JP2864060B2 - 縮小投影型露光装置及び方法 - Google Patents

縮小投影型露光装置及び方法

Info

Publication number
JP2864060B2
JP2864060B2 JP3250323A JP25032391A JP2864060B2 JP 2864060 B2 JP2864060 B2 JP 2864060B2 JP 3250323 A JP3250323 A JP 3250323A JP 25032391 A JP25032391 A JP 25032391A JP 2864060 B2 JP2864060 B2 JP 2864060B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
optical system
projection
projection optical
magnification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP3250323A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0562880A (ja
Inventor
眞 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17206203&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2864060(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP3250323A priority Critical patent/JP2864060B2/ja
Priority to EP92307946A priority patent/EP0531102B1/en
Priority to DE69226139T priority patent/DE69226139T2/de
Priority to US07/939,713 priority patent/US5270771A/en
Publication of JPH0562880A publication Critical patent/JPH0562880A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2864060B2 publication Critical patent/JP2864060B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縮小投影光学系を用いて
電子回路パターンを半導体基板上に投影露光する縮小投
影型露光装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】縮小投影型露光装置においては、２次元
移動可能なステージ上に載置された半導体基板（ウエ
ハ）に形成された位置合わせ用マークを用いて、電子回
路パターンが形成されたマスク（レチクル）とウエハを
位置合わせした後に露光を行っている。このとき位置合
わせは、ウエハ上に形成される素子（チップ）毎に実行
するいわゆるダイバイダイによる方法と、ウエハ上の数
点のチップについて位置計測を行い、各位置ずれ量から
ウエハ全体の位置ずれを演算して各チップの位置ずれが
最小になるような位置にステージを動かし、位置合わせ
を行ういわゆるグローバルアライメントによる方法があ
る。このとき、各チップの中心の位置合わせは、ウエハ
を載置したステージを移動することにより行うことがで
きるが、チップ内の各点を位置合わせするためには、縮
小投影レンズの投影倍率を変化させる必要がある。この
際、従来はチップ内の既に一括して露光された複数のマ
ークの間隔からチップの形成されている倍率を算出して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようにしてチップ倍率を算出する場合、その算出精度は
形成されたチップの大きさに依存する。例えば、５イン
チのウエハに１５ｍｍ角のチップが形成されている場合
を考えると、位置合わせ用マークの間隔はたかだか１５
ｍｍであるのに対し、ウエハのサイズは１２５ｍｍあ
る。したがってマークの位置検出に同じ方法を使うとす
ると、マーク検出をウエハ全体に亘って行うことによ
り、倍率（この場合はウエハ倍率となる）算出精度は約
８倍高い精度が期待できる。またウエハのチップ倍率が
変動する主要因として、半導体の製造工程に起因するも
のがある。一般に半導体の製造は複数の工程から構成さ
れており、各工程においてウエハには熱処理のような様
々な処理が施されるが、ウエハはこの熱処理等の影響で
変形を起こすことがある。この変形がウエハの伸縮とい
う形で現れた場合、チップ倍率は変動することになる。
このチップ倍率の変動を正確に算出しなければ正確な位
置合わせはできず露光精度が低下する。
【０００４】本発明はこれらの点に鑑みなされたもので
あって、製造工程に起因するウエハの伸縮による位置ず
れを低減し、かつ倍率算出精度の向上を図った縮小投影
型露光装置及び方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明では、縮小投影型露光装置におい
て、マスクおよび被露光基板であるウエハは各々２次元
移動可能なステージに載置され、マスクおよびウエハの
相対的な位置ずれを検出して位置合わせを行う。このよ
うな投影型露光装置において、各ステージはレーザ干渉
計等の位置計測手段により位置検出が行われる。レーザ
干渉計は計測系が位置する大気の環境の変動の影響を受
ける。大気圧、温度、または湿度の変化はレーザの波長
に変化を与えるため、これらの環境の変化は、ステージ
の位置計測に倍率誤差を与える。このため、レーザ干渉
系において大気圧、温度、および／または湿度を環境の
変化を示す値として検出し、その検出値を用いてレーザ
の波長を補正している。また、環境の変化は投影光学系
の結像倍率にも変化を与えるため、気圧を計測し、その
変化から投影光学系の結像倍率を気圧変化に追従させ
る。また露光を繰り返し行うことにより、投影光学系の
結像倍率が変化するため、露光量の積算値を検出し、こ
の値から投影光学系の結像倍率を補正する。これらの補
正が適切に実施されている装置において、ウエハ上の複
数のチップに亘って位置合わせ用マークを検出した場
合、それにより算出される倍率は、従来の技術に比較す
ると著しい精度向上を期待することができる。本発明に
係わる構成によった投影型露光装置によればウエハ上の
複数のマークを検出し、それらの検出位置からウエハの
伸縮を演算することによって投影光学系の結像倍率を調
整し、これによってウエハ伸縮による位置ずれを補正す
ることにより、チップ倍率の検出精度を向上させ、チッ
プ内の各点での位置合わせ精度を向上させることが可能
である。
【０００６】
【実施例】図１は本発明が適用された縮小投影型露光装
置の要部概略図である。露光用照明光源２から照射され
た露光用照明光束は、２次元移動可能なステージ１２に
載置されたレチクルＲ、投影光学系１を介して同じく２
次元移動可能なステージ３上に載置されたウエハＷ上に
レチクル上の電子回路パターンを投影している。レチク
ルステージ１２およびウエハステージ３は、おのおのＸ
Ｙ２軸方向にレーザ干渉計１３および１４を有してお
り、ステージの位置を高精度に検出している。同図１５
は、環境モニタ用センサであり、周囲の温度、気圧、湿
度を随時検出し、干渉計補正装置１７に検出値を送出し
ている。また同図１６は温度センサであり、レチクルま
たはウエハを載置しているステージの物体温度を計測す
る。干渉計補正装置１７は、センサ１５および１６から
入力した環境計測値、各ステージ温度からレーザ波長を
補正し、レーザ光波長を適切な値に補正する。また、干
渉計補正装置１７はステージ温度を用いてステージの伸
縮を算出し、ステージ伸縮による影響を考慮してレーザ
波長を補正している。
【０００７】同図１８は投影光学系の気圧倍率補正装置
であり、干渉計補正装置１７から大気の気圧を入力し、
気圧変動による倍率変動分を算出して倍率調整装置１１
に出力する。１９は照度センサであり、露光動作毎の照
度を積算照度計２０に送出している。一方位置合わせ用
照明光源４から照射された光束はビームスプリッタ５、
投影光学系１を介してウエハＷ上に形成されているウエ
ハマークＭW を照明している。ここでウエハマークは、
図２に示すような格子状マークである。ウエハから反射
した光束は、再び投影光学系１を介し、ビームスプリッ
タ５に到達し反射して結像光学系６を介してＣＣＤカメ
ラ等の撮像装置７の撮像面にウエハマークＭW の像を形
成している。撮像装置７の出力は位置計測装置８におい
てＡ／Ｄ変換され、２次元のディジタル信号となり、あ
らかじめ記憶されていたウエハマークのテンプレートと
パターンマッチングが演算される。この演算により相関
度の最も高い位置が、撮像装置７に対するウエハマーク
ＭW の相対的な位置として求められる。位置計測装置８
には、撮像装置７に対するレチクルＲの位置が不図示の
手段によって計測、記憶されており、レチクルＲとウエ
ハＷの相対的な位置ずれが演算される。同図１０は演算
装置であり、位置計測装置８によって演算された位置ず
れ量を入力し、ウエハの伸縮を演算する。倍率調整装置
１１は、投影光学系の結像倍率を気圧倍率補正装置１
８、積算照度計２０、および演算装置１０からの入力に
基づいて調整する。以下一連の動作を順番に説明する。
【０００８】干渉計補正装置１７は環境センサ１５、温
度センサ１６の計側値より、大気の物性変化によるレー
ザ波長変化、およびステージの温度変化による伸縮を考
慮してレーザ波長を随時補正する。これによりステージ
の倍率誤差は補正される。また同時に環境センサ１５に
より計測された気圧は気圧倍率補正装置１８に出力さ
れ、気圧倍率補正装置１８は常時倍率調整装置に対して
気圧変動による投影倍率の補正分を送出している。一方
積算照度計２０は露光動作毎に照度を積算した値を倍率
調整装置１１に送出している。以上の動作により、倍率
調整装置１１は気圧変化、および露光に伴う投影光学系
のエネルギ吸収による投影倍率の変化を考慮した補正係
数Ｋを算出する。
【０００９】一方ウエハＷはあらかじめ不図示の手段に
よってステージ３上に載置されており、おおまかな位置
合わせが済んでいるものとする。ここでウエハＷには、
例えば図３に示すようにチップが形成されているものと
する。まずステージ３は図３にＬで示されるチップ上の
ウエハマークＭＬが撮像装置７の視野内に入るよう移動
する。ここで上記に示した方法により、ウエハマークＭ
ＬのＸ方向の位置ずれ量Ｄ１x が計測される。次にステ
ージ３は図３にＲで示されるチップ上のウエハマークＭ
Ｒが撮像装置７の視野内に入るよう移動する。ここで再
び計測が行われ、そのときのウエハマークＭＲのＸ方向
の位置ずれをＤrxとする。次に演算装置１０はＤ１x 、
ＤrxおよびＨから、ウエハの伸縮率Ｍx を次式を用いて
計算する。
【００１０】次にステージ３は図３にＵで示されるチッ
プ上に形成されたウエハマークＭＵが撮像装置７の視野
内に入るよう移動する。ここで先に示したと同じ要領で
ウエハマークＭＵのＹ方向の位置ずれ量Ｄuyが計測され
る。次にステージ３は図３にＤで示されるチップ上のウ
エハマークＭＤが撮像装置７の視野内に入るよう距離Ｖ
だけ移動する。ここで再び計測が行われそのときのウエ
ハマークＭＤのＹ方向の位置ずれをＤdyとする。次に演
算装置１０はＤuy、ＤdyおよびＶから、ウエハのＹ方向
の伸縮率Myを次式を用いて計算する。
【００１１】このようにして計算されたウエハの伸縮率
Ｍx 、Ｍy は倍率調整装置１１に出力される。倍率調整
装置１１はウエハ伸縮率Ｍx 、Ｍy に基づいて、投影光
学系１の投影倍率Ｍが なるＭ’となるように縮小投影レンズ１−ａを駆動す
る。ここでＫは先に気圧変化および積算露光による倍率
変化を補正するために求められた補正係数である。これ
によってレチクルの投影倍率はウエハの伸縮率を正しく
補正するように調整され、ウエハの伸縮によるレチクル
とウエハの合わせ誤差をキャンセルすることが可能とな
る。この状態でウエハ上の数点のレチクル、ウエハ間の
ずれ量から位置合わせを行ういわゆるグローバルアライ
メントまたは、各チップ毎にアライメントを行うダイバ
イダイアライメントにより、ウエハ上の全てのチップに
ついて、露光、ステージ移動が繰り返される。また以上
の実施例においては、一つのウエハに対して４箇所のチ
ップについてウエハマーク計測を行いウエハ全体の伸縮
率を求めたがウエハの大口径化に伴ってウエハの伸縮率
がウエハ上の位置により異なることもある。このような
場合はウエハを図４に示すようにいくつかのブロックに
分け、各ブロックにおいてウエハの伸縮率を求め、各ブ
ロック毎に投影光学系１の投影倍率を調整してもよい。
この場合同図において各ブロックにおけるウエハの伸縮
率および補正係数が Ｍxi（ｉ＝１、２、３、４）、Ｍyi（ｉ＝１、２、３、
４）、Ｋｉ（ｉ＝１、２、３、４） として得られた場合、各ブロックにおいて となるように投影倍率が調整される。
【００１２】また本実施例では投影光学系のレンズを駆
動することで投影倍率を調整したが、投影光学系内の適
当なレンズ間の圧力を変化させてもよい。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればウ
エハの伸縮によるレチクルとウエハの位置合わせ誤差を
補正することが可能であり高精度の位置合わせを行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による露光装置の概略構成図である。
【図２】 ウエハ上に形成された位置合わせ用マークの
概略図である。
【図３】 位置合わせ用マークのウエハ上の位置関係図
である。
【図４】 ウエハをいくつかの領域に分割した場合のウ
エハの概略図である。
【符号の説明】
１；投影光学系、２；露光光源、３；ウエハステージ、
４；位置合わせ用照明光源、５；ビームスプリッタ、
６；結像光学系、７；撮像装置、８；位置計測装置、
９；ステージ駆動装置、１０；演算装置、１１；倍率調
整装置、１２；レチクルステージ、１３、１４；レーザ
干渉計、１５；環境センサ、１６；物体温度センサ、１
７；干渉計補正装置、１８；気圧倍率補正装置、１９；
照度センサ、２０；積算照度計、１−ａ；投影光学系内
で結像倍率調整のために駆動されるレンズ、Ｒ；レチク
ル、Ｗ；ウエハ、Ｍｗ；ウエハ上に形成された位置合わ
せ用のマーク。

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パターンをウエハに投影露光する投影光
    学系と、前記ウエハを前記投影光学系に対して移動させ
    るステージと、前記ステージの移動位置を計測するレー
    ザ干渉計と、環境変動による計測誤差が補正されている
    前記レーザー干渉計で前記ステージの移動位置を計測し
    ながら前記ウエハを移動して前記ウエハ上の第１チップ
    領域のマークと第２チップ領域のマークを気圧変動によ
    って生じる投影倍率誤差と露光の積算によって生じる投
    影倍率誤差が補正されている前記投影光学系を介して順
    に検出することにより前記ウエハの伸縮率を求める検出
    手段を有することを特徴とする縮小投影型露光装置。
  2. 【請求項２】 前記伸縮率に基づいて前記投影光学系を
    介して投影される前記パターンの投影倍率を調整する調
    整手段を有することを特徴とする請求項１の縮小投影型
    露光装置。
  3. 【請求項３】 前記ウエハ上には複数のブロックが設定
    され、前記第１及び第２チップ領域は前記複数のブロッ
    クごとに設定され、前記伸縮率は前記複数のブロックご
    とに求められ、前記調整手段は前記複数のブロックごと
    に前記投影光学系を介して投影される前記パターンの投
    影倍率を調整することを特徴とする請求項２の縮小投影
    型露光装置。
  4. 【請求項４】 パターンをウエハに投影露光する投影光
    学系の気圧変動によって生じる投影倍率誤差と露光の積
    算によって生じる投影倍率誤差を補正し、前記ウエハを
    前記投影光学系に対して移動させるステージの移動位置
    を計測するレーザー干渉計の環境変動による計測誤差を
    補正し、環境変動による計測誤差が補正されている前記
    レーザー干渉計で前記ステージの移動位置を計測しなが
    ら前記ウエハを移動して前記ウエハ上の第１チップ領域
    のマークと第２チップ領域のマークを気圧変動によって
    生じる投影倍率誤差と露光の積算によって生じる投影倍
    率誤差が補正されている前記投影光学系を介して順に検
    出することにより前記ウエハの伸縮率を求めることを特
    徴とする縮小投影型露光方法。
  5. 【請求項５】 前記ウエハ伸縮率に基づいて前記投影光
    学系を介して投影露光される前記パターンの投影倍率を
    調整することを特徴とする請求項４の縮小投影型露光方
    法。
  6. 【請求項６】 前記ウエハ上には複数のブロックが設定
    され、前記第１及び第２チップ領域は前記複数のブロッ
    クごとに設定され、前記伸縮率は前記複数のブロックご
    とに求められ、前記投影光学系を介して投影される前記
    パターンの投影倍率は前記複数のブロックごとに調整さ
    れることを特徴とする請求項５の縮小投影型露光方法。
JP3250323A 1991-09-04 1991-09-04 縮小投影型露光装置及び方法 Expired - Lifetime JP2864060B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3250323A JP2864060B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 縮小投影型露光装置及び方法
EP92307946A EP0531102B1 (en) 1991-09-04 1992-09-02 Pattern projection apparatus and exposure method for manufacturing a semiconductor device
DE69226139T DE69226139T2 (de) 1991-09-04 1992-09-02 Musterprojektionsgerät und Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US07/939,713 US5270771A (en) 1991-09-04 1992-09-02 Aligner and exposure method for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3250323A JP2864060B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 縮小投影型露光装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0562880A JPH0562880A (ja) 1993-03-12
JP2864060B2 true JP2864060B2 (ja) 1999-03-03

Family

ID=17206203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3250323A Expired - Lifetime JP2864060B2 (ja) 1991-09-04 1991-09-04 縮小投影型露光装置及び方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5270771A (ja)
EP (1) EP0531102B1 (ja)
JP (1) JP2864060B2 (ja)
DE (1) DE69226139T2 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3480721D1 (de) * 1984-08-31 1990-01-18 Gakei Denki Seisakusho Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen.
US5978071A (en) * 1993-01-07 1999-11-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage
JP3291818B2 (ja) * 1993-03-16 2002-06-17 株式会社ニコン 投影露光装置、及び該装置を用いる半導体集積回路製造方法
JP3301153B2 (ja) * 1993-04-06 2002-07-15 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
US5659384A (en) * 1993-04-09 1997-08-19 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus and method
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
KR0139039B1 (ko) * 1993-06-30 1998-06-01 미타라이 하지메 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법
EP0635697B1 (de) * 1993-07-20 1998-09-23 Helmut Raff Messeinrichtung
JP3308063B2 (ja) * 1993-09-21 2002-07-29 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
JP2915265B2 (ja) * 1993-11-02 1999-07-05 キヤノン株式会社 光学装置
JP3209641B2 (ja) * 1994-06-02 2001-09-17 三菱電機株式会社 光加工装置及び方法
JPH07335524A (ja) * 1994-06-06 1995-12-22 Canon Inc 位置合わせ方法
JP3185908B2 (ja) * 1994-06-14 2001-07-11 ノーリツ鋼機株式会社 写真焼付装置
JPH0817719A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JPH08293453A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Canon Inc 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法
JPH0936033A (ja) * 1995-07-24 1997-02-07 Sony Corp 半導体露光装置
US5883704A (en) 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
KR100226599B1 (ko) * 1995-09-04 1999-10-15 미따라이 하지메 구동제어장치 및 방법
US5877843A (en) * 1995-09-12 1999-03-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH09102454A (ja) * 1995-10-03 1997-04-15 Nikon Corp 投影露光装置
WO1997014077A1 (en) * 1995-10-12 1997-04-17 Megapanel Corporation Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography
JP3335845B2 (ja) * 1996-08-26 2002-10-21 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法
JPH10193618A (ja) * 1996-11-13 1998-07-28 Canon Inc 液体噴射記録ヘッドおよびその製造方法
JP2910716B2 (ja) * 1997-01-16 1999-06-23 日本電気株式会社 光強度計算のパラメトリック解析方法
US6198576B1 (en) 1998-07-16 2001-03-06 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus
JP3796368B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 投影露光装置
US6160628A (en) * 1999-06-29 2000-12-12 Nikon Corporation Interferometer system and method for lens column alignment
JP3387861B2 (ja) * 1999-09-09 2003-03-17 キヤノン株式会社 露光装置、およびデバイス製造方法
JP2004281697A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
JP4315420B2 (ja) * 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
JP4464166B2 (ja) * 2004-02-27 2010-05-19 キヤノン株式会社 測定装置を搭載した露光装置
KR101133490B1 (ko) * 2004-09-14 2012-04-23 가부시키가이샤 니콘 보정 방법 및 노광 장치
US7271917B2 (en) * 2005-05-03 2007-09-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, position quantity detection system and method
JP4756984B2 (ja) * 2005-10-07 2011-08-24 キヤノン株式会社 露光装置、露光装置の制御方法およびデバイスの製造方法
JP2008221299A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ加工装置
EP2172766A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and humidity measurement system
JP5404216B2 (ja) * 2009-07-02 2014-01-29 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US10288409B2 (en) * 2015-04-01 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Temperature sensitive location error compensation
CN113405683A (zh) * 2021-05-20 2021-09-17 长江存储科技有限责任公司 晶片温度测量方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58116735A (ja) * 1981-12-29 1983-07-12 Canon Inc 投影焼付方法
JPS59150424A (ja) * 1983-02-14 1984-08-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および方法
US4666273A (en) * 1983-10-05 1987-05-19 Nippon Kogaku K. K. Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus
JPS60168149A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 位置合わせ信号処理装置
JP2516194B2 (ja) * 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
JPS6119129A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影光学装置
JPS61136227A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Canon Inc 投影装置
JPS61160934A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
JPS6232613A (ja) * 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
JPH0782981B2 (ja) * 1986-02-07 1995-09-06 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置
US4870288A (en) * 1986-04-01 1989-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Alignment method
JPS6370420A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Canon Inc 半導体焼付装置
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4765741A (en) * 1987-03-20 1988-08-23 Hewlett-Packard Company Wavelength tracking compensator for an interferometer
JPH01152639A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Canon Inc 吸着保持装置
JP2550658B2 (ja) * 1988-05-13 1996-11-06 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP2696984B2 (ja) * 1988-09-09 1998-01-14 株式会社ニコン 投影光学装置
US5105075A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH03198320A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Nikon Corp 投影光学装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5270771A (en) 1993-12-14
EP0531102A1 (en) 1993-03-10
JPH0562880A (ja) 1993-03-12
DE69226139T2 (de) 1998-11-26
DE69226139D1 (de) 1998-08-13
EP0531102B1 (en) 1998-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2864060B2 (ja) 縮小投影型露光装置及び方法
US7248335B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, stage apparatus, and alignment method
JP2785146B2 (ja) 自動焦点調整制御装置
US6509956B2 (en) Projection exposure method, manufacturing method for device using same, and projection exposure apparatus
US9915878B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
TWI544286B (zh) 校正方法、測量裝置、曝光裝置以及製造物品的方法
KR20080059572A (ko) 광학 특성 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법,그리고 검사 장치 및 계측 방법
JPH06196384A (ja) 露光方法
KR100471461B1 (ko) 노광방법및노광장치
US20030193655A1 (en) Exposure apparatus and method
JPH07335524A (ja) 位置合わせ方法
JP3884098B2 (ja) 露光装置および露光方法
JPH06252027A (ja) 位置合わせ方法および装置
JP2610815B2 (ja) 露光方法
US7050151B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JPH08293453A (ja) 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法
JP3337921B2 (ja) 投影露光装置および位置合せ方法
JP4174324B2 (ja) 露光方法及び装置
US7106419B2 (en) Exposure method and apparatus
JPH09306811A (ja) 露光方法
JPH05315222A (ja) 位置合わせ方法
JPH088175A (ja) 位置合せ装置及び位置合せ方法
JPH1187228A (ja) 露光装置及び露光方法
JPH1152545A (ja) レチクルおよびそれによって転写されたパターンならびにレチクルと半導体ウエハとの位置合わせ方法
US20090191651A1 (en) Positioning apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device