JP3274959B2 - 半導体露光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上に描画さ
れた半導体集積回路の微細パターンを、ウエハ上に露
光、転写して形成する半導体露光装置、特にマスクとウ
エハを微小間隔に接近させて露光を行なう、いわゆるプ
ロキシミティ露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プロキシミティ露光装置の代表的な例と
して、Ｘ線露光装置がある。たとえば、ＳＲ光源を利用
したＸ線露光装置が、特開平２ー１００３１１号公報に
示されている。

【０００３】このようなＸ線露光装置の一般的な構成を
図１０に示す。図１０において、１はマスク、２はマス
クを保持するマスクチャック、３はマスクメンブレン、
４はマスクチャックベースである。５はウエハ、６はウ
エハを保持するウエハチャックである。７はマスクとウ
エハの位置合せに用いられる微動ステージ、８は各ショ
ット間の移動に用いられる粗動ステージであり、９は粗
動ステージ８の案内が固定されるステージベースであ
る。ウエハ５およびウエハチャック６は微動ステージ７
上に搭載されている。

【０００４】このようなＸ線露光装置においては一般的
に、マスクのパターンをウエハ上に複数回繰り返し露光
を行ういわゆるステップアンドリピート方式で露光を行
い、マスクとウエハを１０〜５０μｍの間隔で対向させ
て露光（プロキシミティ露光）を行う。また、Ｘ線マス
クにおいては、吸収体パターンが形成される部分は２μ
ｍ程度の厚さの薄膜になっている（以下、メンブレンと
いう）。

【０００５】このような従来のＸ線露光装置において、
ダイバイダイ方式で露光を行う手順は、次の通りであ
る。

【０００６】（１）ウエハ５の第ｎショット目を露光す
る部分がマスクメンブレン３の下にくるよう、粗動ステ
ージ８を駆動する。 （２）微動ステージ７によってウエハ５を、マスク１と
ウエハ５の間隔（以下、ギャップという）がステップ時
のギャップからギャップ計測（以下、ＡＦ計測という）
を行うギャップとなる位置へ駆動し、ＡＦ計測を行な
う。 （３）微動ステージ７によってマスク１とウエハ５の平
行出しを行なった後、マスク１とウエハ５の面内方向の
位置ずれ計測（以下、ＡＡ計測という）を行なうための
ギャップに駆動し、ＡＡ計測を行なう。 （４）ウエハ５とマスク１の位置合せを行ない露光す
る。 （５）ウエハ５をステップ時のギャップ位置に退避す
る。 以下、前記（１）〜（５）の手順を繰り返す。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような従来のプロ
キシミティ露光装置においては、マスクとウエハが微小
間隔（数十μｍ）に接近しているため、ギャップ設定時
や退避時、ステップ移動時などのステージ移動の時に、
マスクメンブレンが変形していることが想定される。そ
のため以下のような問題点がある。 （１） ＡＦ計測の値がマスクメンブレンの変形の分だ
け変化してしまう。 （２） マスクメンブレンが変形することによりメンブ
レン上の位置合せマークが面内方向に位置ずれを起こ
し、位置合せ精度が低下する。

【０００８】これらの課題を解決するために例えば、露
光ギャップ設定後、十分に時間をおいてからＡＦ、ＡＡ
計測する方法、あるいはメンブレンが変形しないように
ゆっくりとステージを駆動する方法等が考えられるが、
これらの方法ではスループットの低下が起きてしまう。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
半導体露光装置において、ステージ移動時のマスクメン
ブレンの変形によるマスクとウエハの位置合せ誤差を排
除し、もって、スループットを低下させることなくマス
クとウエハの位置合せ精度および転写精度を高めて生産
性を向上させることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、マスクパターンをマスクメンブレン（３）
上に有するマスクとウエハ（５）との面内方向の位置関
係を計測する位置計測手段（１１）を備え、この位置関
係に基づいてマスクとウエハとを位置合せしてマスクパ
ターンをウエハ上に露光する半導体露光装置において、
前記計測時におけるマスクメンブレンの該マスクメンブ
レンに垂直な方向の変形量を考慮してマスクとウエハ間
の面内方向の位置合せを行うことを特徴とする。

【００１０】この構成において、マスクメンブレンが装
置の動作により垂直方向に変形すると、マスクとウエハ
間の位置関係の計測値に誤差が生じるが、この垂直方向
の変形量（ΔＧ１，ΔＧ２）を考慮して、誤差が除かれ
るように、マスクとウエハ間の位置合せが行われる。

【００１１】より具体的には、少なくともマスクメンブ
レン内の１箇所の変形量を測定する変形量測定手段（１
２）、この変形量からマスクメンブレンの所望位置にお
ける変形量を得る変形量取得手段（１６）、およびこの
所望位置における変形量に基づいて前記位置関係を補正
する補正手段（１７）を有する。

【００１２】また、位置計測手段は、マスクとウエハ間
の間隔を計測する手段（１１）や、マスクおよびウエハ
上のマークを検出してそれらの面内方向の位置ずれを計
測するずれ計測手段（１１）を有する。そして、補正手
段（１７）は所望位置における変形量（Δｇ１）に基づ
いてマスク上のマークの面内方向への偏位量（Δｄα，
Δｄβ）を得、この偏位量に基づいて前記面内方向の位
置ずれの計測値を補正する。あるいは、前記面内方向の
位置ずれの計測値は前記間隔への依存性を有するために
前記間隔の測定値に基づいて補正されるものであり、補
正手段は前記所望位置における変形量（Δｇ２）に基づ
いて前記間隔の測定値を補正する。

【００１３】変形量取得手段は、前記少なくとも１箇所
の変形量と、その変形量の収束と時間との関係に基づい
て、前記所望位置における変形量（Δｇ１，Δｇ２）を
得るものであってもよい。

【００１４】本装置は、通常、前記ウエハを移動させる
ステージを有するが、このステージ（７，８）の駆動パ
ターンに基づいて所望の時刻における前記変形量を考慮
した位置合せを行うようにしてもよい。この場合例え
ば、ステージの駆動パターンに基づいて所望の時刻にお
けるマスクメンブレンの変形量を得る手段（１２）と、
この変形量により、前記位置関係を補正する手段とを有
する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。但し、図１〜９において、同じ符号は
同じ要素を表す。 （実施形態１）図１は、本発明の一実施形態に係るＸ線
露光装置の構成を示す。

【００１６】＜装置構成の説明＞図１において、１はマ
スク、２はマスクを保持するマスクチャック、３はマス
クメンブレン、４はマスクチャックベースである。５は
ウエハ、６はウエハを保持するウエハチャックである。
７はマスク１とウエハ５の位置合せに用いられる微動ス
テージ、８は各ショット間の移動に用いられる粗動ステ
ージ、９は粗動ステージ８の案内が固定されるステージ
ベースである。ウエハ５およびウエハチャック６は微動
ステージ７上に搭載されている。

【００１７】次に本実施形態で使用される変位センサに
ついて説明する。１０はマスク１と垂直方向（以下、Ｚ
方向とする）のウエハチャック６の位置を計測するステ
ージＺセンサ、１１はマスクメンブレン３とウエハ５の
マスク側の面の間隔（以下、ギャップという）および両
者の面内方向のずれ量を計測するアライメントスコープ
である。アライメントスコープ１１は、マスク１上のア
ライメントマークの位置が移動しても計測可能なよう
に、二軸ステージ上に搭載されている。また、ステージ
Ｚセンサ１０とアライメントスコープ１１は、図示して
いないが、面情報を計測可能なように各々三個ずつ設置
されている。１２はマスクメンブレン３の変形を計測す
る非接触変位計である。非接触変位計１２は露光領域内
に進退可能なように一軸ステージ上に搭載されている。
非接触変位計１２はレーザー光をマスクメンブレン３に
当て、その反射光により測定するものである。

【００１８】装置全体はチャンバ１３内に設置され、露
光時は減圧ヘリウム雰囲気におかれる。不図示の光源で
発生したＳＲ光１４は、遮断窓１５（通常Ｂｅ窓が使用
される）を通してチャンバ１３内へ導かれる。１６は非
接触変位計１２から送出されるメンブレン３内の１ケ所
の変形量からマスク１、ウエハ５の位置合せマーク位置
でのメンブレンの変形量を算出し、またメンブレン３の
変形量よりマスクメンブレン３上のアライメントマーク
の面内方向の位置ずれを算出する演算手段である。また
１７は演算手段１６から得られた情報よりアライメント
スコープ１１で得られた情報を補正する処理手段であ
る。

【００１９】＜補正方法の説明＞以下にメンブレン３の
変形量によるＡＦ計測値、ＡＡ計測値の補正について説
明する。

【００２０】（１）ＡＦ計測値の補正 図２はＡＦ計測時のメンブレン３の変形と補正方法を示
したものである。ステップ駆動、およびステップ時のギ
ャップ位置からＡＦ計測を行うギャップ位置への駆動に
より、マスクメンブレン３は図２のようにΔＧ１の変形
を起こす。この状態でＡＦ計測を行なうと、実際のギャ
ップＧ１に対してアライメントマーク２１の位置でΔｇ
１だけ大きいギャップを計測することになる。この測定
値から露光ギャップまでギャップを狭くするとΔｇ１だ
け所定の露光ギャップより小さくギャップが設定される
ことになる。またΔｇ１の値によってはウエハ５とマス
クメンブレン３が接触することがある。これらを避ける
ためにＡＦ計測と同時に変位計１２によりメンブレン３
の変形量ΔＧ１を計測し、演算装置１６によりアライメ
ントマーク２１の位置での変形量Δｇ１を算出し、処理
手段１７により、計測されたＡＦ計測値に対してΔｇ１
の補正を行う。メンブレン３の変形計測位置の変形量△
Ｇ１からアライメントマーク位置での変形量△ｇ１を算
出するためには、演算手段１６内に△Ｇ１からΔｇ１を
算出する計算式をもってその都度計算しても良いし、△
Ｇ１とΔｇ１の対応テーブルを演算手段１６にもっても
よい。また、このテーブルは計算式に基づいて作っても
良いし、別系で実験を行ない、メンブレン３の変形を測
定して作っても良い。

【００２１】（２）マスクメンブレン３の変形によるア
ライメントマークの位置ずれによるＡＡ値の補正 図３はマスクメンブレン３の変形によるマスクメンブレ
ン３上のアライメントマーク２１の面内方向のずれを示
す。図４はアライメントマーク２１のずれをＺ方向から
見た様子を示す。図５はアライメントマーク２１の座標
系（α、β）を示す。アライメントマーク２１はずれを
計測できる方向（以下、アライメント方向という）がマ
ークに対して一方向である。したがって、本体の座標と
は別にマークに対する座標（α、β）を定義する。

【００２２】図３、４に示すように、メンブレン３がＺ
方向に変形することによりマスクメンブレン３上のアラ
イメントマークの位置がα方向にΔｄα、β方向にΔｄ
βだけ移動する。このズレを補正する方法を以下に述べ
る。

【００２３】アライメント方向が図５においてα方向の
場合はΔｄαはアライメント方向のずれであり、ＡＡ計
測値の誤差となる。Δｄβはアライメント方向ではない
のでΔｄβが直接ＡＡ計測値の誤差になることはない。
しかしながら一般にアライメント方向と垂直の方向のア
ライメントマーク間のずれがあるとＡＡ計測値の誤差が
大きくなる。これを補正するためにＡＡ計測と同時にメ
ンブレン変形を計測する。計測されたＺ方向の変形量Δ
Ｇ１より面内方向のずれ（Δｄα、Δｄβ）を演算手段
１６により算出する。このずれ（Δｄα、Δｄβ）はＺ
方向の変形量ΔＧ１から算出する計算式を演算手段１６
内に持っておき、その都度算出しても良いし、（Δｄ
α、Δｄβ）とΔＧ１の関係をあらかじめテーブルとし
て演算手段１６内に持っておき、（Δｄα、Δｄβ）を
算出しても良い。また、マスクメンブレン３の変形計測
位置でのＺ方向の変形量と各マーク位置での面内方向の
ずれをあらかじめ別の実験系で測定しテーブルとして演
算手段１６に持たせておいてもよい。この算出された
（Δｄα、Δｄβ）により計測されたＡＡ値を補正す
る。Δｄβを補正するためにはアライメントマーク間の
アライメント方向に対して垂直の方向のずれがＡＡ計測
値にどのように影響するかをあらかじめ測定しておく。
これは露光装置上であらかじめ計測しておいてもよい
し、別系の実験装置で計測してもよい。Δｄαについて
はΔｄβで補正した後のＡＡ計測値をさらに補正する。
アライメント方向が図５においてβ方向だった場合も座
標のαとβが入れ換わるだけで補正の方法は同じであ
る。

【００２４】＜露光手順の説明＞以下に本発明の特徴で
あるメンブレンの変形量からＡＦ、ＡＡ計測値を補正す
る手順について、露光装置の動作に沿って説明する。図
６はこの手順を示すフローチャートである。

【００２５】本実施形態においては、ダイバイダイ方式
で露光を行なう手順について説明する。

【００２６】まず、ウエハ５の第ｎショット目を露光す
る部分がマスク１の下にくるよう、粗動ステージ８をス
テップ駆動する（ステップＳ１）。このときウエハ５と
マスク１の干渉を避けるため、ステップ時のウエハ５と
マスク１のギャップは両者の平面度、クサビなどを考慮
して十分大きな値に決定される。本実施例では１００μ
ｍ以上とする。また、このステップ駆動と同時に変位計
１２をマスクメンブレンの露光面角内に位置決めする。

【００２７】次に、アライメントスコープ１１によりＡ
Ｆ計測する（ステップＳ２）。また同時に変位計１２に
よりマスクメンブレン３の変形量を計測する。そしてこ
の計測されたＡＦ計測値をマスクメンブレン３の変形量
により補正するとともに（ステップＳ３）、この補正さ
れたＡＦ計測値に基づきステージ７を駆動し、ＡＡ計測
時のギャップ位置においてマスク１とウエハ５が平行に
なるようにする（ステップＳ４）。

【００２８】次に、アライメントスコープ１１によりＡ
Ａ計測し、同時にマスクメンブレン３の変形量を計測す
る（ステップＳ５）。そして、この計測されたＡＡ計測
値をマスクメンブレン３の変形量より補正し（ステップ
Ｓ６）、補正されたＡＡ計測値に基づいて微動ステージ
７を駆動してマスク１とウエハ５の位置合せを行なう
（ステップＳ７）。

【００２９】次に、メンブレン３の変形量が許容の値以
下であればマスクメンブレン変形手段を露光画角から退
避させ（ステップＳ８）、露光を行なう（ステップＳ
９）。そして、露光が終了したらギャップをステップ駆
動時のギャップ（１００μｍ）にして（ステップＳ１
０）、第ｎ＋１ショット目を露光する部分がマスク１の
下に来るように粗動ステージ８を駆動する（ステップＳ
１１）。

【００３０】以上のようなステップＳ１〜Ｓ１１を繰り
返してウエハ５に所定のショット数を露光する。

【００３１】以上のように、マスクメンブレン３の変形
量よりＡＦ、ＡＡ計測値を補正する本実施例において
は、マスクメンブレン３が変形した状態でＡＦ、ＡＡ計
測を高精度に行なうことができ、スループットを向上す
ることができる。

【００３２】なお本実施形態では、ダイバイダイアライ
メント方式の場合について説明したが、上記の補正はグ
ローバルアライメント方式のマスク、ウエハの位置合せ
にも有効である。また、マスクメンブレン３の変形を計
測する非接触変位形１２としては、レーザを用いるもの
以外に、マスクメンブレン３の干渉縞を計測する干渉
計、エアマイクロ等、非接触で変位を計測できるもので
あれば良い。

【００３３】また、本実施形態ではＡＦ計測ギャップと
ＡＡ計測ギャップ（＝露光ギャップ）が違うとき、すな
わちＡＦ計測範囲が露光ギャップよりも大きい場合につ
いて説明したが、上記の補正はＡＦ計測ギャップとＡＡ
計測ギャップが同じ場合でも有効である。ＡＡ、ＡＦ計
測ギャップ設定時のＡＦ計測値の補正は上記のギャップ
が違う場合と同じである。ＡＡ計測時の補正も、ＡＦ計
測後のマスクとウエハの平行出しによりギャップが変わ
りメンブレン３は変形するので、先に記したＡＡ計測ギ
ャップとＡＦ計測ギャップが異なる場合と同様にＡＡ計
測時にメンブレン３の変形を測定し補正をする。

【００３４】（実施形態２）次に、ＡＡ計測値がマスク
とウエハのギャップにより変動する場合の補正の実施形
態を示す。この場合は、実施形態１で説明した補正を行
なった上で、さらにＡＡ計測値がギャップ依存性がある
ためにメンブレン３の変形量によりＡＡ計測値を補正す
る必要がある。つまり、マスクとウエハの面内の位置関
係を、マスクおよびウエハ上に形成された回折格子によ
り回折されセンサ上に結像された計測光のスポットの重
心により検知する方法においては次の理由により、ギャ
ップの変動によりＡＡ計測値に誤差が生じる。すなわ
ち、結像するスポットは２つの異なる光路を経由する光
が加算されたものであり、マスクとウエハのギャップが
変動すれば、２つの光路を経由する光の間で光量の変化
が異なる。そのためスポットの重心に誤差が生じる。ま
た、ＡＡ計測光がウエハ表面に垂直でない場合等は、上
記の回折格子を用いたＡＡ検出方式に限らず生じる。

【００３５】図７は、本実施形態を説明するための図で
ある。ＡＦ計測ギャップＧ１においてギャップを計測
し、微動ステージ７を駆動し、ＡＡ計測ギャップＧ２ま
でギャップを狭めてマスク１とウエハ５の平行出しを行
い、そしてＡＡ計測を行なう。このとき、ウエハの表面
はうねり等があり、平行出しをしても各々のアライメン
トマークの位置ではギャップが違っている。そこで、Ａ
Ｆ計測値から各マーク位置でのギャップの規定値からの
偏差δ１、δ２を算出し、その値でＡＡ計測値の補正を
行なっている。しかしながら、図７に示すように、ギャ
ップをＧ１からＧ２に狭めるときにマスクメンブレン３
はΔＧ２だけ変形しており、ＡＡ計測時のギャップはＡ
Ｆ計測時と比べアライメントマーク２１の位置でΔｇ２
だけ変化している。これを補正するためにＡＡ計測時に
変位測定手段１２でメンブレン３の変形ΔＧ２を計測
し、演算手段１６によりアライメントマーク２１位置で
の変形量Δｇ２を算出し、その値により算出された各マ
ーク位置でのギャップの偏差δ１，δ２を補正する。こ
の補正されたギャップの偏差を基にＡＡ計測値を補正す
る。

【００３６】以上のような補正をすることにより、ＡＡ
計測値がギャップにより誤差を生じるようなＡＡ計測方
式においても高精度な位置決めが可能となる。本実施形
態の補正の流れはＡＡ計測時の補正の項目が増えるだけ
なので、図６に示した実施形態１のフローチャートと同
じである。また、本実施形態の場合も実施例１の場合と
同様にＡＦ計測ギャップとＡＡ計測ギャップが同じ場合
でも有効である。

【００３７】（実施形態３）図８は本発明の第３の実施
形態に係る露光手順を示すフローチャートである。本実
施形態では、マスクメンブレン３が変形してから収束す
るまでの変位と時間の曲線をテーブルとして処理手段１
７内に持ち、ステージを駆動した後に１回変位を測定
し、その後はメンブレン３の変位を計測した後の時間か
らテーブルを用い、各時点での変位を算出する。またメ
ンブレン３の変位と時間の関係は露光装置上であらかじ
め計測しておき、処理手段１７に保存する。より精度の
向上を計る場合は各マスク毎にテーブルを持つと有効で
ある。以上のように変位情報をテーブルとして持つこと
により次のような効果が得られる。

【００３８】ステージを駆動する毎に１回メンブレンの
変位を測定すれば良く、計測後すぐに変位計１２をメン
ブレン変形測定手段は露光画角から退避することができ
（ステップＳ８１）、ＡＡ計測後、変位計１２が退避す
るのを待たずに露光が開始できる。したがって、スルー
プットの向上を計ることができる。 （実施形態４）図９は本発明の第４の実施形態に係る露
光手順を示すフローチャートである。本実施形態ではス
テージの駆動パターン、すなわちステージの駆動量、駆
動速度、駆動初期位置、駆動最終値およびステージ位置
決め後の時間のうち必要なパラメータをステージの駆動
方向により選択し、それらのパラメータよりその時のメ
ンブレン３の変形量を算出するテーブルを演算手段１６
に持つ。これにより、ＡＦ、ＡＡ計測時のメンブレン３
の変形量をその計測直前のステージ駆動パターンとステ
ージ位置決めから計測時の時間をパラメータとして演算
手段１６により算出する（ステップＳ９２）。この、算
出されたマスクメンブレン３の変形量を基に、実施形態
１、２に示したようにＡＦ、ＡＡ計測値を補正する。ス
テージの駆動パターン、ステージ位置決め後の時間とマ
スクメンブレン３の変形量のテーブルを作るには、装置
の本体を用い、あらかじめ本体とは別系のメンブレン変
形量計測手段を本体に設置してメンブレン３の変形を計
測しても良いし、本体とは別の実験装置でメンブレンの
変形量を測定して作っても良い。このようなステージの
駆動パターン、ステージ位置決め後の時間とメンブレン
３の変形量のテーブルをもつことにより、メンブレン３
の変形計測手段を本体に設けなくて良いため、装置構成
がシンプルになる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージ移動時のマスクメンブレンの変形によるマス
ク、ウエハ間の位置合せ誤差を排除することができる。
従ってマスクとウエハの位置合せ精度、および生産性の
向上を図ることができる。また、ステージの駆動パター
ンに基づいてマスクメンブレンの変形量を考慮した位置
合せを行うことにより、装置構成をシンプルにすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態に係るＸ線露光装置
を示す概略構成図。

【図２】 図１の装置におけるＡＦ計測値の補正方法を
示す概念図。

【図３】 図１の装置におけるＡＡ計測値の補正方法を
示す概念図。

【図４】 図３におけるアライメントマークのずれを上
から見た図。

【図５】 図３におけるアライメントマークの座標系を
示す図。

【図６】 図１の装置における補正手順を示すフローチ
ャート。

【図７】 本発明の第２の実施形態に係るＡＡ計測値の
補正方法を示す概念図。

【図８】 本発明の第３の実施形態に係る補正手順を示
すフローチャート。

【図９】 本発明の第３の実施形態に係る補正手順を示
すフローチャート。

【図１０】 従来のＸ線露光装置を示す概略構成図。

【符号の説明】

１：マスク、２：マスクチャック、３：マスクメンブレ
ン、４：マスクチャックベース、５：ウエハ、６：ウエ
ハチャック、７：微動ステージ、８：粗動ステージ、
９：ステージベース、１０：ステージＺセンサ、１１：
アライメントスコープ、１２：非接触変位計、１３：チ
ャンバー、１４：ＳＲ光、１５：遮断窓、１６：ずれ算
出手段、１７：補正手段、２１：アライメントマーク。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクパターンをマスクメンブレン上に
   有するマスクとウエハとの面内方向の位置関係を計測す
   る位置計測手段を備え、この位置関係に基づいて前記マ
   スクとウエハとを位置あわせして前記マスクパターンを
   前記ウエハ上に露光する半導体露光装置において、 前記マスクメンブレンの前記計測時における該マスクメ
   ンブレンに垂直な方向の変形量と前記位置関係に基づい
   て前記マスクとウエハ間の面内方向の位置あわせを行う
   ことを特徴とする半導体露光装置。
2. 【請求項２】 少なくとも前記マスクメンブレン内の１
   箇所の変形量を測定する変形量測定手段、この変形量か
   ら前記マスクメンブレンの所望位置における変形量を得
   る変形量取得手段、およびこの所望位置における変形量
   に基づいて前記位置関係を補正する補正手段を有するこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体露光装置。
3. 【請求項３】 前記位置計測手段は、前記マスクとウエ
   ハ間の間隔を計測する手段を有することを特徴とする請
   求項２記載の半導体露光装置。
4. 【請求項４】 前記位置計測手段は前記マスクおよびウ
   エハ上のマークを検出してそれらの面内方向の位置ずれ
   を計測するずれ計測手段を有し、前記補正手段は前記所
   望位置における変形量に基づいて前記マスク上のマーク
   の面内方向への変位量を得、この変位量に基づいて前記
   面内方向の位置ずれの計測値を補正するものであること
   を特徴とする請求項２記載の半導体露光装置。
5. 【請求項５】 前記位置計測手段は前記マスクとウエハ
   間の面内方向のずれを計測するずれ計測手段および前記
   マスクとウエハ間の間隔を測定する間隔測定手段を備
   え、前記面内方向の位置ずれの計測値は前記間隔への依
   存性を有するために前記間隔の測定値に基づいて補正さ
   れるものであり、前記補正手段は前記所望位置における
   変形量に基づいて前記間隔の測定値を補正するものであ
   ることを特徴とする請求項２記載の半導体露光装置。
6. 【請求項６】 マスクパターンをマスクメンブレン上に
   有するマスクとウエハとの位置関係を計測する位置計測
   手段を備え、この位置関係に基づいて前記マスクとウエ
   ハとを位置あわせして前記マスクパターンを前記ウエハ
   上に露光する半導体露光装置において、少なくとも前記
   マスクメンブレン内の１箇所の変形量を測定する変形量
   測定手段と、前記測定された変形量と、その変形量の収
   束と時間との関係に基づいて、前記マスクメンブレンの
   所望位置における変形量を得る変形量取得手段と、この
   所望位置における変形量に基づいて前記位置関係を補正
   する補正手段とを有し、前記マスクメンブレンの該マス
   クメンブレンに垂直な方向の変形量を考慮して前記マス
   クとウエハ間の位置あわせを行うことを特徴とする半導
   体露光装置。
7. 【請求項７】 マスクパターンをマスクメンブレン上に
   有するマスクとウエハとの位置関係を計測する位置計測
   手段を備え、この位置関係に基づいて前記マスクとウエ
   ハとを位置あわせして前記マスクパターンを前記ウエハ
   上に露光する半導体露光装置において、 前記ウエハを移動させるステージを有し、このステージ
   の駆動パターンに基づいて所望の時刻における前記マス
   クメンブレンの該マスクメンブレンに垂直な方向の変形
   量を考慮して前記マスクとウエハ間の位置合わせを行う
   ことを特徴とする半導体露光装置。
8. 【請求項８】 前記ステージの駆動パターンに基づいて
   所望の時刻における前記マスクメンブレンの変形量を得
   る手段と、この変形量により、前記位置関係を補正する
   手段とを有することを特徴とする請求項７記載の半導体
   露光装置。