JP2867384B2 - ホトレジスト層パターン測定方法 - Google Patents
ホトレジスト層パターン測定方法Info
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- JP2867384B2 JP2867384B2 JP15609988A JP15609988A JP2867384B2 JP 2867384 B2 JP2867384 B2 JP 2867384B2 JP 15609988 A JP15609988 A JP 15609988A JP 15609988 A JP15609988 A JP 15609988A JP 2867384 B2 JP2867384 B2 JP 2867384B2
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- Japan
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- photoresist layer
- pattern
- layer pattern
- dimension
- measuring
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトレジスト層パターン測定方法に関する。
最近の半導体パターンの微細化に伴い、ホトレジスト
層パターン寸法の測定確度がますます重要になってき
た。
層パターン寸法の測定確度がますます重要になってき
た。
第２図は従来のホトレジスト層パターン測定方法の一
例を説明するための半導体チップの平面図である。
例を説明するための半導体チップの平面図である。
従来、この種のホトレジスト層パターン測定は、半導
体基板1b上に形成されたホトレジスト寸法測定用パター
ン４にレーザビームを上下に走査し、パターン４の横幅
Ｄのエッジを検出してその寸法を測定する方法となって
いた。
体基板1b上に形成されたホトレジスト寸法測定用パター
ン４にレーザビームを上下に走査し、パターン４の横幅
Ｄのエッジを検出してその寸法を測定する方法となって
いた。
また、走査型電子顕微鏡を用いホトレジスト寸法測定
用パターン４の像を観察し、それよりパターン４の横幅
Ｄの寸法を換算する方法となっていた。
用パターン４の像を観察し、それよりパターン４の横幅
Ｄの寸法を換算する方法となっていた。
上述した従来のホトレジスト層パターン測定方法は、
光学的にホトレジスト寸法測定用パターンのエッジを上
面から検出するため、検出されるエッジは第２図のＡ−
Ａ′線断面の形状に大きく依存し、特にこの断面の側線
形状が垂直でない場合には、そのエッジ像が太線となっ
てぼけるのでその寸法の値は著しく不正確なものとなっ
た。
光学的にホトレジスト寸法測定用パターンのエッジを上
面から検出するため、検出されるエッジは第２図のＡ−
Ａ′線断面の形状に大きく依存し、特にこの断面の側線
形状が垂直でない場合には、そのエッジ像が太線となっ
てぼけるのでその寸法の値は著しく不正確なものとなっ
た。
また、走査型電子顕微鏡を用いてホトレジスト寸法測
定用パターンの像を観察し、それよりパターンの寸法を
換算する方法は、その操作が複雑で非常に時間がかかる
という欠点があった。
定用パターンの像を観察し、それよりパターンの寸法を
換算する方法は、その操作が複雑で非常に時間がかかる
という欠点があった。
特に、半導体の微細パターン形成に対しては、パター
ンの寸法値を正確に測定できず、適切な寸法管理ができ
ないというのは致命的な問題であった。
ンの寸法値を正確に測定できず、適切な寸法管理ができ
ないというのは致命的な問題であった。
本発明の目的は、ホトレジスト層パターンの正確な寸
法が得られるホトレジスト層パターン測定方法を提供す
ることにある。
法が得られるホトレジスト層パターン測定方法を提供す
ることにある。
本発明の特徴は、半導体基板の表面にホトレジストを
塗布した後、所定の設計パターンを描いたマスクまたは
レチクルを通して露光した後に現像して形成されたホト
レジスト層パターン測定方法において、あらかじめ半導
体基板上に第１及び第２の測定電極用低抵抗パターンを
形成し、しかる後、両端部分がそれぞれ前記第１及び第
２の測定電極用低抵抗パターンと重なり、前記両端部分
に接続する中央部の箇所が前記第１及び第２の測定電極
用低抵抗パターンと重なっていない導電性の材料のホト
レジスト層パターンを形成し、前記第１及び第２の測定
電極用低抵抗パターン間の電気抵抗を測定することによ
り、前記ホトレジスト層パターンの前記重なっていない
箇所のパターン寸法を算出するホトレジスト層パターン
測定方法にある。
塗布した後、所定の設計パターンを描いたマスクまたは
レチクルを通して露光した後に現像して形成されたホト
レジスト層パターン測定方法において、あらかじめ半導
体基板上に第１及び第２の測定電極用低抵抗パターンを
形成し、しかる後、両端部分がそれぞれ前記第１及び第
２の測定電極用低抵抗パターンと重なり、前記両端部分
に接続する中央部の箇所が前記第１及び第２の測定電極
用低抵抗パターンと重なっていない導電性の材料のホト
レジスト層パターンを形成し、前記第１及び第２の測定
電極用低抵抗パターン間の電気抵抗を測定することによ
り、前記ホトレジスト層パターンの前記重なっていない
箇所のパターン寸法を算出するホトレジスト層パターン
測定方法にある。
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説
明する。
明する。
第１図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）は本発明の実施例を
説明するための半導体チップの平面図、Ａ−Ａ′線断面
図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
説明するための半導体チップの平面図、Ａ−Ａ′線断面
図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
半導体基板１の上には、あらかじめ蝕刻された測定電
極用の低抵抗パターン２と新たに形成された導電性ホト
レジスト寸法測定パターン３とが配置されている。
極用の低抵抗パターン２と新たに形成された導電性ホト
レジスト寸法測定パターン３とが配置されている。
ホトレジスト寸法測定用パターン３の細長部の電気抵
抗はその体積に比例して変化するため、ホトレジスト層
パターンの高さ、すなわち膜厚を一定にして二つの低抵
抗パターン2aと2b間の電気抵抗をデジタル抵抗計を用い
て測定し、あらかじめ求めた基準値からの電気抵抗値と
の差を求め、それよりホトレジスト寸法測定用パターン
３の寸法ｄを算出できる。
抗はその体積に比例して変化するため、ホトレジスト層
パターンの高さ、すなわち膜厚を一定にして二つの低抵
抗パターン2aと2b間の電気抵抗をデジタル抵抗計を用い
て測定し、あらかじめ求めた基準値からの電気抵抗値と
の差を求め、それよりホトレジスト寸法測定用パターン
３の寸法ｄを算出できる。
上述の方法により、ホトレジスト寸法測定用パターン
３の寸法を測定した場合、細長部のＢ−Ｂ′線断面形状
が方形であるか否かに依存せず、寸法ｄの値を正確に測
定できる。
３の寸法を測定した場合、細長部のＢ−Ｂ′線断面形状
が方形であるか否かに依存せず、寸法ｄの値を正確に測
定できる。
また、走査型電子顕微鏡を用いホトレジスト層パター
ンの像を観察し、それよりホトレジスト層パターンの寸
法を換算する方法に比べて、短時間で寸法測定をすると
ができる。
ンの像を観察し、それよりホトレジスト層パターンの寸
法を換算する方法に比べて、短時間で寸法測定をすると
ができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に形成さ
れたホトレジスト寸法測定用パターンの電気抵抗を測定
することによって寸法を測定するため、パターン形状に
依存せず寸法の値は正確なものとなる。
れたホトレジスト寸法測定用パターンの電気抵抗を測定
することによって寸法を測定するため、パターン形状に
依存せず寸法の値は正確なものとなる。
また、走査型電子顕微鏡を用いホトレジスト層パター
ンの像を観察し、それよりホトレジスト層パターンの寸
法を換算する方法に比べてその走査が簡便で、短時間で
寸法測定をすることができる効果がある。
ンの像を観察し、それよりホトレジスト層パターンの寸
法を換算する方法に比べてその走査が簡便で、短時間で
寸法測定をすることができる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は本発明の実施例を説
明するための半導体チップの平面図、Ａ−Ａ′線断面図
及びＢ−Ｂ′線断面図、第２図は従来のホトレジスト層
パターン測定方法の一例を説明するための半導体チップ
の平面図である。 1,1a……半導体基板、2a〜2c……低抵抗パターン、３…
…導電性ホトレジスト寸法測定用パターン。
明するための半導体チップの平面図、Ａ−Ａ′線断面図
及びＢ−Ｂ′線断面図、第２図は従来のホトレジスト層
パターン測定方法の一例を説明するための半導体チップ
の平面図である。 1,1a……半導体基板、2a〜2c……低抵抗パターン、３…
…導電性ホトレジスト寸法測定用パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の表面にホトレジストを塗布し
た後、所定の設計パターンを描いたマスクまたはレチク
ルを通して露光した後に現像して形成されたホトレジス
ト層パターン測定方法において、あらかじめ半導体基板
上に第１及び第２の測定電極用低抵抗パターンを形成
し、しかる後、両端部分がそれぞれ前記第１及び第２の
測定電極用低抵抗パターンと重なり、前記両端部分に接
続する中央部の箇所が前記第１及び第２の測定電極用低
抵抗パターンと重なっていない導電性の材料のホトレジ
スト層パターンを形成し、前記第１及び第２の測定電極
用低抵抗パターン間の電気抵抗を測定することにより、
前記ホトレジスト層パターンの前記重なっていない箇所
のパターン寸法を算出することを特徴とするホトレジス
ト層パターン測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15609988A JP2867384B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | ホトレジスト層パターン測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15609988A JP2867384B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | ホトレジスト層パターン測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025404A JPH025404A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2867384B2 true JP2867384B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=15620292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15609988A Expired - Lifetime JP2867384B2 (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | ホトレジスト層パターン測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867384B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2530080B2 (ja) * | 1992-03-14 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の評価装置およびその評価方法 |
| KR101137873B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패드전극 형성방법, 그를 이용한 액정표시소자의 제조방법,및 그 방법에 의해 제조된 액정표시소자 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217642A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ンの検出方法 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP15609988A patent/JP2867384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025404A (ja) | 1990-01-10 |
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