CN111293151A - 像素bank制备方法、像素bank结构、像素结构和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种像素BANK制备方法、像素BANK结构、像素结构和显示面板；所述方法提供衬底基板，衬底基板上制作有阳极薄膜层；在衬底基板上涂覆用于覆盖阳极薄膜层的光阻层；通过曝光图形结构对光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层进行烘烤固化，形成第一BANK层；曝光图形结构为全透孔、第一半透孔、不透孔和第二半透孔依次重复排列的结构；在第一BANK层上形成第二BANK层；第二BANK层为黑色BANK层。由于第一BANK层的中间部分厚度厚，抬高了第二BANK层的高度，在利用第二BANK层的黑色挡光特性，降低像素漏光的风险，进一步的，由于本申请像素BANK制备方法省略传统BANK设备过程中的Ashing工艺，降低了生产制造成本，节省了生产制造时间。
Description
技术领域
本申请涉及OLED显示技术领域，特别是涉及一种像素BANK制备方法、像素BANK结构、像素结构和显示面板。
背景技术
随着OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术的发展，OLED显示面板的性能越来越好，其质量也越来越高，在OLED显示面板的生产制造过程中，会采用到喷墨打印技术，然而由于采用喷墨打印技术制备的喷墨打印器件单色光色不纯，需要在喷墨打印器件上再加入一层彩色滤光片来提高像素的色纯度，加入彩色滤光片会引起像素开口率增大，BM宽度降低时，从而造成像素间的漏光，目前，一般采用在像素之间设置像素BNAK(隔离柱)来降低像素间的漏光，但是，在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统像素BANK仍可能出现漏光现象，且生产成本高。
发明内容
基于此，有必要针对传统像素BANK仍可能出现漏光现象，且生产成本高的问题，提供一种像素BANK制备方法、像素BANK结构、像素结构和显示面板。
一种像素BANK制备方法，包括以下步骤：
提供衬底基板，衬底基板上制作有阳极薄膜层；
在衬底基板上涂覆用于覆盖阳极薄膜层的光阻层；
通过曝光图形结构对光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层进行烘烤固化，形成第一BANK层；曝光图形结构为全透孔、第一半透孔、不透孔和第二半透孔依次重复排列的结构；
在第一BANK层上形成第二BANK层；第二BANK层为黑色BANK层。
在其中一个实施例中，光阻层为正型光阻层；
全透孔正对阳极薄膜层的中间区域；第一半透孔和第二半透孔分别正对阳极薄膜层两侧的边缘区域；不透孔正对相邻两个阳极薄膜层之间的空隙区域。
在其中一个实施例中，光阻层为负型光阻层；
不透孔正对阳极薄膜层的中间区域；第一半透孔和第二半透孔分别正对阳极薄膜层两侧的边缘区域；全透孔正对相邻两个阳极薄膜层之间的空隙区域。
在其中一个实施例中，第一半透孔和第二半透孔均为灰阶光掩膜，且第一半透孔和第二半透孔的光透过率相同。
在其中一个实施例中，在第一BANK层上形成第二BANK层的步骤中，包括步骤：
涂覆用于覆盖第一BANK层的黑色光阻层；
对黑色光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的黑色光阻层进行烘烤固化，形成包覆第一BANK层的第二BANK层。
一种像素BANK结构，包括第一BANK层和第二BANK层；第一BANK层的中间部分的厚度比第一BANK层的边缘部分的厚度厚；
第一BANK层的中间部分覆盖在衬底基板上相邻两个阳极薄膜层之间的间隙区域上，且第一BANK层的边缘部分覆盖在阳极薄膜层的边缘区域上；
第二BANK层包裹在第一BANK层上。
在其中一个实施例中，第一BANK层包括第一梯形层和第二梯形层；
第一梯形层的中间部分覆盖在相邻两个阳极薄膜层之间的间隙区域上，且第一梯形层的边缘部分覆盖在阳极薄膜层的边缘区域上；第二梯形层叠加在第一梯形层上；
第二BANK层上开设有与第二梯形层形状相同的槽，且第二BANK层的形状为梯形；第二BANK层通过槽罩设在第二梯形层上。
一种像素结构，在上述像素BANK结构内形成OLED器件。
一种显示面板，包括上述像素结构。
一种显示装置，包括上述显示面板。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
本申请各实施例提供的像素BANK制备方法通过以下步骤：提供衬底基板，衬底基板上制作有阳极薄膜层；在衬底基板上涂覆用于覆盖阳极薄膜层的光阻层；通过曝光图形结构对光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层进行烘烤固化，形成第一BANK层；曝光图形结构为全透孔、第一半透孔、不透孔和第二半透孔依次重复排列的结构；在第一BANK层上形成第二BANK层；第二BANK层为黑色BANK层，通过曝光图形结构上的全透孔、第一半透孔、不透孔和第二半透孔实现对光阻层采用不同强度的光照射来进行光刻，形成的第一BANK层的中间部分厚度厚，边缘部分厚度薄，再在第一BANK层上形成第二BANK层，由于第一BANK层的中间部分厚度厚，抬高了第二BANK层的高度，在利用第二BANK层的黑色挡光特性，降低像素漏光的风险，进一步的，由于本申请像素BANK制备方法省略传统BANK设备过程中的Ashing工艺，降低了生产制造成本，节省了生产制造时间。
附图说明
图1为一个实施例中像素BANK制备方法的步骤流程图；
图2为一个实施例中制备衬底基板的工艺示意图；
图3为一个实施例中制备光阻层的工艺示意图；
图4为一个实施例中制备曝光图形结构的工艺示意图；
图5为一个实施例中制备第一BANK层的工艺示意图；
图6为另一个实施例中制备第一BANK层的工艺示意图；
图7为一个实施例中制备第二BANK层的工艺示意图；
图8为一个实施例中制备第二BANK层的步骤流程图；
图9为一个实施例中第一BANK层的结构示意图；
图10为另一个实施例中第一BANK层的结构示意图。
附图标记说明：
11、衬底基板；13、阳极薄膜层；15、光阻层；17、曝光图形结构；171、全透孔；173、第一半透孔；175、不透孔；177、第二半透孔；19、第一BANK层；191、第一梯形层；193、第二梯形层；195、第三梯形层；197、第一平行四边形层；199、第二平行四边形层；21、第二BANK层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
为了解决传统像素BANK仍可能出现漏光现象，且生产成本高的问题，在一个实施例中，如图1所示，提供了一种像素BANK制备方法，包括以下步骤：
步骤S110，提供衬底基板11，衬底基板11上制作有阳极薄膜层13(如图2所示)。
需要说明的是，衬底基板11是OLED器件和OLED封装结构的承载基板，其为透明基板，衬底基板11可采用但不限于以下材料：聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜、玻璃或石英。在本申请中，首先在衬底基板11上形成阳极薄膜层13，其中，阳极薄膜层13用于产生空穴。阳极薄膜层13可采用但不限于：ITO(Indium TinOxides，氧化铟锡)材料制成，例如，阳极薄膜层13的材料为TIO/Ag/TIO。
步骤S120，在衬底基板11上涂覆用于覆盖阳极薄膜层13的光阻层15(如图3所示)。
需要说明的是，在衬底基板11上形成阳极薄膜层13后，在衬底基板11上涂覆光阻层15，该光阻层15覆盖阳极薄膜层13。其中，光阻层15的材料是由树脂、感光剂和溶剂混合而成。进一步的，光阻层15的材料可为正型光阻材料，也可为负型光阻材料，其中，正型光阻材料为照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液，负型光阻材料为照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。
步骤S130，通过曝光图形结构17(如图4所示)对光阻层15进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层15进行烘烤固化，形成第一BANK层19(如图5或6所示)；曝光图形结构17为全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177依次重复排列的结构。
需要说明的是，在涂覆完光阻层15后，对光阻层15进行光刻和烘烤，形成第一BANK层19。具体的，通过包括由全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177依次重复排列的曝光图形结构17，对光阻层15进行光照。在一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率相同，则在光阻层15的光刻过程中，有三种强度的光照射到光阻层15上，在三种不同强度的光照下，光阻层15出现三种不同的刻蚀速度，等到刻蚀速度最快的地方暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且相等的结构(如图5所示)。
在另一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率不相同，则在光阻层15的光刻过程中，有四种强度的光照射到光阻层15上，在四种不同强度的光照下，光阻层15出现四种不同的刻蚀速度，等到刻蚀速度最快的地方暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且不相等的结构(如图6所示)。
在一个示例，曝光图形结构17上的第一半透孔173和第二半透孔177均为灰阶光掩膜(Half Tone Mask，HTM)，进一步的，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率可相同，也可以不相同。灰阶光掩膜的光透过率可根据实际需求而定。
步骤S140，在第一BANK层19上形成第二BANK层21(如图7所示)；第二BANK层21为黑色BANK层。
需要说明的是，在形成第一BANK层19之后，在第一BANK层19上形成上第二BANK层21，具体的，第二BANK层21将第一BANK层19的中间部分包裹起来。第二BANK层21为黑色BANK层，其有黑色光阻材料制成。
在一个示例中，在第一BANK层19上形成第二BANK层21的步骤中，如图8所示，包括步骤：
步骤S810，涂覆用于覆盖第一BANK层19的黑色光阻层。
步骤S820，对黑色光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的黑色光阻层进行烘烤固化，形成包覆第一BANK层19的第二BANK层21。
本申请各实施例提供的像素BANK制备方法通过以下步骤：提供衬底基板11，衬底基板11上制作有阳极薄膜层13；在衬底基板11上涂覆用于覆盖阳极薄膜层13的光阻层15；通过曝光图形结构17对光阻层15进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层15进行烘烤固化，形成第一BANK层19；曝光图形结构17为全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177依次重复排列的结构；在第一BANK层19上形成第二BANK层21；第二BANK层21为黑色BANK层，通过曝光图形结构17上的全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177实现对光阻层15采用不同强度的光照射来进行光刻，形成的第一BANK层19的中间部分厚度厚，边缘部分厚度薄，再在第一BANK层19上形成第二BANK层21，由于第一BANK层19的中间部分厚度厚，抬高了第二BANK层21的高度，在利用第二BANK层21的黑色挡光特性，降低像素漏光的风险，进一步的，由于本申请像素BANK制备方法省略传统BANK设备过程中的Ashing工艺，降低了生产制造成本，节省了生产制造时间。
在其中一个实施例中，像素BANK制备方法，包括以下步骤：
提供衬底基板11，衬底基板11上制作有阳极薄膜层13；
在衬底基板11上涂覆用于覆盖阳极薄膜层13的光阻层15；光阻层15为正型光阻层15；
通过曝光图形结构17对光阻层15进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层15进行烘烤固化，形成第一BANK层19；曝光图形结构17为全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177依次重复排列的结构；全透孔171正对阳极薄膜层13的中间区域；第一半透孔173和第二半透孔177分别正对阳极薄膜层13两侧的边缘区域；不透孔175正对相邻两个阳极薄膜层13之间的空隙区域；
在第一BANK层19上形成第二BANK层21；第二BANK层21为黑色BANK层。
需要说明的是，全透孔171透过所有的光，半透孔透过部分的光，不透孔175不透光，在光阻层15的光刻过程中，曝光图形结构17的全透孔171正对阳极薄膜层13的中间区域，第一半透孔173和第二半透孔177分别正对阳极薄膜层13两侧的边缘区域，不透孔175正对相邻两个阳极薄膜层13之间的空隙区域。在一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率相同，则在光阻层15的光刻过程中，通过全透孔171照射的部分刻蚀速度最大，通过第一半透孔173和第二半透孔177照射的部分刻蚀速度次之，不透孔175对应的部分刻蚀速度最小，等到全透孔171照射的部分暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且相等的结构。
在一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率不相同(例如，第一半透孔173的光透过率大于第二半透孔177的光透过率)，则在光阻层15的光刻过程中，通过全透孔171照射的部分刻蚀速度最大，通过第一半透孔173照射的部分刻蚀速度次之，通过第二半透孔177照射的部分刻蚀速度再次之，不透孔175对应的部分刻蚀速度最小，等到全透孔171照射的部分暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且不相等(即第一半透孔173对应的边缘部分厚度小于第二半透孔177对应的边缘部分厚度)的结构。
本申请像素BANK制备方法的各实施例中，通过曝光图形结构17上的全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177实现对光阻层15采用不同强度的光照射来进行光刻，形成的第一BANK层19的中间部分厚度厚，边缘部分厚度薄，再在第一BANK层19上形成第二BANK层21，由于第一BANK层19的中间部分厚度厚，抬高了第二BANK层21的高度，在利用第二BANK层21的黑色挡光特性，降低像素漏光的风险，进一步的，由于本申请像素BANK制备方法省略传统BANK设备过程中的Ashing工艺，降低了生产制造成本，缩短了生产制造周期。
在一个实施例中，像素BANK制备方法，包括以下步骤：
提供衬底基板11，衬底基板11上制作有阳极薄膜层13；
在衬底基板11上涂覆用于覆盖阳极薄膜层13的光阻层15；光阻层15为负型光阻层15；
通过曝光图形结构17对光阻层15进行光刻，并对光刻后剩余的光阻层15进行烘烤固化，形成第一BANK层19；曝光图形结构17为全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177依次重复排列的结构；不透孔175正对阳极薄膜层13的中间区域；第一半透孔173和第二半透孔177分别正对阳极薄膜层13两侧的边缘区域；全透孔171正对相邻两个阳极薄膜层13之间的空隙区域；
在第一BANK层19上形成第二BANK层21；第二BANK层21为黑色BANK层。
需要说明的是，全透孔171透过所有的光，半透孔透过部分的光，不透孔175不透光，在光阻层15的光刻过程中，曝光图形结构17的不透孔175正对阳极薄膜层13的中间区域，第一半透孔173和第二半透孔177分别正对阳极薄膜层13两侧的边缘区域，全透孔171正对相邻两个阳极薄膜层13之间的空隙区域。在一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率相同，则在光阻层15的光刻过程中，通过不透孔175对应的部分刻蚀速度最大，通过第一半透孔173和第二半透孔177照射的部分刻蚀速度次之，全透孔171照射的部分的刻蚀速度最小，等到不透孔175对应的部分暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且相等的结构。
在一个示例中，第一半透孔173和第二半透孔177的光透过率不相同(例如，第一半透孔173的光透过率小于第二半透孔177的光透过率)，则在光阻层15的光刻过程中，通过不透孔175对应的部分刻蚀速度最大，通过第一半透孔173照射的部分刻蚀速度次之，通过第二半透孔177照射的部分刻蚀速度再次之，全透孔171照射的部分刻蚀速度最小，等到全透孔171照射的部分暴露出阳极薄膜层13停止光刻，然后进行烘烤固化，形成第一BANK层19，其中，第一BANK层19为中间部位厚度厚，边缘部分厚度薄且不相等(即第一半透孔173对应的边缘部分厚度小于第二半透孔177对应的边缘部分厚度)的结构。
本申请像素BANK制备方法的各实施例中，通过曝光图形结构17上的全透孔171、第一半透孔173、不透孔175和第二半透孔177实现对光阻层15采用不同强度的光照射来进行光刻，形成的第一BANK层19的中间部分厚度厚，边缘部分厚度薄，再在第一BANK层19上形成第二BANK层21，由于第一BANK层19的中间部分厚度厚，抬高了第二BANK层21的高度，在利用第二BANK层21的黑色挡光特性，降低像素漏光的风险，进一步的，由于本申请像素BANK制备方法省略传统BANK设备过程中的Ashing工艺，降低了生产制造成本，缩短了生产制造周期。
应该理解的是，虽然图1和8的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1和8中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图9或10所示，一种像素BANK结构，包括第一BANK层19和第二BANK层21；第一BANK层19的中间部分的厚度比第一BANK层19的边缘部分的厚度厚；
第一BANK层19的中间部分覆盖在衬底基板11上相邻两个阳极薄膜层13之间的间隙区域上，且第一BANK层19的边缘部分覆盖在阳极薄膜层13的边缘区域上；
第二BANK层21包裹在第一BANK层19上。
需要说明的是，采用本申请BANK制备方法各实施例提供的BANK制备方法制作本申请的像素BANK结构。
在一个示例中，如图9所示，通过采用具备相同光透过率的第一半透孔173和第二半透孔177的曝光图形结构17，对光阻层15进行光刻而形成的第一BANK层19包括第一梯形层191和第二梯形层193；
第一梯形层191的中间部分覆盖在相邻两个阳极薄膜层13之间的间隙区域上，且第一梯形层191的边缘部分覆盖在阳极薄膜层13的边缘区域上；第二梯形层193叠加在第一梯形层191上；
第二BANK层21上开设有与第二梯形层193形状相同的槽，且第二BANK层21的形状为梯形；第二BANK层21通过槽罩设在第二梯形层193上。
在另一个示例中，如图10所示，采用具备不同光透过率的第一半透孔173和第二半透孔177的曝光图形结构17，对光阻层15进行光刻而形成的第一BANK层19包括第三梯形层195、第一平行四边形层197和第二平行四边形层199；
第三梯形层195的中间部分覆盖在相邻两个阳极薄膜层13之间的间隙区域上；第一平行四边形层197和第二平行四边形层199分别分布在第三梯形层195两侧；第一平行四边形层197覆盖在阳极薄膜层13的边缘区域上；第二平行四边形层199覆盖在阳极薄膜层13的边缘区域上；
第二BANK层21上开设有与第三梯形层195形状相同的槽，且第二BANK层21的形状为梯形；第二BANK层21通过槽罩设在第三梯形层195上。
本申请像素BANK结构的各实施例中，像素BANK结构挡光高度高，可有效地降低漏光的风险。
在一个实施例中，还提供了一种像素结构，在本申请像素BANK结构各实施例所述的像素BANK结构内形成OLED器件。
需要说明的是，该实施例中的像素BANK结构与本申请像素BANK结构各实施例中所述的像素BANK结构相同，详细描述请参照本申请像素BANK结构各实施例内容，此处不再赘述。
在像素BANK结构内形成OLED器件，具体包括依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
本申请像素结构各实施例中，像素之间的遮光性能好，不会产生漏光现象。
在一个实施例中，还提供了一种显示面板，包括上述像素结构。
需要说明的是，该实施例中的像素结构与本申请像素结构各实施例中所述的像素结构相同，详细描述请参照本申请像素结构各实施例内容，此处不再赘述。
在一个实施例中，还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
需要说明的是，该实施例中的显示面板与本申请显示面板各实施例中所述的显示面板相同，详细描述请参照本申请显示面板各实施例内容，此处不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种像素BANK制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底基板，所述衬底基板上制作有阳极薄膜层；
在所述衬底基板上涂覆用于覆盖所述阳极薄膜层的光阻层；
通过曝光图形结构对所述光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的所述光阻层进行烘烤固化，形成第一BANK层；所述曝光图形结构为全透孔、第一半透孔、不透孔和第二半透孔依次重复排列的结构；
在所述第一BANK层上形成第二BANK层；所述第二BANK层为黑色BANK层。
2.根据权利要求1所述的像素BANK制备方法，其特征在于，所述光阻层为正型光阻层；
所述全透孔正对所述阳极薄膜层的中间区域；所述第一半透孔和所述第二半透孔分别正对所述阳极薄膜层两侧的边缘区域；所述不透孔正对相邻两个所述阳极薄膜层之间的空隙区域。
3.根据权利要求1所述的像素BANK制备方法，其特征在于，所述光阻层为负型光阻层；
所述不透孔正对所述阳极薄膜层的中间区域；所述第一半透孔和所述第二半透孔分别正对所述阳极薄膜层两侧的边缘区域；所述全透孔正对相邻两个所述阳极薄膜层之间的空隙区域。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的像素BANK制备方法，其特征在于，所述第一半透孔和所述第二半透孔均为灰阶光掩膜，且所述第一半透孔和所述第二半透孔的光透过率相同。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的像素BANK制备方法，其特征在于，在所述第一BANK层上形成第二BANK层的步骤中，包括步骤：
涂覆用于覆盖所述第一BANK层的黑色光阻层；
对所述黑色光阻层进行光刻，并对光刻后剩余的所述黑色光阻层进行烘烤固化，形成包覆所述第一BANK层的所述第二BANK层。
6.一种像素BANK结构，其特征在于，包括第一BANK层和第二BANK层；所述第一BANK层的中间部分的厚度比所述第一BANK层的边缘部分的厚度厚；
所述第一BANK层的中间部分覆盖在衬底基板上相邻两个阳极薄膜层之间的间隙区域上，且所述第一BANK层的边缘部分覆盖在所述阳极薄膜层的边缘区域上；
所述第二BANK层包裹在所述第一BANK层上。
7.根据权利要求6所述的像素BANK结构，其特征在于，所述第一BANK层包括第一梯形层和第二梯形层；
所述第一梯形层的中间部分覆盖在相邻两个所述阳极薄膜层之间的间隙区域上，且所述第一梯形层的边缘部分覆盖在所述阳极薄膜层的边缘区域上；所述第二梯形层叠加在所述第一梯形层上；
所述第二BANK层上开设有与所述第二梯形层形状相同的槽，且所述第二BANK层的形状为梯形；所述第二BANK层通过所述槽罩设在所述第二梯形层上。
8.一种像素结构，其特征在于，在权利要求6或7所述的像素BANK结构内形成OLED器件。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求8所述的像素结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。
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