JPH05340978A - コンタクト抵抗の測定用装置 - Google Patents
コンタクト抵抗の測定用装置Info
- Publication number
- JPH05340978A JPH05340978A JP15040692A JP15040692A JPH05340978A JP H05340978 A JPH05340978 A JP H05340978A JP 15040692 A JP15040692 A JP 15040692A JP 15040692 A JP15040692 A JP 15040692A JP H05340978 A JPH05340978 A JP H05340978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- contact
- contact hole
- contact resistance
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト抵抗の測定用装置に関し、極めて
簡単な構成で、コンタクト・ホール内の異種金属コンタ
クト界面に於ける電流分布を均一にすることを可能と
し、高い精度で正確なコンタクト抵抗を測定できるよう
にしようとする。 【構成】 基板１１上の低抵抗金属層１３及びその上に
在ってコンタクト・ホール１４Ａをもつ絶縁膜１４、絶
縁膜１４上に在ってコンタクト・ホール１４Ａを介し金
属層１３とコンタクトするコンタクト抵抗を測定すべき
金属層１５、金属層１５を覆い且つコンタクト・ホール
１４Ａの直上に位置するコンタクト・ホール１６Ａ及び
絶縁膜１４を貫通すると金属層１３が表出されるコンタ
クト・ホール１６Ｂをもつ絶縁膜１６、コンタクト・ホ
ール１６Ａを介し金属層１５とコンタクトするコンタク
ト抵抗を測定すべき金属電極１７、コンタクト・ホール
１６Ｂを介し金属層１３とコンタクトする電流の流出側
金属電極１８を備える。
簡単な構成で、コンタクト・ホール内の異種金属コンタ
クト界面に於ける電流分布を均一にすることを可能と
し、高い精度で正確なコンタクト抵抗を測定できるよう
にしようとする。 【構成】 基板１１上の低抵抗金属層１３及びその上に
在ってコンタクト・ホール１４Ａをもつ絶縁膜１４、絶
縁膜１４上に在ってコンタクト・ホール１４Ａを介し金
属層１３とコンタクトするコンタクト抵抗を測定すべき
金属層１５、金属層１５を覆い且つコンタクト・ホール
１４Ａの直上に位置するコンタクト・ホール１６Ａ及び
絶縁膜１４を貫通すると金属層１３が表出されるコンタ
クト・ホール１６Ｂをもつ絶縁膜１６、コンタクト・ホ
ール１６Ａを介し金属層１５とコンタクトするコンタク
ト抵抗を測定すべき金属電極１７、コンタクト・ホール
１６Ｂを介し金属層１３とコンタクトする電流の流出側
金属電極１８を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異種金属間のコンタク
ト抵抗を高精度で測定するのに好適な構成を有するコン
タクト抵抗の測定用装置に関する。一般に、半導体素子
の微細化に伴って、その半導体素子と外部配線との間の
コンタクト部分に関する微細化も大きく進展している。
ト抵抗を高精度で測定するのに好適な構成を有するコン
タクト抵抗の測定用装置に関する。一般に、半導体素子
の微細化に伴って、その半導体素子と外部配線との間の
コンタクト部分に関する微細化も大きく進展している。
【０００２】コンタクト部分が微細化された場合、異種
金属間のコンタクト抵抗は出来る限り小さなものにしな
ければならず、そして、そのようなコンタクト系の開発
をするには、前記コンタクト抵抗を高い精度で測定する
方法が確立されなければならない。
金属間のコンタクト抵抗は出来る限り小さなものにしな
ければならず、そして、そのようなコンタクト系の開発
をするには、前記コンタクト抵抗を高い精度で測定する
方法が確立されなければならない。
【０００３】
【従来の技術】図９は従来から用いられてきたコンタク
ト抵抗の測定用装置を解説する為の要部切断側面図であ
る。図に於いて、１はシリコン基板、２はＳｉＯ2 から
なる絶縁膜、３はコンタクト抵抗の測定を必要とする金
属膜、４はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、５はコンタクト抵
抗の測定を必要とする金属電極、６は電流の流出側金属
電極をそれぞれ示している。
ト抵抗の測定用装置を解説する為の要部切断側面図であ
る。図に於いて、１はシリコン基板、２はＳｉＯ2 から
なる絶縁膜、３はコンタクト抵抗の測定を必要とする金
属膜、４はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、５はコンタクト抵
抗の測定を必要とする金属電極、６は電流の流出側金属
電極をそれぞれ示している。
【０００４】この測定用装置では、図に矢印で示してあ
るように、金属電極５から金属膜３を介して金属電極６
に対して電流を流すことでコンタクト抵抗の測定を行
う。
るように、金属電極５から金属膜３を介して金属電極６
に対して電流を流すことでコンタクト抵抗の測定を行
う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９に見られる測定用
装置は、半導体装置で謂うプレーナ型になっていること
から、金属電極６に向かって流れる電流は、金属電極５
の直下に於ける金属膜３内に於いて、直角に方向を変え
なければならない。従って、金属膜３と金属電極５とが
コンタクトしている界面に於ける電流分布は、付記して
ある線図に見られるように不均一となる。
装置は、半導体装置で謂うプレーナ型になっていること
から、金属電極６に向かって流れる電流は、金属電極５
の直下に於ける金属膜３内に於いて、直角に方向を変え
なければならない。従って、金属膜３と金属電極５とが
コンタクトしている界面に於ける電流分布は、付記して
ある線図に見られるように不均一となる。
【０００６】線図に於いては、縦軸に電流密度〔Ａ／ｃ
ｍ2 〕を、そして、横軸にはコンタクト・ホールに依っ
て画定された金属膜３と金属電極５との界面をそれぞれ
採ってある。図の特性線から明らかなように、界面に於
ける電流密度は、金属電極６に近い側では高く、反対側
は低くなっている。従って、これでは、正確なコンタク
ト抵抗の値を得ることはできない。
ｍ2 〕を、そして、横軸にはコンタクト・ホールに依っ
て画定された金属膜３と金属電極５との界面をそれぞれ
採ってある。図の特性線から明らかなように、界面に於
ける電流密度は、金属電極６に近い側では高く、反対側
は低くなっている。従って、これでは、正確なコンタク
ト抵抗の値を得ることはできない。
【０００７】本発明は、極めて簡単な構成に依って、コ
ンタクト・ホール内の異種金属コンタクト界面に於ける
電流分布を均一にすることを可能とし、高い精度で正確
なコンタクト抵抗を測定できるようにしようとする。
ンタクト・ホール内の異種金属コンタクト界面に於ける
電流分布を均一にすることを可能とし、高い精度で正確
なコンタクト抵抗を測定できるようにしようとする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、コンタクト
抵抗を測定する為の電流が流れる方向を曲げないような
構成を採ることが基本になっている。
抵抗を測定する為の電流が流れる方向を曲げないような
構成を採ることが基本になっている。
【０００９】即ち、本発明に依るコンタクト抵抗の測定
用装置に於いては、 （１）基板（例えばｎ型シリコン半導体基板１１）上に
第一の絶縁膜（例えばＳｉＯ 2 からなる絶縁膜１２）を
介して形成された抵抗率が低い金属層（例えばＷＳｉ 2
からなる低抵抗金属層１３）及びその抵抗率が低い金属
層上に形成され第一のコンタクト・ホール（例えばコン
タクト・ホール１４Ａ）を有する第二の絶縁膜（例えば
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４）と、前記第二の絶縁膜上
に形成され且つ前記第一のコンタクト・ホールを介して
前記抵抗率が低い金属層とコンタクトするコンタクト抵
抗を測定すべき金属層（例えば多結晶シリコンからなる
コンタクト抵抗を測定すべき金属層１５）と、前記コン
タクト抵抗を測定すべき金属層を覆い且つ前記第一のコ
ンタクト・ホールの直上に位置する第二コンタクト・ホ
ール（例えばコンタクト・ホール１６Ａ）及び最終的に
前記第二の絶縁膜を貫通した場合に前記抵抗率が低い金
属層の一部表面が露出する第三のコンタクト・ホール
（例えばコンタクト・ホール１６Ｂ）をもつ第三の絶縁
膜（例えばＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６）と、前記第二
のコンタクト・ホールを介して前記コンタクト抵抗を測
定すべき金属層とコンタクトするコンタクト抵抗を測定
すべき金属電極（例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を
測定すべき金属電極１７）と、前記第三のコンタクト・
ホールを介して前記抵抗率が低い金属層とコンタクトす
る電流の流出側金属電極（例えばＡｌからなる電流の流
出側金属電極１８）とを備えてなることを特徴とする
か、或いは、
用装置に於いては、 （１）基板（例えばｎ型シリコン半導体基板１１）上に
第一の絶縁膜（例えばＳｉＯ 2 からなる絶縁膜１２）を
介して形成された抵抗率が低い金属層（例えばＷＳｉ 2
からなる低抵抗金属層１３）及びその抵抗率が低い金属
層上に形成され第一のコンタクト・ホール（例えばコン
タクト・ホール１４Ａ）を有する第二の絶縁膜（例えば
ＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４）と、前記第二の絶縁膜上
に形成され且つ前記第一のコンタクト・ホールを介して
前記抵抗率が低い金属層とコンタクトするコンタクト抵
抗を測定すべき金属層（例えば多結晶シリコンからなる
コンタクト抵抗を測定すべき金属層１５）と、前記コン
タクト抵抗を測定すべき金属層を覆い且つ前記第一のコ
ンタクト・ホールの直上に位置する第二コンタクト・ホ
ール（例えばコンタクト・ホール１６Ａ）及び最終的に
前記第二の絶縁膜を貫通した場合に前記抵抗率が低い金
属層の一部表面が露出する第三のコンタクト・ホール
（例えばコンタクト・ホール１６Ｂ）をもつ第三の絶縁
膜（例えばＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６）と、前記第二
のコンタクト・ホールを介して前記コンタクト抵抗を測
定すべき金属層とコンタクトするコンタクト抵抗を測定
すべき金属電極（例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を
測定すべき金属電極１７）と、前記第三のコンタクト・
ホールを介して前記抵抗率が低い金属層とコンタクトす
る電流の流出側金属電極（例えばＡｌからなる電流の流
出側金属電極１８）とを備えてなることを特徴とする
か、或いは、
【００１０】（２）前記（１）に於いて、基板上に第一
の絶縁膜を介して形成された抵抗率が低い金属層の一部
が第二の絶縁膜に形成された第一のコンタクト・ホール
内を埋めて表面が同一面をなすように突出（例えば突出
部分１３Ａ）してなることを特徴とする。
の絶縁膜を介して形成された抵抗率が低い金属層の一部
が第二の絶縁膜に形成された第一のコンタクト・ホール
内を埋めて表面が同一面をなすように突出（例えば突出
部分１３Ａ）してなることを特徴とする。
【００１１】
【作用】前記手段を採ることに依り、金属電極１７と金
属層１５とのコンタクト界面、並びに、金属層１５と低
抵抗金属層１３とのコンタクト界面に於ける電位は分布
を生ずることなく一定値でフラットになり、それら界面
及び金属層１５を流れる電流は方向を変えることなく、
均一な分布でながれる。従って、測定対象となるコンタ
クト・ホール１６Ａに於けるコンタクト界面の電流密度
は一様であって、高い精度で正確にコンタクト抵抗の値
を評価することができ、電極・配線コンタクト部分の微
細化、延いては、半導体素子の微細化に大きく貢献する
ことができる。
属層１５とのコンタクト界面、並びに、金属層１５と低
抵抗金属層１３とのコンタクト界面に於ける電位は分布
を生ずることなく一定値でフラットになり、それら界面
及び金属層１５を流れる電流は方向を変えることなく、
均一な分布でながれる。従って、測定対象となるコンタ
クト・ホール１６Ａに於けるコンタクト界面の電流密度
は一様であって、高い精度で正確にコンタクト抵抗の値
を評価することができ、電極・配線コンタクト部分の微
細化、延いては、半導体素子の微細化に大きく貢献する
ことができる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明実施例を解説する為のコンタク
ト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面図である。図に
於いて、１１は例えばｎ型であるシリコン半導体基板、
１２はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、１３は例えばＷＳｉ2
からなる低抵抗金属層、１４はＳｉＯ2 からなる絶縁
膜、１４Ａはコンタクト・ホール、１５は例えば多結晶
シリコンからなるコンタクト抵抗を測定すべき金属層、
１５Ａはコンタクト抵抗を測定すべき界面、１６はＳｉ
Ｏ2 からなる絶縁膜、１６Ａはコンタクト・ホール、１
７は例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を測定すべき金
属電極、１８は例えばＡｌからなる電流の流出側金属電
極、１９は金属層１５の電圧測定用金属電極をそれぞれ
示している。尚、シリコン半導体基板１１の導電型はｐ
型であっても良い。
ト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面図である。図に
於いて、１１は例えばｎ型であるシリコン半導体基板、
１２はＳｉＯ2 からなる絶縁膜、１３は例えばＷＳｉ2
からなる低抵抗金属層、１４はＳｉＯ2 からなる絶縁
膜、１４Ａはコンタクト・ホール、１５は例えば多結晶
シリコンからなるコンタクト抵抗を測定すべき金属層、
１５Ａはコンタクト抵抗を測定すべき界面、１６はＳｉ
Ｏ2 からなる絶縁膜、１６Ａはコンタクト・ホール、１
７は例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を測定すべき金
属電極、１８は例えばＡｌからなる電流の流出側金属電
極、１９は金属層１５の電圧測定用金属電極をそれぞれ
示している。尚、シリコン半導体基板１１の導電型はｐ
型であっても良い。
【００１３】本実施例に於いては、金属層１５と金属電
極１７とをコンタクトさせる為のコンタクト・ホール１
６Ａの直下に低抵抗金属層１３に電流を流出させる為の
コンタクト・ホール１４Ａが形成されている。従って、
金属電極１７に流し込まれた電流は、界面１５Ａと直交
して流れ、且つ、そのまま真下に流れ、コンタクト・ホ
ール１４Ａを介して低抵抗金属層１３に流入する。
極１７とをコンタクトさせる為のコンタクト・ホール１
６Ａの直下に低抵抗金属層１３に電流を流出させる為の
コンタクト・ホール１４Ａが形成されている。従って、
金属電極１７に流し込まれた電流は、界面１５Ａと直交
して流れ、且つ、そのまま真下に流れ、コンタクト・ホ
ール１４Ａを介して低抵抗金属層１３に流入する。
【００１４】このようなことから、界面１５Ａから金属
層１５を介してコンタクト・ホール１４Ａに流れる電流
の密度には分布を生ずることなく、付記した線図に見ら
れるように、略、平坦化される。従って、コンタクト抵
抗は高い精度で正確に測定することが可能である。
層１５を介してコンタクト・ホール１４Ａに流れる電流
の密度には分布を生ずることなく、付記した線図に見ら
れるように、略、平坦化される。従って、コンタクト抵
抗は高い精度で正確に測定することが可能である。
【００１５】図示例に於いては、低抵抗金属層１３にＷ
Ｓｉ2 を用いたが、これは、例えばＴａＳｉ2 など高耐
熱性金属からなる層に代替することができ、また、多結
晶シリコンからなる金属層１５やＡｌからなる金属電極
１７は、コンタクト抵抗を測定することが必要な材料に
適宜変更することは云うまでもない。図２乃至図７は図
１に見られる実施例を製造する工程を解説する為の工程
要所に於ける測定用装置の要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１に於い
て用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味
を持つものとする。
Ｓｉ2 を用いたが、これは、例えばＴａＳｉ2 など高耐
熱性金属からなる層に代替することができ、また、多結
晶シリコンからなる金属層１５やＡｌからなる金属電極
１７は、コンタクト抵抗を測定することが必要な材料に
適宜変更することは云うまでもない。図２乃至図７は図
１に見られる実施例を製造する工程を解説する為の工程
要所に於ける測定用装置の要部切断側面図であり、以
下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、図１に於い
て用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味
を持つものとする。
【００１６】図２参照 ２−（１） 化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、ｎ
型シリコン半導体基板１１上に厚さ例えば５０〔ｎｍ〕
のＳｉＯ2 からなる絶縁膜１２を形成する。 ２−（２） 同じくＣＶＤ法を適用することに依り、絶縁膜１２上に
厚さ例えば０．３８〔μｍ〕のＷＳｉ2 からなる低抵抗
金属層１３を形成する。
ｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用することに依り、ｎ
型シリコン半導体基板１１上に厚さ例えば５０〔ｎｍ〕
のＳｉＯ2 からなる絶縁膜１２を形成する。 ２−（２） 同じくＣＶＤ法を適用することに依り、絶縁膜１２上に
厚さ例えば０．３８〔μｍ〕のＷＳｉ2 からなる低抵抗
金属層１３を形成する。
【００１７】図３参照 ３−（１） ＣＶＤ法を適用することに依り、厚さ例えば５０〔ｎ
ｍ〕のＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４を形成する。 ３−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＣｌ4 とする反応性イオン・エッ
チング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：
ＲＩＥ）法を適用することに依り、絶縁膜１４の選択的
エッチングを行ってコンタクト・ホール１４Ａを形成す
る。
ｍ〕のＳｉＯ2 からなる絶縁膜１４を形成する。 ３−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＣｌ4 とする反応性イオン・エッ
チング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：
ＲＩＥ）法を適用することに依り、絶縁膜１４の選択的
エッチングを行ってコンタクト・ホール１４Ａを形成す
る。
【００１８】図４参照 ４−（１） ＣＶＤ法を適用することに依り、厚さ例えば０．３８
〔μｍ〕のｎ+ −多結晶シリコンからなるコンタクト抵
抗を測定すべき金属層１５を形成する。 ４−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントを（ＨＮＯ3 ＋ＨＦ）ベースのシリコン・
エッチング液とするウエット・エッチング法を適用する
ことに依り、金属層１５のパターニングを行う。
〔μｍ〕のｎ+ −多結晶シリコンからなるコンタクト抵
抗を測定すべき金属層１５を形成する。 ４−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチャントを（ＨＮＯ3 ＋ＨＦ）ベースのシリコン・
エッチング液とするウエット・エッチング法を適用する
ことに依り、金属層１５のパターニングを行う。
【００１９】図５参照 ５−（１） ＣＶＤ法を適用することに依り、金属層１５上での厚さ
が０．１〔μｍ〕であるＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６を
形成する。
が０．１〔μｍ〕であるＳｉＯ2 からなる絶縁膜１６を
形成する。
【００２０】図６参照 ６−（１） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスをＣＣｌ4 とするＲＩＥ法とエッチャ
ントをフッ化水素酸とするウエット・エッチング法を併
用することに依り、絶縁膜１６の選択的エッチングを行
ってコンタクト・ホール１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを形成
する。尚、コンタクト・ホール１６Ｂは電流の流出側金
属電極１８を形成する為のものであり、また、コンタク
ト・ホール１６Ｃは電圧測定用金属電極１９を形成する
為のものであることは云うまでもない。
エッチング・ガスをＣＣｌ4 とするＲＩＥ法とエッチャ
ントをフッ化水素酸とするウエット・エッチング法を併
用することに依り、絶縁膜１６の選択的エッチングを行
ってコンタクト・ホール１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを形成
する。尚、コンタクト・ホール１６Ｂは電流の流出側金
属電極１８を形成する為のものであり、また、コンタク
ト・ホール１６Ｃは電圧測定用金属電極１９を形成する
為のものであることは云うまでもない。
【００２１】ここで、コンタクト・ホール１６Ａは、さ
きに絶縁膜１４に形成したコンタクト・ホール１４Ａと
位置合わせし、その直上に形成しなければならない。ま
た、ＲＩＥ法とウエット・エッチング法を併用する理由
は、ＲＩＥ法をエッチングの最終段階まで適用し、金属
層１５の表面をイオンで叩いてダメージを与えることに
起因する問題を回避する為である。
きに絶縁膜１４に形成したコンタクト・ホール１４Ａと
位置合わせし、その直上に形成しなければならない。ま
た、ＲＩＥ法とウエット・エッチング法を併用する理由
は、ＲＩＥ法をエッチングの最終段階まで適用し、金属
層１５の表面をイオンで叩いてダメージを与えることに
起因する問題を回避する為である。
【００２２】図７参照 ７−（１） ＣＶＤ法を適用することに依って、厚さ例えば０．６
〔μｍ〕のＡｌ膜を形成する。
〔μｍ〕のＡｌ膜を形成する。
【００２３】７−（２） リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、
エッチング・ガスを例えばＣＣｌ4 系ガスとするＲＩＥ
法を適用することに依り、工程７−（１）で形成したＡ
ｌ膜のパターニングを行って、コンタクト抵抗を測定す
べき金属電極１７、電流の流出側金属電極１８、電圧測
定用金属電極１９をそれぞれ形成する。このようにして
得られるコンタクト抵抗の測定用装置は、前記説明した
工程からも明らかなように、通常の集積回路装置の製造
工程を利用して作成することができ、従って、集積回路
装置と同じウエハに搭載することは容易である。
エッチング・ガスを例えばＣＣｌ4 系ガスとするＲＩＥ
法を適用することに依り、工程７−（１）で形成したＡ
ｌ膜のパターニングを行って、コンタクト抵抗を測定す
べき金属電極１７、電流の流出側金属電極１８、電圧測
定用金属電極１９をそれぞれ形成する。このようにして
得られるコンタクト抵抗の測定用装置は、前記説明した
工程からも明らかなように、通常の集積回路装置の製造
工程を利用して作成することができ、従って、集積回路
装置と同じウエハに搭載することは容易である。
【００２４】図８は本発明に於ける他の実施例を解説す
る為のコンタクト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面
図であり、図１乃至図７に於いて用いた記号と同記号は
同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。図８
に見られる実施例が図１に見られる実施例と相違すると
ころは、低抵抗金属層１３がコンタクト・ホール１４Ａ
を埋める突出部分１３Ａをもち、その表面が絶縁膜１４
の表面と同一面をなしていることである。
る為のコンタクト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面
図であり、図１乃至図７に於いて用いた記号と同記号は
同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。図８
に見られる実施例が図１に見られる実施例と相違すると
ころは、低抵抗金属層１３がコンタクト・ホール１４Ａ
を埋める突出部分１３Ａをもち、その表面が絶縁膜１４
の表面と同一面をなしていることである。
【００２５】図８に見られる構造のコンタクト抵抗の測
定用装置を製造することは極めて容易であり、例えば、
低抵抗金属層１３をリソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、及び、エッチング・ガスを例えばＣＣｌ4
系ガスとするＲＩＥ法を適用することに依り、突出部分
１３Ａが残るように周辺全域をエッチングすることで除
去し、次いで、全面を覆うように絶縁膜１４を形成して
からエッチ・バックを行って突出部分１３Ａの頂面が表
出された段階で停止し、その後は、図２乃至図７につい
て説明した工程と同じ工程を採って完成させれば良い。
本実施例も図１について説明した実施例と同じ効果を奏
することは云うまでもない。
定用装置を製造することは極めて容易であり、例えば、
低抵抗金属層１３をリソグラフィ技術に於けるレジスト
・プロセス、及び、エッチング・ガスを例えばＣＣｌ4
系ガスとするＲＩＥ法を適用することに依り、突出部分
１３Ａが残るように周辺全域をエッチングすることで除
去し、次いで、全面を覆うように絶縁膜１４を形成して
からエッチ・バックを行って突出部分１３Ａの頂面が表
出された段階で停止し、その後は、図２乃至図７につい
て説明した工程と同じ工程を採って完成させれば良い。
本実施例も図１について説明した実施例と同じ効果を奏
することは云うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】本発明に依るコンタクト抵抗の測定用装
置では、低抵抗金属層１３及びその上に形成されるコン
タクト・ホール１４Ａを有する絶縁膜１４と、絶縁膜１
４上に形成され且つコンタクト・ホール１４Ａを介して
低抵抗金属層１３とコンタクトする金属層１５と、金属
層１５を覆い且つコンタクト・ホール１４Ａの直上に位
置するコンタクト・ホール１６Ａ及び最終的に絶縁膜１
４を貫通した場合に低抵抗金属層１３の一部表面が露出
するコンタクト・ホール１６Ｂをもつ絶縁膜１６と、コ
ンタクト・ホール１６Ａを介して金属層１５とコンタク
トする金属電極１７と、コンタクト・ホール１６Ｂを介
して低抵抗金属層１３とコンタクトする電流の流出側金
属電極１８とを備えている。
置では、低抵抗金属層１３及びその上に形成されるコン
タクト・ホール１４Ａを有する絶縁膜１４と、絶縁膜１
４上に形成され且つコンタクト・ホール１４Ａを介して
低抵抗金属層１３とコンタクトする金属層１５と、金属
層１５を覆い且つコンタクト・ホール１４Ａの直上に位
置するコンタクト・ホール１６Ａ及び最終的に絶縁膜１
４を貫通した場合に低抵抗金属層１３の一部表面が露出
するコンタクト・ホール１６Ｂをもつ絶縁膜１６と、コ
ンタクト・ホール１６Ａを介して金属層１５とコンタク
トする金属電極１７と、コンタクト・ホール１６Ｂを介
して低抵抗金属層１３とコンタクトする電流の流出側金
属電極１８とを備えている。
【００２７】前記構成を採ることに依り、金属電極１７
と金属層１５とのコンタクト界面、並びに、金属層１５
と低抵抗金属層１３とのコンタクト界面に於ける電位は
分布を生ずることなく一定値でフラットになり、それら
界面及び金属層１５を流れる電流は方向を変えることな
く、均一な分布でながれる。従って、測定対象となるコ
ンタクト・ホール１６Ａに於けるコンタクト界面の電流
密度は一様であって、高い精度で正確にコンタクト抵抗
の値を評価することができ、電極・配線コンタクト部分
の微細化、延いては、半導体素子の微細化に大きく貢献
することができる。
と金属層１５とのコンタクト界面、並びに、金属層１５
と低抵抗金属層１３とのコンタクト界面に於ける電位は
分布を生ずることなく一定値でフラットになり、それら
界面及び金属層１５を流れる電流は方向を変えることな
く、均一な分布でながれる。従って、測定対象となるコ
ンタクト・ホール１６Ａに於けるコンタクト界面の電流
密度は一様であって、高い精度で正確にコンタクト抵抗
の値を評価することができ、電極・配線コンタクト部分
の微細化、延いては、半導体素子の微細化に大きく貢献
することができる。
【図１】本発明一実施例を解説する為のコンタクト抵抗
の測定用装置を表す要部切断側面図である。
の測定用装置を表す要部切断側面図である。
【図２】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図３】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図４】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図５】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図６】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図７】図１に見られる実施例を製造する工程を解説す
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
る為の工程要所に於ける測定用装置の要部切断側面図で
ある。
【図８】本発明に於ける他の実施例を解説する為のコン
タクト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面図である。
タクト抵抗の測定用装置を表す要部切断側面図である。
【図９】従来から用いられてきたコンタクト抵抗の測定
用装置を解説する為の要部切断側面図である。
用装置を解説する為の要部切断側面図である。
１１ 例えばｎ型であるシリコン半導体基板 １２ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 １３ 例えばＷＳｉ2 からなる低抵抗金属層 １４ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 １４Ａ コンタクト・ホール １５ 例えば多結晶シリコンからなるコンタクト抵抗を
測定すべき金属層 １５Ａ コンタクト抵抗を測定すべき界面 １６ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 １６Ａ コンタクト・ホール １７ 例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を測定すべき
金属電極 １８ 例えばＡｌからなる電流の流出側金属電極 １９ 金属層１５の電圧測定用金属電極
測定すべき金属層 １５Ａ コンタクト抵抗を測定すべき界面 １６ ＳｉＯ2 からなる絶縁膜 １６Ａ コンタクト・ホール １７ 例えばＡｌからなるコンタクト抵抗を測定すべき
金属電極 １８ 例えばＡｌからなる電流の流出側金属電極 １９ 金属層１５の電圧測定用金属電極
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に第一の絶縁膜を介して形成された
抵抗率が低い金属層及びその抵抗率が低い金属層上に形
成され第一のコンタクト・ホールを有する第二の絶縁膜
と、 前記第二の絶縁膜上に形成され且つ前記第一のコンタク
ト・ホールを介して前記抵抗率が低い金属層とコンタク
トするコンタクト抵抗を測定すべき金属層と、 前記コンタクト抵抗を測定すべき金属層を覆い且つ前記
第一のコンタクト・ホールの直上に位置する第二コンタ
クト・ホール及び最終的に前記第二の絶縁膜を貫通した
場合に前記抵抗率が低い金属層の一部表面が露出する第
三のコンタクト・ホールをもつ第三の絶縁膜と、 前記第二のコンタクト・ホールを介して前記コンタクト
抵抗を測定すべき金属層とコンタクトするコンタクト抵
抗を測定すべき金属電極と、 前記第三のコンタクト・ホールを介して前記抵抗率が低
い金属層とコンタクトする電流の流出側金属電極とを備
えてなることを特徴とするコンタクト抵抗の測定用装
置。 - 【請求項２】基板上に第一の絶縁膜を介して形成された
抵抗率が低い金属層の一部が第二の絶縁膜に形成された
第一のコンタクト・ホール内を埋めて表面が同一面をな
すように突出してなることを特徴とする請求項１記載の
コンタクト抵抗の測定用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15040692A JPH05340978A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | コンタクト抵抗の測定用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15040692A JPH05340978A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | コンタクト抵抗の測定用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05340978A true JPH05340978A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15496270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15040692A Withdrawn JPH05340978A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | コンタクト抵抗の測定用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05340978A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106771726A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 测试组件及其监控显示面板电性特性的方法、显示面板 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP15040692A patent/JPH05340978A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106771726A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 测试组件及其监控显示面板电性特性的方法、显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5194402A (en) | Method of producing microsensors with integrated signal processing | |
| JPH03502966A (ja) | シリコンを基にした質量空気流センサーとその製造方法 | |
| KR100544772B1 (ko) | 감열식 유량 검출 소자 및 그 제조 방법 | |
| WO1981000646A1 (en) | Device manufacture involving pattern delineation in thin layers | |
| KR100421177B1 (ko) | 전기도금을 이용한 초소형 열유속 센서 및 그 제조방법 | |
| JPH05340978A (ja) | コンタクト抵抗の測定用装置 | |
| US20020022282A1 (en) | Method for measurement of electromigration in semiconductor integrated circuits | |
| JPS63292071A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| CN117096136B (zh) | 晶体管的栅极电阻测量结构及晶体管的制备方法 | |
| JP2006040917A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR950003221B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| JP3496807B2 (ja) | サーモパイルの作製方法及びその構造 | |
| JPH1062242A (ja) | 赤外線検出素子とその製造方法 | |
| JPH01208831A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05175428A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2825071B2 (ja) | 半導体センサの製造方法 | |
| JPH022662A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3065022B2 (ja) | エッチングモニタパターン及びモニタ方法 | |
| JP3164040B2 (ja) | ポリシリコン抵抗素子の製造方法 | |
| JP2001074531A (ja) | 流量検出装置及びその製造方法 | |
| KR100244794B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPH05218212A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10221144A (ja) | マイクロヒータ及びその製造方法 | |
| JPH0729711A (ja) | 抵抗の形成方法 | |
| JPH0269934A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |