图案，所述第二过孔位于所述第一导电图案的上方。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述保护层的材料为铟锡氧化物。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在所述绝缘层中形成过孔的流程包括：

在衬底基板上形成栅线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括栅线和栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成栅绝缘层作为所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成有源层薄膜和数据线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括有源层、源电极、漏电极和数据线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成第一透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成所述保护层的图案，所述保护层覆盖在位于接口区域的所述数据线和/或位于像素区域的漏电极图案上；

在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层作为所述第二绝缘层，并通过构图工艺形成漏电极过孔、栅线过孔和数据线过孔，所述栅线过孔作为所述第一过孔，所述数据线过孔作为所述第二过孔；

在所述第二绝缘层上形成第二透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括像素电极和连接电极的图案，所述连接电极填充于所述第一过孔和第二过孔之中。

9.根据权利要求6或7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上制备导电图案和绝缘层，以及在所述绝缘层中形成过孔的流程包括：

在衬底基板上形成栅线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括栅线和栅电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成栅绝缘层作为所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成有源层薄膜和数据线金属薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括有源层、源电极、漏电极和数据线的图案；

在形成上述图案的衬底基板上形成第一透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括保护层和第一透明电极的图案，所述保护层覆盖在位于接口区域的所述数据线上，所述第一透明电极形成在栅线和数据线围设形成的像素单元中；

在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层作为所述第二绝缘层，并通过构图工艺形成栅线过孔和数据线过孔，所述栅线过孔作为所述第一过孔，所述数据线过孔作为所述第二过孔；

在所述第二绝缘层上形成第二透明导电薄膜，并通过构图工艺刻蚀形成包括第二透明电极和连接电极的图案，所述第二透明电极形成在像素区域中，所述连接电极填充于所述第一过孔和第二过孔之中。

10.一种液晶显示器，包括框架和液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括对盒设置的彩膜基板和权利要求1～5任一所述的阵列基板，所述液晶面板固定在所述框架中。

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