JPH027511A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH027511A JPH027511A JP63158607A JP15860788A JPH027511A JP H027511 A JPH027511 A JP H027511A JP 63158607 A JP63158607 A JP 63158607A JP 15860788 A JP15860788 A JP 15860788A JP H027511 A JPH027511 A JP H027511A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はいわゆるステップ・アンド・リピート方式の
露光装置に関し、特に実素子パターンの重ね合わせ精度
を改善したものに関するものである。
露光装置に関し、特に実素子パターンの重ね合わせ精度
を改善したものに関するものである。
従来から、半導体製造に用いられる露光装置として、ス
テッパと呼ばれる装置が知られている。
テッパと呼ばれる装置が知られている。
このステッパは、半導体ウェハを投影レンズ下でステッ
プ移動させながら、レチクル上に形成されているパター
ン像を投影レンズで縮小して１枚のウェハ上の各ショッ
ト領域に順次露光して行くものである。
プ移動させながら、レチクル上に形成されているパター
ン像を投影レンズで縮小して１枚のウェハ上の各ショッ
ト領域に順次露光して行くものである。
このステ７バにおいては、ウェハのプロセス中で発生す
る線形伸縮によりランアウトズレが生じ、アライメント
精度の低下を招くという欠点があり、このため市販され
ている露光装置には、このランアウト量を測定し、ずれ
を修正する手段が備えられている。
る線形伸縮によりランアウトズレが生じ、アライメント
精度の低下を招くという欠点があり、このため市販され
ている露光装置には、このランアウト量を測定し、ずれ
を修正する手段が備えられている。
このような修正の方法としては特開昭６１−４４４２９
号公報や特開昭６２−２９１１３３号公報に示されたも
のがある。第５図は前者に示された従来のエンハンスメ
ントグローバルアライメント（ＥＧＡ）法の露光シーケ
ンスを示し、以下この図を用いて露光方法を詳しく説明
する。
号公報や特開昭６２−２９１１３３号公報に示されたも
のがある。第５図は前者に示された従来のエンハンスメ
ントグローバルアライメント（ＥＧＡ）法の露光シーケ
ンスを示し、以下この図を用いて露光方法を詳しく説明
する。
まず、オリエンテーションフラットを使ってウェハのプ
リアライメントを行なう（ステップ５ｌｌ）、その後ウ
ェハグローバルアライメント（ＷＧＡ）マークを使って
ウェハの回転補正を行う（ステップ５１２）、そして、
ウェハステージをチップ配列の設計値に基づいて移動さ
せ、誤差検出用として設定された複数のショソ） ９１
域について、レーザステップアライメント（ＬＳＡ）光
学系によりその焼付パターンのＬＳＡアライメントマー
ク位置を検出するとともに、レーザ干渉計によりウェハ
ステージの位置を検出し、これらの検出値によりウェハ
上の焼付パターンとレクチルのパターン像との重ね合わ
せ誤差を検出する（ステップ５１３）。
リアライメントを行なう（ステップ５ｌｌ）、その後ウ
ェハグローバルアライメント（ＷＧＡ）マークを使って
ウェハの回転補正を行う（ステップ５１２）、そして、
ウェハステージをチップ配列の設計値に基づいて移動さ
せ、誤差検出用として設定された複数のショソ） ９１
域について、レーザステップアライメント（ＬＳＡ）光
学系によりその焼付パターンのＬＳＡアライメントマー
ク位置を検出するとともに、レーザ干渉計によりウェハ
ステージの位置を検出し、これらの検出値によりウェハ
上の焼付パターンとレクチルのパターン像との重ね合わ
せ誤差を検出する（ステップ５１３）。
次に各ショットにおける重ね合わせ誤差と上記ウェハス
テージの位置座標とから、実際の各ショットの位置座標
を算出し、これらの座標の設計上の位置座標（焼付パタ
ーンの位置座標）からの偏差を求め、さらにこの偏差の
平均値を補正値（誤差パラメータ）として算出する（ス
テップＳ４）。
テージの位置座標とから、実際の各ショットの位置座標
を算出し、これらの座標の設計上の位置座標（焼付パタ
ーンの位置座標）からの偏差を求め、さらにこの偏差の
平均値を補正値（誤差パラメータ）として算出する（ス
テップＳ４）。
そしてこの誤差パラメータと設計値とから各々の回転、
直交、ベースライン、スケーリング補正されたチップの
配列マツプを作成する（ステップ５１５）、この配列マ
ツプに従ってステップアンドリピート方式によりステー
ジを位置決めしくステップ５１６）、各ショットを露光
する（ステップ５１７）。
直交、ベースライン、スケーリング補正されたチップの
配列マツプを作成する（ステップ５１５）、この配列マ
ツプに従ってステップアンドリピート方式によりステー
ジを位置決めしくステップ５１６）、各ショットを露光
する（ステップ５１７）。
ここで補正値（誤差パラメーター）としては上述のよう
にベースライン補正９回転補正、直交度補正、スケーリ
ング補正の４つがあり、これら４つの中でスケーリング
補正については第６図に示すように定義される。スケー
リング補正係数Ｐは、Ｘ−ｘ ΔＸ ｘ Ｌ−Ｎ となる。
にベースライン補正９回転補正、直交度補正、スケーリ
ング補正の４つがあり、これら４つの中でスケーリング
補正については第６図に示すように定義される。スケー
リング補正係数Ｐは、Ｘ−ｘ ΔＸ ｘ Ｌ−Ｎ となる。
ここで、Ｌはステップサイズ、Ｎはショットナンバー、
Ｘはウェハ中心からＮ番目のショットまでの設計距離、
Ｘはウェハ中心からＮ番目のショットまでの実測距離、
１０ｎはウェハ中心からＮ番目のショットである。
Ｘはウェハ中心からＮ番目のショットまでの設計距離、
Ｘはウェハ中心からＮ番目のショットまでの実測距離、
１０ｎはウェハ中心からＮ番目のショットである。
また上記補正値は特開昭６１−４４４２９号公報に開示
されているような高度な統計的手法によって求められて
いる。このような露光シーケンスはＮ５Ｒ−１５０５Ｇ
（日本光学製）ステッパーに採用されている。
されているような高度な統計的手法によって求められて
いる。このような露光シーケンスはＮ５Ｒ−１５０５Ｇ
（日本光学製）ステッパーに採用されている。
従来の露光装置はアライメントマークの信号検出位置を
実際のアライメントマーク位置であると仮定して、スケ
ーリング補正係数を求めるものであるため、対称性のよ
いマークを用いる必要があった。
実際のアライメントマーク位置であると仮定して、スケ
ーリング補正係数を求めるものであるため、対称性のよ
いマークを用いる必要があった。
詳しく説明すると、第４図は上記ＥＧＡのサンプリング
ショットのウェハ中心からの距離を変えてＮ５Ｒ−１５
０５Ｇ （日本光学製）を用いて計測されたスケーリン
グ補正係数を示し、実線はアライメントマーク上にレジ
ストを塗布していない時、点線はレジストを塗布した時
の補正係数を示している。なおこの図では横軸にサンプ
リングショットのウェハ中心からの距離、縦軸にスケー
リング補正係数をとっている。この図からレジスト塗布
により擬偵のスケーリングエラーが発生することがわか
る。
ショットのウェハ中心からの距離を変えてＮ５Ｒ−１５
０５Ｇ （日本光学製）を用いて計測されたスケーリン
グ補正係数を示し、実線はアライメントマーク上にレジ
ストを塗布していない時、点線はレジストを塗布した時
の補正係数を示している。なおこの図では横軸にサンプ
リングショットのウェハ中心からの距離、縦軸にスケー
リング補正係数をとっている。この図からレジスト塗布
により擬偵のスケーリングエラーが発生することがわか
る。
また、゛８７応用物理学会予稿集（１８ａ−Ｆ−６，１
８ａＦ−８，１８ａ−Ｆ−９，１８ａ−Ｆ−１０）には
、レジストのアライメントマーク上の部分では非対称性
が強く、マーク上のレジスト膜による干渉効果がアライ
メント精度に悪影響を及ぼしていることが報告されてい
る。
８ａＦ−８，１８ａ−Ｆ−９，１８ａ−Ｆ−１０）には
、レジストのアライメントマーク上の部分では非対称性
が強く、マーク上のレジスト膜による干渉効果がアライ
メント精度に悪影響を及ぼしていることが報告されてい
る。
このため均一なレジスト膜厚を得るマーク構造や透明樹
脂をコーティングしてレジスト膜厚を均一にする改良が
必要であるという問題があった。
脂をコーティングしてレジスト膜厚を均一にする改良が
必要であるという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マークの非対称性から生じるオフセントを除
いて、ウェハの伸縮あるいは装置間のステッピングエラ
ーのみによる正しいランアウト補正量を求めることがで
き、これによりスループットの減少を招くことなく、重
ね合わせ精度を向上でき、ひいてはウェハの歩留りを向
上できる露光装置を得ることを目的とする。
たもので、マークの非対称性から生じるオフセントを除
いて、ウェハの伸縮あるいは装置間のステッピングエラ
ーのみによる正しいランアウト補正量を求めることがで
き、これによりスループットの減少を招くことなく、重
ね合わせ精度を向上でき、ひいてはウェハの歩留りを向
上できる露光装置を得ることを目的とする。
この発明に係る露光装置は、サンプリング条件の異なる
各ショット領域において、それぞれレクチルのパターン
像の焼付位置の補正量を求め、各領域について得られた
焼付位置補正量よりショット領域間の正しいピンチ間隔
を算出し、アライメントマークの測定誤差分を含まない
ランアウト量の正しい補正量を求め、この補正量を用い
て高精度アライメントを行って露光するようにしたもの
である。
各ショット領域において、それぞれレクチルのパターン
像の焼付位置の補正量を求め、各領域について得られた
焼付位置補正量よりショット領域間の正しいピンチ間隔
を算出し、アライメントマークの測定誤差分を含まない
ランアウト量の正しい補正量を求め、この補正量を用い
て高精度アライメントを行って露光するようにしたもの
である。
この発明においては、アライメントマーク及びマーク上
の被覆材料の非対称性から生じるマーク検出位置の誤差
を除去し、ランアウト量の正しい補正量を求めるように
したから、スループットの減少を招くことなく、重ね合
わせ精度を向上してウェハの歩留りを向上することがで
きる。
の被覆材料の非対称性から生じるマーク検出位置の誤差
を除去し、ランアウト量の正しい補正量を求めるように
したから、スループットの減少を招くことなく、重ね合
わせ精度を向上してウェハの歩留りを向上することがで
きる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による露光装置の構成を示す
ブロック図であり、図において、１はステップ・アンド
・リピート動作するウェハステージで、その上には半導
体ウェハ２が載置されている。また３はレクチル４上の
実素子パターン像を投影レンズ５を介して上記ウェハ２
上に焼付ける照明系、６は上記ウェハステージ１の位置
を検出するレーザ干渉計、７は上記ウェハ２の既設の焼
付パターンのアライメントマークの位置をミラー８を介
して読み取るマーク検出光学系である。
ブロック図であり、図において、１はステップ・アンド
・リピート動作するウェハステージで、その上には半導
体ウェハ２が載置されている。また３はレクチル４上の
実素子パターン像を投影レンズ５を介して上記ウェハ２
上に焼付ける照明系、６は上記ウェハステージ１の位置
を検出するレーザ干渉計、７は上記ウェハ２の既設の焼
付パターンのアライメントマークの位置をミラー８を介
して読み取るマーク検出光学系である。
またＭｌはウェハステージ１のステッピング量（ウェハ
ステージの位置座標）とアライメントマークの検出位置
座標に基づいて、ウェハ中心からＮ番目の複数のショッ
ト、及びＮ−１番目の複数のショットにおいてそれぞれ
既設の実素子パターンと焼付ける実素子パターン像との
ずれを検出するずれ検出手段、Ｍ２はＮ番目及びＮ−１
番目のショットすべてについて得られたずれ量を演算処
理してスケーリング補正係数を算出する補正係数算出手
段、９はこのスケーリング補正係数に基づいて上記ウェ
ハステージ１をステップ送り駆動制御するウェハステー
ジの駆動装置である。
ステージの位置座標）とアライメントマークの検出位置
座標に基づいて、ウェハ中心からＮ番目の複数のショッ
ト、及びＮ−１番目の複数のショットにおいてそれぞれ
既設の実素子パターンと焼付ける実素子パターン像との
ずれを検出するずれ検出手段、Ｍ２はＮ番目及びＮ−１
番目のショットすべてについて得られたずれ量を演算処
理してスケーリング補正係数を算出する補正係数算出手
段、９はこのスケーリング補正係数に基づいて上記ウェ
ハステージ１をステップ送り駆動制御するウェハステー
ジの駆動装置である。
第２図（ａｌ、 （ｂ）は該装置の動作を説明するため
の図で、ウェハ上に設定されたショット領域、及びスケ
ーリング補正係数の算出アルゴリズムを示している。
の図で、ウェハ上に設定されたショット領域、及びスケ
ーリング補正係数の算出アルゴリズムを示している。
また第３図はレジストの塗布ムラによるアライメントマ
ークの位置ずれを示す図である。ここで示すようにレジ
スト３０の塗布ムラを有するアライメントマーク２０の
位置検出信号には擬似の位置ずれ量（ΔＲ）が含まれる
。よって、中心よりＮ番目のサンプリングショットより
計測されたスケーリングの補正係数Ｐ、は、 となり、（Ｎ−１）番目のものＰ、、−１は、（Ｐ：真
のスケーリング補正係数、ｐ、、ｐ、、−。
ークの位置ずれを示す図である。ここで示すようにレジ
スト３０の塗布ムラを有するアライメントマーク２０の
位置検出信号には擬似の位置ずれ量（ΔＲ）が含まれる
。よって、中心よりＮ番目のサンプリングショットより
計測されたスケーリングの補正係数Ｐ、は、 となり、（Ｎ−１）番目のものＰ、、−１は、（Ｐ：真
のスケーリング補正係数、ｐ、、ｐ、、−。
：計測されたスケーリング補正係数、ΔＥ９ ；設計値
からの位置ずれ量（ウェハの伸縮など）、ΔＲ，：ｉｉ
！似の位置ずれ量（塗布ムシなど）、Ｌニステップサイ
ズ、Ｎニジヨツトナンバー）ここで、真のスケーリング
補正係数ＰはＮ番目。
からの位置ずれ量（ウェハの伸縮など）、ΔＲ，：ｉｉ
！似の位置ずれ量（塗布ムシなど）、Ｌニステップサイ
ズ、Ｎニジヨツトナンバー）ここで、真のスケーリング
補正係数ＰはＮ番目。
あるいはＮ−１番目いずれのショットについても等しく
、つまり Ｌ−Ｎ Ｌ ・ （Ｎ−１） であるから、上記（１）、 （２）式よりＰ干Ｐ７ ・
Ｎ−Ｐ、、 ・ （Ｎ−１）−Ｌ で表せる。またウェハ周辺部において、レジストの塗布
ムラによる位置ずれ量が等しい（ΔＲイヘΔＲ，−，）
と仮定すると、 Ｐ＝Ｐ、 ・Ｎ−Ｐ、、 （Ｎ−１）で表せる。
、つまり Ｌ−Ｎ Ｌ ・ （Ｎ−１） であるから、上記（１）、 （２）式よりＰ干Ｐ７ ・
Ｎ−Ｐ、、 ・ （Ｎ−１）−Ｌ で表せる。またウェハ周辺部において、レジストの塗布
ムラによる位置ずれ量が等しい（ΔＲイヘΔＲ，−，）
と仮定すると、 Ｐ＝Ｐ、 ・Ｎ−Ｐ、、 （Ｎ−１）で表せる。
よって真のスケーリング補正係数はＮ番目と（Ｎ−１）
番目の計測されたスケーリング補正係数より求められる
。
番目の計測されたスケーリング補正係数より求められる
。
次に第２図を用いて動作について説明する。
Ｎ５Ｒ−１５０５Ｇを用い、１枚目のウェハにおいて第
２図（ａ）のように中心からＮ番目のサンプリングショ
ット１０ｎ８ケを選択し、ＥＧＡ法によりスケーリング
補正係数（Ｐ、、）を計測する（ステップ５１）６次に
Ｐ７がある設定値より大きいか否かを判断しくステップ
Ｓ２）、大きい場合は、中心からＮ−１番目のサンプリ
ングショッ）１０ｍによるスケーリング補正係数（ｐ、
、−＋）を測定する（ステップＳ３）、この係数Ｐ、、
とＰ。
２図（ａ）のように中心からＮ番目のサンプリングショ
ット１０ｎ８ケを選択し、ＥＧＡ法によりスケーリング
補正係数（Ｐ、、）を計測する（ステップ５１）６次に
Ｐ７がある設定値より大きいか否かを判断しくステップ
Ｓ２）、大きい場合は、中心からＮ−１番目のサンプリ
ングショッ）１０ｍによるスケーリング補正係数（ｐ、
、−＋）を測定する（ステップＳ３）、この係数Ｐ、、
とＰ。
１より、真のスケーリング補正係数Ｐ＝Ｐ、 ・Ｎ−
Ｐイー１ （Ｎ−１）を求め（ステップ３４）、こ
のスケーリング補正係数ＰからＸ軸方向の補正値Ｐ（ｘ
）、Ｙ軸方向の補正値Ｐ （ｙ）を算出し、これらの値
をＮ５Ｒ−１５０５Ｇのスケーリング補正係数としてオ
フセント入力しくステップＳ５）、スケーリング補正の
みこのオフセット値に従うよう設定する。そして再度、
ウェハをＮ５Ｒ−１５０５Ｇに搬送し、ＥＧＡアライメ
ントに従って露光する（ステップＳ６）。また上記ステ
ップＳ２において、設定値がＰ７より小さい場合には、
ステップ８３〜５を飛ばしてステップＳ６へ進む。
Ｐイー１ （Ｎ−１）を求め（ステップ３４）、こ
のスケーリング補正係数ＰからＸ軸方向の補正値Ｐ（ｘ
）、Ｙ軸方向の補正値Ｐ （ｙ）を算出し、これらの値
をＮ５Ｒ−１５０５Ｇのスケーリング補正係数としてオ
フセント入力しくステップＳ５）、スケーリング補正の
みこのオフセット値に従うよう設定する。そして再度、
ウェハをＮ５Ｒ−１５０５Ｇに搬送し、ＥＧＡアライメ
ントに従って露光する（ステップＳ６）。また上記ステ
ップＳ２において、設定値がＰ７より小さい場合には、
ステップ８３〜５を飛ばしてステップＳ６へ進む。
ここでは、第３図のグラフで示されるＮＳＲ１５０５Ｇ
のスケーリング計測値、つまり点Ａ （５，０゜３．５
） 、点Ｂ （７，２，２，５）を上記式に代入すると
Ｐ＝５．Ｏｘ３．５−７．２ ｘ２．５ ＝−０，５（
ｐｐｍ）が得られた。この値−０，５（ｐｐｍ）をスケ
ーリングオフセット値として入力し、ＥＧＡアライメン
トを行った。
のスケーリング計測値、つまり点Ａ （５，０゜３．５
） 、点Ｂ （７，２，２，５）を上記式に代入すると
Ｐ＝５．Ｏｘ３．５−７．２ ｘ２．５ ＝−０，５（
ｐｐｍ）が得られた。この値−０，５（ｐｐｍ）をスケ
ーリングオフセット値として入力し、ＥＧＡアライメン
トを行った。
このように本実施例では、ウェハ中心からＮ番目のショ
ット１０ｎ１及びＮ−１番目のショット１０ｍからそれ
ぞれ既設の実素子パターンと焼付ける実素子パターン像
とのずれを検出し、これらのずれ量について焼付位置補
正量を算出し、この再焼付位置補正量を演算処理して、
アライメントマークの測定誤差分を含まないスケーリン
グ補正係数Ｐを算出するようにしたので、ランアウト量
を、アライメントマークの非対称性から生じるオフセッ
トを除いたものとでき、これによりスループットの減少
を招くことなく、重ね合わせ精度を向上してウェハの歩
留りを向上することができる。
ット１０ｎ１及びＮ−１番目のショット１０ｍからそれ
ぞれ既設の実素子パターンと焼付ける実素子パターン像
とのずれを検出し、これらのずれ量について焼付位置補
正量を算出し、この再焼付位置補正量を演算処理して、
アライメントマークの測定誤差分を含まないスケーリン
グ補正係数Ｐを算出するようにしたので、ランアウト量
を、アライメントマークの非対称性から生じるオフセッ
トを除いたものとでき、これによりスループットの減少
を招くことなく、重ね合わせ精度を向上してウェハの歩
留りを向上することができる。
なお、上記実施例では、ＥＧＡのサンプリングショット
として、中心からＮ番目とＮ−１番目のショットを設定
したが、これは第７図（ａ）に示すようにＹ方向に並ぶ
サンプリングショット列１０ｙを２列、第７図（ｂ）に
示すようにＸ方向に並ぶサンプリングショット列１０ｘ
を２列設定するようにしてもよい、このようにショット
を設定した場合、レジスト等の塗布ムラはウェハ中心程
小さくなっているため、Ｘ方向のショット列１０Ｘによ
りＹ方向のスケーリング補正係数を、Ｘ方向のショット
列１０ｙによりＸ方向のスケーリング補正係数を、アラ
イメントマークの測定誤差分を除いて正確に求めること
ができる。
として、中心からＮ番目とＮ−１番目のショットを設定
したが、これは第７図（ａ）に示すようにＹ方向に並ぶ
サンプリングショット列１０ｙを２列、第７図（ｂ）に
示すようにＸ方向に並ぶサンプリングショット列１０ｘ
を２列設定するようにしてもよい、このようにショット
を設定した場合、レジスト等の塗布ムラはウェハ中心程
小さくなっているため、Ｘ方向のショット列１０Ｘによ
りＹ方向のスケーリング補正係数を、Ｘ方向のショット
列１０ｙによりＸ方向のスケーリング補正係数を、アラ
イメントマークの測定誤差分を除いて正確に求めること
ができる。
以上のように、この発明に係る露光装置によれば、スケ
ーリング補正係数算出子りゴリズムの変更のみによって
塗布ムラによるスケーリングエラーを除去するようにし
たので、スループ・ノドの減少を招くことなく、重ね合
わせ精度を向上して、ウェハの歩留りを向上することが
できる効果がある。
ーリング補正係数算出子りゴリズムの変更のみによって
塗布ムラによるスケーリングエラーを除去するようにし
たので、スループ・ノドの減少を招くことなく、重ね合
わせ精度を向上して、ウェハの歩留りを向上することが
できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による露光装置のブロック
構成を示す図、第２図は該露光装置の動作を説明するた
めの図、第３図はレジストの塗布ムラによるアライメン
トマークの位置ずれ状態を示す図、第４図はサンプリン
グショット位置によるスケーリング補正係数の変化を示
す図、第５図は従来のＥＧＡ露光シーケンスを示す図、
第６図はスケーリング補正係数の定義を説明するための
図、第７図は本発明の他の実施例装置におけるすンプリ
ングショットの設定方法を示す図である。 １・・・ウェハステージ、２・・・ウェハ、３・・・照
明系、４・・・レクチル、５・・・投影レンズ、６・・
・レーザ干渉計、Ｍｌ・・・ずれ量検出手段、Ｍ２・・
・補正係数算出手段、７・・・ステップ駆動装置、１ｏ
・・・ショット領域、Ｉｏｎ・・・ウェハ中心からＮ番
目のショット領域、１０ｍ・・・ウェハ中心からＮ−１
番目のショット領域、２０・・・アライメントマーク。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
構成を示す図、第２図は該露光装置の動作を説明するた
めの図、第３図はレジストの塗布ムラによるアライメン
トマークの位置ずれ状態を示す図、第４図はサンプリン
グショット位置によるスケーリング補正係数の変化を示
す図、第５図は従来のＥＧＡ露光シーケンスを示す図、
第６図はスケーリング補正係数の定義を説明するための
図、第７図は本発明の他の実施例装置におけるすンプリ
ングショットの設定方法を示す図である。 １・・・ウェハステージ、２・・・ウェハ、３・・・照
明系、４・・・レクチル、５・・・投影レンズ、６・・
・レーザ干渉計、Ｍｌ・・・ずれ量検出手段、Ｍ２・・
・補正係数算出手段、７・・・ステップ駆動装置、１ｏ
・・・ショット領域、Ｉｏｎ・・・ウェハ中心からＮ番
目のショット領域、１０ｍ・・・ウェハ中心からＮ−１
番目のショット領域、２０・・・アライメントマーク。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ上のアライメントマーク位置の測定
値からスケーリング補正係数を求め、該半導体ウェハを
この係数に基づいてステップ・アンド・リピート動作さ
せて、レチクル上の素子パターン像を該半導体ウェハ上
の各ショット領域に順次焼付ける露光装置において、 上記ショット領域のうち第１のサンプリング条件を満た
す第１の複数のショット領域、及び第２のサンプリング
条件を満たす第２の複数のショット領域の各々について
、既設の実素子パターンの位置と焼付ける素子パターン
像の位置とのずれ量を検出するパターンずれ量検出手段
と、 該第１、第２のショット領域のすべてについて得られた
ずれ量を演算処理して上記スケーリング補正係数を算出
する算出手段とを備え、 上記スケーリング補正係数を、上記アライメントマーク
の測定誤差分を除去したものとするようにしたことを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158607A JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158607A JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027511A true JPH027511A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2711107B2 JP2711107B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=15675400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158607A Expired - Lifetime JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711107B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158607A patent/JP2711107B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| KR101043182B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2011-06-20 | 김미경 | 향수 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2711107B2 (ja) | 1998-02-10 |
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