CN111276415B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111276415B CN111276415B CN202010099422.4A CN202010099422A CN111276415B CN 111276415 B CN111276415 B CN 111276415B CN 202010099422 A CN202010099422 A CN 202010099422A CN 111276415 B CN111276415 B CN 111276415B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- column
- isolation
- isolation column
- forming
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板的制备方法包括：在基底上形成隔离柱；在形成所述隔离柱的过程中，通过检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度。从而解决现有显示基板无法实时监控隔离柱隔离效果的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电、反应速度快等优点。随着显示技术的不断发展，OLED技术越来越多的应用各种显示装置中，特别是手机和平板电脑等智能终端产品中。
对于智能终端产品，大部分厂商都在追求更高的屏占比，如全面屏和无边框屏，以期给用户带来更炫的视觉冲击。由于智能终端等产品通常需要设置前置摄像头、光线传感器等硬件，因此在OLED显示屏的有效显示区域开设安装孔以设置摄像头等硬件的方案，正备受业内的高度关注。而在屏幕上开孔容易使公共发光材料层形成水氧入侵通道。目前，主要是通过隔离柱设计，来实现对公共发光材料层的阻断作用，进而截断水氧入侵通道，防止封装不良产生。
现阶段，作为前沿技术的柔性有机发光二极管(FOLED)逐步体现出它在显示行业中的优势。随着市场的需求，柔性有机发光二极管技术越来越普及，同时各大手机厂商以此作为推出亮点来吸引消费者目光。然而，柔性有机发光二极管显示基板中无法实时监控隔离柱的隔离效果，导致产品无法实现量产。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有显示基板无法实时监控隔离柱隔离效果的问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在基底上形成隔离柱；
在形成所述隔离柱的过程中，通过检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度。
可选地，包括：
通过同一制备过程，在所述基底之上形成所述隔离柱以及模拟柱；
在形成所述隔离柱和所述模拟柱的过程中，通过检测所述模拟柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的线性电阻值，进而确定所述隔离柱的侧蚀深度。
可选地，所述模拟柱与所述隔离柱的形状和尺寸相同。
可选地，所述通过同一制备过程，在所述基底之上形成所述隔离柱以及模拟柱，包括：
在所述基底之上形成隔离膜层，
采用同一刻蚀工艺将所述隔离膜层形成所述隔离柱以及所述模拟柱。
可选地，在所述模拟柱上形成至少两个检测焊盘；通过检测所述检测焊盘之间的线性电阻值，以检测所述模拟柱的线性电阻值。
可选地，所述在形成所述隔离柱的过程中，通过检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度，包括：
在所述基底之上形成检测键组；
通过所述检测键组检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度。
可选地，在所述基底之上形成检测键组，包括：
在所述基底之上形成源漏极层；
在所述源漏极层之上形成多个检测焊盘，每个检测焊盘通过相互电性隔离的引线与所述源漏极层连接，以形成所述检测键组。
可选地，所述基底之上形成有电子参数测量区域，所述检测键组位于所述电子参数测量区域中。
本发明实施例还提供了一种显示基板，由前述的显示基板的制备方法制备而成。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
本发明实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过检测隔离柱的线性电阻值，以确定隔离柱的侧蚀深度，从而实现在制备隔离柱的过程中，对隔离柱进行实时监控。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明显示基板的结构示意图；
图2为本发明显示基板中隔离柱的剖视图；
图3为本发明第一实施例显示基板的制备方法中模拟柱的结构示意图；
图4为本发明第二实施例显示基板的制备方法中检测键组的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本发明实施例中，在平行于显示基板的平面上，显示区域包括阵列分布的多个发光单元，每个发光单元作为一个子像素，3个出射不同颜色光(如红绿蓝)的发光单元或4个出射不同颜色光(如红绿蓝白)的发光单元组成一个像素单元。在垂直于显示基板的平面上，显示区域包括基底、设置在基底上的驱动结构层以及设置在驱动结构层上的发光功能层，驱动结构层主要包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，发光功能层主要包括阳极、有机发光层和阴极。本发明实施例中，安装孔包括至少一个通孔或盲孔，通孔的各个结构膜层和基底被去掉，盲孔中的大部分结构膜层被去掉，通孔或盲孔用于设置相应的硬件，如摄像头、传感器等硬件。本发明实施例中，在平行于显示基板的平面上，隔离区为围绕通孔或盲孔的环形区域，环形区域位于显示区域与安装孔之间，用于阻断从安装孔入侵到显示区域的水氧路径。在垂直于显示基板的平面上，隔离区包括基底、设置在基底上的隔离柱以及设置在隔离柱上的功能层，功能层包括有机发光层，或者包括有机发光层和阴极，隔离柱上的有机发光层和阴极被隔离柱断开。
图1为本发明显示基板的结构示意图。图1示意了在平行于显示基板的平面上显示区域、隔离区和安装孔的结构。如图1所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板的主体结构包括显示区域100、隔离区200和安装孔300，安装孔300位于显示区域100内，隔离区200位于显示区域100与安装孔300之间，为围绕安装孔300的环形区域。安装孔300在显示区域100中的位置不限，形状也不做限制，可以为图1中所示的圆形，也可以椭圆形或者方形、菱形等其它多边形。
在垂直于显示基板的平面上，显示区域100的主体结构包括呈阵列分布的多个发光单元，每个发光单元包括设置在基底10上的驱动结构层和发光功能层，驱动结构层包括多个薄膜晶体管，具体地，驱动结构层主要包括设置在基底上的缓冲层、设置在缓冲层上的薄膜晶体管。发光功能层主要包括与薄膜晶体管的漏电极连接的阳极、形成在像素开口区域内的有机发光层、形成在有机发光层上的阴极以及封装层。封装层包括叠设的第一无机层、有机层和第二无机层。可选的，发光功能层还可以包括电子传输层(electiontransporting layer，简称ETL)、电子注入层(electioninjectionlayer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)。当然，对于发光功能层而言，也还可以包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层、空穴注入层中的部分。
在平行于显示基板的平面上，隔离区200围绕安装孔300一圈设置。隔离区200中设置有位于基底10上与发光功能层同一侧的至少一个隔离柱，隔离柱围绕安装孔300一圈设置。
示例的，在安装孔的形状为圆形的情况下，隔离柱的俯视图也可以为圆环形。在安装孔的形状为矩形的情况下，隔离柱的俯视图也可以为矩形。当隔离柱的个数为两个或两个以上时，多个隔离柱间隔设置。
由于外界的水汽和氧气会从安装孔300进入显示基板中，而显示区100中的发光功能层也会延伸至安装孔300中。为了防止水汽和氧气从安装孔300向位于显示区100中的发光功能层蔓延，因此在位于安装孔300和显示区100之间设置隔离区200，并在隔离区200中设置隔离柱。在发光功能层在蒸镀时，隔离柱使得膜层在隔离柱的侧面被断开。发光功能层被隔断之后，从安装孔300进入的水汽和氧气沿着延伸至安装孔300的发光功能层只能蔓延到位于隔离区200中的发光功能层，无法继续向位于显示区100中的发光功能层继续延伸，从而隔离柱起到了隔离水汽和氧气的作用。
图2为本发明显示基板中隔离柱的剖视图。如图2所示，通过刻蚀工艺形成隔离柱20的过程中，会对隔离柱20产生侧蚀深度L，侧蚀深度L会影响隔离柱20的隔离效果。
为了解决现有显示基板无法实时监控隔离柱的侧蚀深度L等问题，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法。该显示基板的制备方法包括：
在基底上形成隔离柱；
在形成所述隔离柱的过程中，通过检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度。
本发明实施例根据隔离柱的线性电阻值与隔离柱的侧蚀深度成正比的原理，即隔离柱的线性电阻值越大，隔离柱的侧蚀深度随之越大。本发明实施例通过检测隔离柱的线性电阻值，以确定隔离柱的侧蚀深度，从而能够在制备隔离柱的过程中，实时监控隔离柱的侧蚀深度，以保证隔离柱的隔离效果。
下面通过具体实施例详细说明本发明的技术方案。
第一实施例
本发明实施例显示基板的制备方法，包括：
S1、通过同一制备过程，在基底之上形成隔离柱以及模拟柱；具体地，先在基底之上形成隔离薄膜，然后在隔离薄膜上涂敷一层光刻胶；之后采用掩模板通过紫外光曝光；显影后只在隔离柱和模拟柱位置保留光刻胶图案；之后通过刻蚀工艺去除光刻胶图案以外区域的隔离薄膜；最后剥离剩余的光刻胶，形成隔离柱和模拟柱。其中，所述模拟柱与所述隔离柱的形状和尺寸相同。
S2、在形成隔离柱和模拟柱的过程中，通过检测模拟柱的线性电阻值，以确定隔离柱的线性电阻值，进而确定隔离柱的侧蚀深度。
本发明实施例中模拟柱与隔离柱通过同一制备过程制备而成，使模拟柱在制备过程中的侧蚀深度与隔离柱的侧蚀深度相同或成正比，通过检测模拟柱的线性电阻值，即可确定隔离柱的线性电阻值，进而确定隔离柱的侧蚀深度，从而实现在制备隔离柱的过程中，实时监控隔离柱的侧蚀深度，以保证隔离柱的隔离效果。
本实施例中，模拟柱可以位于基底的任意位置，只要模拟柱与隔离柱在同一制备过程中形成即可。
图3为本发明第一实施例显示基板的制备方法中模拟柱的结构示意图。如图3所示，检测模拟柱30的线性电阻值包括：在模拟柱30上形成至少两个检测焊盘40；检测焊盘40用于供线性电阻测试探针扎取，以检测模拟柱30的线性电阻值。本发明实施例通过检测检测焊盘40之间的线性电阻值，以检测模拟柱30的线性电阻值。
本发明实施例通过检测模拟柱的线性电阻值，以确定隔离柱的线性电阻值，进而确定隔离柱的侧蚀深度，从而实现在制备隔离柱的过程中，实时监控隔离柱的侧蚀深度，以保证隔离柱的隔离效果。
第二实施例
本实施例显示基板的制备方法与前述第一实施例基本相同，与前述第一实施例不同的，本发明实施例显示基板的制备方法，包括：
S1、在基底上形成隔离柱；
S2、在形成隔离柱的过程中，通过检测隔离柱的线性电阻值，以确定隔离柱的侧蚀深度。
其中，步骤S2包括：
S21、在基底之上形成检测键组；
S22、通过检测键组检测隔离柱的线性电阻值，以确定隔离柱的侧蚀深度。
图4为本发明第二实施例显示基板的制备方法中检测键组的结构示意图。
步骤S21包括：
在基底之上形成源漏极层50；
在源漏极层50之上形成多个检测焊盘60，每个检测焊盘60通过相互电性隔离的引线70与源漏极层50连接，以形成检测键组，如图4所示。
本发明实施例中，基底之上形成有电子参数测量区域，电子参数测量区域中设置有用于对基板电子参数测量的多组键组。本发明实施例中的检测键组位于电子参数测量区域中，从而使电子参数测量区域在检测基板的电子参数的同时，通过检测键组检测隔离柱的线性电阻值，以监控隔离柱的侧蚀深度。
第三实施例
基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例提供了一种显示基板，由前述实施例的显示基板的制备方法制备而成。
第四实施例
基于本发明实施例的技术构思，本发明实施例提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (4)
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
通过同一制备过程，形成隔离柱以及模拟柱，所述模拟柱与所述隔离柱的形状和尺寸相同；
在形成所述隔离柱和所述模拟柱的过程中，通过检测所述模拟柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的线性电阻值，进而确定所述隔离柱的侧蚀深度；其中，所述隔离柱的线性电阻值与所述隔离柱的侧蚀深度成正比；
所述检测所述模拟柱的线性电阻值包括：在所述模拟柱上形成至少两个检测焊盘，所述检测焊盘用于供线性电阻测试探针扎取，通过检测所述检测焊盘之间的线性电阻值，以检测所述模拟柱的线性电阻值；
或者，所述制备方法包括：
在基底上形成隔离柱；
在所述基底之上形成检测键组，包括：在所述基底之上形成源漏极层，在所述源漏极层之上形成多个检测焊盘，每个检测焊盘通过相互电性隔离的引线与所述源漏极层连接，以形成所述检测键组；
通过所述检测键组检测所述隔离柱的线性电阻值，以确定所述隔离柱的侧蚀深度；其中，所述隔离柱的线性电阻值与所述隔离柱的侧蚀深度成正比；
所述基底之上形成有电子参数测量区域，所述电子参数测量区域中设置有用于对基板电子参数测量的多组键组，所述检测键组位于所述电子参数测量区域中，从而使电子参数测量区域在检测基板的电子参数的同时，通过检测键组检测隔离柱的线性电阻值，以监控隔离柱的侧蚀深度。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述通过同一制备过程，在所述基底之上形成所述隔离柱以及模拟柱，包括：
在所述基底之上形成隔离膜层，
采用同一刻蚀工艺将所述隔离膜层形成所述隔离柱以及所述模拟柱。
3.一种显示基板，其特征在于，由权利要求1～2任一所述的显示基板的制备方法制备而成。
4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求3所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010099422.4A CN111276415B (zh) | 2020-02-18 | 2020-02-18 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010099422.4A CN111276415B (zh) | 2020-02-18 | 2020-02-18 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111276415A CN111276415A (zh) | 2020-06-12 |
| CN111276415B true CN111276415B (zh) | 2023-11-07 |
Family
ID=71002226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010099422.4A Active CN111276415B (zh) | 2020-02-18 | 2020-02-18 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111276415B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111968946B (zh) * | 2020-08-26 | 2024-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 初始阵列基板及其制作方法、检测方法 |
| CN112768499B (zh) * | 2021-01-13 | 2023-01-24 | 重庆京东方显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示基板及制备方法、显示面板 |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177219A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング深さ測定方法および測定装置 |
| JPH0778968A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| US5656509A (en) * | 1995-05-10 | 1997-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and test structure for determining gouging in a flash EPROM cell during SAS etch |
| US6183594B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Method and system for detecting the end-point in etching processes |
| US6342401B1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-01-29 | Hewlett-Packard Company | Test structures for silicon etching |
| CN101599433A (zh) * | 2008-06-03 | 2009-12-09 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体刻蚀方法及刻蚀系统 |
| CN103137510A (zh) * | 2011-11-22 | 2013-06-05 | 北大方正集团有限公司 | 一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块 |
| CN103346142A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法 |
| CN105097435A (zh) * | 2014-05-21 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种调节hrp电阻值的方法 |
| CN107146809A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN108574054A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 |
| CN109935621A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN110120464A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110137378A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-16 | 昆山维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110783491A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110797340A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体存储器 |
-
2020
- 2020-02-18 CN CN202010099422.4A patent/CN111276415B/zh active Active
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177219A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング深さ測定方法および測定装置 |
| JPH0778968A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-20 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| US5656509A (en) * | 1995-05-10 | 1997-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and test structure for determining gouging in a flash EPROM cell during SAS etch |
| US6183594B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Method and system for detecting the end-point in etching processes |
| US6342401B1 (en) * | 2001-01-29 | 2002-01-29 | Hewlett-Packard Company | Test structures for silicon etching |
| CN101599433A (zh) * | 2008-06-03 | 2009-12-09 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体刻蚀方法及刻蚀系统 |
| CN103137510A (zh) * | 2011-11-22 | 2013-06-05 | 北大方正集团有限公司 | 一种监控金属层过刻蚀的方法及监控模块 |
| CN103346142A (zh) * | 2013-06-04 | 2013-10-09 | 上海华力微电子有限公司 | 测试键结构及监测刻蚀工艺中接触孔刻蚀量的方法 |
| CN105097435A (zh) * | 2014-05-21 | 2015-11-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种调节hrp电阻值的方法 |
| CN107146809A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| CN108574054A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 |
| CN110797340A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体存储器 |
| CN109935621A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN110120464A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110137378A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-16 | 昆山维信诺科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110783491A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111276415A (zh) | 2020-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109103231B (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| US20210193777A1 (en) | Display substrate and display device | |
| CN107704129B (zh) | Oled触控显示基板、制作方法、显示面板及显示装置 | |
| CN106201142B (zh) | 一种内嵌式触摸屏、其驱动方法及显示装置 | |
| CN111312723B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| US10163984B1 (en) | Display with embedded components and subpixel windows | |
| CN111276415B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20200212370A1 (en) | Manufacturing method of a display screen | |
| KR100741968B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 | |
| CN109904211A (zh) | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| WO2020038017A1 (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法 | |
| CN109285964B (zh) | 柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 | |
| CN107887526B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| KR20170107620A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 | |
| US20200098847A1 (en) | Display substrate, method for manufacturing same, and display device | |
| CN208489197U (zh) | 显示面板及设有其的显示装置 | |
| KR20170039813A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20160122362A (ko) | 박막 증착용 마스크 어셈블리 | |
| KR20150071318A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US12010884B2 (en) | Organic light-emitting display substrate having partition wall in bridge area and manufacturing method thereof, and organic light-emitting display device | |
| CN113066944B (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN114203739A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN114156419A (zh) | 透明显示面板及其制作方法、以及显示装置 | |
| US20240008350A1 (en) | Display panel, display apparatus and control method | |
| CN110634927B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |