CN111081716A - 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，该阵列基板包括柔性基板、薄膜晶体管层和平坦化层，薄膜晶体管层形成在柔性基板上，薄膜晶体管层包括无机层，薄膜晶体管层的上表面凹陷形成有贯穿无机层的凹孔；平坦化层形成在薄膜晶体管层上，平坦化层填充凹孔。本发明实施例改进了阵列基板的结构，提高阵列基板的柔性的同时，减少了阵列基板的制程道数，降低了阵列基板的制备成本。

Description

阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。
背景技术
近年来，可折叠显示技术受到越来越多的关注，在便携式显示设备、可穿戴数码产品和商场显示屏幕等领域有着广泛的应用前景。柔性显示技术是基于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示技术发展而来，OLED显示面板的阵列基板通常包括显示区和可弯折区，在阵列基板的可弯折区的无机层上通常会开设有深孔，然后在深孔内另外填充易弯折的有机材料，以提高阵列基板的可弯折区的柔性。
但是，这种提高阵列基板的可弯折区的柔性的方式，会增加阵列基板的制程，导致阵列基板的制备工序较复杂，制备成本较高。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，旨在改进阵列基板的结构，提高阵列基板柔性的同时，减少阵列基板的制程道数，降低阵列基板的制备成本。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
柔性基板；
薄膜晶体管层，形成在所述柔性基板上，所述薄膜晶体管层包括无机层，所述薄膜晶体管层的上表面凹陷形成有贯穿所述无机层的凹孔；
平坦化层，形成在所述薄膜晶体管层上，所述平坦化层填充所述凹孔。
在本发明的一些实施例中，所述柔性基板包括显示区和可弯折区，所述凹孔位于所述显示区和/或所述可弯折区。
在本发明的一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括位于所述可弯折区内的金属走线层，所述凹孔贯穿所述金属走线层。
在本发明的一些实施例中，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述凹孔向下贯穿所述缓冲层和所述阻挡层。
在本发明的一些实施例中，所述无机层包括层间介质层。
在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
像素电极层，形成在所述平坦化层上；
像素定义层，形成在所述像素电极层和所述平坦化层上，所述像素定义层的上表面凸设有支撑柱，所述支撑柱与所述像素定义层一体设置。
第二方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：
提供柔性基板；
在所述柔性基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括无机层；
在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔；
在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层，所述平坦化层填充所述凹孔。
在本发明的一些实施例中，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔，包括：
在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层、所述缓冲层和所述阻挡层的凹孔。
在本发明的一些实施例中，所述阵列基板的制备方法还包括：
在所述平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层包括像素电极；
所述像素电极和所述平坦化层上形成像素定义层；
通过半掩膜板在所述像素定义层上形成支撑柱和与所述像素电极对应的过孔。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括第一方面提供的阵列基板，所述阵列基板包括：
柔性基板；
薄膜晶体管层，形成在所述柔性基板上，所述薄膜晶体管层包括无机层，所述薄膜晶体管层的上表面凹陷形成有贯穿所述无机层的凹孔；
平坦化层，形成在所述薄膜晶体管层上，所述平坦化层填充所述凹孔。
在本发明的一些实施例中，所述柔性基板包括显示区和可弯折区，所述凹孔位于所述显示区和/或所述可弯折区。
在本发明的一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括位于所述可弯折区内的金属走线层，所述凹孔贯穿所述金属走线层。
在本发明的一些实施例中，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述凹孔向下贯穿所述缓冲层和所述阻挡层。
在本发明的一些实施例中，所述无机层包括层间介质层。
在本发明的一些实施例中，所述阵列基板还包括：
像素电极层，形成在所述平坦化层上；
像素定义层，形成在所述像素电极层和所述平坦化层上，所述像素定义层的上表面凸设有支撑柱，所述支撑柱与所述像素定义层一体设置。
有益效果：本发明实施例的阵列基板通过在薄膜晶体管层的上表面开设凹孔，使凹孔贯穿薄膜晶体管的无机层，并在薄膜晶体管层上形成平坦化层，使平坦化层填充凹孔，降低了阵列基板在弯折时薄膜晶体管层的无机层产生裂痕的风险，提高了阵列基板的柔性。同时，通过在薄膜晶体管层上形成平坦化层的过程中，使平坦化层直接填充在凹孔内，减少了在凹孔内另外填充有机材料的工序，实现了减少阵列基板的制程道数，降低阵列基板的制备成本的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中在柔性基板上形成有源层后的结构示意图；
图2是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中形成第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层和第二栅极层后的结构示意图；
图3是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中形成层间介质层和凹孔后的结构示意图；
图4是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中形成源漏极层和金属走线层后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中形成平坦化层后的结构示意图；
图6是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例中形成像素电极层和像素定义层后的结构示意图；
图7本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法的一个实施例的流程示意图。
阵列基板100；柔性基板110；柔性基层111；阻挡层112；缓冲层113；显示区114；可弯折区115；薄膜晶体管层120；无机层121；凹孔122；金属走线层123；有源层124；第一栅极绝缘层125；第一栅极层126；第二栅极绝缘层127；第二栅极层128；源漏极层129；连接孔1291；平坦化层130；像素电极层140；像素定义层150；过孔151；支撑柱152。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。以下分别进行详细说明。
参照图6，阵列基板100包括柔性基板110、薄膜晶体管层120和平坦化层130，薄膜晶体管层120形成在柔性基板110上，该薄膜晶体管层120包括无机层121，平坦化层130形成在薄膜晶体管层120上。
在一些实施例中，可以在薄膜晶体管层120的上表面凹陷形成贯穿无机层121的凹孔122，并使薄膜晶体管层120上的平坦化层130填充凹孔122。通过在薄膜晶体管层120的上表面开设凹孔122，使凹孔122贯穿薄膜晶体管层120的无机层121，并在薄膜晶体管层120上形成平坦化层130，使平坦化层130填充凹孔122，降低了阵列基板100在弯折时薄膜晶体管层120的无机层121产生裂痕的风险，提高了阵列基板100的柔性。同时，通过在薄膜晶体管层120上形成平坦化层130的过程中，使平坦化层130直接填充在凹孔122内，减少了在凹孔122内另外填充有机材料的工序，实现了减少阵列基板100的制程道数，降低阵列基板100的制备成本的目的。
在一些实施例中，柔性基板110可以包括柔性基层111，及依次形成在柔性基层111上的阻挡层112和缓冲层113，阻挡层112用于对外部水氧进行阻挡，而缓冲层113的作用为释放阻挡层112的应力，对阻挡层112进行缓冲。
其中，可以使凹孔122向下贯穿缓冲层113和阻挡层112，则在薄膜晶体管层120上形成平坦化层130时，平坦化层130也会填充在阻挡层112的内。可以理解的是，阻挡层112通常由无机材料制成，通过使凹孔122向下贯穿阻挡层112，并使平坦化层130填充在阻挡层112内，能够提高阻挡层112的柔性，进而提高阵列基板100的柔性。
在一些实施例中，柔性基板110可以包括多层柔性基层111和多层阻挡层112，且柔性基层111和阻挡层112层叠设置，可以使凹孔122向下贯穿多层阻挡层112，以进一步提高柔性基板110的柔性。
具体地，柔性基板110可以包括两层柔性基层111和两层阻挡层112，其中一层阻挡层112位于两层柔性基层111之间，另一层阻挡层112位于柔性基板110的顶部，凹孔122向下贯穿上层阻挡层112，以提高上层阻挡层112的柔性。
在一些实施例中，柔性基层111可以由聚亚酰胺(Polyimide，PI)等有机材料制成，可以采用涂布(Coating)、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等方式将聚亚酰胺沉积在玻璃基板上，然后在柔性基层111形成阻挡层112、薄膜晶体管层120等，最后，将玻璃基板从柔性基层111上剥离，以形成柔性基层111。
在一些实施例中，阻挡层112可以由氮化硅(SiNx)等无机材料制成，可以采用等离子体增强化学气相沉积的方式沉积在柔性基层111上。
在一些实施例中，如图3至图6所示，柔性基板110可以包括显示区114(Activearea，AA)和可弯折(Pad Bending)区115，可以使凹孔122位于柔性基板110的可弯折区115，以使凹孔122贯穿薄膜晶体管层120位于可弯折区115内的无机层121，并使平坦化层130填充在薄膜晶体管层120位于可弯折区115内的无机层121内，以提高薄膜晶体管层120在可弯折区115内的柔性。
其中，由于阵列基板100在可弯折区115可以不进行画面显示，因此，可以将薄膜晶体管层120位于可弯折区115内的大部分无机层121，以及柔性基板110位于可弯折区115内的大部分阻挡层112都去除，以尽可能的提高阵列基板100在可弯折区115的柔性。
如图4及图6所示，薄膜晶体管层120还可以包括位于可弯折区115内的金属走线层123，该金属走线层123用于将可弯折区115两侧的显示区114(另一侧显示区未示出)走线结构连接在一起。在一些实施例中，可以使位于柔性基板110的可弯折区115的凹孔122贯穿金属走线层123，以提高金属走线层123的柔性，进而提高阵列基板100的柔性。
当然，当位于可弯折区115内的金属走线层123起到其它作用时，也可以使位于柔性基板110的可弯折区115的凹孔122贯穿金属走线层123，以提高金属走线层123的柔性，只需保证不会到金属走线层123的电路连接效果造成影响即可。
在一些实施例中，也可以使凹孔122位于柔性基板110的显示区114，以使凹孔122贯穿薄膜晶体管层120位于显示内的无机层121，并使平坦化层130填充在薄膜晶体管层120位于显示区114内的无机层121内，以提高薄膜晶体管层120在显示区114内的柔性。
其中，可以使柔性基板110的显示区114内的凹孔122与薄膜晶体管层120内的金属走线错开设置，以避免凹孔122对阵列基板100的显示效果造成影响。
在一些实施例，可以使薄膜晶体管层120在显示区114内凹孔122数量为多个，以进一步提高薄膜晶体管层120在显示区114的柔性。
可以理解的是，凹孔122可以显示区114和/或可弯折区115，也即，可以只在显示区114或可弯折区115形成一个或多个凹孔122，也可以在显示区114和可弯折区115同时形成凹孔122，当然，后者对阵列基板100的柔性提升效果更好。
在一些实施例中，如图5及图6所示，薄膜晶体管层120可以包括依次形成在柔性基板110上的有源层124、第一栅极绝缘层125、第一栅极层126、第二栅极绝缘层127、第二栅极层128、层间介质层和源漏极层129。
其中，有源层124由半导体材料制成，第一栅极绝缘层125用于将第一栅极层126和有源层124隔开，第二栅极绝缘层127用于将第一栅极层126和第二栅极层128隔开，第一栅极层126可以包括多个第一栅极，第二栅极层128可以包括多个第二栅极。源漏极层129包括分别与有源层124接触的源极和漏极。有源层124、第一栅极层126、第二栅极层128和源漏极层129共同构成薄膜晶体管层120的薄膜晶体管。
当然，薄膜晶体管层120的薄膜晶体管也可以是其它现有的薄膜晶体管结构，此处不作限制。
在一些实施例中，薄膜晶体管层120的无机层121可以包括层间介质层。当然，当薄膜晶体管层120还包括有其它无机层时，凹孔122也可以穿过薄膜晶体管层120的其它无机层121。
在一些实施例中，如图6所示，阵列基板100还可以包括像素电极层140和像素定义层150，其中，像素电极层140形成在平坦化层130上，像素定义层150形成在像素电极层140和平坦化层130上。像素电极层140包括像素电极，该像素电极穿过平坦化层130与源漏极层129的漏极接触。像素定义层150包括暴露出像素电极的过孔151，该过孔151内可以容纳有机电致发光(Electro Luminescent，EL)层(图中未示出)。
在一些实施例中，可以在像素定义层150的上表面凸设支撑柱152，该支撑柱152与像素定义层150一体设置。其中，支撑柱152可以用于支撑高精细金属掩模板(Fine-MetalMask，FMM)。
通过将支撑柱152和像素定义层150一体设置，可以采用通过半掩膜板同时在像素定义层150上形成凸起和与像素电极对应的过孔151，从而减少阵列基板100的制程道数，降低阵列基板100的制程风险。
在一些实施例中，有机电致发光层可以包括空穴传输层(Hole transport layer，HTL)、发光层((Emitting layer，EML)、电子传输层(Electron transport layer，ETL)等，此处不再赘述。
其中，在有机致电发光层上还可以依次形成用于提供电子的阴极(Cathode)层(图中未示出)和用于保护阴极层和有机电致发光层的封装膜层(图中未示出)等等。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，如图7所示，该方法可以包括步骤201至步骤204，详细描述如下：
201、提供柔性基板。
其中，柔性基板的材质和结构可以参照上述实施例，此处不再赘述。
202、在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括无机层。
具体地，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层可以包括如下步骤：
(1)、如图1所示，在基板上形成有源层124。其中，有源层124有半导体材料制成。
(2)、如图2所示，在有源层124和柔性基板110基板上依次形成第一栅极绝缘层125、第一栅极层126、第二栅极绝缘层127和第二栅极层128。
(3)、如图3所示，在第二栅极层128和第二栅极绝缘层127上形成层间介质层。
(4)、如图4所示，在层间介质层上形成源漏极层129。
203、在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔。
其中，凹孔的结构和位置可以参照上述实施例，此处不再赘述。
204、在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层，所述平坦化层填充所述凹孔。
本发明实施例中的阵列基本的制备方法通过在薄膜晶体管层120的上表面开设凹孔122，使凹孔122贯穿薄膜晶体管的无机层121，并在薄膜晶体管层120上形成平坦化层130，使平坦化层130填充凹孔122，降低了阵列基板100在弯折时薄膜晶体管层120的无机层121产生裂痕的风险，提高了阵列基板100的柔性。同时，通过在薄膜晶体管层120上形成平坦化层130的过程中，使平坦化层130直接填充在凹孔122内，减少了在凹孔122内另外填充有机材料的工序，实现了减少阵列基板100的制程道数，降低阵列基板100的制备成本的目的。
在一些实施例中，如图3所示，在形成薄膜晶体管层120的层间介质层后，可以先通过半掩膜板在薄膜晶体管层120上形成凹孔122和连接孔1291，该连接孔1291自层间介质层的上表面向下延伸至有源层124；然后，在层间介质层上形成源漏极层129，使源漏极层129穿过连接孔1291与有源层124接触。由此，通过一个半掩膜板同时形成凹孔122和连接孔1291，减少了阵列基板100的制程道数。
当然，也可以通过两中掩膜分别在薄膜晶体管层120上形成凹孔122和连接孔1291，具体可根据阵列基板100的结构而定。
在一些实施例中，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔可以包括：
在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层、所述缓冲层和所述阻挡层的凹孔。通过在柔性基板110的阻挡层112上也形成过孔151，从而使平坦化层130填充至阻挡层112内，进一步提高了柔性基板110的柔性。
在一些实施例中，所述阵列基板的制备方法还可以包括：
(1)、在所述平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层包括像素电极。
(2)、所述像素电极和所述平坦化层上形成像素定义层。
(3)、通过半掩膜板在所述像素定义层上形成支撑柱和与所述像素电极对应的过孔。
通过半掩膜板在像素定义层150上形成支撑柱152和与像素电极对应的过孔151，能够进一步减少阵列基板100的制程道数，降低阵列基板100的制备成本。其中，像素电极层140和像素定义层150的结构可以参照上述实施例，此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的阵列基板100，或者，通过如上所述的阵列基板的制备方法制得的阵列基板100，该阵列基板100的具体结构参照上述实施例，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
薄膜晶体管层，形成在所述柔性基板上，所述薄膜晶体管层包括无机层，所述薄膜晶体管层的上表面凹陷形成有贯穿所述无机层的凹孔；
平坦化层，形成在所述薄膜晶体管层上，所述平坦化层填充所述凹孔。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性基板包括显示区和可弯折区，所述凹孔位于所述显示区和/或所述可弯折区。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括位于所述可弯折区内的金属走线层，所述凹孔贯穿所述金属走线层。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述凹孔向下贯穿所述缓冲层和所述阻挡层。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述无机层包括层间介质层。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
像素电极层，形成在所述平坦化层上；
像素定义层，形成在所述像素电极层和所述平坦化层上，所述像素定义层的上表面凸设有支撑柱，所述支撑柱与所述像素定义层一体设置。
7.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供柔性基板；
在所述柔性基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括无机层；
在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔；
在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层，所述平坦化层填充所述凹孔。
8.如权利要求7所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述柔性基板包括柔性基层，及依次形成在所述柔性基层上的阻挡层和缓冲层，所述在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层的凹孔，包括：
在所述薄膜晶体管层的上表面形成贯穿所述无机层、所述缓冲层和所述阻挡层的凹孔。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括：
在所述平坦化层上形成像素电极层，所述像素电极层包括像素电极；
所述像素电极和所述平坦化层上形成像素定义层；
通过半掩膜板在所述像素定义层上形成支撑柱和与所述像素电极对应的过孔。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。
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