JPH025445A - パータン目合わせずれ測定方法 - Google Patents
パータン目合わせずれ測定方法Info
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- JPH025445A JPH025445A JP63156104A JP15610488A JPH025445A JP H025445 A JPH025445 A JP H025445A JP 63156104 A JP63156104 A JP 63156104A JP 15610488 A JP15610488 A JP 15610488A JP H025445 A JPH025445 A JP H025445A
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- Japan
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- etched
- alignment deviation
- misalignment
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン目合わせずれ測定方法に関する。
最近の集積回路の微細化に伴い、各種パターン形成精度
の向上が要望されてきた。
の向上が要望されてきた。
−ｉに半導体チップにホトレジスト層パターンを形成す
る場合に、まず、最初の１枚のパイロットウェーハでパ
ターン目合わせ（以下アライメントと云う）ずれを測定
し、その結果によりアライメントを補正して次の本ロッ
トのホトレジスト層パターン形成を行っている。
る場合に、まず、最初の１枚のパイロットウェーハでパ
ターン目合わせ（以下アライメントと云う）ずれを測定
し、その結果によりアライメントを補正して次の本ロッ
トのホトレジスト層パターン形成を行っている。
従来、この種のアライメントずれの測定は、第３図に示
すように、半導体基板１ｂの表面にあらかじめ蝕刻され
たバーニアパターン４と新たに形成されたホトレジスト
・バーニアパターン５とを重ね合わせ、光学顕微鏡を用
い目視によりアライメントずれを測定する方法となって
いた。
すように、半導体基板１ｂの表面にあらかじめ蝕刻され
たバーニアパターン４と新たに形成されたホトレジスト
・バーニアパターン５とを重ね合わせ、光学顕微鏡を用
い目視によりアライメントずれを測定する方法となって
いた。
上述した従来のパターン目合わせずれ測定方法は、目視
によりアライメントずれを測定する方法となっているた
め、測定者による読み取り誤差が大きく、また光学顕微
鏡の光軸のずれによりバーニアの読み値が異なり、正確
なアライメントずれを測定できないという欠点があった
。
によりアライメントずれを測定する方法となっているた
め、測定者による読み取り誤差が大きく、また光学顕微
鏡の光軸のずれによりバーニアの読み値が異なり、正確
なアライメントずれを測定できないという欠点があった
。
特に微細パターン形成に対しては、パターンのアライメ
ントずれを正確にかつ精度よく測定できず、本ロットへ
のマスクパターンの設定に対し直ちに適切なアライメン
ト補正ができないというのは致命的な問題があった。
ントずれを正確にかつ精度よく測定できず、本ロットへ
のマスクパターンの設定に対し直ちに適切なアライメン
ト補正ができないというのは致命的な問題があった。
本発明の目的は、測定精度のよいパターン目合わせずれ
測定方法を提供することにある。
測定方法を提供することにある。
本発明のパターン目合わせずれ測定方法は、所定の蝕刻
パターンが表面に蝕刻された半導体基板の表面にホトレ
ジストを塗布した後、所定の設計パターンを描いたマス
クまたはレチクルを通して露光した後に現像して形成さ
れたホトレジスト層のパターン目合わせずれ測定方法に
おいて、前記ホトレジストとして導電性の材料をまた前
記蝕刻パターンとして低抵抗層を用い、かつ前記蝕刻パ
ターンと前記ホトレジスト層のパターンとの重なり合っ
た領域の電気抵抗を測定して構成されている。
パターンが表面に蝕刻された半導体基板の表面にホトレ
ジストを塗布した後、所定の設計パターンを描いたマス
クまたはレチクルを通して露光した後に現像して形成さ
れたホトレジスト層のパターン目合わせずれ測定方法に
おいて、前記ホトレジストとして導電性の材料をまた前
記蝕刻パターンとして低抵抗層を用い、かつ前記蝕刻パ
ターンと前記ホトレジスト層のパターンとの重なり合っ
た領域の電気抵抗を測定して構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
である。
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
である。
半導体基板１の上に、テスト用にあらかじめ蝕刻された
低抵抗層パターン２と新たに形成された導電性ホトレジ
ストパターン３との重なり領域４を形成している。
低抵抗層パターン２と新たに形成された導電性ホトレジ
ストパターン３との重なり領域４を形成している。
その重なり領域４の面積はアライメントずれ量に対応し
て変化するため、その電気抵抗をディジタル抵抗計によ
り測定することにより、あらかじめ求めた基準値、すな
わちアライメントずれ０からの電気抵抗の差を求め、そ
れよりアライメントずれ量を精度よくかつ人為誤差なく
検出でき、直ちにパイロット結果を本ロット用マスクパ
ターン確実に適用できる。
て変化するため、その電気抵抗をディジタル抵抗計によ
り測定することにより、あらかじめ求めた基準値、すな
わちアライメントずれ０からの電気抵抗の差を求め、そ
れよりアライメントずれ量を精度よくかつ人為誤差なく
検出でき、直ちにパイロット結果を本ロット用マスクパ
ターン確実に適用できる。
第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
である。
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
である。
半導体基板１．の表面にあらかじめ蝕刻された重なり辺
に斜線を含む低抵抗層パターン２１と新たに形成された
導電性ホトレジストパターン３とが重なり領域４．の面
積が、Ｘ及びＹ方向のアライメントずれに対して大きく
変化するため、第１の実施例よりもさらに正確に精度よ
く測定をすることができる。
に斜線を含む低抵抗層パターン２１と新たに形成された
導電性ホトレジストパターン３とが重なり領域４．の面
積が、Ｘ及びＹ方向のアライメントずれに対して大きく
変化するため、第１の実施例よりもさらに正確に精度よ
く測定をすることができる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上にあらかじ
め蝕刻されたパターンと新たに形成された導電性ホトレ
ジストパターンとが重なり合った部分の電気抵抗を測定
し、そのアライメントずれを測定するため、測定者によ
る読み取り誤差はなくなり、また光学顕微鏡を用いない
ため、その光軸のずれによりバーニアの読み値が異なる
ということもなくなり、正確で精度よくアライメントず
れを測定することができ、またその測定時間を著しく短
縮することができる。
め蝕刻されたパターンと新たに形成された導電性ホトレ
ジストパターンとが重なり合った部分の電気抵抗を測定
し、そのアライメントずれを測定するため、測定者によ
る読み取り誤差はなくなり、また光学顕微鏡を用いない
ため、その光軸のずれによりバーニアの読み値が異なる
ということもなくなり、正確で精度よくアライメントず
れを測定することができ、またその測定時間を著しく短
縮することができる。
従って、正確でかつ精度よいパイロット測定結果を用い
て、本ロット用のマスクパターン設定精度が向上し、品
質のよい半導体装置が得られる効果がある。
て、本ロット用のマスクパターン設定精度が向上し、品
質のよい半導体装置が得られる効果がある。
第１図（ａ＞及び（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施例を説
明するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面
図、第３図は従来のパターン目合わせずれ測定方法の一
例を説明するための半導体チップの平面図である。 １．１．・・・半導体基板、２，２．・・・低抵抗層パ
ターン、３・・・導電性ホトレジストパターン、４゜４
、・・・重なり領域。
するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図
、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施例を説
明するための半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面
図、第３図は従来のパターン目合わせずれ測定方法の一
例を説明するための半導体チップの平面図である。 １．１．・・・半導体基板、２，２．・・・低抵抗層パ
ターン、３・・・導電性ホトレジストパターン、４゜４
、・・・重なり領域。
Claims (1)
- 所定の蝕刻パターンが表面に蝕刻された半導体基板の表
面にホトレジストを塗布した後、所定の設計パターンを
描いたマスクまたはレチクルを通して露光した後に現像
して形成されたホトレジスト層のパターン目合わせずれ
測定方法において、前記ホトレジストとして導電性の材
料をまた前記蝕刻パターンとして低抵抗層を用い、かつ
前記蝕刻パターンと前記ホトレジスト層のパターンとの
重なり合った領域の電気抵抗を測定することを特徴とす
るパターン目合わせずれ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156104A JPH025445A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | パータン目合わせずれ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156104A JPH025445A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | パータン目合わせずれ測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025445A true JPH025445A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15620396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156104A Pending JPH025445A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | パータン目合わせずれ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025445A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084427B2 (en) | 2003-06-10 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for overlay shift determination |
| WO2010001192A3 (en) * | 2008-07-02 | 2010-02-25 | Intermolecular, Inc. | Methods of combinatorial processing for screening multiple samples on a semiconductor substrate |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63156104A patent/JPH025445A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084427B2 (en) | 2003-06-10 | 2006-08-01 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for overlay shift determination |
| US7550303B2 (en) | 2003-06-10 | 2009-06-23 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for overlay shift determination |
| WO2010001192A3 (en) * | 2008-07-02 | 2010-02-25 | Intermolecular, Inc. | Methods of combinatorial processing for screening multiple samples on a semiconductor substrate |
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