JPS61144022A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61144022A JPS61144022A JP59266719A JP26671984A JPS61144022A JP S61144022 A JPS61144022 A JP S61144022A JP 59266719 A JP59266719 A JP 59266719A JP 26671984 A JP26671984 A JP 26671984A JP S61144022 A JPS61144022 A JP S61144022A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- target pattern
- pellet
- scribe line
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
げ）産業上の利用分野
本発明は半導体装置製造に用いられるフォトマスクに関
する。
する。
（ロ）従来の技術
フォトエツチングは半導体製造技術の一つとして重要で
あり、これＫはフォトマスクが必要不可決である。フォ
トマスクはガラス基板上にエマルジ！Ｉノもしくはクロ
ム等の材料で素子形成のためのペレットパターンが縦横
に繰り返し形成されたものであり、一つの半導体デバイ
スを製造するにはこれらのフォトマスクが通常１５〜２
０枚前後使用される。
あり、これＫはフォトマスクが必要不可決である。フォ
トマスクはガラス基板上にエマルジ！Ｉノもしくはクロ
ム等の材料で素子形成のためのペレットパターンが縦横
に繰り返し形成されたものであり、一つの半導体デバイ
スを製造するにはこれらのフォトマスクが通常１５〜２
０枚前後使用される。
この場合、各マスクのペレットパターン（Ｎ間を正確に
位置合せ（アライメント）するためにペレットパターン
囚の他にアライメント用のターゲットパターン（刀が設
けられ、それは通常第２図に示すようにペレットパター
ン囚を配列すべき個所に合計２個所挿入されている。
位置合せ（アライメント）するためにペレットパターン
囚の他にアライメント用のターゲットパターン（刀が設
けられ、それは通常第２図に示すようにペレットパター
ン囚を配列すべき個所に合計２個所挿入されている。
ところでこのようなターゲットパターン■をもつフォト
マスク＋１）を製造する罠はペレットパターン囚に対応
する第１のマスターレクチルを使用し、フォトリピータ
−と呼ばれる装置でステップ・アンド・リピートを終え
た後、ターゲットパターン（’ＩＩＫ対応した第２のマ
スターレクチルに交換し、第１のマスターレクチルで露
光しなかりた所定の位置に露光する。従って交換の際に
ＷＸ２のマスターレクチルのセツティング状態等により
第１と第２のパターン集合体間忙上下左右ずれ等の位置
ずれを生ずる。この位置ずれは結果的にアライメント誤
差となるため、それを正確に知る必要がある。
マスク＋１）を製造する罠はペレットパターン囚に対応
する第１のマスターレクチルを使用し、フォトリピータ
−と呼ばれる装置でステップ・アンド・リピートを終え
た後、ターゲットパターン（’ＩＩＫ対応した第２のマ
スターレクチルに交換し、第１のマスターレクチルで露
光しなかりた所定の位置に露光する。従って交換の際に
ＷＸ２のマスターレクチルのセツティング状態等により
第１と第２のパターン集合体間忙上下左右ずれ等の位置
ずれを生ずる。この位置ずれは結果的にアライメント誤
差となるため、それを正確に知る必要がある。
このような位置ずれを測定するイ羨来方法と１７ては、
例えば特開昭５８−５８８０７号に記載されているよう
にコンパレータ等の精密測定機を用いる方法（従来例１
という。）がある。しかし、この方法では測定者の個人
差や視認誤差等により最大０．５μｍ程度の誤差を生じ
、しかも測定が面倒でかなりの時間を要する等の問題が
あった。そこで、同じく特開昭５８−５８８０７号に位
置ずれを容易に測定する方法が開示されている。すなわ
ち、第３図に示すようにアライメント用のターゲットパ
ターン■と同一のパターン（３）を、スクライプライン
（２）の交差部にも設け、そのパターン（３）とスクラ
イブライン（２）との位置関係から上記両パターンの位
置ずれを知る方法（従来例２という。）である。この方
法ではａ −ｂ ／ ２ が両パターン間の位置ずれ
となり、従来例１と比較してその値を容易圧しかも正確
に知ることができる。
例えば特開昭５８−５８８０７号に記載されているよう
にコンパレータ等の精密測定機を用いる方法（従来例１
という。）がある。しかし、この方法では測定者の個人
差や視認誤差等により最大０．５μｍ程度の誤差を生じ
、しかも測定が面倒でかなりの時間を要する等の問題が
あった。そこで、同じく特開昭５８−５８８０７号に位
置ずれを容易に測定する方法が開示されている。すなわ
ち、第３図に示すようにアライメント用のターゲットパ
ターン■と同一のパターン（３）を、スクライプライン
（２）の交差部にも設け、そのパターン（３）とスクラ
イブライン（２）との位置関係から上記両パターンの位
置ずれを知る方法（従来例２という。）である。この方
法ではａ −ｂ ／ ２ が両パターン間の位置ずれ
となり、従来例１と比較してその値を容易圧しかも正確
に知ることができる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来例２の方法ではターゲットパターン
（刀をスクライブライン（２）の交差点にも設けるので
、必然的に４個のペレットパターン囚を不良にしてしま
うという欠点がある。
（刀をスクライブライン（２）の交差点にも設けるので
、必然的に４個のペレットパターン囚を不良にしてしま
うという欠点がある。
に）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、ターゲットパタ
ーン（バ周辺のスクライブラインの４辺に各々短形のパ
ターンを設けることにより従来の欠点を除去した。
ーン（バ周辺のスクライブラインの４辺に各々短形のパ
ターンを設けることにより従来の欠点を除去した。
（ホ）作用
本発明によれば余分にペレットパターン（２）を不良に
することなくスクライプライン上のスペースを利用して
位置ずれを容易にしかも正確に知ることができる。
することなくスクライプライン上のスペースを利用して
位置ずれを容易にしかも正確に知ることができる。
（へ）実施例
以下本発明の一実施例を述べる。第１図を参照して本発
明によるフォトマスクの要部を説明する。
明によるフォトマスクの要部を説明する。
フォトマスクにはＩＣを製造する上で必要とするペレッ
トパターン囚の間にアライメント用のターゲットパター
ン（刀が形成されていると共に、ターゲットパターン（
ＴＩの周囲４辺のスクライブライン（２）には位置ずれ
測定用の短形パターン（４）がそれぞれ形成されている
。この場合、短形パターン（４）はターゲットパターン
（ＴＩＫ対応した第２のマスターレクチルに形成し、タ
ーゲットパターン■と同時に露光する。
トパターン囚の間にアライメント用のターゲットパター
ン（刀が形成されていると共に、ターゲットパターン（
ＴＩの周囲４辺のスクライブライン（２）には位置ずれ
測定用の短形パターン（４）がそれぞれ形成されている
。この場合、短形パターン（４）はターゲットパターン
（ＴＩＫ対応した第２のマスターレクチルに形成し、タ
ーゲットパターン■と同時に露光する。
そして、ペレットパターン囚とターゲットパターン■と
の位置ずれが無い場合、短形パターン（４）とスクライ
ブライン（２）との線幅はａｌ ＝ ａｌ、ｂ１＝ｂ、
となるように設定しである。すなわち、この線幅を
測定し、ａｌ −ａｆｉ ＝ Ｏｌｂ、−ｂ、＝ｏ
であるならば上記のような位置ずれは全く無し、またｆ
ａｔ ａｔｌ＞ｏ、１ｂｔ−ｂｔｌ＞ｏ ならばＸ方
向、ｙ方向にそれぞれａｌ ａｌ／２、ｂ、−ｂ、／
２だけの位置ずれを生じているわけである。この時の値
は従来例１℃測定した値がある一枚のマスクを基準とし
た相対的な値であるのに対し、正確な位置からどれほど
ずれているかという絶対的な値を与える。従ってパター
ン転写時に先に得られたずれ量をアライメント装置で補
正すれば、ずれ量の極めて小さい正確なアライメントが
可能になる。
の位置ずれが無い場合、短形パターン（４）とスクライ
ブライン（２）との線幅はａｌ ＝ ａｌ、ｂ１＝ｂ、
となるように設定しである。すなわち、この線幅を
測定し、ａｌ −ａｆｉ ＝ Ｏｌｂ、−ｂ、＝ｏ
であるならば上記のような位置ずれは全く無し、またｆ
ａｔ ａｔｌ＞ｏ、１ｂｔ−ｂｔｌ＞ｏ ならばＸ方
向、ｙ方向にそれぞれａｌ ａｌ／２、ｂ、−ｂ、／
２だけの位置ずれを生じているわけである。この時の値
は従来例１℃測定した値がある一枚のマスクを基準とし
た相対的な値であるのに対し、正確な位置からどれほど
ずれているかという絶対的な値を与える。従ってパター
ン転写時に先に得られたずれ量をアライメント装置で補
正すれば、ずれ量の極めて小さい正確なアライメントが
可能になる。
（ト）発明の効果
上述したように本発明のフォトマスク忙よれば、従来例
１と比較して絶対的な位置ずれを正確にしかも容易に知
ることができ、この値を用いればほとんど誤差のない正
確なアライメントをすることができる。さらに、従来例
２と比較してもその測定にペレットパターンを無駄にす
ることがない利点を有する。
１と比較して絶対的な位置ずれを正確にしかも容易に知
ることができ、この値を用いればほとんど誤差のない正
確なアライメントをすることができる。さらに、従来例
２と比較してもその測定にペレットパターンを無駄にす
ることがない利点を有する。
第１図は本発明によるフォトマスクの要部拡大平面図、
第２図は従来のフォトマスクの平面図、第３図は従来の
フォトマスクの要部拡大平面図である。 図番の説明 （１）はフォトマスク、（２）はスクライブライン、（
３）はターゲットパターン、（４）は短形パターンであ
る。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第１図 第２図 −〇′
第２図は従来のフォトマスクの平面図、第３図は従来の
フォトマスクの要部拡大平面図である。 図番の説明 （１）はフォトマスク、（２）はスクライブライン、（
３）はターゲットパターン、（４）は短形パターンであ
る。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 靜 夫 第１図 第２図 −〇′
Claims (1)
- （１）素子形成のためのペレットパターン間に設けた位
置合せをするためのターゲットパターンを有するフォト
マスクにおいて、ターゲットパターン周辺のスクライブ
ライン上の４辺に各々短形のパターンを設けたことを特
徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266719A JPS61144022A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266719A JPS61144022A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144022A true JPS61144022A (ja) | 1986-07-01 |
Family
ID=17434728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266719A Pending JPS61144022A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442128A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor substrate with alignment mark formed thereon |
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP59266719A patent/JPS61144022A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442128A (en) * | 1987-08-08 | 1989-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor substrate with alignment mark formed thereon |
| US20190179229A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
| US11086228B2 (en) * | 2017-12-11 | 2021-08-10 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, device and method for exposure |
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