CN107819013B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，该显示面板包括：第一基底；设置在第一基底上的第一挡墙和第二挡墙，第一挡墙和第二挡墙位于非显示区，第一挡墙围绕显示区设置，第二挡墙围绕第一挡墙设置；设置在第一基底上的多条信号线，信号线沿第一方向延伸并沿第二方向排布，信号线包括依次设置的第一钛层、铝层和第二钛层，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙和第二挡墙之间的信号线中，至少在铝层的侧面覆盖有保护膜；设置在信号线背离第一基底一侧的有机发光材料层，有机发光材料层位于显示区；薄膜封装层，覆盖在有机发光材料层背离第一基底的一侧。如此，有利于提高薄膜封装的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
近年来，有机电致发光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)已经成为海内外非常热门的平板显示器产业，被喻为下一代的“明星”平板显示技术，这主要是因为OLED具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、面板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式面板、制程简单、低成本等特点。
OLED器件中一般使用活泼金属作阴极，容易与水汽发生反应影响电荷的注入，并且器件中的有机发光材料也会与水和氧气发生化学反应，这些反应都降低了OLED器件的性能和使用寿命，所以OLED器件需要使用良好的封装技术来隔绝水汽和氧气的侵入。薄膜封装(Thin Film Encapsulation，简称TFE)是目前通常会采用的封装方法，如何提高薄膜封装的可靠性是现阶段亟需解决的技术问题之一。
发明内容
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示装置，在第一挡墙和第二挡墙之间的信号线中铝层的侧面覆盖保护膜，避免信号线中的铝层与刻蚀液中的Ag+离子发生反应，从而避免在信号线表面生成Ag金属球，使得薄膜封装层与信号线可靠接触，有利于提高封装的可靠性。
为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：
第一方面，本申请提供一种显示面板，设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述显示面板包括：
第一基底；
设置在所述第一基底上的第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙位于所述非显示区，所述第一挡墙围绕所述显示区设置，所述第二挡墙围绕所述第一挡墙设置；
设置在所述第一基底上的多条信号线，所述信号线沿第一方向延伸并沿第二方向排布，所述信号线包括依次设置的第一钛层、铝层和第二钛层，在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，至少在所述铝层的侧面覆盖有保护膜；或者，在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，延伸至所述第二挡墙远离所述第一挡墙一侧和/或所述第一挡墙远离所述第二挡墙的一侧的所述信号线上覆盖有保护层；
设置在所述信号线背离所述第一基底一侧的有机发光材料层，所述有机发光材料层位于所述显示区；
薄膜封装层，覆盖在所述有机发光材料层背离所述第一基底的一侧。
第二方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，该显示面板为本申请所提供的显示面板。
与现有技术相比，本申请所述的显示面板及显示装置，达到了如下效果：
本申请所提供的显示面板及显示装置中，信号线包括依次设置的第一钛层、铝层和第二钛层，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙和所述第二挡墙之间的信号线中，至少在铝层的侧面覆盖有保护膜，在显示面板的后续刻蚀制程中，该保护膜能够有效避免信号线中的铝层与刻蚀液中的Ag+离子发生反应，从而避免在信号线表面形成Ag金属球的现象，使得薄膜封装层与信号线能够可靠接触，有利于提高显示面板和显示装置薄膜封装的可靠性。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图；
图2所示为图1所示实施例所提供的显示面板的A-A剖视图；
图3所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图；
图4所示为图3所示实施例所提供的显示面板的B-B剖视图；
图5所示为图3所示实施例所提供的显示面板的另一种B-B剖视图；
图6所示为图3所示实施例所提供的显示面板的再一种B-B剖视图；
图7所示为图3所示实施例所提供的显示面板的另一种B-B剖视图；
图8所示为本申请实施例中位于第一挡墙和第二挡墙之间的信号线的一种剖视图；
图9所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图；
图10所示为图9实施例中信号线的C-C剖视图；
图11所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图，
图12所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
参见图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图，图2所示为图1所示实施例所提供的显示面板的A-A剖视图，图3所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图，图4所示为图3所示实施例所提供的显示面板的B-B剖视图；参见图1和图2，本申请所提供的显示面板100，设置有显示区11和围绕显示区11设置的非显示区12，显示面板100包括：
第一基底10；
设置在第一基底10上的第一挡墙31和第二挡墙32，第一挡墙31和第二挡墙32位于非显示区12，第一挡墙31围绕显示区11设置，第二挡墙32围绕第一挡墙31设置，参见图1；
设置在第一基底上的多条信号线60，信号线60沿第一方向延伸并沿第二方向排布，参见图1，信号线60包括依次设置的第一钛层81、铝层82和第二钛层83，参见图4，在第一基底10所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，至少在铝层82的侧面覆盖有保护膜70，参见图3和图4；或者，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，延伸至第二挡墙32远离第一挡墙31一侧和/或第一挡墙31远离第二挡墙32一侧的信号线上覆盖有保护层；
设置在信号线60背离第一基底一侧的有机发光材料层40，有机发光材料层40位于显示区11，参见图2；
薄膜封装层50，覆盖在有机发光材料层40背离第一基底10的一侧，参见图2。
具体地，请继续参见图1和图2，本申请所提供的显示面板100的非显示区12设置有两道挡墙，第一挡墙31环绕显示区11设置，第二挡墙32环绕第一挡墙31设置。在显示面板100的第一基底10上依次设置有缓冲层13、驱动功能层20、有机发光材料层40和薄膜封装层50；其中，第一基底10由具有柔性的任意合适的绝缘材料制成，可以是透明的、半透明的或不透明的。
通常，驱动功能层20包括：
位于缓冲层13上的半导体有源层25，半导体有源层25包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域；
位于半导体有源层25上方的栅极绝缘层26，栅极绝缘层26包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多层；
位于栅极绝缘层26上的第一金属层21，第一金属层21的特定区域形成薄膜晶体管的栅极，作为栅极金属层，栅极可包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的合金；
位于第一金属层21上方的层间绝缘层24，层间绝缘层24可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成；
位于层间绝缘层24上的第二金属层22，第二金属层22的特定区域形成薄膜晶体管的源电极27和漏电极28，作为源漏极金属层，源电极27和漏电极28分别通过接触孔电连接到半导体有源层25的源极区与和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅极绝缘层26和层间绝缘层24形成的；以及
位于第二金属层上的钝化层29，钝化层29可以由氧化硅或氮化硅等无机层形成，也可由有机层形成；
位于钝化层29上的平坦化层23，平坦化层23为包括亚克力、聚酰亚胺或苯并环丁烯等的有机层，平坦化层23为有机发光材料层40的形成提供一个平坦的表面。
有机发光材料层40形成于平坦化层20表面，有机发光材料层40通常包括依次设置的第一电极43(通常为阳极层)、发光层42和第二电极41(通常为阴极层)。其中，第一电极43通过接触孔电连接至薄膜晶体管的漏电极28，薄膜晶体管通过其漏电极28对有机发光器件40进行控制。发光层42可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成，发光层42包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。当然，本发明还可以包括其他现有技术中的膜层，本说明中不再赘述。
在柔性面板薄膜封装结构中，一般会设计两道挡墙(Dam)来定义薄膜封装层中的有机膜层边界和无机膜层边界，保证无机膜层完全包裹有机膜层以实现更好的封装效果。通常，为获得更好的封装效果，会将两道挡墙之间的有机膜挖掉，这就会使显示面板上的金属走线部分裸露，在后续形成OLED器件的阳极层后对该阳极层进行刻蚀的过程中，刻蚀液中存在的大量Ag+离子将会与金属走线中的Al发生置换反应，从而生成Ag金属和Al+3离子，Ag金属会附着在金属走线的上方，形成Ag金属球，在进行薄膜封装时，薄膜封装层中掺杂了Ag金属球，薄膜封装层和Ag金属球之间难以可靠接触，二者之间可能会形成缝隙，如此，空气和水分很有可能从Ag金属球和薄膜封装层的缝隙进入OLED器件内部，大大降低了封装效果。
本申请图1所示实施例中的信号线60与图2所示实施例中的第二金属层22同层设置。本申请中的信号线60例如可以为显示面板中的PVDD、PVEE等电源线，显示区中的两条或多条电源线到了非显示区会短接在一起，形成多条电源线排布在第一挡墙31和第二挡墙32之间，参见图1。图3示出了本申请实施例中的第一挡墙31和第二挡墙32与信号线60的位置关系图，图3是图1中虚框D的局部放大图，从图3可看出，信号线60有部分区域是位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的。图4示出了图3实施例中位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60的一种剖视图，从图4可看出，信号线60由三层结构构成，依次为第一钛层81、铝层82和第二钛层83，其中，铝层82的侧面覆盖有保护膜70，该铝层82包括分别与第一钛层81和第二钛层83直接接触的第一面821和第二面822，本申请所指的铝层82的侧面为铝层82未与第一钛层81和第二钛层83接触的两个面823和824。现有技术中，在完成有机发光材料层中的阳极层的制作之后，需要对阳极层进行刻蚀以形成相应的图形，在刻蚀过程中，位于两个挡墙之间的信号线的侧面是处于裸露状态的，也就是说Al层的侧面是裸露的，因此信号线中的Al层会与刻蚀液中Ag+离子直接接触而发生置换反应，生成Ag金属和Al+3离子，Ag金属会附着在金属走线的上方，形成Ag金属球，从而导致在后续薄膜封装的过程中薄膜封装层难以与Ag金属球可靠接触，而本申请所提供的显示面板100中，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60的铝层82的侧面覆盖有保护膜70，在对有机发光材料层中的阳极层进行刻蚀的过程中，该保护膜70能够有效避免信号线60中的铝层82与刻蚀液中的Ag+离子发生反应，从而避免在第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60表面形成Ag金属球，使得薄膜封装层与信号线60能够可靠接触，从而有利于提高显示面板100薄膜封装的可靠性。
可选地，图4所示实施例中，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，覆盖在信号线60的铝层82的侧面的保护膜70包括氧化铝。该氧化铝保护膜70的形成过程例如可为：在信号线60成膜后，将信号线60在氧化气氛中进行处理，使得裸露的铝层82表面生成一层氧化铝保护膜70。氧化铝保护膜70的化学性质稳定，在后续的刻蚀制程中，即使刻蚀液中的Ag+离子与氧化铝直接接触也不会与氧化铝发生化学反应，从而避免在铝层82表面形成Ag金属球，使得在薄膜封装过程中薄膜封装层能够与信号线60可靠接触，因此有利于提高显示面板100薄膜封装的可靠性。
可选地，图5所示为图3所示实施例所提供的显示面板的另一种B-B剖视图，图6所示为图3所示实施例所提供的显示面板100的再一种剖视图，参见图5和图6，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，保护膜74至少覆盖在第一钛层81、铝层82和第二钛层83的侧面。
具体地，请继续参见图5和图6，图5所示实施例中，在位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，信号线60中的铝层82侧面以及与铝层82相邻的第一钛层81和第二钛层83的侧面均覆盖有保护膜74，此种方式有利于确保保护膜74能够将铝层82完全包裹，进一步避免铝层82在后续刻蚀制程中与刻蚀液中的Ag+离子发生置换反应，同样有利于提升后续薄膜封装过程中薄膜封装的可靠性。图6所示实施例中，在位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，除第一钛层81、铝层82和第二钛层83的侧面覆盖有保护膜74外，第二钛层83表面的部分区域也覆盖有保护膜74，此种方式中，保护膜74将信号线60的侧面完全包裹并延伸至信号线60第二钛层83的表面，对铝层82的包裹更加严实，隔绝了铝层82与外界环境，避免刻蚀液中的Ag+进入保护膜74和铝层82之间而与铝层82发生反应，因此有利于进一步提升后续薄膜封装的可靠性。
需要说明的是，本申请实施例中保护膜74还可覆盖在位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60的整个外表面，既将第一钛层81、铝层82和第二钛层83的侧面覆盖，还将第二钛层83的表面也完全覆盖，参见图7，图7所示为图3所示实施例所提供的显示面板100的另一种B-B剖视图，此种方式将信号线60整个包裹，将信号线60完全与外界环境隔绝，即使在刻蚀制程中存在大量的Ag+，这些Ag+也不会与数据信号中的铝层82发生接触，后续的薄膜封装过程中，薄膜封装层能够与包裹在信号线60之外的保护膜70可靠接触，有利于提升薄膜封装的可靠性。
可选地，参见图2，有机发光材料层包括阳极层43、发光层42和阴极层41，阳极层43靠近第一基底设置；保护膜70与阳极层同层设置。
具体地，请参见图2，在显示面板100上完成驱动功能层20的制作后，会将第一挡墙31和第二挡墙32之间的平坦化层23和钝化层29去除，这样在第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60可能会部分裸露。在驱动功能层的表面制作有机发光材料层40的过程中，首先在驱动功能层20的表面制作阳极层43，图5、图6和图7所示实施例中覆盖在信号线60的第一钛层81、铝层82和第二钛层83侧面的保护膜74也在该制程中制作，也就是说保护膜74和阳极层43同层设置。因此，在制作阳极层43的同时即可完成保护膜74的制作，无需再单独增加制作保护膜74的工序，因此有利于节约生产工序、提高生产效率。
可选地，图5、图6和图7所示实施例中的保护膜74为三层结构，包括第一氧化铟锡层71、银层72和第二氧化铟锡层73，即ITO-Ag-ITO的结构，通过该三层结构可将信号线60中的铝层82可靠包裹，在刻蚀制程中将铝层82与刻蚀液中的Ag+隔离，避免Ag+与铝层82发生反应而在第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60上形成Ag金属球，有利于确保后续薄膜封装过程中薄膜封装的可靠性。此外，将保护膜74采用ITO-Ag-ITO构成，与有机发光材料层中的阳极层构成材料相同，在制作阳极层的同时即可完成保护膜70的制作，有利于节约生产工序。
可选地，图8所示为本申请实施例中位于第一挡墙和第二挡墙之间的信号线的一种剖视图，参见图8，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，保护膜70包括第一保护膜75和第二保护膜76，第一保护膜75覆盖在铝层82的侧面，第二保护膜76至少覆盖在第一钛层81、第一保护膜75和第二钛层83的侧面。
具体地，图8所示实施例中引入了第一保护膜75和第二保护膜76，先通过第一保护膜75将第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60的铝层82进行覆盖，使铝层82与外界环境隔绝，然后再将第二保护膜76覆盖在第一钛层81、第一保护膜75和第二钛层83的侧面，通过第一保护膜75和第二保护膜76的双重阻隔，确保后续刻蚀制程中刻蚀液内的Ag+不会与铝层82接触而发生置换反应，从而避免在第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60上形成Ag金属球的现象，以使得薄膜封装过程中薄膜封装层能够与信号线60可靠接触，有利于进一步提高薄膜封装的可靠性。
可选地，请参见图8，第一保护膜75包括氧化铝，第二保护膜76包括第一氧化铟锡层71、银层72和第二氧化铟锡层73。
具体地，图8所示实施例中，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中，仅覆盖在铝层82表面的第一保护膜75可体现为氧化铝，在信号线60成膜后，将信号线60在氧化气氛中进行处理，使得裸露的铝层82表面生成一层氧化铝保护膜70，即此处的第一保护膜75，以氧化铝作为第一保护膜75，化学性质稳定，将铝层82与外界环境进行了隔离。第二保护膜76包括第一氧化铟锡层71、银层72和第二氧化铟锡层73，采用与有机发光材料层中的阳极层43相同的构成材料，并可在形成阳极层的同时完成第二保护膜76的制作，该第二保护膜76将第一保护膜75进一步覆盖，同时还覆盖了第一钛层81和第二钛层83的侧面及第二钛层83背离所述铝层82的表面，也就是第二保护膜76将信号线60和第一保护膜75完全包裹在其中，使信号线60中的铝层82完全与外界隔绝，即使在后续的刻蚀制程中，刻蚀液中的Ag+也完全不会与铝层82接触而发生反应，在后续薄膜封装的过程中，薄膜封装层能够将覆盖在信号线60表层的第二保护膜76完全覆盖并可靠接触，从而有利于提高薄膜封装的可靠性。当然，本申请中的第二保护膜76除采用图8所示实施例的方式将信号线60整个包裹外，还可仅覆盖在第一钛层81、第一保护膜75和第二钛层83的侧面，也可延伸至第二钛层83的部分表面，这些方式均可将信号线60的铝层82与外界隔绝，本申请对第二保护膜76的覆盖形式不进行具体限定。
可选地，请参见图2，本申请实施例中的薄膜封装层50包括依次设置的第一无机膜层51、第二有机膜层52和第二无机膜层53；
第一无机膜层51和第二无机膜层53覆盖在有机发光材料层40背离第一基底10的一侧、第一挡墙31背离第一基底10的表面以及第一挡墙31和第二挡墙32之间；第二有机膜层52设置在第一挡墙31靠近显示区11一侧并覆盖在第一无机膜层51背离有机发光材料层40的表面。
具体地，在显示区11中完成有机发光材料层40的制作外，为避免有机发光材料层40与外界的水分和氧气发生化学反应，在有机发光材料层的表面采用薄膜封装层50进行封装。参见图1和图2，第一挡墙31围绕显示区11设置，在进行薄膜封装时，第一无机膜层51沉积于第一挡墙31围绕形成的空间中以及第一挡墙31和第二挡墙32之间；第一挡墙31作为薄膜封装层中第二有机膜层52的边界，在沉积第二有机膜层52时，该第二有机膜层52仅沉积在第一挡墙31围绕形成的空间中；第二挡墙32作为无机膜层的边界，在沉积第二无机膜层53时，第二无机膜层53从显示区11一直延拓至第一挡墙31和第二挡墙32之间。第一无机膜层51和第二无机膜层53具备高致密性可以有效阻隔水氧，而第二有机膜层52具备高弹性，可作为缓冲层有效抑制无机膜层开裂。本申请将第一挡墙31作为第二有机膜层52的边界，避免第二有机膜层52进入第一挡墙31和第二挡墙32之间，第一挡墙31和第二挡墙32之间仅沉积第一无机膜层51和第二无机膜层53，两层无机膜层能够更加有效阻隔水分和氧气，避免水分和氧气进入显示区11中而与有机发光材料层发生化学反应，保证了封装的可靠性，有利于提升显示面板100的性能和使用寿命。
可选地，请进一步参见图2，显示面板100还包括第一无机层61，第一无机层61设置在信号线60靠近第一基底10的一侧；位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的第一无机膜层51与第一无机层直接接触。
具体地，请参见图2，上述第一无机层61指的是图2所示实施例中的层间绝缘层24，在第一挡墙31和第二挡墙32之间，该层间绝缘层24位于信号线60靠近第一基底10的一侧，在进行薄膜封装时，薄膜封装层50中的第一无机膜层51将会与该第一无机层61直接接触，无机层和无机层之间的接触相比无机层和有机层之间的接触更加可靠，而且第一挡墙31和第二挡墙32之间第一无机膜层51和第一无机层61直接接触还能够进一步避免外界的水分和氧气侵入显示面板100的显示区11，因此避免了水分和氧气与显示区11中的有机发光材料层40接触，更加有利于提升薄膜封装效果，提高封装的可靠性。
可选地，图9所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图，图10所示为图9实施例中信号线的C-C剖视图。从图9实施例可看出，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60向第二挡墙32的方向延伸并有部分超出第二挡墙32，该实施例在每条信号线60上超出第二挡墙32的部分的第二钛层83表面沉积一层保护层80，参见图10，该保护层80包括第一氧化铟锡层71、银层72和第二氧化铟锡层73，即采用ITO-Ag-ITO的结构。在刻蚀制程中，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中的铝层82会和刻蚀液中的Ag+离子发生置换反应，使得Al金属变成Al离子，Ag+离子变成Ag金属，形成Ag金属球，由于原电池原理，置换反应形成的Ag金属球会附着在位于第二挡墙32之外的保护层80之上，而不会附着在第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60之上，也就是在第一挡墙31和第二挡墙32之间并不会有Ag金属球的存在，不会影响后续的薄膜封装，同样有利于提升薄膜封装的可靠性。图9所示实施例中，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线中，延伸至第二挡墙32远离第一挡墙31的一侧的信号线上覆盖有保护层80，除此种方式外，图11所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种俯视图，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线中，延伸至第一挡墙31远离第二挡墙32的一侧的信号线也覆盖有保护层80，在刻蚀制程中，位于第一挡墙31和第二挡墙32之间的信号线60中的铝层82和刻蚀液中的Ag+离子发生置换反应形成的Ag金属球会附着在两个挡墙之外的保护层80上，不会在两个挡墙之间沉积，因此同样有利于提高后续薄膜封装的可靠性。
基于同一发明构思，本申请还提供一种显示装置，图12所示为本申请所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置200包括显示面板100，其中显示面板100为本申请所提供的显示面板100。本申请所提供的显示装置200可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本申请中显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例，重复之处此处不再赘述。
通过以上各实施例可知，本申请存在的有益效果是：
本申请所提供的显示面板及显示装置中，信号线包括依次设置的第一钛层、铝层和第二钛层，在第一基底所在平面的正投影位于第一挡墙和所述第二挡墙之间的信号线中，至少在铝层的侧面覆盖有保护膜，在显示面板的后续刻蚀制程中，该保护膜能够有效避免信号线中的铝层与刻蚀液中的Ag+离子发生反应，从而避免在信号线表面形成Ag金属球的现象，使得薄膜封装层与信号线能够可靠接触，有利于提高显示面板和显示装置薄膜封装的可靠性。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，设置有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述显示面板包括：
第一基底；
设置在所述第一基底上的第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙和所述第二挡墙位于所述非显示区，所述第一挡墙围绕所述显示区设置，所述第二挡墙围绕所述第一挡墙设置；
设置在所述第一基底上的多条信号线，所述信号线沿第一方向延伸并沿第二方向排布，所述信号线包括依次设置的第一钛层、铝层和第二钛层，在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，至少在所述铝层的侧面覆盖有保护膜；或者，在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，延伸至所述第二挡墙远离所述第一挡墙一侧和/或所述第一挡墙远离所述第二挡墙的一侧的所述信号线上覆盖有保护层；
在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，所述保护膜包括第一保护膜和第二保护膜，所述第一保护膜覆盖在所述铝层的侧面，所述第二保护膜至少覆盖在所述第一钛层、所述第一保护膜和所述第二钛层的侧面；
设置在所述信号线背离所述第一基底一侧的有机发光材料层，所述有机发光材料层位于所述显示区；
薄膜封装层，覆盖在所述有机发光材料层背离所述第一基底的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述保护膜包括氧化铝。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述第一基底所在平面的正投影位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述信号线中，所述保护膜至少覆盖在所述第一钛层、铝层和第二钛层的侧面。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光材料层包括阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层靠近所述第一基底设置；
所述保护膜与所述阳极层同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述保护膜包括第一氧化铟锡层、银层和第二氧化铟锡层。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一保护膜包括氧化铝，所述第二保护膜包括第一氧化铟锡层、银层和第二氧化铟锡层。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层包括依次设置的第一无机膜层、第一有机膜层和第二无机膜层；
所述第一无机膜层和所述第二无机膜层覆盖在所述有机发光材料层背离所述第一基底的一侧、所述第一挡墙背离所述第一基底的表面以及所述第一挡墙和所述第二挡墙之间；所述第一有机膜层设置在所述第一挡墙靠近所述显示区一侧并覆盖在所述第一无机膜层背离所述有机发光材料层的表面。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一无机层，所述第一无机层设置在所述信号线靠近所述第一基底的一侧；
位于所述第一挡墙和所述第二挡墙之间的所述第一无机膜层与所述第一无机层直接接触。
9.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板为权利要求1-8之任一所述的显示面板。
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