JPH06177219A - エッチング深さ測定方法および測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハを割ることなくエッチング深さを容易
に測定する。 【構成】 エッチング部分及びその周辺の非エッチング
部分に導電性レプリカ材料を流し込みレプリカ１を形成
する。レプリカ１のエッチング方向の先端側に導電性液
体６ａの入った電極６を配置し、その先端側とは反対側
に電極５を被着し、電極５にレプリカ１のエッチング方
向への変位を検出する変位読み取り計７を連接する。レ
プリカ１を下方におろしていくと、エッチング部分に対
応するレプリカ部分１ａが液体６ａに接触して電流値
（抵抗値）が変化する。この状態でのレプリカ１の変位
を読み取ってｘ1とする。さらに、レプリカ１を下方に
おろしていくと、被エッチング部分に対応するレプリカ
部分１ｂが液体６ａに接触して電流値（抵抗値）が変化
する。この状態でのレプリカ１の変位を読み取ってｘ2
とする。（ｘ2−ｘ1）でもってエッチング部分のエッチ
ング深さを求める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置を製造す
る工程において被エッチング膜のエッチング部分のエッ
チング深さを測定する方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来の半導体装置を製造する
工程のうちエッチング工程を示す断面図であり、２は被
エッチング膜、３はシリコン基板、４はレジスト膜であ
る。

【０００３】エッチング工程の概略を説明する。まず、
シリコン基板３上に被エッチング膜２を生成した後、レ
ジスト膜４を塗布し、このレジスト膜４に対して例えば
露光、現像処理でもってパターニングする（図１２Ａに
図示）。次に、パターニングされたレジスト膜４をマス
クにして、例えば異方性ドライエッチングをし（同図Ｂ
に図示）、その後にレジスト膜４を除去して（同図Ｃに
図示）、エッチング工程を終了する。

【０００４】ところで、エッチングする穴径によってエ
ッチングレートが異なるが（図１２Ｂ参照）、特に穴径
が１．０〜０．８μｍ以下になると顕著になる。その結
果、レジスト膜４を除去した後、穴径の大きなものは下
地が露出するが、穴径の小さなものは被エッチング膜２
が残ることがある（同図Ｃ参照）。このようにエッチン
グする穴径によってエッチングレートが変化してエッチ
ング深さが異なることは、シリコン基板３を直接エッチ
ングするトレンチエッチングの場合にあっても同様であ
る。そこで従来、エッチング部分のエッチング深さを測
定するために、ウエハを割って、ＳＥＭ（走査形電子顕
微鏡）で断面を観察することが行なわれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング深さ
の測定方法は以上のように行われているので、ウエハを
割って断面を観察する必要があり、容易にエッチング深
さを測定することができない等の問題点があった。特に
ウエハ面内の場所依存性を調べるためには、数多くの場
所を割って断面を観察する必要があった。ウエハが大口
径になると、面内の場所依存性を調べるためには、さら
に数多くの場所を観察する必要がある。

【０００６】この発明はこののような問題点を解決する
ためになされたもので、ウエハを割ることなくエッチン
グ深さを容易に測定し得る方法および装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項第１項の発明に係
るエッチング深さ測定方法は、被エッチング膜の少なく
ともエッチング部分に導電性または誘電性のレプリカ材
料を流し込み、このレプリカ材料で形成されるレプリカ
を利用してエッチング部分のエッチング深さを測定する
ことを特徴とするものである。

【０００８】請求項第２項の発明に係るエッチング深さ
測定方法は、被エッチング膜のエッチング部分および非
エッチング部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を
流し込み、このレプリカ材料で形成されるレプリカを取
り出し、レプリカのエッチング方向の先端側に対向して
導電性液体を配置し、レプリカのエッチング方向への変
位を検出する変位読み取り計を設けると共に、レプリカ
の上記先端側とは反対側と導電性液体との間の抵抗値ま
たは容量値を検出する検出手段を設け、レプリカをエッ
チング方向に移動させて検出手段で抵抗値または容量値
の変化が検出されるときのレプリカの変位を変位読み取
り計で検出し、検出されるレプリカの変位よりエッチン
グ部分のエッチング深さを測定することを特徴とするも
のである。

【０００９】請求項第３項の発明に係るエッチング深さ
測定方法は、被エッチング膜の少なくともエッチング部
分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込み、こ
のレプリカ材料で形成されるレプリカを取り出し、レプ
リカのエッチング方向の先端側に対向すると共に、レプ
リカの上記先端側とは反対側と所定間隔をもって導電性
液体を配置し、レプリカの上記反対側と導電性液体との
間の抵抗値または容量値を検出する検出手段を設け、検
出手段で検出される抵抗値または容量値よりエッチング
部分のエッチング深さを測定することを特徴とするもの
である。

【００１０】請求項第４項の発明に係るエッチング深さ
測定方法は、被エッチング膜の少なくともエッチング部
分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込み、こ
のレプリカ材料で形成されるレプリカのエッチング方向
の先端側とは反対側と基板との間の抵抗値または容量値
を検出する検出手段を設け、検出手段で検出される抵抗
値または容量値よりエッチング部分のエッチング深さを
測定することを特徴とするものである。

【００１１】請求項第５項の発明に係るエッチング深さ
測定装置は、被エッチング膜のエッチング部分および非
エッチング部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を
流し込んで形成したレプリカのエッチング方向の先端側
に対向して配置される導電性液体と、レプリカのエッチ
ング方向への変位を検出する変位読み取り計と、レプリ
カの上記先端側とは反対側と導電性液体との間の抵抗値
または容量値を検出する検出手段と、レプリカをエッチ
ング方向に移動させる移動手段とを備え、移動手段でレ
プリカをエッチング方向に移動させて検出手段で抵抗値
または容量値の変化が検出されるときのレプリカの変位
を変位読み取り計で検出し、検出されるレプリカの変位
よりエッチング部分のエッチング深さを測定することを
特徴とするものである。

【００１２】請求項第６項の発明に係るエッチング深さ
測定装置は、被エッチング膜の少なくともエッチング部
分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込んで形
成したレプリカのエッチング方向の先端側に対向して配
置される導電性液体と、レプリカの上記先端側とは反対
側と導電性液体とを所定間隔に保持する保持手段と、レ
プリカの上記反対側と導電性液体との間の抵抗値または
容量値を検出する検出手段とを備え、検出手段で検出さ
れる抵抗値または容量値よりエッチング部分のエッチン
グ深さを測定することを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】請求項第１項の発明においては、レプリカを利
用してエッチング深さを測定するものであり、ウエハを
割ることなく、エッチング部分のエッチング深さを容易
に測定することが可能となる。

【００１４】請求項第２項の発明においては、レプリカ
を移動させて導電性液体にエッチング部分に対応するレ
プリカ部分が接触する第１の変位位置で抵抗値または容
量値が変化し、さらにレプリカを移動させて導電性液体
に非エッチング部分に対応するレプリカ部分が接触する
第２の変位位置で抵抗値または容量値が変化する。その
ため、第１および第２の変位の差よりエッチング部分の
エッチング深さを求めることができ、ウエハを割ること
なく、エッチング部分のエッチング深さを容易に測定す
ることが可能となる。

【００１５】請求項第３項の発明においては、エッチン
グ部分のエッチング深さが所定間隔以上であるときは、
エッチング部分に対応するレプリカが導電性液体に接触
するため、抵抗値または容量値が変化する。そのため、
ウエハを割ることなく、エッチング部分のエッチング深
さを容易に測定することが可能となる。

【００１６】請求項第４項の発明においては、エッチン
グ部分のエッチング深さに応じて抵抗値または容量値が
変化する。そのため、抵抗値または容量値よりエッチン
グ部分のエッチング深さを求めることができ、ウエハを
割ることなく、エッチング部分のエッチング深さを容易
に測定することが可能となる。

【００１７】請求項第５項の発明においては、レプリカ
を移動させて導電性液体にエッチング部分に対応するレ
プリカ部分が接触する第１の変位位置で抵抗値または容
量値が変化し、さらにレプリカを移動させて導電性液体
に非エッチング部分に対応するレプリカ部分が接触する
第２の変位位置で抵抗値または容量値が変化する。その
ため、第１および第２の変位の差よりエッチング部分の
エッチング深さを求めることができ、ウエハを割ること
なく、エッチング部分のエッチング深さを容易に測定す
ることが可能となる。

【００１８】請求項第６項の発明においては、エッチン
グ部分のエッチング深さが所定間隔以上であるときは、
エッチング部分に対応するレプリカが導電性液体に接触
するため、抵抗値または容量値が変化する。そのため、
ウエハを割ることなく、エッチング部分のエッチング深
さを容易に測定することが可能となる。

【００１９】

【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図を
参照して説明する。本例においては、まず、被エッチン
グ膜２のエッチング深さを測定すべきエッチング部分お
よびその周辺の非エッチング部分に対応して導電性レプ
リカ材料を流し込んで、導電性レプリカ１を形成する
（図１に図示）。ここで、１ａはエッチング部分に対応
するレプリカ部分であり、１ｂは非エッチング部分に対
応するレプリカ部分である。

【００２０】図２は、上述したように形成されたレプリ
カ１を使用して、エッチング部分のエッチング深さを測
定するエッチング深さ測定装置を示している。図におい
て、レプリカ１のエッチング方向の先端側とは反対側に
電極５を被着する。また、レプリカ１のエッチング方向
の先端側に導電性の液体６ａの入った電極６を配置す
る。また、電極５に連接して、レプリカ１のエッチング
方向（図では上下方向）への変位を検出する変位読み取
り計７を設ける。また、電極５と６との間に定電圧源８
より定電圧Ｅを印加する。そして、定電圧源８の両端に
電圧計９を接続し、定電圧源８の正側と電極５との間に
電流計１０を接続する。

【００２１】次に、図２のエッチング深さ測定装置を使
用してエッチング深さを測定する工程を説明する。電極
５、従ってレプリカ１を少しずつ下方におろしていく
と、エッチング部分に対応するレプリカ部分１ａが導電
性液体６ａに接触して電流Ｉ1が流れる（図３Ａに図
示）。レプリカ部分１ａの抵抗値をＲ1とすると、Ｉ1＝
Ｅ／Ｒ1となる。この状態でのレプリカ１の変位を変位
読み取り計７で読み取ってｘ1とする。

【００２２】さらに、レプリカ１を下方におろしていく
と、被エッチング部分に対応するレプリカ部分１ｂが導
電性液体６ａに接触して電流Ｉ2が流れる（図３Ｂに図
示）。レプリカ部分１ｂの抵抗値をＲ2，Ｒ3とすると、
Ｉ2＝Ｅ（１／Ｒ1＋１／Ｒ2＋１／Ｒ3）となる。この状
態でのレプリカ１の変位を変位読み取り計７で読み取っ
てｘ2とする。ここで、電流Ｉと変位との関係をグラフ
に書くと、図４に示すようになる。（ｘ2−ｘ1）でもっ
てエッチング部分のエッチング深さを求めることができ
る。

【００２３】実施例２．次に、この発明の他の実施例を
図を参照して説明する。本例においては、まず、実施例
１で説明した導電性レプリカ１を形成する場合と同様
に、被エッチング膜２のエッチング深さを測定すべきエ
ッチング部分およびその周辺の非エッチング部分に対応
して誘電性レプリカ材料を流し込んで、誘電性レプリカ
１′を形成する（図５参照）。

【００２４】図５は、上述したように形成されたレプリ
カ１′を使用して、エッチング部分のエッチング深さを
測定するエッチング深さ測定装置を示している。図５に
おいて、図２と対応する部分には同一符号を付して示し
ている。図においては、図２における導電性レプリカ１
の代わりに誘電性レプリカ１′を配設し、また電流計１
０の変わりに電荷計１１を配設する。その他は図２の例
と同様に構成する。なお、１ａ′はエッチング部分に対
応するレプリカ部分であり、１ｂ′は非エッチング部分
に対応するレプリカ部分である。

【００２５】次に、図５のエッチング深さ測定装置を使
用してエッチング深さを測定する工程を説明する。電極
５、従ってレプリカ１′を少しずつ下方におろしていく
と、エッチング部分に対応するレプリカ部分１ａ′が導
電性液体６ａに接触する。レプリカ部分１ａの容量値を
Ｃ1とすると、電荷Ｑ1＝Ｃ1Ｅとなる。この状態でのレ
プリカ１′の変位を変位読み取り計７で読み取ってｘ1
とする。

【００２６】さらに、レプリカ１′を下方におろしてい
くと、被エッチング部分に対応するレプリカ部分１ｂ′
が導電性液体６ａに接触する。レプリカ部分１ｂ′の容
量値をＣ2，Ｃ3とすると、Ｑ2＝（Ｃ1＋Ｃ2＋Ｃ3）Ｅと
なる。この状態でのレプリカ１′の変位を変位読み取り
計７で読み取ってｘ2とする。ここで、電荷Ｑと変位と
の関係をグラフに書くと、図６に示すようになる。（ｘ
2−ｘ1）でもってエッチング部分のエッチング深さを求
めることができる。

【００２７】実施例３．なお、上述実施例においては、
導電性レプリカ１または誘電性レプリカ１′を下方にお
ろしていき、抵抗値または容量値（電流値または電荷
値）が変化する変位ｘ1，ｘ2よりエッチング部分のエッ
チング深さを測定するものであったが、電極５、従って
レプリカ１または１′のエッチング方向の先端側とは反
対側と導電性液体６ａとの距離を一定、例えば被エッチ
ング膜２の厚さＴに固定して、電極５および６間の抵抗
値または容量値の変化よりエッチング深さを測定するよ
うにしてもよい。

【００２８】この場合、例えば時間ｔ1でエッチング深
さがＴより小さいときは（図７Ａ１に図示）、レプリカ
１（１′）のエッチング部分に対応するレプリカ部分１
ａ（１ａ′）は導電性液体６ａに接触しない（同図Ａ２
に図示）。これに対して、例えば時間ｔ2でエッチング
深さがＴとなるときは（同図Ｂ１に図示）、レプリカ１
（１′）のエッチング部分に対応するレプリカ部分１ａ
（１ａ′）は導電性液体６ａに接触するため（同図Ｂ２
に図示）、抵抗値または容量値が大きく変化する。図７
Ｃは、導電性レプリカ１を利用する場合であって、電流
Ｉと時間との関係をグラフに書いたものである。

【００２９】実施例４．また、上述実施例においては、
導電性レプリカ１または誘電性レプリカ１′を取り出し
てエッチング部分のエッチング深さを測定するようにし
たものであるが、エッチング部分よりレプリカ１
（１′）を取り出さずにそのままにして、レプリカ１
（１′）とシリコン基板３との間の抵抗値または容量値
の変化よりエッチング部分のエッチング深さを測定する
ようにしてもよい（図８参照）。

【００３０】実施例５．また、上述した実施例１におい
ては、エッチング部分が１箇所のものを示したが、２箇
所以上のものも同様にしてエッチング部分のエッチング
深さを測定することができる。以下、エッチング部分が
２箇所のものについて説明する。

【００３１】まず、被エッチング膜２のエッチング深さ
を測定すべきエッチング部分およびその周辺の非エッチ
ング部分に対応して導電性レプリカ材料を流し込んで、
導電性レプリカ１を形成する（図９に図示）。ここで、
１ａ1，１ａ2は第１および第２のエッチング部分に対応
するレプリカ部分であり、１ｂは非エッチング部分に対
応するレプリカ部分である。この例では、第１のエッチ
ング部分が第２のエッチング部分より深い場合を示して
いる。図１０は、上述したように形成されたレプリカ１
を使用して、エッチング部分のエッチング深さを測定す
るエッチング深さ測定装置を示しており、図２の例と同
様に構成される。

【００３２】次に、図１０のエッチング深さ測定装置を
使用してエッチング深さを測定する工程を説明する。電
極５、従ってレプリカ１を少しずつ下方におろしていく
と、第１のエッチング部分に対応するレプリカ部分１ａ
1が導電性液体６ａに接触して電流Ｉ1が流れる。レプリ
カ部分１ａ1の抵抗値をＲ1とすると、Ｉ1＝Ｅ／Ｒ1とな
る。この状態でのレプリカ１の変位を変位読み取り計７
で読み取ってｘ1とする。

【００３３】続いて、レプリカ１を下方におろしていく
と、第２のエッチング部分に対応するレプリカ部分１ａ
2が導電性液体６ａに接触して電流Ｉ2が流れる。レプリ
カ部分１ａ2の抵抗値をＲ2とすると、Ｉ2＝Ｅ（１／Ｒ1
＋１／Ｒ2）となる。この状態でのレプリカ１の変位を
変位読み取り計７で読み取ってｘ2とする。

【００３４】さらに、レプリカ１を下方におろしていく
と、被エッチング部分に対応するレプリカ部分１ｂが導
電性液体６ａに接触して電流Ｉ3が流れる。レプリカ部
分１ｂの抵抗値をＲ3，Ｒ4，Ｒ5とすると、Ｉ3＝Ｅ（１
／Ｒ1＋１／Ｒ2＋１／Ｒ3＋１／Ｒ4＋１／Ｒ5）とな
る。この状態でのレプリカ１の変位を変位読み取り計７
で読み取ってｘ3とする。

【００３５】ここで、電流Ｉと変位との関係をグラフに
書くと、図１１に示すようになる。（ｘ3−ｘ1）でもっ
て第１のエッチング部分のエッチング深さを求めること
ができ、また（ｘ3−ｘ2）でもって第２のエッチング部
分のエッチング深さを求めることができる。なお、誘電
性レプリカ１′を使用するものでも（実施例２参照）、
同様にして２箇所以上のエッチング部分の深さを測定す
ることができる。

【００３６】なお、上述実施例においては、被エッチン
グ膜２のエッチング部分のエッチング深さを測定する例
を示したが、シリコン基板３を直接エッチングする場合
であっても、そのエッチング部分のエッチング深さを同
様にして測定できることは勿論である。

【００３７】

【発明の効果】請求項第１項の発明によれば、被エッチ
ング膜の少なくともエッチング部分に導電性または誘電
性のレプリカ材料を流し込み、このレプリカ材料で形成
されるレプリカを利用してエッチング部分のエッチング
深さを測定するため、ウエハを割ることなく、エッチン
グ部分のエッチング深さを容易に測定できる等の効果が
ある。

【００３８】請求項第２項の発明によれば、被エッチン
グ膜のエッチング部分および非エッチング部分に導電性
または誘電性のレプリカ材料を流し込み、このレプリカ
材料で形成されるレプリカを取り出し、レプリカのエッ
チング方向の先端側に対向して導電性液体を配置し、レ
プリカのエッチング方向への変位を検出する変位読み取
り計を設けると共に、レプリカの上記先端側とは反対側
と導電性液体との間の抵抗値または容量値を検出する検
出手段を設け、レプリカをエッチング方向に移動させて
検出手段で抵抗値または容量値の変化が検出されるとき
のレプリカの変位を変位読み取り計で検出し、検出され
るレプリカの変位よりエッチング部分のエッチング深さ
を測定するため、ウエハを割ることなく、エッチング部
分のエッチング深さを容易に測定できる等の効果があ
る。

【００３９】請求項第３項の発明によれば、被エッチン
グ膜の少なくともエッチング部分に導電性または誘電性
のレプリカ材料を流し込み、このレプリカ材料で形成さ
れるレプリカを取り出し、レプリカのエッチング方向の
先端側に対向すると共に、レプリカの上記先端側とは反
対側と所定間隔をもって導電性液体を配置し、レプリカ
の上記反対側と導電性液体との間の抵抗値または容量値
を検出する検出手段を設け、検出手段で検出される抵抗
値または容量値よりエッチング部分のエッチング深さを
測定するため、ウエハを割ることなく、エッチング部分
のエッチング深さを容易に測定できる等の効果がある。

【００４０】請求項第４項の発明によれば、被エッチン
グ膜の少なくともエッチング部分に導電性または誘電性
のレプリカ材料を流し込み、このレプリカ材料で形成さ
れるレプリカのエッチング方向の先端側とは反対側と基
板との間の抵抗値または容量値を検出する検出手段を設
け、検出手段で検出される抵抗値または容量値よりエッ
チング部分のエッチング深さを測定するため、ウエハを
割ることなく、エッチング部分のエッチング深さを容易
に測定できる等の効果がある。

【００４１】請求項第５項の発明によれば、被エッチン
グ膜のエッチング部分および非エッチング部分に導電性
または誘電性のレプリカ材料を流し込んで形成したレプ
リカのエッチング方向の先端側に対向して配置される導
電性液体と、レプリカのエッチング方向への変位を検出
する変位読み取り計と、レプリカの上記先端側とは反対
側と導電性液体との間の抵抗値または容量値を検出する
検出手段と、レプリカをエッチング方向に移動させる移
動手段とを備え、移動手段でレプリカをエッチング方向
に移動させて検出手段で抵抗値または容量値の変化が検
出されるときのレプリカの変位を変位読み取り計で検出
し、検出されるレプリカの変位よりエッチング部分のエ
ッチング深さを測定するため、ウエハを割ることなく、
エッチング部分のエッチング深さを容易に測定できる等
の効果がある。

【００４２】請求項第６項の発明によれば、被エッチン
グ膜の少なくともエッチング部分に導電性または誘電性
のレプリカ材料を流し込んで形成したレプリカのエッチ
ング方向の先端側に対向して配置される導電性液体と、
レプリカの上記先端側とは反対側と導電性液体とを所定
間隔に保持する保持手段と、レプリカの上記反対側と導
電性液体との間の抵抗値または容量値を検出する検出手
段とを備え、検出手段で検出される抵抗値または容量値
よりエッチング部分のエッチング深さを測定するため、
ウエハを割ることなく、エッチング部分のエッチング深
さを容易に測定できる等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るエッチング深さ測定方法の実施
例１で使用される導電性レプリカの形成工程を説明する
ための断面図である。

【図２】実施例１で使用されるエッチング深さ測定装置
を示す構成図である。

【図３】実施例１におけるエッチング深さの測定工程を
説明するための図である。

【図４】実施例１におけるエッチング深さ測定での電流
と変位との関係を示す図である。

【図５】この発明に係るエッチング深さ測定方法の実施
例２で使用されるエッチング深さ測定装置を示す構成図
である。

【図６】実施例２におけるエッチング深さ測定での電荷
と変位との関係を示す図である。

【図７】この発明に係るエッチング深さ測定方法の実施
例３を説明するための図である。

【図８】この発明に係るエッチング深さ測定方法の実施
例４を説明するための図である。

【図９】この発明に係るエッチング深さ測定方法の実施
例５で使用されるを導電性レプリカの形成工程を説明す
るための断面図である。

【図１０】実施例５で使用されるエッチング深さ測定装
置を示す構成図である。

【図１１】実施例５におけるエッチング深さ測定での電
流と変位との関係を示す図である。

【図１２】エッチング工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 導電性レプリカ １′ 誘電性レプリカ ２ 被エッチング膜 ３ シリコン基板 ４ レジスト膜 ５，６ 電極 ６ａ 導電性の液体 ７ 変位読み取り計 ８ 定電圧源 ９ 電圧計 １０ 電流計 １１ 電荷計

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被エッチング膜の少なくともエッチング
   部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込み、 このレプリカ材料で形成されるレプリカを利用して上記
   エッチング部分のエッチング深さを測定することを特徴
   とするエッチング深さ測定方法。
2. 【請求項２】 被エッチング膜のエッチング部分および
   非エッチング部分に導電性または誘電性のレプリカ材料
   を流し込み、このレプリカ材料で形成されるレプリカを
   取り出し、 上記レプリカのエッチング方向の先端側に対向して導電
   性液体を配置し、上記レプリカの上記エッチング方向へ
   の変位を検出する変位読み取り計を設けると共に、上記
   レプリカの上記先端側とは反対側と上記導電性液体との
   間の抵抗値または容量値を検出する検出手段を設け、 上記レプリカを上記エッチング方向に移動させて上記検
   出手段で抵抗値または容量値の変化が検出されるときの
   上記レプリカの変位を上記変位読み取り計で検出し、検
   出されるレプリカの変位より上記エッチング部分のエッ
   チング深さを測定することを特徴とするエッチング深さ
   測定方法。
3. 【請求項３】 被エッチング膜の少なくともエッチング
   部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込み、
   このレプリカ材料で形成されるレプリカを取り出し、 上記レプリカのエッチング方向の先端側に対向すると共
   に、上記レプリカの上記先端側とは反対側と所定間隔を
   もって導電性液体を配置し、上記レプリカの上記反対側
   と上記導電性液体との間の抵抗値または容量値を検出す
   る検出手段を設け、 上記検出手段で検出される抵抗値または容量値より上記
   エッチング部分のエッチング深さを測定することを特徴
   とするエッチング深さ測定方法。
4. 【請求項４】 被エッチング膜の少なくともエッチング
   部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込み、 このレプリカ材料で形成されるレプリカのエッチング方
   向の先端側とは反対側と基板との間の抵抗値または容量
   値を検出する検出手段を設け、 上記検出手段で検出される抵抗値または容量値より上記
   エッチング部分のエッチング深さを測定することを特徴
   とするエッチング深さ測定方法。
5. 【請求項５】 被エッチング膜のエッチング部分および
   非エッチング部分に導電性または誘電性のレプリカ材料
   を流し込んで形成したレプリカのエッチング方向の先端
   側に対向して配置される導電性液体と、 上記レプリカの上記エッチング方向への変位を検出する
   変位読み取り計と、 上記レプリカの上記先端側とは反対側と上記導電性液体
   との間の抵抗値または容量値を検出する検出手段と、 上記レプリカを上記エッチング方向に移動させる移動手
   段とを備え、 上記移動手段で上記レプリカを上記エッチング方向に移
   動させて上記検出手段で抵抗値または容量値の変化が検
   出されるときの上記レプリカの変位を上記変位読み取り
   計で検出し、検出されるレプリカの変位より上記エッチ
   ング部分のエッチング深さを測定することを特徴とする
   エッチング深さ測定装置。
6. 【請求項６】 被エッチング膜の少なくともエッチング
   部分に導電性または誘電性のレプリカ材料を流し込んで
   形成したレプリカのエッチング方向の先端側に対向して
   配置される導電性液体と、 上記レプリカの上記先端側とは反対側と上記導電性液体
   とを所定間隔に保持する保持手段と、 上記レプリカの上記反対側と上記導電性液体との間の抵
   抗値または容量値を検出する検出手段とを備え、 上記検出手段で検出される抵抗値または容量値より上記
   エッチング部分のエッチング深さを測定することを特徴
   とするエッチング深さ測定装置。