CN109449182A - 显示基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制造方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109449182A
CN109449182A CN201811275484.5A CN201811275484A CN109449182A CN 109449182 A CN109449182 A CN 109449182A CN 201811275484 A CN201811275484 A CN 201811275484A CN 109449182 A CN109449182 A CN 109449182A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
signal line
underlay substrate
power signal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811275484.5A
Other languages
English (en)
Inventor
张子予
张嵩
周伟峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811275484.5A priority Critical patent/CN109449182A/zh
Publication of CN109449182A publication Critical patent/CN109449182A/zh
Priority to US16/766,310 priority patent/US20200373373A1/en
Priority to PCT/CN2019/113888 priority patent/WO2020088432A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的薄膜晶体管、发光器件和封装结构；薄膜晶体管包括栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案，源漏极图案包括位于显示区域内的源极和漏极，以及位于非显示区域内的至少一根电源信号线，每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆有电极块；发光器件包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，电极块与第一电极同层制备得到。本发明通过在位于非显示区域内的电源信号线的侧边缘包覆电极块，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，提高了显示基板的封装可靠性。

Description

显示基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前，柔性显示器件通常采用薄膜封装(ThinFilmEncapsulation，TFE)的方式进行封装。薄膜封装的原理是利用致密的薄膜封装层阻隔水氧，以使柔性显示器件内部的金属阴极和发光材料免受水氧的侵蚀。
柔性显示器件包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)、发光器件和薄膜封装层。其中，TFT包括层叠设置的栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案。源漏极图案包括位于显示区域内的源极和漏极以及位于非显示区域内的电源信号线，也即是，电源信号线与源极、漏极同层制备。发光器件包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的阳极、发光层和阴极。
相关技术中，源漏极图案(包括电源信号线)通常由层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层构成，且第二金属层的活泼性大于第一金属层和第三金属层的活泼性，因此在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的阳极的过程中，刻蚀液对电源信号线中第二金属层的刻蚀速度大于对第一金属层和第三金属层的刻蚀速度，导致电源信号线发生钻刻(光刻掩膜之下的侧向刻蚀)，在电源信号线内部形成狭缝。在完成发光器件的制备后进行薄膜封装时，薄膜封装材料无法完全填充电源信号线内部的狭缝，导致外部的水氧能够通过该狭缝进入柔性显示器件的显示区域，因此相关技术中对柔性显示器件的封装可靠性较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术对柔性显示器件的封装可靠性较低的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述显示基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、发光器件和封装结构；
所述薄膜晶体管包括栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案，所述源漏极图案包括位于所述显示区域内的源极和漏极，以及位于所述非显示区域内的至少一根电源信号线，每根所述电源信号线的至少一个侧边缘包覆有电极块；
所述发光器件包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述电极块与所述第一电极同层制备得到；
其中，所述封装结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述显示区域且与所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。
可选的，每根所述电源信号线的两个侧边缘均包覆有所述电极块，所述电极块在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影。
可选的，所述电极块的边缘与对应的电源信号线的侧边缘之间的距离范围为2至20微米。
可选的，每根所述电源信号线的两个侧边缘均包覆有所述电极块，所述电极块在所述衬底基板上的正投影与所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合。
可选的，所述电极块呈Z字型，所述电极块包括依次邻接的第一条形面结构、第二条形面结构和第三条形面结构，所述第一条形面结构搭接在所述电源信号线远离所述衬底基板的一面，所述第二条形面结构与所述电源信号线的侧边缘贴合，所述第三条形面结构位于所述衬底基板上；
所述第一条形面结构在第一方向上的宽度范围为2至20微米，所述第三条形面结构在所述第一方向上的宽度范围为2至20微米，所述第一方向垂直于所述电源信号线的延伸方向。
可选的，所述至少一根电源信号线包括相互绝缘设置的第一电源信号线和第二电源信号线；
所述第一电源信号线与所述第一电极电连接，所述第二电源信号线与所述第二电极电连接。
可选的，所述源漏极图案包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层的材质与所述第一金属层、所述第三金属层的材质不同。
第二方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的源漏极图案包括位于所述显示区域内的源极和漏极，以及位于所述非显示区域内的电源信号线；
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上同层制备第一电极和电极图案，所述第一电极位于所述显示区域内，所述电极图案位于所述非显示区域内，所述电极图案包括至少一个电极块，每根所述电源信号线的至少一个侧边缘包覆有所述电极块；
在形成有所述第一电极的衬底基板上依次形成发光层和第二电极，以得到发光器件；
在形成有所述发光器件的衬底基板上形成封装结构，使所述封装结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述显示区域且与所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。
可选的，所述在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上同层制备第一电极和电极图案，包括：
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成金属层；
在所述金属层远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光处理和显影处理；
采用湿法刻蚀的工艺对所述金属层进行刻蚀；
剥离所述光刻胶，以得到所述第一电极和所述电极图案。
第三方面，提供了一种显示装置，包括：如第一方面所述的显示基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
本发明实施例提供的显示基板及其制造方法、显示装置，通过在位于非显示区域内的每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆电极块，在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的第一电极时，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，在一定程度上可以抑制水氧的入侵，提高了显示基板的封装可靠性。
附图说明
图1示出了相关技术中的一种柔性显示器件俯视结构示意图；
图2是图1所示的柔性显示器件在AA’位置的截面示意图；
图3是图1所示的柔性显示器件在BB’位置的截面示意图；
图4是本发明实施例提供的一种显示基板的俯视结构示意图；
图5是图4所示的显示基板在CC’位置的截面示意图；
图6是图4所示的显示基板在DD’位置的截面示意图；
图7是本发明实施例提供的一种电极块的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种电极块的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图；
图10是本发明实施例提供的一种第一电极和电极图案的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
目前柔性显示器件包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的TFT、发光器件和薄膜封装层。其中，TFT包括栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案。源漏极图案包括位于显示区域内的源极和漏极以及位于非显示区域内的电源信号线，也即是，电源信号线与源极、漏极同层制备。发光器件包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的阳极、发光层和阴极。
图1示出了相关技术中的一种柔性显示器件的俯视结构示意图，如图1所示，柔性显示器件10具有显示区域M和非显示区域N，多个子像素W阵列排布在显示区域M内，电源信号线101位于非显示区域N内。其中，薄膜封装层(图中未标出)所在区域为封装区K，显示区域M位于封装区K内，位于非显示区域N内的电源信号线101从封装区K内延伸至封装区K外，以与外部控制电路(图中未画出)连接。外部控制电路通过电源信号线101向发光器件中的阴极和/或阳极(图中未画出)提供电源信号。参见图1，电源信号线101包括第一电源信号线101a和第二电源信号线101b。
图2是图1所示的柔性显示器件在AA’位置的截面示意图，如图2所示，电源信号线101通常由层叠设置的第一金属层101a、第二金属层101b和第三金属层101c构成，其中，第二金属层的活泼性(也称金属活泼性)大于第一金属层和第三金属层的活泼性。需要说明的是，在制备源漏极图案时，为了保证源极、漏极以及电源信号线的良好导电性，一般采用具有较高活泼性的金属材料作为导电材料，例如采用金属铝作为源漏极图案的制备材料；但是，活泼性高的金属材料易发生氧化，目前为了避免导电材料氧化后影响导电性能，通常采用活泼性较低的金属材料保护该活泼性较高的金属材料，例如在金属铝层的上下表面分别采用金属钛形成保护层，因此目前的源漏极图案通常为三级层级结构。
在制备如图1所示的柔性显示器件的过程中，当采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的阳极(图中未画出)时，由于电源信号线中的第二金属层的活泼性大于第一金属层和第三金属层的活泼性，因此刻蚀液对第二金属层的刻蚀速度大于对第一金属层和第三金属层的刻蚀速度，导致电源信号线发生钻刻，如图2所示，电源信号线101内部形成狭缝L，薄膜封装层102无法填充电源信号线101内部形成的狭缝L。图3是图1所示的柔性显示器件在BB’位置的截面示意图，如图3所示，电源信号线101内部形成的狭缝L成为水氧入侵通道，导致外部的水氧能够通过狭缝L进入柔性显示器件内部，对发光器件造成侵蚀，影响发光器件的发光性能，因此相关技术中对柔性显示器件的封装可靠性较低。
图4是本发明实施例提供的一种显示基板的俯视结构示意图，如图4所示，显示基板20具有显示区域M和非显示区域N，该显示基板20包括：
衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的薄膜晶体管、发光器件和封装结构。参见图4，显示区域M内设置有阵列排布的多个子像素W。薄膜晶体管包括栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案。参见图4，源漏极图案包括位于显示区域M内的源极和漏极(图中未画出)，以及位于非显示区域N内的至少一根电源信号线253，每根电源信号线253的至少一个侧边缘包覆有电极块26。
需要说明的是，通过在位于非显示区域内的每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆电极块，在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的第一电极时，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，在一定程度上可以抑制水氧的入侵，提高了显示基板的封装可靠性。
可选的，每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆有电极块包括：每根电源信号线的一个侧边缘包覆有电极块；或者，每根电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块。本发明实施例以每根电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块的显示基板为例进行说明。
需要说明的是，当电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块，电源信号线的内部不会出现狭缝，即电源信号线的内部不存在水氧入侵通道，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，进一步提高了显示基板的封装可靠性。
图5是图4所示的显示基板在CC’位置的截面示意图，如图5所示，显示基板20包括：衬底基板201，以及依次设置在衬底基板201上的薄膜晶体管202、发光器件203和封装结构204。如图5所示，薄膜晶体管可以为顶栅结构，则薄膜晶体管202包括沿远离衬底基板201的方向层叠设置的有源层21、第一栅绝缘层22、栅极图案23、第二栅绝缘层24和源漏极图案25，源漏极图案25包括位于显示区域内的源极251和漏极252。其中，衬底基板和有源层之间还可以包括层叠设置的阻挡层和缓冲层。
可选的，薄膜晶体管也可以为底栅结构，则薄膜晶体管包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案，本发明实施例对此不做限定。
参见图5，发光器件203包括沿远离衬底基板201的方向层叠设置的第一电极31、发光层32和第二电极33。可选的，发光器件可以是量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)器件或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件，本发明实施例对此不做限定。
在本发明实施例中，源漏极图案还包括位于非显示区域内的电源信号线。电源信号线的宽度范围为50微米至2000微米。图6是图4所示的显示基板在DD’位置的截面示意图，如图6所示，电源信号线253位于非显示区域内，电源信号线253的侧边缘包覆有电极块26，电源信号线253由层叠设置的第一金属层a、第二金属层b和第三金属层c构成。电极块26与第一电极同层制备得到。
其中，封装结构在衬底基板上的正投影覆盖显示区域且与电源信号线在衬底基板上的正投影存在重合区域。示例的，参见图6，封装结构204中的第一无机封装层41和第二无机封装层43可以覆盖电源信号线253，由于第一无机封装层和第二无机封装层用于封装显示区域，且第一无机封装层和第二无机封装层均从显示区域延伸至非显示区域，当位于非显示区域内的第一无机封装层和第二无机封装层能够形成密封圈时，即可实现对显示区域的密闭封装。
可选的，上述发光器件中的发光层包括层叠设置的第一载流子注入层、第一载流子传输层、发光材料层、第二载流子传输层和第二载流子注入层。其中，当第一载流子为空穴，第二载流子为电子时，第一电极为阳极，第二电极为阴极；当第一载流子为电子，第二载流子为空穴时，第一电极为阴极，第二电极为阳极。第一载流子注入层、第一载流子传输层、第二载流子传输层和第二载流子注入层均可整层制备得到，以简化发光器件的制备工艺。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，通过在位于非显示区域内的每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆电极块，在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的第一电极时，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，在一定程度上可以抑制水氧的入侵，提高了显示基板的封装可靠性；当电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块，电源信号线的内部不会出现狭缝，即电源信号线的内部不存在水氧入侵通道，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，进一步提高了显示基板的封装可靠性。
可选的，参见图4，至少一根电源信号线253包括相互绝缘设置的第一电源信号线253a和第二电源信号线253b。第一电源信号线253a与第一电极电连接，第二电源信号线253b与第二电极电连接。
需要说明的是，当第一电极为阳极，第二电极为阴极时，第一电源信号线为VDD信号线，第二电源信号线为VSS信号线；当第一电极为阴极，第二电极为阳极时，第一电源信号线为VSS信号线，第二电源信号线为VDD信号线。其中，第二电极可以整层设置，第一电极通过薄膜晶体管与第一电源信号线电连接，薄膜晶体管用于控制第一电极上的加载电压。
可选的，源漏极图案包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层，第二金属层的材质与第一金属层、第三金属层的材质不同。
可选的，如图5所示，显示基板20还包括位于薄膜晶体管202和发光器件203之间的平坦层205。其中。平坦层可以由有机绝缘材料制备得到。
需要说明的是，在薄膜晶体管远离衬底基板的一侧形成平坦层，可以为发光器件的制备提供平坦的制备环境，并隔绝薄膜晶体管内的电信号对发光器件的干扰，以提高发光器件的制备良率。
可选的，如图5所示，发光器件203还包括像素定义层34，像素定义层34位于第一电极31和发光层32之间。
进一步的，参见图5，发光器件203还包括隔离柱35，隔离柱35位于像素定义层34远离衬底基板201的一侧。
需要说明的是，像素定义层用于限制发光层和第一电极的接触区域，即限制像素的实际发光区域。发光器件中的膜层一般采用蒸镀的方式制备，隔离柱用于在使用高精度金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)蒸镀膜层材料的过程中对高精度金属掩膜板起到支撑作用，以保证制备可靠性。
可选的，本发明实施例提供的封装结构可以由层叠设置的有机封装层和无机封装层构成。示例的，如图5所示，封装结构204可以包括第一无机封装层41、有机封装层42和第二无机封装层43。
其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以起到阻隔水氧的作用，有机封装层可以起到区域平坦化和应力释放的作用，需要说明的是，有机封装层通常位于显示区域内，位于有机封装层远离衬底基板的一侧的无机封装层在有机封装层上的正投影应完全覆盖有机封装层，以防止外部水氧通过有机封装层入侵至发光器件内部。
可选的，本发明实施例提供的电极块的结构可以有多种，在此以以下两种结构为例进行说明。
第一种电极块的结构如图7所示，每根电源信号线253的两个侧边缘均包覆有电极块26，电极块26在衬底基板201上的正投影完全覆盖电源信号线253在衬底基板201上的正投影。
可选的，参见图7，电极块26的边缘与对应的电源信号线253的侧边缘之间的距离D范围为2至20微米。
需要说明的是，电极块在衬底基板上的正投影完全覆盖电源信号线在衬底基板上的正投影，也即是，电极块包覆电源信号线中第一金属层的上表面、第二金属层的侧面以及第三金属层的侧边缘，可以避免电源信号线发生钻刻，以避免电源信号线内部产生狭缝，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，阻断了水氧的入侵通道，因此提高了显示基板的封装可靠性。由于该电极块能够同时覆盖电源信号线的两个侧边缘，即每条电源信号线上设置的电极块可以是一体结构，因此该电极块的制备工艺简单，可实现性高。
第二种电极块的结构如图8所示，每根电源信号线253的两个侧边缘均包覆有电极块26，电极块26在衬底基板201上的正投影与对应的电源信号线253在衬底基板201上的正投影部分重合。
可选的，参见图8，电极块26呈Z字型，电极块26包括依次邻接的第一条形面结构261、第二条形面结构262和第三条形面结构263，第一条形面结构261搭接在电源信号线253远离衬底基板201的一面，第二条形面结构262与电源信号线253的侧边缘贴合，第三条形面结构263位于衬底基板201上。第一条形面结构261在第一方向X上的宽度D’范围为2至20微米，第三条形面结构263在第一方向X上的宽度D范围为2至20微米，第一方向X垂直于电源信号线253的延伸方向。
需要说明的是，通过电极块包覆电源信号线的侧边缘，可以避免电源信号线发生钻刻，避免电源信号线内部产生狭缝，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，阻断了水氧的入侵通道，因此提高了显示基板的封装可靠性。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板，通过在位于非显示区域内的每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆电极块，在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的第一电极时，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，在一定程度上可以抑制水氧的入侵，提高了显示基板的封装可靠性；当电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块，电源信号线的内部不会出现狭缝，即电源信号线的内部不存在水氧入侵通道，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，进一步提高了显示基板的封装可靠性。
图9是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法流程图，如图9所示，该方法可以包括以下工作过程：
步骤301、提供一衬底基板。
可选的，衬底基板可以为柔性衬底基板，例如可以由聚酰亚胺(Polyimide，PI)制备得到；或者，衬底基板还可以由玻璃、硅片、石英以及塑料等材料制成，本发明实施例对衬底基板的材料不做限定。
步骤302、在衬底基板上形成薄膜晶体管。
其中，薄膜晶体管中的源漏极图案包括位于显示区域内的源极和漏极，以及位于非显示区域内的至少一根电源信号线。
可选的，薄膜晶体管可以是顶栅结构，则薄膜晶体管可以包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅绝缘层、栅极图案、第二栅绝缘层和源漏极图案；薄膜晶体管也可以是底栅结构，则薄膜晶体管包括沿远离衬底基板的方向层叠设置的栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案。本发明实施例以底栅结构的薄膜晶体管为例来介绍薄膜晶体管的制备过程，其制备过程如下：
可选的，栅极图案可以由金属钼(Mo)制备得到，则可以采用沉积的方式形成金属钼层，再通过构图工艺形成栅极图案；栅绝缘层可以由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或三氧化二铝(Al2O3)制备得到，例如可以采用沉积的方式在形成有栅极图案的衬底基板上形成二氧化硅膜层，再通过构图工艺形成栅绝缘层；有源层可以由铟镓锌氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide，IGZO)、单晶硅(a-Si)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)或低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)制备得到，例如可以采用沉积的方式在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成铟镓锌氧化物层，再通过构图工艺形成有源层；源漏极图案可以由金属钛和金属铝制备得到，则可以采用沉积的方式在形成有有源层的衬底基板上依次形成金属钛层、金属铝层和金属钛层，再通过构图工艺形成源漏极图案。其中，构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。本发明实施例对TFT中各层级结构的材质和制备工艺均不做限定。
步骤303、在形成有薄膜晶体管的衬底基板上同层制备第一电极和电极图案。
其中，第一电极位于显示区域内，电极图案位于非显示区域内，电极图案至少包括一个电极块，每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆有电极块。
可选的，上述步骤303的实现过程可以如图10所示，包括：
步骤3031、在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成金属层。
可选的，金属层可以由氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氟化锂或铝制备得到，当金属层由ITO制备得到时，可采用沉积ITO的方式形成金属层；当金属层由氟化锂或铝制备得到时，可采用蒸镀的方式形成金属层；可选的，金属层还可以包括沿远离衬底基板方向依次叠加的ITO层、金属银(Ag)层和ITO层，本发明实施例对金属层的制备材料和制备方式均不做限定。
步骤3032、在金属层远离衬底基板的一侧涂覆光刻胶，并对光刻胶依次进行曝光处理和显影处理。
可选的，光刻胶的组成成分包括聚甲基丙烯酸甲酯(PolyMethyl MethAcrylate，PMMA)，本发明实施例对光刻胶的组成成分不做限定。
步骤3033、采用湿法刻蚀的工艺对金属层进行刻蚀。
可选的，湿法刻蚀是利用刻蚀液与金属层发生化学反应进行刻蚀；刻蚀液可为盐酸(HCl)，本发明实施例对刻蚀液的成分不做限定。
步骤3034、剥离光刻胶，以得到第一电极和电极图案。
可选的，可以通过湿法剥离工艺剥离光刻胶，其中，湿法剥离是通过使用特定的化学药品，使光刻胶溶解以剥离光刻胶；也可以通过干法剥离工艺剥离光刻胶，其中，干法剥离是通过灰化成分(例如，处于等离子状态的氧气)将光刻胶剥离。本发明实施例对剥离光刻胶的工艺不做限定。
步骤304、在形成有第一电极的衬底基板上依次形成发光层和第二电极，以得到发光器件。
其中，发光层包括第一载流子注入层、第一载流子传输层、发光材料层、第二载流子传输层和第二载流子注入层。当第一载流子为空穴，第二载流子为电子时，第一电极为阳极，第二电极为阴极，第一载流子注入层为空穴注入层，第二载流子传输层为电子传输层；当第一载流子为电子，第二载流子为空穴时，第一电极为阴极，第二电极为阳极，第一载流子注入层为电子注入层，第二载流子传输层为空穴传输层。第一载流子注入层、第一载流子传输层、第二载流子传输层和第二载流子注入层均可整层制备得到，以简化发光器件的制备工艺。
可选的，空穴注入层可以由热塑聚合物PEDOT:PSS(3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)制备得到，空穴传输层可以由1，2，4，5-四(三氟甲基)苯(1,2,4,5-Tetrakis(trifluoromethyl)Benzene，TFB)制备得到，可采用喷墨打印的工艺分别制备得到空穴注入层和空穴传输层，本发明实施例对空穴注入层和空穴传输层的制备材料和制备方式均不做限定。
可选的，发光材料层可以为量子点材料层，则该柔性发光器件为QLED器件，或者，发光材料层也可以为有机发光材料层，则该柔性发光器件为OLED器件；可采用打印的方式形成发光材料层，本发明实施例对发光材料层的制备材料和制备方式均不做限定。
可选的，电子传输层可以由氧化锌制备得到，可采用打印或溅射的方式形成电子传输层，电子注入层可采用打印或溅射的方式形成，本发明实施例对电子传输层和电子注入层的制备材料和制备方式均不做限定。
可选的，第二电极可以ITO、氟化锂或铝制备得到，当第二电极由ITO制备得到时，可采用沉积ITO的方式形成金属层；当第二电极由氟化锂或铝制备得到时，可采用蒸镀的方式形成金属层，本发明实施例对第二电极的制备材料和制备方式均不做限定。
步骤305、在形成有发光器件的衬底基板上形成封装结构，使封装结构在衬底基板上的正投影覆盖显示区域且与电源信号线在衬底基板上的正投影存在重合区域。
可选的，本发明实施例提供的封装结构可以由层叠设置的有机封装层和无机封装层构成。有机封装层可以由PMMA材料制备得到，可采用喷墨打印的工艺制备得到有机封装层；无机封装层可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝制备得到，可以采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)的工艺制备得到无机封装层。有机封装层通常位于显示区域内，无机封装层在有机封装层上的正投影应完全覆盖有机封装层，且第一无机封装层和第二无机封装层均从显示区域延伸至非显示区域，当位于非显示区域内的第一无机封装层和第二无机封装层能够形成密封圈时，即可实现对显示区域的密闭封装。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，通过在位于非显示区域内的每根电源信号线的至少一个侧边缘包覆电极块，在采用湿法刻蚀工艺制备发光器件中的第一电极时，可以避免电源信号线中包覆有电极块的侧边缘发生钻刻，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，在一定程度上可以抑制水氧的入侵，提高了显示基板的封装可靠性；当电源信号线的两个侧边缘均包覆有电极块，电源信号线的内部不会出现狭缝，即电源信号线的内部不存在水氧入侵通道，在发光器件远离衬底基板的一侧设置封装结构后，封装结构可以实现对发光器件的密闭封装，进一步提高了显示基板的封装可靠性。
关于上述方法实施例中的结构，其中显示基板的结构以及材质已经在装置侧实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如图4至图6任一所示的显示基板。
可选的，本发明实施例提供的显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框和导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述显示基板包括：
衬底基板，以及依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、发光器件和封装结构；
所述薄膜晶体管包括栅极图案、栅绝缘层、有源层和源漏极图案，所述源漏极图案包括位于所述显示区域内的源极和漏极，以及位于所述非显示区域内的至少一根电源信号线，每根所述电源信号线的至少一个侧边缘包覆有电极块；
所述发光器件包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述电极块与所述第一电极同层制备得到；
其中，所述封装结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述显示区域且与所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每根所述电源信号线的两个侧边缘均包覆有所述电极块，
所述电极块在所述衬底基板上的正投影完全覆盖所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，
所述电极块的边缘与对应的电源信号线的侧边缘之间的距离范围为2至20微米。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每根所述电源信号线的两个侧边缘均包覆有所述电极块，
所述电极块在所述衬底基板上的正投影与对应的电源信号线在所述衬底基板上的正投影部分重合。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述电极块呈Z字型，所述电极块包括依次邻接的第一条形面结构、第二条形面结构和第三条形面结构，所述第一条形面结构搭接在所述电源信号线远离所述衬底基板的一面，所述第二条形面结构与所述电源信号线的侧边缘贴合，所述第三条形面结构位于所述衬底基板上；
所述第一条形面结构在第一方向上的宽度范围为2至20微米，所述第三条形面结构在所述第一方向上的宽度范围为2至20微米，所述第一方向垂直于所述电源信号线的延伸方向。
6.根据权利要求1至5任一所述的显示基板，其特征在于，所述至少一根电源信号线包括相互绝缘设置的第一电源信号线和第二电源信号线；
所述第一电源信号线与所述第一电极电连接，所述第二电源信号线与所述第二电极电连接。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述源漏极图案包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第二金属层的材质与所述第一金属层、所述第三金属层的材质不同。
8.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的源漏极图案包括位于所述显示区域内的源极和漏极，以及位于所述非显示区域内的至少一根电源信号线；
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上同层制备第一电极和电极图案，所述第一电极位于所述显示区域内，所述电极图案位于所述非显示区域内，所述电极图案包括至少一个电极块，每根所述电源信号线的至少一个侧边缘包覆有所述电极块；
在形成有所述第一电极的衬底基板上依次形成发光层和第二电极，以得到发光器件；
在形成有所述发光器件的衬底基板上形成封装结构，使所述封装结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述显示区域且与所述电源信号线在所述衬底基板上的正投影存在重合区域。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上同层制备第一电极和电极图案，包括：
在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上形成金属层；
在所述金属层远离所述衬底基板的一侧涂覆光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光处理和显影处理；
采用湿法刻蚀的工艺对所述金属层进行刻蚀；
剥离所述光刻胶，以得到所述第一电极和所述电极图案。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1至7任一所述的显示基板。
CN201811275484.5A 2018-10-30 2018-10-30 显示基板及其制造方法、显示装置 Pending CN109449182A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811275484.5A CN109449182A (zh) 2018-10-30 2018-10-30 显示基板及其制造方法、显示装置
US16/766,310 US20200373373A1 (en) 2018-10-30 2019-10-29 Display substrate, method for manufacturing the same, and display device
PCT/CN2019/113888 WO2020088432A1 (zh) 2018-10-30 2019-10-29 显示基板及其制造方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811275484.5A CN109449182A (zh) 2018-10-30 2018-10-30 显示基板及其制造方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109449182A true CN109449182A (zh) 2019-03-08

Family

ID=65549043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811275484.5A Pending CN109449182A (zh) 2018-10-30 2018-10-30 显示基板及其制造方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200373373A1 (zh)
CN (1) CN109449182A (zh)
WO (1) WO2020088432A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887983A (zh) * 2019-03-20 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 基板、显示面板以及基板的制备方法
CN109935621A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109979973A (zh) * 2019-03-13 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法
CN110796949A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置
WO2020088432A1 (zh) * 2018-10-30 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111509008A (zh) * 2020-04-20 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN112864340A (zh) * 2021-01-26 2021-05-28 苏州清越光电科技股份有限公司 一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置
CN113193031A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN113658991A (zh) * 2021-08-19 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN113809270A (zh) * 2021-10-22 2021-12-17 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
CN113920895A (zh) * 2021-10-25 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023142908A1 (zh) * 2022-01-26 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112909205A (zh) * 2021-02-03 2021-06-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009125177A1 (en) * 2008-04-07 2009-10-15 Microemissive Displays Limited Thin film device
CN101800293A (zh) * 2010-03-15 2010-08-11 彩虹集团公司 有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法
US20140027743A1 (en) * 2012-07-30 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sealing Structure and Organic Electroluminescence Device
CN107039284A (zh) * 2017-04-17 2017-08-11 武汉华星光电技术有限公司 一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法
CN107146809A (zh) * 2017-05-16 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN107437554A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 三星显示有限公司 显示装置
CN107819013A (zh) * 2017-10-26 2018-03-20 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107845667A (zh) * 2017-11-01 2018-03-27 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、显示装置及其制作方法
CN108010943A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109449182A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009125177A1 (en) * 2008-04-07 2009-10-15 Microemissive Displays Limited Thin film device
CN101800293A (zh) * 2010-03-15 2010-08-11 彩虹集团公司 有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法
US20140027743A1 (en) * 2012-07-30 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sealing Structure and Organic Electroluminescence Device
CN107437554A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 三星显示有限公司 显示装置
CN107039284A (zh) * 2017-04-17 2017-08-11 武汉华星光电技术有限公司 一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法
CN107146809A (zh) * 2017-05-16 2017-09-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN107819013A (zh) * 2017-10-26 2018-03-20 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN107845667A (zh) * 2017-11-01 2018-03-27 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、显示装置及其制作方法
CN108010943A (zh) * 2017-11-28 2018-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020088432A1 (zh) * 2018-10-30 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN109979973A (zh) * 2019-03-13 2019-07-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法
CN109979973B (zh) * 2019-03-13 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示装置及制备方法
CN109887983A (zh) * 2019-03-20 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 基板、显示面板以及基板的制备方法
CN109935621A (zh) * 2019-03-29 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109935621B (zh) * 2019-03-29 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN110796949A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置
CN111509008B (zh) * 2020-04-20 2023-12-12 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN111509008A (zh) * 2020-04-20 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN112864340A (zh) * 2021-01-26 2021-05-28 苏州清越光电科技股份有限公司 一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置
CN113193031A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN113658991A (zh) * 2021-08-19 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN113809270A (zh) * 2021-10-22 2021-12-17 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
CN113809270B (zh) * 2021-10-22 2023-09-12 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法
CN113920895A (zh) * 2021-10-25 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113920895B (zh) * 2021-10-25 2024-01-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023142908A1 (zh) * 2022-01-26 2023-08-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020088432A1 (zh) 2020-05-07
US20200373373A1 (en) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109449182A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
KR100936874B1 (ko) 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
KR101074813B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107819013B (zh) 显示面板及显示装置
KR102612034B1 (ko) 유연 전자 소자
KR20150014808A (ko) 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
US20160343739A1 (en) Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor, array substrate and display device
KR102595445B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109166862A (zh) 柔性oled显示面板及其制备方法
CN107681063A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2019205264A1 (zh) Oled器件及其制造方法、oled显示器
CN111627973B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US7851800B2 (en) Thin film transistor and organic electro-luminescent display device
CN100477129C (zh) 薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
US7714324B2 (en) Organic thin film transistor and method of manufacturing the same
KR100728129B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN114258592A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR20150033345A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR100916921B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101920225B1 (ko) 유기전기발광소자 및 그 어레이 기판의 제조 방법
KR20120056678A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN211265481U (zh) 一种双面oled显示结构
KR100626051B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치
KR20210004356A (ko) 산화물 반도체 패턴을 포함하는 디스플레이 장치
US20220209021A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190308