JPH0729711A - 抵抗の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大きな電流容量を有し且つ高い精度を有する
抵抗を容易に形成することができる方法を提供する。 【構成】 抵抗膜１４の上に所定の長さＬを有する絶縁
性薄膜１５を形成する。絶縁性薄膜１５の上に分離領域
が生じるように第１及び第２の電極１８、１９を形成す
る。第１及び第２の電極１８、１９を絶縁性薄膜１５の
両側において抵抗膜１４に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板にポリシリ
コン（多結晶シリコン）等から成る抵抗を形成する際に
使用することができる抵抗の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板上にポリシリコン等か
ら成る抵抗を形成する場合には、まず図３（Ａ）に示す
ように、シリコン半導体基板１の上面に熱酸化により厚
み１μｍ程度のシリコン酸化膜２を形成する。次に、図
３（Ｂ）に示すように、このシリコン酸化膜２の上面に
ＣＶＤ（化学的気相成長法）によって厚み１μｍ程度の
ポリシリコン膜を形成し、これに高濃度にリンをドープ
して所望の形状にエッチングを施すことで抵抗膜３を形
成する。次に、図３（Ｃ）に示すように、シリコン酸化
膜２及び抵抗膜３の上面に真空蒸着によってアルミニウ
ム膜４を形成する。次に、図３（Ｄ）に示すように、こ
のアルミニウム膜４にエッチングを施して抵抗膜３の両
端側に接続され互いに離間した第１及び第２のアルミニ
ウム電極５、６を形成する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この種の抵抗の抵抗値
はその厚み、幅、長さ、抵抗率によって決定される。こ
のため、高精度な抵抗を得るためには電極５、６間の距
離即ち開口幅Ｌを精度良く設定する必要がある。ところ
で、比較的大きな電流容量が要求される場合には、電極
５、６の厚みが５μｍ〜１６μｍ必要である。金属電極
を液体のエッチング液によって加工する場合、その加工
精度はその厚みに比例して低下するから、このように電
極の厚みが大きいと、その幅Ｌを高精度に設けることは
その厚み、幅、抵抗率を所望に得ることに比べて困難で
ある。

【０００４】そこで、本発明は抵抗値の精度の向上を容
易に達成することができる抵抗の形成方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、実施例を示す図面の符号を参照して説明す
ると、絶縁体の上に抵抗膜１４を形成する工程と、前記
抵抗膜の上に第１の厚さの絶縁性薄膜を形成する工程
と、前記抵抗膜１４の所定領域を前記絶縁性薄膜によっ
て覆うが、前記所定領域の両側に前記抵抗膜１４を露出
させるように前記絶縁性薄膜を選択的にエッチングして
所定パターンの絶縁性薄膜１５を形成する工程と、前記
抵抗膜１４と前記所定パターンの絶縁性薄膜１５を覆う
ように前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する導
電体膜１６を形成する工程と、前記所定パターンの絶縁
性薄膜１５の上にその分離領域が生じるように前記導電
体膜１６を選択的にエッチングして前記抵抗膜１４に接
続された第１及び第２の電極１８、１９を形成する工程
とを備えた抵抗の形成方法に係わるものである。

【０００６】

【発明の作用及び効果】本発明においては、第１及び第
２の電極１８、１９の端部の下に絶縁性薄膜１５が存在
するので、第１及び第２の電極１８、１９の対向間隔は
第１及び第２の電極１８、１９間の抵抗値に無関係にな
り、所定パターンの絶縁性薄膜１５の両端間の長さＬが
抵抗値の決定に関係する。絶縁性薄膜１５は第１及び第
２の電極１８、１９よりも薄く形成されるので、絶縁性
薄膜１５のエッチングによるパターンの寸法誤差は第１
及び第２の電極１８、１９のそれよりも小さい。従っ
て、第１及び第２の電極１８、１９間の抵抗値の精度を
高めることができる。また、第１及び第２の電極１８、
１９を厚くすることが可能になるので、この電流容量の
増大を図ることができる。

【０００７】

【実施例】次に、図１及び図２を参照して本発明の実施
例に係わる半導体装置における抵抗の形成方法を説明す
る。

【０００８】まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン
半導体基板１１の上面に熱酸化によって厚み１μｍ程度
のシリコン酸化膜１２を形成し、更にこの上面に厚さ１
０００オングストローム程度のシリコン窒化膜１３をコ
ーティングした。このシリコン窒化膜１３は、後述の絶
縁性薄膜のエッチング加工時における下地のシリコン酸
化膜１２のエッチングを防ぐために設けられている。

【０００９】次に、図１（Ｂ）に示すように、従来例と
同様にシリコン窒化膜１３の上面にＣＶＤによって厚み
１μｍ程度のポリシリコン膜を形成し、これにリンを高
濃度に且つ高精度にドープして所望の比抵抗を有するポ
リシリコン膜を形成し、これにエッチングを施して抵抗
膜１４を形成した。

【００１０】次に、この抵抗膜１４及びシリコン窒化膜
１３の上面にＣＶＤによってＰＳＧ膜（リンドープドシ
リケートガラス膜）を形成し、フッ酸系エッチング液に
よるエッチングを施して、図１（Ｃ）に示すように抵抗
膜１４の上面に選択的にこれを残存させて厚さ１μｍ程
度の絶縁性薄膜１５を形成した。前述のように、シリコ
ン酸化膜１２の上面にはフッ酸系エッチング液に対する
耐エッチング性が大きいシリコン窒化膜１３が形成され
ているので、シリコン酸化膜１２がエッチングされるこ
とはない。またＰＳＧ膜は厚さが１μｍ程度の第１の厚
さＴ1 を有する薄い膜であるから、液体のエッチング液
を使用したウェットエッチングによる長さＬの加工精度
は、これよりも厚い図２（Ｃ）のアルミニウム膜４の加
工精度よりも十分に高い。

【００１１】次に、図１（Ｄ）に示すように、絶縁性薄
膜１５、抵抗膜１４及びシリコン窒化膜１３の上面に真
空蒸着によってアルミニウム膜１６を形成した。アルミ
ニウム膜１６は電流容量が大きく取れるように５μｍ〜
１６μｍの第２の厚さＴ2 を有する。この第２の厚さＴ
2 は図１（Ｃ）の絶縁性薄膜１５の第１の厚さＴ1 より
も大きい。

【００１２】次に、図１（Ｅ）及び図２に示すように、
アルミニウム膜１６にエッチングを施して、絶縁性薄膜
１５の上面に対応されて開口１７を設けて互いに分断さ
れた第１及び第２の電極１８、１９を形成した。第１の
電極１８は絶縁性薄膜１５から露出した抵抗膜１４の一
方の端部側に接続されて抵抗膜１４の一方の取出し電極
として機能する。また、第２の電極１９は絶縁性薄膜１
５から露出した抵抗膜１４の他方の端部側に接続されて
抵抗膜１４の他方の取出し電極として機能する。ここ
で、抵抗体として動作する抵抗膜１４の長さは絶縁性薄
膜１５に長さＬによって決定されるので、開口１７は絶
縁性薄膜１５の上方に位置すれば良く、その開口幅が高
精度に定められる必要はない。

【００１３】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 絶縁性薄膜１５を第１及び第２の電極１８、１
９間において分断するようにパターンに形成してもよ
い。 （２） 絶縁性薄膜１５に一対の開口を形成し、ここを
通して第１及び第２の電極１８、１９を抵抗膜１４に接
続することができる。 （３） 半導体基板上以外の領域に抵抗を形成する場合
にも適用可能である。 （４） 絶縁性薄膜１５の幅は抵抗膜１４の幅以上であ
ることが望ましいが、両者が実質的に同一と見なせる範
囲であれば、絶縁性薄膜１５の幅を抵抗膜１４の幅より
も幾らか小さくしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係わる抵抗の形成方法を工程
順に説明するための断面図である。

【図２】図１（Ｅ）の平面パターンを示す平面図であ
る。

【図３】従来の抵抗の形成方法を工程順に説明するため
の断面図である。

【符号の説明】

１４ 抵抗膜 １５ 絶縁性薄膜 １８、１９ 第１及び第２の電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体の上に抵抗膜（１４）を形成する
   工程と、 前記抵抗膜の上に第１の厚さの絶縁性薄膜を形成する工
   程と、 前記抵抗膜（１４）の所定領域を前記絶縁性薄膜によっ
   て覆うが、前記所定領域の両側に前記抵抗膜（１４）を
   露出させるように前記絶縁性薄膜を選択的にエッチング
   して所定パターンの絶縁性薄膜（１５）を形成する工程
   と、 前記抵抗膜（１４）と前記所定パターンの絶縁性薄膜
   （１５）を覆うように前記第１の厚さよりも厚い第２の
   厚さを有する導電体膜（１６）を形成する工程と、 前記所定パターンの絶縁性薄膜（１５）の上にその分離
   領域が生じるように前記導電体膜（１６）を選択的にエ
   ッチングして前記抵抗膜（１４）に接続された第１及び
   第２の電極（１８）（１９）を形成する工程とを備えた
   抵抗の形成方法。