JPH0474854B2 - - Google Patents
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- JPH0474854B2 JPH0474854B2 JP57165280A JP16528082A JPH0474854B2 JP H0474854 B2 JPH0474854 B2 JP H0474854B2 JP 57165280 A JP57165280 A JP 57165280A JP 16528082 A JP16528082 A JP 16528082A JP H0474854 B2 JPH0474854 B2 JP H0474854B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、投影露光方法、特に、高集積半導体
を製造するための投影露光方法に関するものであ
る。
を製造するための投影露光方法に関するものであ
る。
高集積半導体は、被露光物に複数枚の原画の模
様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なXYステージ上に設置された被露光
物、例えばウエハー上に、照明光学系を含む投影
光学系によつて、複数枚の原画の模様を順次転写
して行われるが、この際、被露光物にあらかじめ
転写された検出マークをパターン検出器によつて
検出し、このパターン検出器で検出されたマーク
を基準として、次段の原画との相対位置を求め、
その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね合
せを行つている。
様を順次転写して製造される。そして、２次元的
に移動可能なXYステージ上に設置された被露光
物、例えばウエハー上に、照明光学系を含む投影
光学系によつて、複数枚の原画の模様を順次転写
して行われるが、この際、被露光物にあらかじめ
転写された検出マークをパターン検出器によつて
検出し、このパターン検出器で検出されたマーク
を基準として、次段の原画との相対位置を求め、
その誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね合
せを行つている。
第１図はこのような投影露光方法の実施に用い
られる装置を示すもので、１はウエハ２が載置さ
れ、XY方向にステツプアンドリピートされる
XYステージで、駆動モータ３及び４によつて
XY方向に駆動され、レーザ測長系５によつて位
置制御されるようになつており、0.05μm程度の
位置決め精度をもつている。６は露光照明系、７
はコンデンサレンズ、８は縮少レンズで、９は原
版載置台１０に設置されているパターン原版（レ
チクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ，１２ａは検出系照明系、１１ｂ，１
２ｂはパターン検出器、１１ｃ，１２ｃはハーフ
ミラー、１１ｄ，１２ｄはミラー、１１ｅ，１２
ｅはコリメータである。
られる装置を示すもので、１はウエハ２が載置さ
れ、XY方向にステツプアンドリピートされる
XYステージで、駆動モータ３及び４によつて
XY方向に駆動され、レーザ測長系５によつて位
置制御されるようになつており、0.05μm程度の
位置決め精度をもつている。６は露光照明系、７
はコンデンサレンズ、８は縮少レンズで、９は原
版載置台１０に設置されているパターン原版（レ
チクル）である。１１及び１２はパターン検出系
で、１１ａ，１２ａは検出系照明系、１１ｂ，１
２ｂはパターン検出器、１１ｃ，１２ｃはハーフ
ミラー、１１ｄ，１２ｄはミラー、１１ｅ，１２
ｅはコリメータである。
この装置を用いて投影露光を行うには、XYス
テージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１
０に最初のレチクル９が設置された後、露光照明
系６により発生しコンデンサレンズ７を通り集光
された光が、レチクル９を通り、縮少レンズ８を
経て、XYステージ１のウエハ２上にレチクル９
のパターンが結像される。
テージ１上にウエハ２が載置され、原版載置台１
０に最初のレチクル９が設置された後、露光照明
系６により発生しコンデンサレンズ７を通り集光
された光が、レチクル９を通り、縮少レンズ８を
経て、XYステージ１のウエハ２上にレチクル９
のパターンが結像される。
次に、このようにして、ウエハ２上にレチクル
９のパターンが転写された後、この上に異なるレ
チクル９のパターンの転写が行われるが、このウ
エハ２上に転写されているレチクル９のパターン
上に、次段のレチクル９のパターンを精度良く重
ね合せて転写可能にするために、検出系照明系１
１及び１２よりの光をそれぞれ、ハーフミラー１
１ｃ，１２ｃ、ミラー１１ｄ，１２ｄを介してレ
チクル９に設けられた穴から縮少レンズ８を通し
てウエハ２に照明し、ウエハ２上の検出パターン
１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡
大したものをそれぞれ、ミラー１１ｄ，１２ｄ、
ハーフミラー１１ｃ，１２ｃを介してパターン検
出器１１ｂ，１２ｂに導き、パターン検出器１１
ｂ，１２ｂによつて、ウエハ検出パターンの位置
のＸ、Ｙ座標を求め、これをウエハ２上の二つの
チツプの測定から、ウエハ２とレチクル９の位置
の相対誤差を知り、この相対誤差をXYステージ
の制御にフイードバツクさせて転写を行つてい
る。
９のパターンが転写された後、この上に異なるレ
チクル９のパターンの転写が行われるが、このウ
エハ２上に転写されているレチクル９のパターン
上に、次段のレチクル９のパターンを精度良く重
ね合せて転写可能にするために、検出系照明系１
１及び１２よりの光をそれぞれ、ハーフミラー１
１ｃ，１２ｃ、ミラー１１ｄ，１２ｄを介してレ
チクル９に設けられた穴から縮少レンズ８を通し
てウエハ２に照明し、ウエハ２上の検出パターン
１３の像をレチクル２上に結像させ、この像を拡
大したものをそれぞれ、ミラー１１ｄ，１２ｄ、
ハーフミラー１１ｃ，１２ｃを介してパターン検
出器１１ｂ，１２ｂに導き、パターン検出器１１
ｂ，１２ｂによつて、ウエハ検出パターンの位置
のＸ、Ｙ座標を求め、これをウエハ２上の二つの
チツプの測定から、ウエハ２とレチクル９の位置
の相対誤差を知り、この相対誤差をXYステージ
の制御にフイードバツクさせて転写を行つてい
る。
一般に、１：１プロジエクシヨン方式の投影露
光装置では、その原理上、機械精度のエラーを避
けられず、例えば、第２〜第４図に示すような転
写歪みを生ずる。何れの図も、横軸、縦軸にそれ
ぞれＸ，Ｙ軸がとつてある。第２図及び第３図の
場合はチツプ配列があたかも弓形のうねりを持つ
ような転写歪が発生した場合、第４図及び第５図
はチツプ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に伸びる
かまたは縮むような転写歪（ピツチエラー）が発
生した場合、第６図はXYの直交度エラーが生じ
たような転写歪が発生した場合を示すもので、こ
れらの各種のエラーは、単独で生じることも、混
合して起きることもあり、配列誤差としては1μm
以上になることもある。
光装置では、その原理上、機械精度のエラーを避
けられず、例えば、第２〜第４図に示すような転
写歪みを生ずる。何れの図も、横軸、縦軸にそれ
ぞれＸ，Ｙ軸がとつてある。第２図及び第３図の
場合はチツプ配列があたかも弓形のうねりを持つ
ような転写歪が発生した場合、第４図及び第５図
はチツプ配列があたかもＸ方向、Ｙ方向に伸びる
かまたは縮むような転写歪（ピツチエラー）が発
生した場合、第６図はXYの直交度エラーが生じ
たような転写歪が発生した場合を示すもので、こ
れらの各種のエラーは、単独で生じることも、混
合して起きることもあり、配列誤差としては1μm
以上になることもある。
従つて、１：１プロジエクシヨン装置で形成さ
れた前段のチツプの配列上にステツプアンドリピ
ート方式で次段のチツプ配列を精度良く重ね合せ
をすることはできない。
れた前段のチツプの配列上にステツプアンドリピ
ート方式で次段のチツプ配列を精度良く重ね合せ
をすることはできない。
なお、ウエハ上のチツプ毎に位置を検出する方
法もあるが、この方法は検出する時間が大きくな
りスループツトが落ちる点で実用的でない。
法もあるが、この方法は検出する時間が大きくな
りスループツトが落ちる点で実用的でない。
本発明は、配列誤差をもつた前段に転写された
原画の模様に対して、次段に転写される原画の模
様を精度良く重ね合せ露光のできるスループツト
の高い投影露光方法を提供することを目的とする
ものである。
原画の模様に対して、次段に転写される原画の模
様を精度良く重ね合せ露光のできるスループツト
の高い投影露光方法を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、２次元的に移動可能なXYステージ
上に設置された被露光物に、照明光学系を含む投
影光学系によつて、複数枚の原画の模様を順次転
写するにあたり、前記被露光物にあらかじめマト
リツクス状に転写された前段の原画の模様の配列
状態を検出マークによつて求め、該検出マークの
配列状態を基準として次段の原画との相対位置を
求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の
重ね合せを行い、前記被露光物上にステツプアン
ドリピート法により互いに直角をなす方向に２次
元的に前記次段の原画の模様を配列する投影露光
方法において、既に前記被露光物上に形成されて
いる前記前段の原画のマトリツクス状の模様のう
ち、前記被露光物の中心部の原画の模様とこの模
様を中心として互いに実質的に直角をなす方向に
その模様から実質的に等距離にある少なくとも４
個の原画の模様との配列状態を前記検出マークを
用いて求め、この配列状態から、配列のうねり、
XY方向それぞれの伸び縮み、座標系の直交度を
計算機にて求め、前記次段の原画の模様が前記前
段の原画の模様上に最小の誤差で転写されるよう
に前記XYステージを移動させて転写を行うこと
を特徴とするものである。
上に設置された被露光物に、照明光学系を含む投
影光学系によつて、複数枚の原画の模様を順次転
写するにあたり、前記被露光物にあらかじめマト
リツクス状に転写された前段の原画の模様の配列
状態を検出マークによつて求め、該検出マークの
配列状態を基準として次段の原画との相対位置を
求め、その誤差量を補正して次段の原画の模様の
重ね合せを行い、前記被露光物上にステツプアン
ドリピート法により互いに直角をなす方向に２次
元的に前記次段の原画の模様を配列する投影露光
方法において、既に前記被露光物上に形成されて
いる前記前段の原画のマトリツクス状の模様のう
ち、前記被露光物の中心部の原画の模様とこの模
様を中心として互いに実質的に直角をなす方向に
その模様から実質的に等距離にある少なくとも４
個の原画の模様との配列状態を前記検出マークを
用いて求め、この配列状態から、配列のうねり、
XY方向それぞれの伸び縮み、座標系の直交度を
計算機にて求め、前記次段の原画の模様が前記前
段の原画の模様上に最小の誤差で転写されるよう
に前記XYステージを移動させて転写を行うこと
を特徴とするものである。
本発明は、前段の被露光物上のチツプの配列に
生ずる、チツプの配列のうねり、XY方向の配列
の伸び縮みの相違、配列直交度のエラーを少なく
とも５チツプの位置を測定することによつて定性
的、定量的に把握可能な点に着目してなされたも
のである。
生ずる、チツプの配列のうねり、XY方向の配列
の伸び縮みの相違、配列直交度のエラーを少なく
とも５チツプの位置を測定することによつて定性
的、定量的に把握可能な点に着目してなされたも
のである。
例えば、チツプが５行５列に配列されている場
合に測定に用いられる５チツプには、第２〜６図
に示すように、中心のチツプと、この中心のチツ
プからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ１個のチツ
プを置いて選んだ５チツプが用いられる。そし
て、中心のチツプの座標（x0，y0）、Ｘ軸方向の
二つのチツプの座標がそれぞれ（xa＋ya）（xb，
yb）、Ｙ軸方向の二つのチツプの座標がそれぞれ
（xc，yc）（xd，yd）とすると、第２図に示すうね
りの場合には、（X0，y0）（xa，ya）（xb，yb）の
３点の座標を求め、これらの座標により形成され
る円弧上にある（x1，y1）（x2，y2）の位置を求
めることによつて、５行５列の配列が決定され
る。第３図に示すうねりの場合は第２図と全く同
様にして配列が決定される。また、第４図に示す
Ｘ方向に伸びのある場合には、（x0，y0）（xa，
ya）（xb，yb）の３点の座標を求め、 ｜x0−xa｜／｜xb−x0｜＝｜x2−x0｜／｜xb−x2｜＝｜
x1−xa｜／｜x0−x1｜ を満足するx1，x2を求めることによつて５行５列
の配列が決定される。第５図に示すＹ方向に伸び
のある場合も全く同様にして配列が決定される。
さらに、第６図に示す直交度エラーがある場合に
は、（xa，ya）（xb，yb）（xc，yc）（xd，yd）の４
点の座標を求めると、これらの座標より Δθ＝tan-1xd−xc／｜yd−yc｜−tan-1−（yb−ya）
／｜xb−xa｜ として直交度エラーが求まり、５行５列の配列が
決まる。
合に測定に用いられる５チツプには、第２〜６図
に示すように、中心のチツプと、この中心のチツ
プからＸ軸方向、Ｙ軸方向にそれぞれ１個のチツ
プを置いて選んだ５チツプが用いられる。そし
て、中心のチツプの座標（x0，y0）、Ｘ軸方向の
二つのチツプの座標がそれぞれ（xa＋ya）（xb，
yb）、Ｙ軸方向の二つのチツプの座標がそれぞれ
（xc，yc）（xd，yd）とすると、第２図に示すうね
りの場合には、（X0，y0）（xa，ya）（xb，yb）の
３点の座標を求め、これらの座標により形成され
る円弧上にある（x1，y1）（x2，y2）の位置を求
めることによつて、５行５列の配列が決定され
る。第３図に示すうねりの場合は第２図と全く同
様にして配列が決定される。また、第４図に示す
Ｘ方向に伸びのある場合には、（x0，y0）（xa，
ya）（xb，yb）の３点の座標を求め、 ｜x0−xa｜／｜xb−x0｜＝｜x2−x0｜／｜xb−x2｜＝｜
x1−xa｜／｜x0−x1｜ を満足するx1，x2を求めることによつて５行５列
の配列が決定される。第５図に示すＹ方向に伸び
のある場合も全く同様にして配列が決定される。
さらに、第６図に示す直交度エラーがある場合に
は、（xa，ya）（xb，yb）（xc，yc）（xd，yd）の４
点の座標を求めると、これらの座標より Δθ＝tan-1xd−xc／｜yd−yc｜−tan-1−（yb−ya）
／｜xb−xa｜ として直交度エラーが求まり、５行５列の配列が
決まる。
従つて、このように配列されたチツプ上に次段
の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置
しているXYステージを移動させることによつて
次段の原画の模様を前段の原画の模様上の正しい
位置に転写することができ、所期の目的を達成す
ることができる。
の原画の模様を転写する場合に、被露光物を載置
しているXYステージを移動させることによつて
次段の原画の模様を前段の原画の模様上の正しい
位置に転写することができ、所期の目的を達成す
ることができる。
第７図はこの投影露光方法の一実施例を実施す
る装置の要部の概略説明図を示すもので、１４及
び１５はウエハで、５個のチツプを用いる場合の
チツプの配列と、この方法で検出マークの位置が
検出されるチツプの位置が示してあり、５個のチ
ツプは、中心に位置するチツプと、このチツプを
中心として互に直角をなす方向にあり、かつこの
チツプから等距離に位置する４個よりなつてい
る。マークの位置は第１図の投影露光装置の検出
系照明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及
び１２ｂによつて求められる。なおチツプに付し
た符号は第２図〜第６図と同じにしてある。そし
て１６は（xc，yc），（x0，y0），（xd，yd）のデー
タが入力してＸ方向うねり誤差を求めるＸ方向う
ねり誤差補正計算回路、１７は同じくＹ方向ピツ
チ誤差を求めるＹ方向ピツチ誤差補正計算回路、
１８は（xa，ya），（x0，y0），（xb，yb）のデータ
が入力してＹ方向のうねり誤差を求めるＹ方向う
ねり誤差補正計算回路、１９は同じくＸ方向ピツ
チ誤差を求めるＸ方向ピツチ誤差補正計算回路、
２０は（xd，yd），（xc，yc），（xa，ya），（xb，
yb）のデータが入力し直行度誤差を求める直行度
誤差補正計算回路で、これらの計算回路によつて
求めた計算結果によつて最終ステージ目標位置を
求める。このようにして最終ステージ目標位置が
求められると、この最終ステージ目標位置と次段
の原画の位置とのずれを駆動モータ３及び４を用
いてXYステージを動かして調整すれば、ウエハ
２上のチツプに転写されている前段の原画の模様
上に次段の原画の模様を重ねることが出来る。
る装置の要部の概略説明図を示すもので、１４及
び１５はウエハで、５個のチツプを用いる場合の
チツプの配列と、この方法で検出マークの位置が
検出されるチツプの位置が示してあり、５個のチ
ツプは、中心に位置するチツプと、このチツプを
中心として互に直角をなす方向にあり、かつこの
チツプから等距離に位置する４個よりなつてい
る。マークの位置は第１図の投影露光装置の検出
系照明系１１及び１２のパターン検出器１１ｂ及
び１２ｂによつて求められる。なおチツプに付し
た符号は第２図〜第６図と同じにしてある。そし
て１６は（xc，yc），（x0，y0），（xd，yd）のデー
タが入力してＸ方向うねり誤差を求めるＸ方向う
ねり誤差補正計算回路、１７は同じくＹ方向ピツ
チ誤差を求めるＹ方向ピツチ誤差補正計算回路、
１８は（xa，ya），（x0，y0），（xb，yb）のデータ
が入力してＹ方向のうねり誤差を求めるＹ方向う
ねり誤差補正計算回路、１９は同じくＸ方向ピツ
チ誤差を求めるＸ方向ピツチ誤差補正計算回路、
２０は（xd，yd），（xc，yc），（xa，ya），（xb，
yb）のデータが入力し直行度誤差を求める直行度
誤差補正計算回路で、これらの計算回路によつて
求めた計算結果によつて最終ステージ目標位置を
求める。このようにして最終ステージ目標位置が
求められると、この最終ステージ目標位置と次段
の原画の位置とのずれを駆動モータ３及び４を用
いてXYステージを動かして調整すれば、ウエハ
２上のチツプに転写されている前段の原画の模様
上に次段の原画の模様を重ねることが出来る。
この目標決定は、行×列＝５×５の配列をもつ
１：１プロジエクシヨンの場合を例にして補正式
を示したが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場
合、あるいは、第８図に示すように、ウエハ２上
の行×列＝ｎ×ｎの配列の一部がウエハ２の形状
に制限されて欠除する場合にも同様の考えで行う
ことができる。
１：１プロジエクシヨンの場合を例にして補正式
を示したが、一般に行×列＝ｎ×ｎの配列の場
合、あるいは、第８図に示すように、ウエハ２上
の行×列＝ｎ×ｎの配列の一部がウエハ２の形状
に制限されて欠除する場合にも同様の考えで行う
ことができる。
なお、用いる補正式は、１：１プロジエクシヨ
ンの機種、行×列の配列状況により適宜変化する
が、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チツプ以上であれば適宜選定すること
ができる。さらに、この方法は、前段が１：１プ
ロジエクシヨン露光方法によつて転写されたもの
に限られず、前段が他のどのような種類の露光方
法によつて転写形成された場合にも適用可能であ
る。
ンの機種、行×列の配列状況により適宜変化する
が、何れの場合にも同様に適用でき、また、配列
の決定は５チツプ以上であれば適宜選定すること
ができる。さらに、この方法は、前段が１：１プ
ロジエクシヨン露光方法によつて転写されたもの
に限られず、前段が他のどのような種類の露光方
法によつて転写形成された場合にも適用可能であ
る。
本発明は、配列誤差をもつた前段の原画の模様
に対して、次段の原画の模様を精度良く重ね合せ
露光のできるスループツトの高い投影露光方法を
提供可能とするもので、産業上の効果の大なるも
のである。
に対して、次段の原画の模様を精度良く重ね合せ
露光のできるスループツトの高い投影露光方法を
提供可能とするもので、産業上の効果の大なるも
のである。
第１図は投影露光に用いられる投影露光装置の
説明図、第２〜第６図は本発明の投影露光方法の
原理を説明するためのウエハ上のチツプの配列を
示す説明図、第７図は本発明の投影露光方法を実
施する投影露光装置の要部の概略説明図、第８図
はウエハ上のチツプの配列の他の例を示す平面図
である。 １…XYステージ、２…ウエハ、３，４…駆動
モータ、５…レーザ測長系、６…露光照明系、７
…コンデンサレンズ、８…縮少レンズ、９…パタ
ーン原版（レチクル）、１０…原版載置台、１１，
１２…パターン検出系、１３…検出パターン。
説明図、第２〜第６図は本発明の投影露光方法の
原理を説明するためのウエハ上のチツプの配列を
示す説明図、第７図は本発明の投影露光方法を実
施する投影露光装置の要部の概略説明図、第８図
はウエハ上のチツプの配列の他の例を示す平面図
である。 １…XYステージ、２…ウエハ、３，４…駆動
モータ、５…レーザ測長系、６…露光照明系、７
…コンデンサレンズ、８…縮少レンズ、９…パタ
ーン原版（レチクル）、１０…原版載置台、１１，
１２…パターン検出系、１３…検出パターン。
Claims (1)
- １ ２次元的に移動可能なXYステージ上に設置
された被露光物に、照明光学系を含む投影光学系
によつて、複数枚の原画の模様を順次転写するに
あたり、前記被露光物にあらかじめマトリツクス
状に転写された前段の原画の模様の配列状態を検
出マークによつて求め、該検出マークの配列状態
を基準として次段の原画との相対位置を求め、そ
の誤差量を補正して次段の原画の模様の重ね合せ
を行い、前記被露光物上にステツプアンドリピー
ト法により互いに直角をなす方向に２次元的に前
記次段の原画の模様を配列する投影露光方法にお
いて、既に前記被露光物上に形成されている前記
前段の原画のマトリツクス状の模様のうち、前記
被露光物の中心部の原画の模様とこの模様を中心
として互いに実質的に直角をなす方向にその模様
から実質的に等距離にある少なくとも４個の原画
の模様との配列状態を前記検出マークを用いて求
め、この配列状態から、配列のうねり、XY方向
それぞれの伸び縮み、座標系の直交度を計算機に
て求め、前記次段の原画の模様が前記前段の原画
の模様上に最小の誤差で転写されるように前記
XYステージを移動させて転写を行うことを特徴
とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165280A JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165280A JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4249109A Division JPH0766905B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954225A JPS5954225A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0474854B2 true JPH0474854B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15809326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165280A Granted JPS5954225A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954225A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669017B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JPS6144429A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
| JPH069182B2 (ja) * | 1985-02-01 | 1994-02-02 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| JPH0630334B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1994-04-20 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JPH07105324B2 (ja) * | 1986-03-19 | 1995-11-13 | 東芝機械株式会社 | レ−ザミラ−の位置変位補正方法 |
| JP2661015B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1997-10-08 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JPS63250120A (ja) * | 1987-04-07 | 1988-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正装置 |
| JPH0766905B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| JP2646417B2 (ja) * | 1992-10-30 | 1997-08-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP2638528B2 (ja) * | 1994-12-19 | 1997-08-06 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| JP2967974B2 (ja) * | 1996-12-09 | 1999-10-25 | 株式会社ニコン | 回路パターンの形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717132A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Formation of microscopic pattern using lithography and device thereof |
| JPS5780724A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57165280A patent/JPS5954225A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717132A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-28 | Fujitsu Ltd | Formation of microscopic pattern using lithography and device thereof |
| JPS5780724A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954225A (ja) | 1984-03-29 |
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