CN109935621B - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板和有机层，以及位于该衬底基板和有机层之间的隔离柱，该隔离柱沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

自发光显示装置具有自发光、反应快、视角广以及轻薄等优点，已广泛应用于显示技术领域。自发光显示装置易受到环境中水氧的侵蚀，导致其寿命降低。其中，自发光显示装置中形成的有机层(例如发光层(英文：Electro-Luminescence，简称：EL)或者阴极层等)是主要的水氧入侵路径。采用在水氧入侵路径中设置隔离柱的方式可以有效阻隔水氧，使自发光显示装置的内部材料免受水氧的侵蚀。

相关技术中，在形成有机层之前，在衬底基板上形成倒梯形的隔离柱，使得在形成有该倒梯形的隔离柱的衬底基板上再形成有机层时，有机层会被倒梯形的隔离柱阻断，达到了阻断水氧入侵路径的效果。

但是，相关技术中，在形成有倒梯形的隔离柱的基板上制备有机层时，有机层的形成材料在重力的作用下会沿着倒梯形两侧的坡面延伸至倒梯形的底部，导致被阻断的有机层再次连通，形成一条水氧入侵路径，严重影响自发光显示装置的寿命。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中发光显示装置的寿命较低的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板和有机层，以及位于所述衬底基板和所述有机层之间的隔离柱，

所述隔离柱包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条；

所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内；

所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。

可选的，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由无机材料制成。

可选的，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由金属材料制成；

所述第一隔离条的金属材料的金属活动性以及所述第二隔离条的金属材料的金属活动性均弱于所述第二隔离条的金属材料的金属活动性。

可选的，所述隔离柱还包括支撑隔离条，所述支撑隔离条设置于所述第三隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第三隔离条的形成材料的硬度，

和/或，所述支撑材料图案设置于所述第一隔离条远离所述第二隔离条的一侧，所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第一隔离条的形成材料的硬度。

可选的，所述第一隔离条和所述第三隔离条均由钛制成，所述第二隔离条由铝制成；

所述支撑隔离条的形成材料包括氧化铟锡ITO、有机材料以及钼中的至少一种。

可选的，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，

所述阵列基板中每个隔离柱中的至少一层隔离条与所述薄膜晶体管中的源漏极图案的至少一层图案层同层设置。

可选的，所述薄膜晶体管中的源漏极图案包括至少三层图案层，每个所述隔离柱包括至少三层隔离条，所述至少三层图案层中的三层图案层与所述至少三层隔离条中的三层隔离条分别同层设置。

第二方面，提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案；

在形成有所述第三隔离图案的衬底基板上形成有机层；

其中，第一隔离图案包括n个第一隔离条，所述第二隔离图案包括n个第二隔离条，所述第三隔离图案中包括n个第三隔离条，n为正整数；

n个第一隔离条、n个第二隔离条和n个第三隔离条一一对应，每组对应的第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条中，所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内，所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。

可选的，所述在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案，包括：

依次在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层；

在所述第三材料层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案；

通过刻蚀工艺，对所述第一材料层、所述第二材料层以及所述第三材料层进行刻蚀，得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案；

通过湿刻工艺，对所述刻蚀后的第二材料层进行刻蚀，得到第二隔离图案；

剥离所述光刻胶图案。

第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的阵列基板。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：

本发明实施例提供的阵列基板包括衬底基板和有机层，以及位于该衬底基板和有机层之间的隔离柱，该隔离柱沿远离衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的断面结构的示意图；

图2是图1所示的阵列基板中的隔离柱的俯视结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种隔离柱的断面结构的示意图；

图4是本发明实施例提供的又一种隔离柱的断面结构的示意图；

图5是本发明实施例提供的又一种隔离柱的断面结构的示意图；

图6是本发明实施例提供的一种隔离柱的制备方法的流程图；

图7是本发明实施例提供的一种开口周围设置有四个隔离柱的俯视结构示意图；

图8是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案的方法流程图；

图9是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层的示意图；

图10是本发明实施例提供的一种在第三材料层上形成光刻胶层的示意图；

图11是本发明实施例提供的一种对光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶图案的示意图；

图12是本发明实施例提供的一种得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案的示意图；

图13是本发明实施例提供的一种得到第二隔离图案的示意图；

图14是本发明实施例提供的一种剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱的示意图；

图15是本发明实施例提供的一种在衬底基板上形成第四材料层、第一材料层、第二材料层、第三材料层以及第五材料层的示意图；

图16是本发明实施例提供的一种在第五材料层上形成光刻胶层的示意图；

图17是本发明实施例提供的一种对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案的示意图；

图18是本发明实施例提供的一种得到第二隔离支撑图案、第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案的示意图；

图19是本发明实施例提供的一种得到第二隔离图案的示意图；

图20是本发明实施例提供的一种剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱的示意图；

图21是本发明实施例提供的一种在形成有第五材料层的衬底基板上通过构图工艺形成第三隔离支撑图案以及第四支撑图案的示意图；

图22是本发明实施例提供的另一种隔离柱的断面结构的示意图；

图23是本发明实施例提供的一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；

图24是本发明实施例提供的另一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；

图25是本发明实施例提供的又一种在隔离柱上形成阴极层、发光层以及经过TFE后的示意图；

图26是本发明实施例提供的一种隔离柱在采用TFE后出现坍塌的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

由于自发光显示装置中形成的有机层是主要的水氧入侵路径，因此在形成有倒梯形的隔离柱的衬底基板上再形成有机层可以阻断该水氧入侵路径。但是，有机层的形成材料易在倒梯形的隔离柱的底部堆积，可能导致被阻断的有机层再次连通重新形成一条水氧入侵路径。而本发明实施例提供了一种隔离柱，能够解决相关技术中存在的问题。

图1示出了本发明实施例提供的一种阵列基板的断面结构的示意图，该阵列基板包括衬底基板21和有机层22，以及位于衬底基板21和有机层22之间的隔离柱。

该隔离柱包括层叠设置的第一隔离条11、第二隔离条12以及第三隔离条13。

第二隔离条12的宽度121小于第一隔离条11的宽度111，且第二隔离条12的宽度121小于第三隔离条13的宽度131。图1示出的是宽度111大于宽度131的情况，本发明在实际实现时，宽度111可以与宽度131的大小一致，也可以小于宽度131。

图2示出的是图1所示的隔离柱的俯视结构示意图，第二隔离条12在第一隔离条11的正投影位于第一隔离条11的边界区域内，第二隔离条12在第三隔离条13上的正投影在第三隔离条13的边界区域内。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于该阵列基板中的隔离柱中层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

可选的，第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条可以均由无机材料制成。由于无机材料不利于水氧的附着，因此，将该隔离柱整体均由无机材料制成可以进一步防止形成水氧入侵路径。由无机材料制成的隔离柱也可以称为无机隔离柱。

当然，本发明实施例在实际实现时，隔离柱中的部分隔离条可以由无机材料制成，例如，第一隔离条和第三隔离条均由无机材料制成，再或者，第一隔离条和第三隔离条中的至少一个隔离条由无机材料制成。

可选的，该无机材料可以为金属，则第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条均由金属材料制成。形成该第一隔离条的金属材料的金属活动性以及形成该第二隔离条的金属材料的金属活动性均弱于形成该第二隔离条的金属材料的金属活动性。如此可以通过采用刻蚀液对第二隔离条的金属材料进行侧向刻蚀以形成具有工字形断面的隔离柱。在选取刻蚀液时，需要保证该刻蚀液能够与形成第二隔离条的金属材料较易发生化学反应，而与形成第一隔离条的金属材料以及形成第三隔离条的金属材料较难发生化学反应。

例如，部分金属材料的金属活动性的由强到若的排序为钾、钙、钠、镁、铝、钛、锌、铁、锡、铜、金等。

由于铝的金属活动性强于钛的金属活动性，铝可以较易与银刻蚀液发生化学反应。则可选的，第一隔离条和第三隔离条可以均由钛制成，第二隔离条可以由铝制成，相应的，刻蚀液可以是银刻蚀液。

可选的，隔离柱还可以包括支撑隔离条，该支撑隔离条可以在其所在的支撑柱中起到支撑的作用，从而防止其在后续封装的过程中变形甚至塌陷。

该支撑隔离条可以有多种，本发明实施例以以下几种支撑隔离条为例进行说明。

第一种支撑隔离条，如图3所示，支撑隔离条14设置于第三隔离条13远离第二隔离条12的一侧，以增大隔离柱的厚度，增大厚度后的隔离柱较难发生变形甚至塌陷。

可选的，若第三隔离条13的形成材料为钛，由于钛的硬度较低，为了进一步保证第三隔离条13不会在封装工艺中发生变形，可以在第一种支撑隔离条(即图3所示的支撑隔离条14)远离第三隔离条13的一侧可以继续形成至少一个支撑隔离条。

如图4所示，在支撑隔离条14远离第三隔离条13的一侧形成两个支撑隔离条，即支撑隔离条15和支撑隔离条16，图4示出的两个支撑隔离条的形状仅为示意性的。该两个支撑隔离条中，支撑隔离条15可以与像素界定层(英文：Photo Define Layer，简称：PDL)同层形成，形成该支撑隔离条15的材料可以与像素界定层的材料一致，例如为有机材料；支撑隔离条16可以与支撑柱(英文：Photo Spacer；简称：PS)同层形成，形成该支撑隔离条16的材料可以与支撑柱的材料一致，例如为有机材料。

第二种支撑隔离条，如图5所示，该支撑隔离条17设置于第一隔离条11远离第二隔离条12的一侧，同样可以用来增大隔离柱的厚度，增大厚度后的隔离柱较难发生塌陷。

当第一隔离条和第三隔离条均由钛支撑，第二隔离条由铝制成，则支撑隔离条的形成材料可以包括氧化铟锡ITO、有机材料以及钼中的至少一种。

值得说明的是，为了保证第一种支撑隔离条可以有效起到支撑的作用，该支撑隔离条的形成材料的硬度可以大于第三隔离条的形成材料的硬度。而为了保证第二种支撑隔离条可以有效起到支撑的作用，该支撑隔离条的形成材料的硬度大于第一隔离条的形成材料的硬度。

则作为一种可选的实现方式，当第一隔离条和第三隔离条均由钛支撑，第二隔离条由铝制成，支撑隔离条14的形成材料为ITO，支撑隔离条17的形成材料为钼，支撑隔离条15和支撑隔离条16的形成材料均为有机材料。

可选的，阵列基板还包括薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简称：TFT)，该阵列基板中每个隔离柱中的至少一层隔离条与该薄膜晶体管中的源漏极图案的至少一层图案层同层设置。同层设置的隔离条和源漏极图案中的图案层可以采用同一构图工艺制成，从而减少构图工艺次数，简化阵列基板的制造工艺。

在一种可选的示例中，薄膜晶体管中的源漏极图案为单层结构，其形成材料为钼、铝或者钛，如前所述，隔离柱的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条的形成材料可以分别为钛、铝和钛，则，当薄膜晶体管中的源漏极图案的形成材料为铝时，隔离柱的第二隔离条可以与该源漏极图案的图案层同层设置，也即是均采用铝制成；当薄膜晶体管中的源漏极图案的形成材料为钛时，隔离柱的第一隔离条或第三隔离条可以与该源漏极图案的图案层同层设置，也即是均采用钛制成。

在另一种可选示例中，薄膜晶体管中的源漏极图案包括至少三层图案层，每个隔离柱包括至少三层隔离条，该至少三层图案层中的三层图案层与该至少三层隔离条中的三层隔离条分别同层设置。

例如，薄膜晶体管中的源漏极图案为三层结构，其包括的三层图案层的形成材料分别为钛、铝和钛，如前所述，隔离柱的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条的形成材料可以分别为钛、铝和钛，则，薄膜晶体管的三层图案层与隔离柱的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条分别同层设置，也即是先采用钛形成源漏极图案的第一图案层和隔离柱的第一隔离条，再采用铝形成源漏极图案的第二图案层和隔离柱的第二隔离条，最后采用钛形成源漏极图案的第三图案层和隔离柱的第三隔离条。

需要说明的是，该阵列基板可以包括多个像素单元，每个像素单元均包括一个像素电路，每个像素电路包括一个薄膜晶体管，或者每个像素电路包括多个薄膜晶体管和一个电容，本发明实施例在此不做限制。

当然，薄膜晶体管除源漏极图案之外，还包括栅极图案、栅绝缘层以及有源层等。源漏极图案包括源极和漏极，其还可以包括电源信号线。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，由于该阵列基板中的隔离柱中层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

由于该隔离柱中还设置有能够起到支撑作用的支撑隔离条，避免了后续进行封装的过程中隔离柱塌陷的问题，提高了显示装置的良率。并且，相关技术中，该倒梯形的隔离柱通常由有机材料制成，更易形成一条水氧入侵路径。而本发明实施例提供的隔离柱可以由无机材料形成，进一步达到了有效阻断水氧的效果。

需要说明的是，本发明实施例所提供的隔离柱可以应用于自发光显示装置，该隔离柱可以用于阻断自发光显示装置中的阴极层，因此，该用来阻断阴极层的隔离柱也可以称为阴极隔离柱。

图6示出了本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法，该方法包括：

步骤201、提供衬底基板。

步骤202、在该衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案。

步骤203、在形成有第三隔离图案的衬底基板上形成有机层。

其中，第一隔离图案包括n个第一隔离条，第二隔离图案包括n个第二隔离条，第三隔离图案中包括n个第三隔离条，n为正整数。n个第一隔离条、n个第二隔离条和n个第三隔离条一一对应，该第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案组成n个隔离柱。

每组对应的第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条中，第二隔离条在第一隔离条的正投影位于第一隔离条的边界区域内，第二隔离条在第三隔离条上的正投影在第三隔离条的边界区域内，第二隔离条的宽度小于第一隔离条的宽度，且第二隔离条的宽度小于第三隔离条的宽度。

该每组对应的第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条组成1个隔离柱，该隔离柱的结构可以参考前述的相关介绍，本发明实施例在此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，由于该制备出的阵列基板中的隔离柱中层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

需要说明的是，上述实施例所描述的阵列基板的制备方法中，采用的是同时制备n个隔离柱的情况，当然，本申请实施例在实际实现时，也可以分别制备每一个隔离柱，也即是，在衬底基板上形成层叠的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条以形成一个隔离柱，然后再在衬底基板上形成层叠的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条以形成另一个隔离柱，本发明实施例对此不做限制。

还需要说明的是，本发明实施例在实际实现时，步骤201所提供的衬底基板可以是完成薄膜晶体管制程的衬底基板，且已经根据实际需要在该完成薄膜晶体管制程的衬底基板中设置了开孔，因此，上述步骤202中，在衬底基板上形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案组成的n个隔离柱可以围绕该开孔设置，如图7所示，四个隔离柱10围绕开孔40设置，该4个隔离柱10可以阻断从开孔40入侵的水氧。当然，本发明实施例提供的隔离柱也可以用来围成岛状结构，该岛状结构简称“岛”，在显示技术领域中，“岛”可以用来指示需要定义的单元结构，例如“岛”可以是一个或多个子像素。

进一步的，如图8所示，上述步骤202中，在衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案的过程可以包括如下步骤，本实施例以第一隔离图案包括2个第一隔离条，第二隔离图案包括2个第二隔离条，第三隔离图案中包括2个第三隔离条为例进行说明：

步骤2021、依次在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层。

如图9所示，在衬底基板100上通过旋涂或者溅射等方式形成第一材料层101、第二材料层102以及第三材料层103。

步骤2022、在第三材料层上形成光刻胶层。

如图10所示，在第三材料层103上形成光刻胶层104。

步骤2023、对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案。

如图11所示，对光刻胶层104进行曝光显影，形成有光刻胶图案1041。

步骤2024、通过刻蚀工艺，对第一材料层、第二材料层以及第三材料层进行刻蚀，得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案。

如图12所示，在对第一材料层101、第二材料层102以及第三材料层103进行刻蚀后，得到第一隔离图案1011、刻蚀后的第二材料层1021以及第三隔离图案1031。

步骤2025、通过湿刻工艺，对刻蚀后的第二材料层进行刻蚀，得到第二隔离图案。

如图13所示，对刻蚀后的第二材料层1021继续进行湿刻刻蚀，得到第二隔离图案1022。

步骤2026、剥离光刻胶图案。

如图14所示，剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱10。

相关技术中的倒梯形的隔离柱由多层层状结构叠构形成，在形成每一层的层状结构时均需要进行一次构图工艺，导致该隔离柱的形成难度较高。而本发明实施例提供的隔离柱通过一次湿刻工艺便可以形成该具有工字形断面的隔离柱，无需考虑叠构对位的问题，简化了该隔离柱的形成难度，提高了自发光显示装置制作效率。且步骤2025中，通过湿刻工艺对刻蚀后的第二材料层进行侧面刻蚀的效果可以根据实际需要，通过调整刻蚀时间或者刻蚀液浓度等方式进行控制。

再进一步的，隔离柱还可以包括支撑隔离条，因此，除了在衬底基板上形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案之外，还可以在衬底基板上通过构图工艺形成支撑隔离图案，该支撑隔离图案可以包括n个支撑隔离条。当然，由于该支撑隔离图案可以位于隔离柱中的不同位置，因此，相应的，形成该隔离柱的过程可以不同，本发明实施例以支撑隔离图案分别设置于第三隔离图案远离第二隔离图案的一侧(以下称该支撑隔离图案为第一支撑隔离图案，包括n个第一支撑隔离条)，以及，设置于第一隔离图案远离第二隔离图案的一侧(以下称该支撑隔离图案为第二支撑隔离图案，包括n个第二支撑隔离条)为例进行说明。其中，第一隔离支撑图案的形成材料为ITO，第二隔离支撑图案的形成材料为钼。

则，上述步骤202可以包括如下步骤：

步骤S1、依次在衬底基板上形成第四材料层、第一材料层、第二材料层、第三材料层以及第五材料层。

如图15所示，通过旋涂或者溅射等方式在衬底基板上形成第四材料层106、第一材料层101、第二材料层102、第三材料层103以及第五材料层105。

步骤S2、在第五材料层上形成光刻胶层。

如图16所示，在第五材料层105上涂覆光刻胶层104。

步骤S3、对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案。

如图17所示，对光刻胶层104进行曝光和显影之后，形成光刻胶图案1041。

步骤S4、通过湿刻工艺，对第五材料层进行刻蚀，得到第一隔离支撑图案。

步骤S5、通过干刻工艺，对第四材料层、第一材料层、第二材料层以及第三材料层进行刻蚀，得到第二隔离支撑图案、第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案。

如图18所示，在衬底基板100上形成有第二隔离支撑图案1061、第一隔离图案1011、刻蚀后的第二材料层1021、第三隔离图案1031、第一隔离支撑图案105以及光刻胶图案1041。

步骤S6、通过湿刻工艺，对刻蚀后的第二材料层进行刻蚀，得到第二隔离图案。

如图19所示，对刻蚀后的第二材料层1021继续进行湿刻刻蚀，得到第二隔离图案1022。

步骤S6、剥离光刻胶图案。

如图20所示，剥离光刻胶图案之后得到2个隔离柱10。

需要说明的是，第二隔离支撑图案可以与薄膜晶体管中的栅极同层，第一隔离支撑图案可以与发光器件中的阳极同层。

为了能够进一步避免上隔离柱变形的情况，可以在第一种支撑隔离条远离第三隔离条的一侧可以继续形成至少一个支撑隔离条，则在上述步骤S2之前，可以在形成有第五材料层的衬底基板上通过构图工艺形成第三隔离支撑图案以及第四支撑图案，然后再进行上述步骤S2至步骤S6。在形成有第五材料层105的衬底基板100上通过构图工艺形成第三隔离支撑图案107以及第四支撑图案108的结构示意图可以如图21所示，在图21所示的结构的基础上形成的隔离柱10如图22所示。

需要说明的是，第三隔离支撑图案的形成材料可以与像素界定层一样，该第三隔离支撑图案可以与像素界定层同层；第四隔离支撑图案的形成材料可以与支撑柱一样，该第四隔离支撑图案可以与支撑柱同层。

综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制备方法，由于该制备出的阵列基板中的隔离柱中层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

并且，该阵列基板的制备方法制备出的隔离柱中还设置有能够起到支撑作用的支撑隔离条，避免了后续进行封装过程中隔离柱塌陷的问题，提高了显示面板的良率。

本发明实施例提供的阵列基板通常采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)的方式进行封装。薄膜封装的原理是利用致密的薄膜封装层阻隔水氧，以使柔性显示装置内部的阴极层和发光层免受水氧的侵蚀。

图23至图25分别示出了在图14、图20以及图22所示的隔离柱上通过蒸镀等工艺形成有机层(例如阴极层以及发光层，图中有机层用标号22表示)，并采用封装材料经过TFE后得到的封装结构23的结构示意图。值得说明的是，本发明实施例提供的阵列基板还包括该封装结构23。

作为补充，图26示出了通过正常的阳极湿刻刻蚀工艺刻蚀隔离柱时导致侧蚀量过大，进而导致采用TFE后该隔离柱的一边塌陷的示意图。其中，标号30用于表示EL层，标号31用于表示钛金属层，标号32用于表示铝金属层，370nm表示上层钛金属层和下层钛金属层在刻蚀工艺完成后单边的尺寸差异，该差异的大小与阳极刻蚀工艺有关，1.010um表示经过湿刻工艺之后，位于中间的铝金属层的单边侧刻蚀的深度。而本申请实施例提供的隔离柱在形成侧面腐蚀的工字形断面时可以有效控制隔离柱的侧蚀量，避免采用TFE后隔离柱坍塌的现象(该现象也称为叠构坍塌)。

本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述实施例所描述的阵列基板。

可选的，本发明实施例提供的显示装置可以为自发光显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框和导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

该自发光显示面板可以为有机发光二极管(英文：Organic Light EmittingDisplay，缩写：OLED)显示面板或者量子点发光二极管(英文：Quantum Dot LightEmitting Diodes，英文：QLED)等。

该显示装置可以是柔性显示装置，柔性显示装置设置有柔性显示基板，该柔性显示基板的形成材料为聚酰亚胺(英文：Polyimide，简称：PI)。前述提到的开孔可以是在该柔性显示基板上设置的开孔。

综上所述，本发明实施例提供的显示装置中包括的隔离柱中层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条能够形成工字形断面，由于该工字型断面具有多拐点(也称弯折点)，有效避免了有机层的形成材料在隔离柱底部堆积的情况，进而也避免了被阻断的有机层再次连通的情况，因此，有效阻断了水氧入侵路径，也提高了自发光显示装置的寿命。

本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板和有机层，以及位于所述衬底基板和所述有机层之间的隔离柱，

所述隔离柱包括沿远离所述衬底基板的方向层叠设置的第一隔离条、第二隔离条以及第三隔离条；

所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内；

所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度，且所述第一隔离条、所述第二隔离条和所述第三隔离条形成工字型断面；

所述隔离柱还包括：沿所述第三隔离条远离所述第二隔离条的一侧层叠设置的三个支撑隔离条，其中，最靠近所述第三隔离条的一个所述支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第三隔离条的形成材料的硬度，最远离所述第三隔离条的一个所述支撑隔离条与支撑柱的材料相同且同层形成，位于中间的一个所述支撑隔离条与像素界定层的材料相同且同层形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由无机材料制成。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条、所述第二隔离条以及所述第三隔离条均由金属材料制成；

所述第一隔离条的金属材料的金属活动性以及所述第三隔离条的金属材料的金属活动性均弱于所述第二隔离条的金属材料的金属活动性。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离柱还包括设置于所述第一隔离条远离所述第二隔离条的一侧的支撑隔离条，所述设置于所述第一隔离条远离所述第二隔离条的一侧的支撑隔离条的形成材料的硬度大于所述第一隔离条的形成材料的硬度。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离条和所述第三隔离条均由钛制成，所述第二隔离条由铝制成；

所述支撑隔离条的形成材料包括氧化铟锡ITO、有机材料以及钼中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，

所述阵列基板中每个隔离柱中的至少一层隔离条与所述薄膜晶体管中的源漏极图案的至少一层图案层同层设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管中的源漏极图案包括至少三层图案层，每个所述隔离柱包括至少三层隔离条，所述至少三层图案层中的三层图案层与所述至少三层隔离条中的三层隔离条分别同层设置。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至7任一所述的阵列基板，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案；

在形成有所述第三隔离图案的衬底基板上形成有机层；

其中，第一隔离图案包括n个第一隔离条，所述第二隔离图案包括n个第二隔离条，所述第三隔离图案中包括n个第三隔离条，n为正整数；

n个第一隔离条、n个第二隔离条和n个第三隔离条一一对应，每组对应的第一隔离条、第二隔离条和第三隔离条中，所述第二隔离条在所述第一隔离条的正投影位于所述第一隔离条的边界区域内，所述第二隔离条在所述第三隔离条上的正投影在所述第三隔离条的边界区域内，所述第二隔离条的宽度小于所述第一隔离条的宽度，且所述第二隔离条的宽度小于所述第三隔离条的宽度。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上依次形成层叠的第一隔离图案、第二隔离图案以及第三隔离图案，包括：

依次在衬底基板上形成第一材料层、第二材料层以及第三材料层；

在所述第三材料层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶图案；

通过刻蚀工艺，对所述第一材料层、所述第二材料层以及所述第三材料层进行刻蚀，得到第一隔离图案、刻蚀后的第二材料层以及第三隔离图案；

通过湿刻工艺，对所述刻蚀后的第二材料层进行刻蚀，得到第二隔离图案；

剥离所述光刻胶图案。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至7任一所述的阵列基板。

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