JP2711107B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JP2711107B2 JP2711107B2 JP63158607A JP15860788A JP2711107B2 JP 2711107 B2 JP2711107 B2 JP 2711107B2 JP 63158607 A JP63158607 A JP 63158607A JP 15860788 A JP15860788 A JP 15860788A JP 2711107 B2 JP2711107 B2 JP 2711107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction coefficient
- wafer
- scaling correction
- semiconductor wafer
- shot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はいわゆるステップ・アンド・リピート方式
の露光装置を用いた露光方法に関し、特に実素子パター
ンの重ね合わせ精度を改善したものに関するものであ
る。
の露光装置を用いた露光方法に関し、特に実素子パター
ンの重ね合わせ精度を改善したものに関するものであ
る。
従来から、半導体製造に用いられる露光装置として、
ステッパと呼ばれる装置が知られている。このステッパ
は、半導体ウエハを投影レンズ下でステップ移動させな
がら、レチクル上に形成されているパターン像を投影レ
ンズで縮小して１枚のウエハ上の各ショット領域に順次
露光して行くものである。
ステッパと呼ばれる装置が知られている。このステッパ
は、半導体ウエハを投影レンズ下でステップ移動させな
がら、レチクル上に形成されているパターン像を投影レ
ンズで縮小して１枚のウエハ上の各ショット領域に順次
露光して行くものである。
このステッパにおいては、ウエハのプロセス中で発生
する線形伸縮によりランアウトズレが生じ、アライメン
ト精度の低下を招くという欠点があり、このため市販さ
れている露光装置には、このランアウト量を測定し、ず
れを修正する手段が備えられている。
する線形伸縮によりランアウトズレが生じ、アライメン
ト精度の低下を招くという欠点があり、このため市販さ
れている露光装置には、このランアウト量を測定し、ず
れを修正する手段が備えられている。
このような修正の方法としては特開昭61−44429号公
報や特開昭62−291133号公報に示されたものがある。第
５図は前者に示された従来のエンハンスメントグローバ
ルアライメント（EGA）法の露光シーケンスを示し、以
下この図を用いて露光方法を詳しく説明する。
報や特開昭62−291133号公報に示されたものがある。第
５図は前者に示された従来のエンハンスメントグローバ
ルアライメント（EGA）法の露光シーケンスを示し、以
下この図を用いて露光方法を詳しく説明する。
まず、オリエンテーションフラットを使ってウエハの
プリアライメントを行なう（ステップS11）。その後ウ
エハグローバルアライメント（WGA）マークを使ってウ
エハの回転補正を行う（ステップS12）。そして、ウエ
ハステージをチップ配列の設計値に基づいて移動させ、
誤差検出用として設定された複数のショット領域につい
て、レーザステップアライメント（LSA）光学系により
その焼付パターンのLSAアライメントマーク位置を検出
するとともに、レーザ干渉計によりウエハステージの位
置を検出し、これらの検出値によりウエハ上の焼付パタ
ーンとレクチルのパターン像との重ね合わせ誤差を検出
する（ステップS13）。
プリアライメントを行なう（ステップS11）。その後ウ
エハグローバルアライメント（WGA）マークを使ってウ
エハの回転補正を行う（ステップS12）。そして、ウエ
ハステージをチップ配列の設計値に基づいて移動させ、
誤差検出用として設定された複数のショット領域につい
て、レーザステップアライメント（LSA）光学系により
その焼付パターンのLSAアライメントマーク位置を検出
するとともに、レーザ干渉計によりウエハステージの位
置を検出し、これらの検出値によりウエハ上の焼付パタ
ーンとレクチルのパターン像との重ね合わせ誤差を検出
する（ステップS13）。
次に各ショットにおける重ね合わせ誤差と上記ウエハ
ステージの位置座標とから、実際の各ショットの位置座
標を算出し、これらの座標の設計上の位置座標（焼付パ
ターンの位置座標）からの偏差を求め、さらにこの偏差
の平均値を補正値（誤差パラメータ）として算出する
（ステップS4）。そしてこの誤差パラメータと設計値と
から各々の回転，直交，ベースライン，スケーリング補
正されたチップの配列マップを作成する（ステップS1
5）。この配列マップに従ってステップアンドリピート
方式によりステージの位置決めし（ステップS16）、各
ショットを露光する（ステップS17）。
ステージの位置座標とから、実際の各ショットの位置座
標を算出し、これらの座標の設計上の位置座標（焼付パ
ターンの位置座標）からの偏差を求め、さらにこの偏差
の平均値を補正値（誤差パラメータ）として算出する
（ステップS4）。そしてこの誤差パラメータと設計値と
から各々の回転，直交，ベースライン，スケーリング補
正されたチップの配列マップを作成する（ステップS1
5）。この配列マップに従ってステップアンドリピート
方式によりステージの位置決めし（ステップS16）、各
ショットを露光する（ステップS17）。
ここで補正値（誤差パラメーター）としては上述のよ
うにベースライン補正，回転補正，直交度補正，スケー
リング補正の４つがあり、これら４つの中でスケーリン
グ補正については第６図に示すように定義される。スケ
ーリング補正係数Ｐは、 となる。
うにベースライン補正，回転補正，直交度補正，スケー
リング補正の４つがあり、これら４つの中でスケーリン
グ補正については第６図に示すように定義される。スケ
ーリング補正係数Ｐは、 となる。
ここで、Ｌはステップサイズ,Nはショットナンバー,x
はウエハ中心からＮ番目のショットまでの設計距離,Xは
ウエハ中心からＮ番目のショットまでの実測距離、10n
はウエハ中心からＮ番目のショットである。
はウエハ中心からＮ番目のショットまでの設計距離,Xは
ウエハ中心からＮ番目のショットまでの実測距離、10n
はウエハ中心からＮ番目のショットである。
また上記補正値は特開昭61−44429号公報に開示され
ているような高度は統計的手法によって求められてい
る。このような露光シーケンスはNSR−1505G（日本光学
製）ステッパーに採用されている。
ているような高度は統計的手法によって求められてい
る。このような露光シーケンスはNSR−1505G（日本光学
製）ステッパーに採用されている。
従来の露光方法はアライメントマークの信号検出位置
を実際のアライメントマーク位置であると仮定して、ス
ケーリング補正係数を求めるものであるため、対称性の
よいマークを用いる必要があった。
を実際のアライメントマーク位置であると仮定して、ス
ケーリング補正係数を求めるものであるため、対称性の
よいマークを用いる必要があった。
詳しく説明すると、第４図は上記EGAのサンプリング
ショットのウエハ中心からの距離を変えてNSR−1505G
（日本光学製）を用いて計測されたスケーリング補正係
数を示し、実線はアライメントマーク上にレジストを塗
布していない時、点線はレジストを塗布した時の補正係
数を示している。なおこの図では横軸にサンプリングシ
ョットのウエハ中心からの距離、縦軸にスケーリング補
正係数をとっている。この図からレジスト塗布により擬
似のスケーリングエラーが発生することがわかる。
ショットのウエハ中心からの距離を変えてNSR−1505G
（日本光学製）を用いて計測されたスケーリング補正係
数を示し、実線はアライメントマーク上にレジストを塗
布していない時、点線はレジストを塗布した時の補正係
数を示している。なおこの図では横軸にサンプリングシ
ョットのウエハ中心からの距離、縦軸にスケーリング補
正係数をとっている。この図からレジスト塗布により擬
似のスケーリングエラーが発生することがわかる。
また、'87応用物理学会予稿集（18a−Ｆ−6,18a−Ｆ
−8,18a−Ｆ−9,18a−Ｆ−10）には、レジストのアライ
メントマーク上の部分では非対称性が強く、マーク上の
レジスト膜による干渉効果がアライメント精度に悪影響
を及ぼしていることが報告されている。
−8,18a−Ｆ−9,18a−Ｆ−10）には、レジストのアライ
メントマーク上の部分では非対称性が強く、マーク上の
レジスト膜による干渉効果がアライメント精度に悪影響
を及ぼしていることが報告されている。
このため均一なレジスト膜厚を得るマーク構造や透明
樹脂をコーティングしてレジスト膜厚を均一にする改良
が必要であるという問題があった。
樹脂をコーティングしてレジスト膜厚を均一にする改良
が必要であるという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マーク，及びマークを被覆するレジスト等
の被覆材料の非対称性から生じるオフセットを除いて、
ウエハの伸縮あるいは装置間のステッピングエラーのみ
による正しいランアウト補正量を求めることができ、こ
れによりスループットの減少を招くことなく、重ね合わ
せ精度を向上でき、ひいてはウエハの歩留りを向上でき
る露光方法を得ることを目的とする。
れたもので、マーク，及びマークを被覆するレジスト等
の被覆材料の非対称性から生じるオフセットを除いて、
ウエハの伸縮あるいは装置間のステッピングエラーのみ
による正しいランアウト補正量を求めることができ、こ
れによりスループットの減少を招くことなく、重ね合わ
せ精度を向上でき、ひいてはウエハの歩留りを向上でき
る露光方法を得ることを目的とする。
２次元移動するウエハステージの位置座標，及び当該
ウエハステージ上に載置された半導体ウエハのアライメ
ントマークの位置座標に基づいてスケーリング補正係数
（Ｐ）を算出し、上記ウエハステージをこの係数に基づ
いてステップ・アンド・リピート動作させ、レチクル上
の素子パターン像を上記半導体ウエハ上の複数の領域に
順次焼付ける,EGA法の露光シーケンスを採用した露光方
法において、上記ウエハステージの位置座標の検出値
と、上記アライメントマークの位置座標の検出値とに基
づいて、上記複数のショット領域のうち上記半導体ウエ
ハの所定の位置から数えてＮ番目にある第１の１又は複
数のショット領域，及び当該所定の位置から数えてＮ−
１番目にある第２の１又は複数のショット領域の各々に
ついて、既設の実素子パターンの位置と設計上の素子パ
ターンの位置とのずれ量（ΔＸ）を検出し、上記第１の
１又は複数のショット領域で検出された１又は複数の上
記ずれ量を演算処理して第１のスケーリング補正係数 但し、Ｌはステップサイズ）を算出し、上記第２の１又
は複数のショット領域で検出された１又は複数の上記ず
れ量を演算処理して第２のスケーリング補正係数
（Pn-1）を算出し、これら第1,第２のスケーリング補正
係数を下記式に代入して上記スケーリング補正係数
（Ｐ）を算出するようにしたものである。
ウエハステージ上に載置された半導体ウエハのアライメ
ントマークの位置座標に基づいてスケーリング補正係数
（Ｐ）を算出し、上記ウエハステージをこの係数に基づ
いてステップ・アンド・リピート動作させ、レチクル上
の素子パターン像を上記半導体ウエハ上の複数の領域に
順次焼付ける,EGA法の露光シーケンスを採用した露光方
法において、上記ウエハステージの位置座標の検出値
と、上記アライメントマークの位置座標の検出値とに基
づいて、上記複数のショット領域のうち上記半導体ウエ
ハの所定の位置から数えてＮ番目にある第１の１又は複
数のショット領域，及び当該所定の位置から数えてＮ−
１番目にある第２の１又は複数のショット領域の各々に
ついて、既設の実素子パターンの位置と設計上の素子パ
ターンの位置とのずれ量（ΔＸ）を検出し、上記第１の
１又は複数のショット領域で検出された１又は複数の上
記ずれ量を演算処理して第１のスケーリング補正係数 但し、Ｌはステップサイズ）を算出し、上記第２の１又
は複数のショット領域で検出された１又は複数の上記ず
れ量を演算処理して第２のスケーリング補正係数
（Pn-1）を算出し、これら第1,第２のスケーリング補正
係数を下記式に代入して上記スケーリング補正係数
（Ｐ）を算出するようにしたものである。
Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１） 〔作用〕 この発明においては、上記構成としたから、アライメ
ントマークの位置座標の検出値に含まれる検出誤差を含
むことのない真の（正しい）スケーリング補正係数を用
いてアライメントを行うことができ、スループットの減
少を招くことなく、重ね合わせ精度を向上してウエハの
歩留りを向上することができる。
ントマークの位置座標の検出値に含まれる検出誤差を含
むことのない真の（正しい）スケーリング補正係数を用
いてアライメントを行うことができ、スループットの減
少を招くことなく、重ね合わせ精度を向上してウエハの
歩留りを向上することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による露光方法に使用する
露光装置の構成を示すブロック図であり、図において、
１はステップ・アンド・リピート動作するウエハステー
ジで、その上には半導体ウエハ２が載置されている。ま
た３はレクチル４上の実素子パターン像を投影レンズ５
を介して上記ウエハ２上に焼付ける照明系、６は上記ウ
エハステージ１の位置を検出するレーザ干渉計、７は上
記ウエハ２の既設の焼付パターンのアライメントマーク
の位置をミラー８を介して読み取るマーク検出光学系で
ある。
露光装置の構成を示すブロック図であり、図において、
１はステップ・アンド・リピート動作するウエハステー
ジで、その上には半導体ウエハ２が載置されている。ま
た３はレクチル４上の実素子パターン像を投影レンズ５
を介して上記ウエハ２上に焼付ける照明系、６は上記ウ
エハステージ１の位置を検出するレーザ干渉計、７は上
記ウエハ２の既設の焼付パターンのアライメントマーク
の位置をミラー８を介して読み取るマーク検出光学系で
ある。
またM1はウエハステージ１のステッピング量（ウエハ
ステージの位置座標）とアライメントマークの検出位置
座標に基づいて、ウエハ中心からＮ番目の複数のショッ
ト、及びＮ−１番目の複数のショットにおいてそれぞれ
既設の実素子パターンと設計上の実素子パターン像との
ずれを検出するずれ検出手段、M2はＮ番目及びＮ−１番
目のショットすべてについて得られたずれ量を演算処理
してスケーリング補正係数を算出する補正係数算出手
段、９はこのスケーリング補正係数に基づいて上記ウエ
ハステージ１をステップ送り駆動制御するウエハステー
ジの駆動装置である。
ステージの位置座標）とアライメントマークの検出位置
座標に基づいて、ウエハ中心からＮ番目の複数のショッ
ト、及びＮ−１番目の複数のショットにおいてそれぞれ
既設の実素子パターンと設計上の実素子パターン像との
ずれを検出するずれ検出手段、M2はＮ番目及びＮ−１番
目のショットすべてについて得られたずれ量を演算処理
してスケーリング補正係数を算出する補正係数算出手
段、９はこのスケーリング補正係数に基づいて上記ウエ
ハステージ１をステップ送り駆動制御するウエハステー
ジの駆動装置である。
第２図は本実施例の露光方法を説明するための図で、
ウエハ上に設定されたショット領域、及びスケーリング
補正係数の算出アルゴリズムを示している。
ウエハ上に設定されたショット領域、及びスケーリング
補正係数の算出アルゴリズムを示している。
また第３図はレジストの塗布ムラによるアライメント
マークの位置ずれを示す図である。ここで示すようにレ
ジスト30の塗布ムラを有するアライメントマーク20の位
置検出信号には擬似の位置ずれ量（ΔＲ）が含まれる。
よって、中心よりＮ番目のサンプリングショットより計
測されたスケーリングの補正係数Pnは、 となり、（Ｎ−１）番目のものPn-1は、 となる。
マークの位置ずれを示す図である。ここで示すようにレ
ジスト30の塗布ムラを有するアライメントマーク20の位
置検出信号には擬似の位置ずれ量（ΔＲ）が含まれる。
よって、中心よりＮ番目のサンプリングショットより計
測されたスケーリングの補正係数Pnは、 となり、（Ｎ−１）番目のものPn-1は、 となる。
（P:真のスケーリング補正係数、Pn,Pn-1:計測されたス
ケーリング補正係数、ΔEn:設計値からの位置ずれ量
（ウエハの伸縮など）、ΔRn:擬似の位置ずれ量（塗布
ムラなど）、L:ステップサイズ、N:ショットナンバー） ここで、真のスケーリング補正係数ＰはＮ番目，ある
いはＮ−１番目いずれのショットについても等しく、つ
まり であるから、上記（１），（２）式より で表せる。またウエハ周辺部において、レジストの塗布
ムラによる位置ずれ量が等しい（ΔRnΔRn-1）と仮定
すると、 Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１）で表せる。
ケーリング補正係数、ΔEn:設計値からの位置ずれ量
（ウエハの伸縮など）、ΔRn:擬似の位置ずれ量（塗布
ムラなど）、L:ステップサイズ、N:ショットナンバー） ここで、真のスケーリング補正係数ＰはＮ番目，ある
いはＮ−１番目いずれのショットについても等しく、つ
まり であるから、上記（１），（２）式より で表せる。またウエハ周辺部において、レジストの塗布
ムラによる位置ずれ量が等しい（ΔRnΔRn-1）と仮定
すると、 Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１）で表せる。
よって真のスケーリング補正係数はＮ番目と（Ｎ−
１）番目の計測されたスケーリング補正係数より求めら
れる。
１）番目の計測されたスケーリング補正係数より求めら
れる。
次に第２図を用いて動作について説明する。
NSR−1505Gを用い、１枚目のウエハにおいて第２図
（ａ）のように中心からＮ番目のサンプリングショット
10n8ヶを選択し、EGA法によりスケーリング補正係数（P
n）を計測する（ステップS1）。次にPnがある設定値よ
り大きいか否かを判断し（ステップS2）、大きい場合
は、中心からＮ−１番目のサンプリングショット10mに
よるスケーリング補正係数（Pn-1）を測定する（ステッ
プS3）。この係数PnとPn-1より、真のスケーリング補正
係数Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１）を求め（ステップS
4）、このスケーリング補正係数ＰからＸ軸方向の補正
値Ｐ（ｘ）,Y軸方向の補正値Ｐ（ｙ）を算出し、これら
の値をNSR−1505Gのスケーリング補正係数としてオフセ
ット入力し（ステップS5）、スケーリング補正のみこの
オフセット値に従うよう設定する。そして再度、ウエハ
をNSR−1505Gに搬送し、EGAアライメントに従って露光
する（ステップS6）。また上記ステップS2において、設
定値がPnより小さい場合には、ステップS3〜５を飛ばし
てステップS6へ進む。
（ａ）のように中心からＮ番目のサンプリングショット
10n8ヶを選択し、EGA法によりスケーリング補正係数（P
n）を計測する（ステップS1）。次にPnがある設定値よ
り大きいか否かを判断し（ステップS2）、大きい場合
は、中心からＮ−１番目のサンプリングショット10mに
よるスケーリング補正係数（Pn-1）を測定する（ステッ
プS3）。この係数PnとPn-1より、真のスケーリング補正
係数Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１）を求め（ステップS
4）、このスケーリング補正係数ＰからＸ軸方向の補正
値Ｐ（ｘ）,Y軸方向の補正値Ｐ（ｙ）を算出し、これら
の値をNSR−1505Gのスケーリング補正係数としてオフセ
ット入力し（ステップS5）、スケーリング補正のみこの
オフセット値に従うよう設定する。そして再度、ウエハ
をNSR−1505Gに搬送し、EGAアライメントに従って露光
する（ステップS6）。また上記ステップS2において、設
定値がPnより小さい場合には、ステップS3〜５を飛ばし
てステップS6へ進む。
ここでは、第３図のグラフで示されるNSR1505Gのスケ
ーリング計測値，つまり点Ａ（5.0,3.5）、点Ｂ（7.2,
2.5）を上記式に代入するとＰ＝5.0×3.5−7.2×2.5＝
−0.5（ppm）が得られた。この値−0.5（ppm）をスケー
リングオフセット値として入力し、EGAアライメントを
行った。
ーリング計測値，つまり点Ａ（5.0,3.5）、点Ｂ（7.2,
2.5）を上記式に代入するとＰ＝5.0×3.5−7.2×2.5＝
−0.5（ppm）が得られた。この値−0.5（ppm）をスケー
リングオフセット値として入力し、EGAアライメントを
行った。
このように本実施例では、ウエハ中心からＮ番目のシ
ョット10n、及びＮ−１番目のショット10mからそれぞれ
既設の実素子パターンと設計上実素子パターン像とのず
れを検出し、これらのずれ量について焼付位置補正量を
算出し、この両焼付位置補正量を演算処理して、アライ
メントマークの測定誤差分を含まないスケーリング補正
係数Ｐを算出するようにしたので、ランアウト量を、ア
ライメントマークの非対称性から生じるオフセットを除
いたものとでき、これによりスループットの減少を招く
ことなく、重ね合わせ精度を向上してウエハの歩留りを
向上することができる。
ョット10n、及びＮ−１番目のショット10mからそれぞれ
既設の実素子パターンと設計上実素子パターン像とのず
れを検出し、これらのずれ量について焼付位置補正量を
算出し、この両焼付位置補正量を演算処理して、アライ
メントマークの測定誤差分を含まないスケーリング補正
係数Ｐを算出するようにしたので、ランアウト量を、ア
ライメントマークの非対称性から生じるオフセットを除
いたものとでき、これによりスループットの減少を招く
ことなく、重ね合わせ精度を向上してウエハの歩留りを
向上することができる。
以上のように、この発明にかかる露光方法によれば、
２次元移動するウエハステージの位置座標，及び当該ウ
エハステージ上に載置された半導体ウエハのアライメン
トマークの位置座標に基づいてスケーリング補正係数
（Ｐ）を算出し、上記ウエハステージをこの係数に基づ
いてステップ・アンド・リピート動作させ、レチクル上
の素子パターン像を上記半導体ウエハ上の複数のショッ
ト領域に順次焼付ける,EGA法の露光シーケンスを採用し
た露光方法において、上記ウエハステージの位置座標の
検出値と、上記アライメントマークの位置座標の検出値
とに基づいて、上記複数のショット領域のうち上記半導
体ウエハの所定の位置から数えてＮ番目にある第１の１
又は複数のショット領域，及び当該所定の位置から数え
てＮ−１番目にある第２の１又は複数のショット領域の
各々について、既設の実素子パターンの位置と設計上の
素子パターンの位置とのずれ量（ΔＸ）を検出し、上記
第１の１又は複数のショット領域で検出された１又は複
数の上記ずれ量を演算処理して第１のスケーリング補正
係数 但し、Ｌはステップサイズ）を算出し、上記第２の１又
は複数のショット領域で検出された１又は複数の上記ず
れ量を演算処理して第２のスケーリング補正係数
（Pn-1）を算出し、これら第1,第２のスケーリング補正
係数を下記式に代入して上記スケーリング補正係数
（Ｐ）を算出するようにしたので、 Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１） アライメントマークの位置座標の検出値に含まれるア
ライメントマーク及びアライメントマークを被覆するレ
ジスト等の被覆材料の非対称性によって生ずるオフセッ
ト量（検出誤差）が除去された、アライメントマークの
位置座標の検出値から、半導体ウエハの線形伸縮あるい
は装置自体のステッピングエラーのみに基づく真の（正
しい）スケーリング補正係数が算出されることとなり、
その結果、高精度なアライメントにより（重合わせ精度
が向上して）、スループットの減少を招くことなく、ウ
エハの歩留りを向上できる効果がある。
２次元移動するウエハステージの位置座標，及び当該ウ
エハステージ上に載置された半導体ウエハのアライメン
トマークの位置座標に基づいてスケーリング補正係数
（Ｐ）を算出し、上記ウエハステージをこの係数に基づ
いてステップ・アンド・リピート動作させ、レチクル上
の素子パターン像を上記半導体ウエハ上の複数のショッ
ト領域に順次焼付ける,EGA法の露光シーケンスを採用し
た露光方法において、上記ウエハステージの位置座標の
検出値と、上記アライメントマークの位置座標の検出値
とに基づいて、上記複数のショット領域のうち上記半導
体ウエハの所定の位置から数えてＮ番目にある第１の１
又は複数のショット領域，及び当該所定の位置から数え
てＮ−１番目にある第２の１又は複数のショット領域の
各々について、既設の実素子パターンの位置と設計上の
素子パターンの位置とのずれ量（ΔＸ）を検出し、上記
第１の１又は複数のショット領域で検出された１又は複
数の上記ずれ量を演算処理して第１のスケーリング補正
係数 但し、Ｌはステップサイズ）を算出し、上記第２の１又
は複数のショット領域で検出された１又は複数の上記ず
れ量を演算処理して第２のスケーリング補正係数
（Pn-1）を算出し、これら第1,第２のスケーリング補正
係数を下記式に代入して上記スケーリング補正係数
（Ｐ）を算出するようにしたので、 Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１） アライメントマークの位置座標の検出値に含まれるア
ライメントマーク及びアライメントマークを被覆するレ
ジスト等の被覆材料の非対称性によって生ずるオフセッ
ト量（検出誤差）が除去された、アライメントマークの
位置座標の検出値から、半導体ウエハの線形伸縮あるい
は装置自体のステッピングエラーのみに基づく真の（正
しい）スケーリング補正係数が算出されることとなり、
その結果、高精度なアライメントにより（重合わせ精度
が向上して）、スループットの減少を招くことなく、ウ
エハの歩留りを向上できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による露光方法に使用する
露光装置のブロック構成を示す図、第２図はこの露光方
法を説明するための図、第３図はレジストの塗布ムラに
よるアライメントマークの位置ずれ状態を示す図、第４
図はサンプリングショット位置によるスケーリング補正
係数の変化を示す図、第５図は従来のEGA露光シーケン
スを示す図、第６図はスケーリング補正係数の定義を説
明するための図である。 １……ウエハステージ、２……ウエハ、３……照明系、
４……レクチル、５……投影レンズ、６……レーザ干渉
計、M1……ずれ量検出手段、M2……補正係数算出手段、
７……ステップ駆動装置、10……ショット領域、10n…
…ウエハ中心からＮ番目のショット領域、10m……ウエ
ハ中心からＮ−１番目のショット領域、20……アライメ
ントマーク。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
露光装置のブロック構成を示す図、第２図はこの露光方
法を説明するための図、第３図はレジストの塗布ムラに
よるアライメントマークの位置ずれ状態を示す図、第４
図はサンプリングショット位置によるスケーリング補正
係数の変化を示す図、第５図は従来のEGA露光シーケン
スを示す図、第６図はスケーリング補正係数の定義を説
明するための図である。 １……ウエハステージ、２……ウエハ、３……照明系、
４……レクチル、５……投影レンズ、６……レーザ干渉
計、M1……ずれ量検出手段、M2……補正係数算出手段、
７……ステップ駆動装置、10……ショット領域、10n…
…ウエハ中心からＮ番目のショット領域、10m……ウエ
ハ中心からＮ−１番目のショット領域、20……アライメ
ントマーク。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−160613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−174717（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−32614（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】２次元移動するウエハステージの位置座
標，及び当該ウエハステージ上に載置された半導体ウエ
ハのアライメントマークの位置座標に基づいてスケーリ
ング補正係数（Ｐ）を算出し、上記ウエハステージをこ
の係数に基づいてステップ・アンド・リピート動作さ
せ、レチクル上の素子パターン像を上記半導体ウエハ上
の複数のショット領域に順次焼付ける,EGA法の露光シー
ケンスを採用した露光方法において、 上記ウエハステージの位置座標の検出値と、上記アライ
メントマークの位置座標の検出値とに基づいて、上記複
数のショット領域のうち上記半導体ウエハの所定の位置
から数えてＮ番目にある第１の１又は複数のショット領
域，及び当該所定の位置から数えてＮ−１番目にある第
２の１又は複数のショット領域の各々について、既設の
実素子パターンの位置と設計上の素子パターンの位置と
のずれ量（ΔＸ）を検出し、 上記第１の１又は複数のショット領域で検出された１又
は複数の上記ずれ量を演算処理して第１のスケーリング
補正係数 但し、Ｌはステップサイズ）を算出し、上記第２の１又
は複数のショット領域で検出された１又は複数の上記ず
れ量を演算処理して第２のスケーリング補正係数
（Pn-1）を算出し、これら第1,第２のスケーリング補正
係数を下記式に代入して上記スケーリング補正係数
（Ｐ）を算出するようにしたことを特徴とする露光方
法。 Ｐ＝Pn・Ｎ−Pn-1・（Ｎ−１） - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の露光方法にお
いて、 上記半導体ウエハの所定の位置は、上記半導体ウエハの
中心であることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158607A JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158607A JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027511A JPH027511A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2711107B2 true JP2711107B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=15675400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158607A Expired - Lifetime JP2711107B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711107B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226219A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-09-03 | Nec Corp | 露光装置の位置合せ方法 |
| JP4846888B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法 |
| WO2000057126A1 (fr) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Nikon Corporation | Dispositifs et procedes de determination de position, d'exposition, et de determination d'alignement |
| KR101043182B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2011-06-20 | 김미경 | 향수 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160613A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
| JPS61174717A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
| JPH0722099B2 (ja) * | 1985-08-03 | 1995-03-08 | 株式会社ニコン | 精度検査方法及び該検査機能を有する露光装置 |
| JP2610815B2 (ja) * | 1985-09-19 | 1997-05-14 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158607A patent/JP2711107B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH027511A (ja) | 1990-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2864060B2 (ja) | 縮小投影型露光装置及び方法 | |
| US6481003B1 (en) | Alignment method and method for producing device using the alignment method | |
| US5448333A (en) | Exposure method | |
| US5695897A (en) | Alignment method and semiconductor exposure method | |
| KR100237941B1 (ko) | 노광장치 및 노광방법 | |
| JP2610815B2 (ja) | 露光方法 | |
| US6239858B1 (en) | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor device manufactured by using the exposure apparatus | |
| JP5006761B2 (ja) | 位置合わせ方法、位置合わせ装置、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3339079B2 (ja) | アライメント装置、そのアライメント装置を用いた露光装置、並びにアライメント方法、そのアライメント方法を含む露光方法、その露光方法を含むデバイス製造方法、そのデバイス製造方法により製造されたデバイス | |
| US7050151B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| JP2711107B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH08306610A (ja) | 走査露光方法および該方法を用いた回路素子製造方法 | |
| JP3530692B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH10284396A (ja) | アライメント方法及び重ね合わせ精度計測方法 | |
| JPH0474854B2 (ja) | ||
| JP3337921B2 (ja) | 投影露光装置および位置合せ方法 | |
| JPH0715878B2 (ja) | 露光方法及びフォトリソグラフィ装置 | |
| JP3313543B2 (ja) | 露光装置用位置合せ装置及び位置合わせ方法 | |
| JPH088175A (ja) | 位置合せ装置及び位置合せ方法 | |
| US20010031406A1 (en) | Photomask and exposure method | |
| JP2868548B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP3320298B2 (ja) | 半導体露光装置およびこの装置を用いた半導体露光方法 | |
| JP3274959B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP2909053B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2909052B2 (ja) | 投影露光装置 |