KR100237941B1 - 노광장치 및 노광방법 - Google Patents

노광장치 및 노광방법 Download PDF

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니시무로 타이죠
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Abstract

본 발명은 광학식 축소투영 노광장치에 있어서, 웨이퍼스테이지 위치에 의존하는 슈트내의 계통오차를 보정하고, 노광패턴의 겹치는 정도를 향상시키는 것으로, 래티클스테이지(10a)상에 탑재된 래치클(6)에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지(5a)상에 탑재된 반도체웨이퍼(4) 상에 투영해서 쇼트를 형성하는 노광장치에 있어서, 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 회전오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 합수 θs(x,y)에 근사하고, 래치클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지면내 회전위치를 함수 θs(x,y)에 따라 위치결정하도록 제어한다.

Description

노광장치 및 노광방법
제1도는 스테퍼(dtepper)형 노광장치의 일례를 개략적으로 나타내는 구성설명도.
제2도는 제1도의 노광장치에 의해 형성된 쇼트의 웨이퍼좌표에 의존하는 n차 쇼트내 좌표를 설명하기 위해 나타낸 도면.
제3도는 제1도의 노광장치를 이용한 노광방법의 적용예를 나타내는 흐름도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 스캔형 노광장치의 일례를 개략적으로 나타내는 구성설명도.
제5도는 종래의 스테퍼형 광학식 축소투영 노광장치를 개략적으로 나타내는 구성설명도.
제6도는 웨이퍼면내에 배치한 어라이먼트마크의 일례를 나타내는 평면도.
제7도는 웨이퍼면내 오차 및 쇼트내 오차를 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a : 어라이먼트장치 2 : 투영 광학장치(투영랜즈)
4 : 반도체웨이퍼 5a : 웨이퍼스테이지
6 : 레티클
7 : 웨이퍼스테이지 위치계측장치(웨이퍼간섭계)
8a : 연산장치 9 : 어라이먼트마크
10a, 10b : 레티클스테이지 11 : 래티클 XY스테이지 구동장치
12 : 웨이퍼 XY스테이지 구동장치 13 : 쇼트회전조정장치
14 : 등방배율 조정장치
15,15b : 레티클스테이지 위치계측장치(레티클간섭계)
[발명의 목적]
[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]
본 발명은 LSI등의 반도체장치의 제조공정에서 사용되는 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로, 특히 화학식 축소투영 노광장치에 의해 투영된 패턴의 위치검출정도를 향상시키는 기술에 관한 것이다.
최근, LSI(대규모 집적회로) 등의 회로 패턴의 미세화에 반하여, 패턴전사 수단으로서, 고해상성능을 갖춘 광학식 축소투영 노광장치가 널리 사용되고 있다. 이 노광장치에서 디바이스태턴을 묘화하는 경우, 노광에 앞서 반도체웨이퍼를 고정도(高精度)로 위치(어라이먼트)시킬 필요가 있다.
이 어라이먼트에 즈음해서 통상은 웨이퍼상에 형성된 마크위치를 검출하게되고, 이 웨이퍼마크위치의 검출방법은 다이 마이 다이방식과 그로벌방식으로 크게 나눌 수 있다.
전자의 다이 바이 다이방식은 웨이퍼상의 칩마다 마크위치를 검출해서 어라이먼트를 행하기 때문에, 고정도의 위치결정이 가능하다. 후자의 크로벌 어라이먼트방식은 웨이퍼상에 형성된 복수개의 어라이먼트마크를 어라이먼트 광학계를 이용해서 검출하고, 검출된 마크위치로부터 칩의 배열을 보정해서 노광을 행하는 것이다.
상기 다이 바이 다이방식은 고정도의 위치결정이 가능한 반면, 크로벌 어라이먼트방식과 비교해서 생산성이 나쁘기 때문에, 그로벌방식이 많이 이용되고 있다.
제5도는 종래의 스테터형 노광장치에 있어서의 어라이먼트장치의 구성과 어라이먼트 신호처리계를 개략적으로 나타내고 있다.
제6도는 제5도중의 반도체웨이퍼(4)상에 미리 형성된 어라이먼트마크(9)의 배열예를 나타낸다.
상기 웨이퍼(4)는 웨이퍼스테이지(5)상에 탑재되어 있고, 웨이퍼스테이지(5)는 웨이퍼스테이지 구동장치(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼스테이지(5)에 평행한 x,y방향으로 이동가능하다.
전자빔 등에서 회로패턴이 묘화된 노광영역을 갖춘 레티클(6)은 레티클데이터(10)상에 탑재되어 있고, 레티클스테이지(10)는 레티클스테이지 구동장치(도시하지 않음)에 의해 레티클스테이지(10)에 평행한 x,y방향으로 이동가능하다.
어라이먼트장치(1)는 투영랜즈(2)의 부근에 배치되어 있고, 어라이먼트 광조사부(도시하지 않음)에서 상기 웨이퍼(4)상의 어라이먼트마크(9)에 HeNe레이져(3)와 같은 어라이먼트광을 조사하고, 상기 어라이먼트마크(9)에서 반사회절한 어라이먼트광을 수광부(도시하지 않음)에서 전기신호로 변환하고, 어라이먼트 신호처리회로(도시하지 않음)에서 위치정보(어라이먼트 출력신호)로 변환하는 것이다.
레이져간섭계(7)는 상기 웨이퍼스테이지(5)상에 취부된 거울(7a)에 레이져광을 조사하고, 상기 거울에서 반사하지 않은 레이져광을 검출함으로써 웨이퍼스테이지(5)의 위치를 계측하는 것이다.
연산장치(8)는 상기 어라이먼트장치(1)에서 얻어진 어라이먼트마크 위치정보와 상기 레이져간섭계(7)에서 얻어진 웨이퍼스테이지 위치정보의 연산처리를 행하고, 처리결과에 기초해서 웨이퍼스테이지(5) 위치를 제어하기 위한 신호를 출력하는 것이다.
다음, 노광장치를 이용한 노광방법에 대해서 설명한다.
웨이퍼(4)를 노광하기 전에 웨이퍼스테이지(5)상에 웨이퍼(4)를 탑재한 상태로 어라이먼트마크위치를 어라이먼트 광학계로 측정하고, 이 어라이먼트마크 계측위치에서 웨이퍼면상의 쇼트배선을 구한다.
웨이퍼면상에 배치되는 쇼트배열위치는 1차의 계통오차인 웨이퍼선형오차(Lw)와 웨이퍼 면내 랜돔오차(SWX,SWY)로 분리할 수 있다.
상기 웨이퍼선형오차(Lw)는 제7a도에 나타난 바와 같이, xy방향의 평행쉬프트오차(αx, αy)와, 웨이퍼 회전방향의 오차(θw ; 회전오차), 웨이퍼의 팽창신축을 표시하는 스케일링오차(Ex, Ey) 및, 직교도오차(θw0)을 포함한다.
설계상의 마크위치(X,Y)와 측정에 의해 얻어진 마크위치의 차를 dxw, dyw로 하면, 웨이퍼상의 마크검출위치오차는 웨이퍼 면내의 좌표(x,y)의 함수로 되어 다음식(1)으로 표시할 수 있다.
Figure kpo00002
여기서, (αx, αy)는 xy방향의 평행쉬프트오차이고, θw는 웨이퍼 회전방향의 오차계수, (Ex, Ey)는 웨이퍼의 팽창신축을 표시하는 스케일링오차계수, θw0는 직교좌표 오차계수, (Swx, Swy)는 나머지 랜돔오차를 표시한다. 이들의 웨이퍼면내 선형오차계수(αx, αy, Ex, Ey, θw, θw0)는 연산장치(8)에서 최소 2승법을 이용해서 구한다.
어라이먼트 후, 실제로 노광하는 쇼트위치(xw, yw)는 설계치의 (X,Y)에 대해서 다음식(2)에서 표시되는 좌표위치를 이용한다.
Figure kpo00003
여기서, 웨이퍼 면내오차
Figure kpo00004
는
Figure kpo00005
로 표시한다.
한편, 쇼트내면오차는 제7(b)도에 나타난 바와 같이 쇼트내 선형오차(Ls ; 회전, 배율, 스큐)와 쇼트내 랜돔오차(Ssx, Ssy)로 분리할 수 있다. 설계상의 마크위치(Xs, Ys)와 측정에 의해 얻어진 위치의 차를 (dsx, dys)로 하면, 쇼트내에서의 위치오차는 쇼트내의 좌표(xs, ys)의 함수로 되어 다음식(3)으로 표시할 수 있다.
Figure kpo00006
여기서, (Mx,My)는 쇼트의 팽창신축을 표시하는 쇼트배율 오차계수이고, θs는 쇼트회전방향의 오차계수이며, θso는 쇼트스큐 오차계수(Ssx, Ssy)는 나머지 쇼트내 랜돔오차를 표시한다. 이들의 쇼트내 선형오차(Mx, My, θo, θso)는 연산장치(8)에서 최소 2승법을 이용해서 구한다.
스텝 엔드 리피트해서 노광하는 스테퍼형 노광장치에서는 상기한 바와 같은 쇼트내 선형오차(Ls)중 쇼트회전(θs)과 쇼트의 등방배율((Mx+My)/2)은 보정할 수 있다.
한편, 수은램프나 엑시머레이져 등의 광을 광원으로 해서 레티클스테이지와 웨이퍼스테이지를 이동시킴으로써 레티클과 웨이퍼를 상대적으로 이용이동하면서 노광하는 레티클웨이퍼를 상대적으로 이용하면서 노광하는 스캔형 노광장치에서는 스캔노광을 하면서 교트내선형성차(LS(θs, Mx, My, θso))를 보정할 수 있다.
종래, 쇼트내 선형오차(Ls)의 보정은 정수보정에 의해 행하고 있지만, 웨이퍼스테이지(5)의 요우잉(yawing) 오차나 웨이퍼스테이지위치의 기준으로 되는 레이저간섭계의 거울휨 등에 의해 쇼트회전이 웨이퍼스테이지위치에 따라 변화하는 오차 등에 의해 웨이퍼간계위치에 의존해서 쇼트면 계통오차가 변화하는 경우가 있고, 이와 같은 변화에 반해서 오차를 보정하지 않는다.
그러나, 웨이퍼크기의 대형화에 반해서 웨이퍼데이터위치에서 의존하여 변화하는 쇼트내 계통오차가 무시할 수 없게 되어 있다.
상기와 같이, 종래의 광학식 축소투영을 이용한 노광장치 및 노광방법은 웨이퍼스테이지위치에 잔재해서 변화하는 쇼트내 계통오차(Ls)를 보정하지 않는다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼스테이지위치에 잔재하는 쇼트내의 계통오차를 보정할 수 있고, 노광패턴의 겹침 정도를 향상시키고, 또는 기준위치로부터의 패턴오차를 제어해서 얻는 광학식 축소투영방식의 노광장치 및 노광방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
[발명의 구성 및 작용]
제1발명의 노광장치는 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 노광장치이고, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하고, 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽을 상기 함수(θs(x,y))에 따라 위치결정하도록 제어하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제2발명의 노광장치는 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 노광장치이고, 상기 웨이퍼상에 복수형성된 쇼트마다의 배율오차를 구하고, 상기 배율오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차 함수(M(x,y))에 근사하고, 상기 쇼트의 등방배율을 상기 함수(M(x,y))에 따라 조정하도록 제어하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제3발명의 노광장치는 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되고 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 노광장치이고, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차 및 배율오차를 구하고, 상기 회전오차 및 배율오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y), M(x,y))에 근사하고, 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지의 적어도 한쪽을 상기 함수(θs(x,y), M(x,y))에 따라 위치결정하면서 상기 쇼트의 등방배율을 상기 함수(θs(x,y), M(x,y))에 따라 조정하도록 제어하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제4발명의 노광장치는 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 전자빔에 의해 회로패턴을 묘화하는 전자빔 노광장치이고, 상기 웨이퍼에 대한 묘화중에 쇼트의 회전(θs)와, 쇼트의 배율(Mx,My) 및 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 기구와, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs, Ms, My, θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽을 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정하도록 제어하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
제5발명의 노광장치는 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 회로패턴을 노광하는 마스크패턴 노광장치이고, 상기 마스크에 대해 노광중에 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 기구와, 상기 마스크상에 복수형성되는 쇼트마다 계통오차(θs, Ms, My, θso)중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 마스크 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 마스크스테이지를 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정하도록 제어하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 노광방법은 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs, Ms, My, θso))를 구하고, 쇼트회전오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 위치를 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정하는 특징으로 한다.
[실시예]
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 스테퍼형의 노광장치의 일례를 개략적으로 나타내고 있다.
이 노광장치는 제5도에 나타낸 종래예의 스테퍼형 노광장치와 비교해서 1차의 쇼트내 오차만이 아닌, 고차의 쇼트내 오차도 보정하여 얻도록(본 실시예에서는 쇼트회전오차를 보정하여 얻도록) 구성되어 있는 점이 다르다.
즉, 제1도의 노광장치는 회로패턴이 묘화된 레티클(6)과, 레티클을 탑재한 레티클스테이지(10a), 레티클 XY스테이지 구동장치(11), 레티클스테이지 위치 계측장치(15), 상면에 위치식별용 복수의 어라이먼트마크(9)가 형성된 반도체웨이퍼(4)를 탑재한 웨이퍼스테이지(5a)와, 웨이퍼 XY스테이지 구동장치(12), 웨이퍼스테이지 위치계측장치(7), 상기 레티클(6)의 회로패턴을 웨이퍼(4)상에 투영해서 쇼트를 형성하는 투영광학장치, 웨이퍼(4)상에 형성된 위치식별용 복수의 어라이먼트마크(9)의 위치를 검출해서 상기 레티클(6) 및 웨이퍼(4)를 원하는 위치로 겹치기 위한 어라이먼트장치(1a), 연산장치(8a), 쇼트회전조정장치(13), 쇼트회전오차 보정수단을 구비한다.
상기 레티클스테이지(10a)는 레티클면내의 x,y좌표방향 및 상기 스테이지면내의 회전방향(θ방향)으로 이동가능하고, 상기 레티클 XY스테이지 구동장치(11)는 레티클스테이지(10a)를 평행방향(x,y방향)으로 이동하는 것이다.
상기 웨이퍼스테이지(5a)는 x,y,θ방향으로 이동가능하고, 상기 웨이퍼 XY스테이지 구동장치(12)는 웨이퍼스테이지(5A)를 평행방향으로 구동한다.
상기 웨이퍼스테이지 위치계측장치(7)는 상기 웨이퍼스테이지(5a)의 x,y,θ방향의 위치를 계측하는 것으로, 예컨대 웨이퍼간섭계(7) 및 거울(7a)이 이용된다.
상기 쇼트회전조정장치(13)는 상기 레티클스테이지(10a) 및 웨이퍼스테이지(5a)중 적어도 한쪽의 θ방향 위치를 조정하는 것이다.
레티클스테이지 위치계측장치(15)는 상기 레티클스테이지(10a)의 x,y,θ방향의 위치를 계측하는 것으로, 예컨대 레티클간섭계(15) 및 거울(15a)이 이용된다.
상기 투영광학장치는 예컨대, 수은램프나 엑시머레이져 등의 광을 광원으로 해서 상기 투영렌즈(2)를 매개로 상기 레티클(6)의 회로패턴을 웨이퍼(4) 상에 투영해서 쇼트를 형성하는 것이다.
상기 어라이먼트장치(1a)는 투영렌즈(2)의 부근오루벗 HeNe레이져(3)와 같은 어라이먼트광을 상기 웨이퍼(4)상의 어라이먼트마크(9)에 조사하고, 상기 어라이먼트마크(9)에서 반사회절한 어라이먼트광을 수광기(도시하지 않음)에서 전기신호로 변환하고, 어라이먼트 신호처리회로(도시하지 않음)에서 어라이먼트 출력신호로서 위치정보로 변환하는 것이다.
연산장치(8a)는 상기 어라이먼트장치(1a)로부터 얻어지는 어라이먼트 출력신호를 어라이먼트신호 처리장치(도시하지 않음)에서 처리한 신호와 상기 래티클간섭계(15) 및 웨이퍼간섭계(7)로부터 얻어진 출력신호를 연산처리하는 것이다.
상기 쇼트회전조정장치(13)는 상기 레티클스테이지(10a) 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽을 회전방향으로 구동하는 스테이지 회전구동장치를 갖추는 것으로, 본 실시예에서는 상기 레티클스테이지(10a)를 회전방향으로 구동하는 레티클스테이지 회전구동장치(도시하지않음)와 상기 웨이퍼스테이지(5a)를 회전방향으로 구성하는 웨이퍼스테이지 회전구동장치(도시하지 않음)를 갖춘다.
상기 쇼트회전 오차보정수단은 웨이퍼(4)상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차(θ)를 웨이퍼 구동좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하고, 상기 레티클스테이지의 스테이지 면내 회전위치 및 웨이퍼스테이지의 스테이지 면내 회전위치를 상기 함수(θs(x,y))에 따라 위치결정하도록 상기 쇼트회전조정장치를 제어하는 것으로, 본 실시예에서는 상기 어라이먼트장치(1a)내에 설치되어 있다.
다음에, 제1도의 노광장치를 이용한 노광방법에 대해서 설명한다.
이 노광방법에 있어서는 종래예의 스테이지형 노광장치를 이용한 노광방법에 비해서 1차의 쇼트내 오차만이 아닌 고차의 쇼트내 오차(본 실시예에서는 쇼트회전오차)도 보정하도록 한 점이 다르고, 그 외는 동일하다.
즉, 종래예의 노광방법과 동일하게 웨이퍼를 노광하기 전에 웨이퍼스테이지(5a)상의 웨이퍼(4)상의 어라이먼트마크(9)의 위치를 어라이먼트광학계로 측정하고, 어라이먼트마크 측정위치로부터 웨이퍼(4)상의 쇼트배열을 구한다.
웨이퍼(4)상의 쇼트배열의 위치는 1차의 계통오차인 웨이퍼선형오차(Lw)와, 웨이퍼 면내 랜돔오차(Swx,Swy)로 분리할 수 있다.
상기 웨이퍼선형오차(Lw)는 제7(a)도에 나타난 바와 같이, x,y방향의 평행쉬프트오차(αx, αy), 웨이퍼 회전방향의 오차(θw;회전오차), 웨이퍼의 팽창수축을 표시하는 스케일링오차(Ex,Ey), 직교각오차(θwo)를 포함한다.
설계상의 어라이먼트마크위치(X,Y)와 측정에 의해 얻어진 어라이먼트마크 위치의 차를(dxw,dyw)로 하면, 웨이퍼(4)상의 마크검출위치오차는 웨이퍼 면내의 좌표(x,y)의 함수로 되어 식(1)에서 나타낼 수 있다.
여기서, (αx, αy)는 xy방향의 평행쉬프트오차이고, θw는 웨이퍼 회전방향의 오차계수, (Ex,Ey)는 웨이퍼의 팽창신축을 표시하는 스케일링오차계수, θw0는 직교좌표 오차계수, (Swx,Swy)는 나머지 랜돔오차를 표시한다.
이들의 웨이퍼면내 선형오차계수(αx, αy,Ex,Ey,θw,θwo)는 최소 2승법을 이용해서 구한다.
어라이먼트 후, 실제로 노광하는 쇼트위치(xw,yw)는 설계치의 (X,Y)에 대해서 다음식(2)에서 표시되는 좌표위치를 이용한다.
Figure kpo00007
여기서, 웨이퍼 면내오차(△Mx, △My)는
Figure kpo00008
로 표시한다.
한편, 쇼트내면오차는 제7b도에 나타난 바와 같이 쇼트내 선형오차(Ls;회전,배율,스큐)와 쇼트내 랜돔오차(Ssx,Ssy)로 분리할 수 있다. 오차상의 마크위치(Xs,Ys)와 측정에 의해 얻어진 위치의 차를(dxs,dys)로 하면, 쇼트내에서의 위치오차는 쇼트내의 좌표(xs,ys)의 함수로 되어 다음식(3)으로 표시할 수 있다.
Figure kpo00009
여기서, (Mx, My)는 쇼트의 팽창신축을 표시하는 쇼트배율 오차계수이고, θs는 쇼트회전방향의 오차계수, θso는 쇼트스큐 오차계수(Ssx,Ssy)는 나머지 쇼트내 랜돔오차를 표시한다. 이들의 쇼트내 선형오차(Mx,My,θo,θso)는 최소 2승법을 이용해서 구한다.
상기와 같은 쇼트내 선형오차(Ls)중 쇼트회전(θs)과 쇼트의 등방배율((Mx+My)/2)은 어라이먼트장치(1a)에 의해 종래예와 동일하게 보정할 수 있다.
다음, 제2도를 참조해서 웨이퍼좌표에 의존하는 고차(n차) 쇼트내 좌표에 대해서 설명한다.
제8(b)도에 나타난 바와 같이, 웨이퍼 면내의 칩영역의 쇼트회전오차는 식(4)에 나타난 바와 같이, 웨이퍼면좌표(x,y)의 n차함수(θs(x,y))에 근사된다.
Figure kpo00010
여기서, 우변 제1항의 θs는 앞식(3)에서 나타낸 쇼트회전오차이고, 우변 제2항 이하의(θ1,θ2,θ3,θ4,θ5, …)는 n차함수 근사한 각 차수에 있어서의 계수이고, 최소 2승 근사 등에 의해 구할 수 있다.
이와 같이 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차(θ)를 웨이퍼 면재좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하고(결국, 쇼트회전오차의 웨이퍼 면좌표를 함수로 하는 고차성분 회전오차를 구하고), 상기 레티클스테이지(10a)의 스테이지 면내 회전위치 및 웨이퍼스테이지(5a)의 스테이지 면내 회전위치를 상기 함수(θs(x,y))에 따라 위치결정하도록 상기 쇼트회전조정장치(13) 제어함으로써 노광에 즈음해서 예컨대, 제1층째의 회로패턴과 제2층째의 회로패턴의 겹침 정도의 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
상기한 실시예에서는 쇼트회전오차(θ(x,y))만의 보정을 행했지만, 본 발명은 쇼트배율오차(Mx,My)만의 보정, 쇼트회전오차(θ(x,y) 및 쇼트배율오차(Mx,My)의 보정, 쇼트스큐오차(θso)의 보정을 행하는 경우에도 적용할 수 있다.
결국, 상기 쇼트배율오차(Mx(x,y), My(x,y)), 쇼트스큐오차(θso(x,y))는 앞식(4)과 동일하게 웨이퍼면좌표(x,y)의 n차함수에서 다음식(5)~(7)과 같이 근사할 수 있다.
Figure kpo00011
Figure kpo00012
상기 식(5)~(7)중의 x,y좌표의 n차함수에서 표시된 각 계수는 최소 2승근사 등에 의해 구할 수 있다.
이와 같이 쇼트배율오차(Mx,My) 및 쇼트스큐오차(θso)에 대해서 웨이퍼면 좌표로 하는 고차성분오차를 구하고, 등방배율보정, 스큐보정을 행함으로써, 노광패턴의 겹치 정도의 한층 향상을 도모하는 것이 가능하게 된다.
다음, 상기 식(5)~(7)에서 얻어진 웨이퍼좌표(x,y)에 의존하는 쇼트내의 회전오차와 배율오차를 보정하는 예에 대해서 설명한다.
이 경우에는 제1도의 노광장치에 있어서, 더욱이 상기 웨이퍼상에 투영되는 쇼트의 등방배율을 조정하기 위한 등방배율조정장치(14)를 구비할 필요가 있다.
쇼트내 회전오차(θ(x,y))의 보정은 웨이퍼좌표(x,y)의 위치에 대응해서 상기 쇼트회전조정장치(13)를 제어하고, 웨이퍼스테이지(5a) 및 레티클스테이지(10a)를 회전함으로써 보정가능하다.
쇼트배율(M;=(Mx+My)/2)의 보정은 웨이퍼좌표(x,y)의 위치에 대응해서 등방배율조정장치(14)를 조정함으로써(예컨대, 상기 투영광학장치에 있어서의 투영렌즈(2)의 공기압을 바꾸어 배율을 바꾼다) 보정가능하다.
제3도는 제1도의 노광장치를 이용한 노광방법의 적용예에 있어서의 흐름도를 나타내고 있다.
제1도의 노광장치를 이용한 노광방법에 있어서는 노광에 앞서 웨이퍼좌표(x,y)의 n차성분의 쇼트내오차(θs(x,y), Mx(x,y), My(x,y), θso(x,y))를 구할 필요가 있다.
그리고, 예컨대 25매 정도의 웨이퍼를 1로트로 해서 노광장치에 의해 연속해서 노광할 때, n차의 쇼트내 오차는 미리 지정된 특정의 웨이퍼(예컨대, 최초에 노광을 행하는 대상으로 되는 1매째의 웨이퍼)에 관해서는 노광장치의 어라이먼트장치에 의해 계측해서 구하고, 이 쇼트장치를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지의 위치를 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정한 후, 상기 특정 웨이퍼 및 다른 웨이퍼에 대해 노광을 순차 행한다.
또, 상술한 바와 같은 스캔형의 노광장치(수은램프나 엑시머레이져 등의 광을 광원으로 해서 레티클스테이지와 웨이퍼스테이지를 이동시킴으로써 레이클웨이퍼를 상대적으로 이동시키면서 노광하는 장치)에서는 스캔노광을 하면서 쇼트내 선형오차(Ls(θs,Mx,My,θso))의 전체를 보정할 수 있다.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 따른 스캔형 노광장치의 일례를 개략적으로 나타내고 있다.
이 스캔노광장치는 제1실시예에 따른 스캔형 노광장치와 비교해서, (1) 레티클스테이지(10b)가 x,y,θ이고, 스큐(θ0)방향으로 이동하는 점, (2) 레티클 간섭계(15b)가 x,y,θ,θ0방향의 레티클스테이지위치를 계측하는 점, (3) 보정수단의 제어기능이 다르고, 그 외는 동일하기 때문에 제1도와 동일한 부호를 붙이고 있다.
다음, 제4도의 스캔형 노광장치를 이용해서 앞식(4)~(7)에서 얻어진 웨이퍼 좌표(x,y)에 의존하는 쇼트내의 회전오차, 배율오차, 스큐오차에 관한 보정을 행하는 예에 대해서 설명한다.
쇼트내 회전오차(θ(x,y))의 보정은 웨이퍼좌표(x,y)의 위치에 대응해서 웨이퍼스테이지(5a) 및 레티클스테이지(10a)를 회전함으로써 보정이 가능하다.
쇼트배율(Mx,My)의 보정은 웨이퍼좌표(x,y)의 위치에 대응해서 투영렌즈(2)의 배율과 웨이퍼스테이지(5a) 및 레티클스테이지(10a)의 상대적인 스캔속도를 바꿈으로써 각각 보정이 가능하다.
쇼트스큐(θ0(x,y))의 보정은 웨이퍼좌표(x,y)의 위치에 대응해서 웨이퍼스테이지(5a) 및 레티클스테이지(10a)의 상대적인 스캔속도를 바꿈으로써 보정이 가능하다.
또, 본 발명은 상술한 고차의 쇼트내 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는 것으로, 노광장치의 보정방법에 관해서는 특히 한정되지 않고, 다음에 기술한 바와 같이 실시하는 것도 가능하다.
즉, 노광장치의 보정방법에 관해서는 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θ(x,y))에 근사해서 구하고, 이 결과를 오프라인에서 피드백하여 레티클패턴을 수정하고, 또는 레티클스테이지의 위치를 보정하도록 해도 된다.
또한, 본 발명은 전자빔을 이용해서 패턴을 묘화하는 전자빔 노광장치나 마스크패턴을 형성하기 위한 마스크패턴 노광장치에도 적용할 수 있다.
전자빔 노광장치에 적용할 때에는 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 전자빔에 의해 회로패턴을 묘화하는 노광장치에 있어서, 상기 웨이퍼에 대한 묘과중에 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 기구와, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs,Ms,My,θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽을 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정하도록 제어하는 보정수단을 구비하면 된다.
마스크패턴 노광장치에 적용할 때에는 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 회로패턴을 노광하는 노광장치에 있어서, 상기 마스크에 대해 노광중에 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 기구오, 상기 마스크상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs,Ms,My,θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 마스크 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사해서 상기 마스크스테이지를 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 위치결정하도록 제어하는 보정수단을 구비함으로써 마스크상에 기준전위로부터의 패턴오차를 제어할 수 있다.
[발명의 효과]
상술한 바와 같이 본 발명의 노광장치에 의하면, 웨이퍼스테이지위치에 의존하는 쇼트내의 계통오차를 보정하기 위해 쇼트내 오차(θs(x,y), Mx(x,y), My(x,y), θso(x,y))중 적어도 하나)의 웨이퍼좌표(x,y)에 관한 n차성분을 구해서 노광위치를 보정함으로써, 노광패턴의 겹침 정도를 향상시키고, 또는 기준전위로부터의 패턴오차를 제어할 수 있다.

Claims (18)

  1. 회로패턴이 묘화되면서 위치식별용 복수의 어라이먼트가 형성된 마크레티클과; 이 레티클을 탑재하는 레티클스테이지; 이 레티클스테이지를 평행방향으로 구동하는 레티클 XY스테이지 구동장치; 위치식별용 복수의 어라이먼트가 형성된 반도체웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼스테이지; 이 웨이퍼스테이지를 평행방향으로 구동하는 웨이퍼 XY스테이지 구동장치; 상기 레티클스테이지 및 상기 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지면내 위치를 조정하기 위한 쇼트회전조정장치; 상기 레티클스테이지의 위치를 계측하는 레티클스테이지 위치계측장치; 상기 웨이퍼스테이지의 위치를 계측하는 웨이퍼스테이지 위치계측장치; 상기 레티클의 회로패턴을 웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 투영광학장치; 상기 레티클상 및 웨이퍼상의 복수의 어라이먼트마크의 위치를 검출해서 상기 레티클 및 웨이퍼를 원하는 위치로 맞추는 어라이먼트장치; 상기 어라이먼트장치로부터 얻어지는 어라이먼트 출력신호를 처리한 신호와 상기 레티클스테이지 위치계측장치 및 웨이퍼스테이지 위치계측장치로부터 각각 얻어진 출력신호를 연산처리하는 연산장치 및; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하고, 상기 함수 (θs(x,y))에 따라 상기 쇼트회전조정장치를 제어해서 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 조정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 쇼트회전 조정장치는 상기 레티클스테이지를 회전방향으로 구동하는 레티클스테이지 회전구동장치 및 상기 웨이퍼스테이지를 회전방향으로 구동하는 웨이퍼스테이지 회전구동장치를 갖추는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 회전패턴이 묘화된 레티클과; 이 레티클을 탑재하는 레티클스테이지; 이 레티클스테이지를 평행방향으로 구동하는 레티클 XY스테이지 구동장치; 반도체웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼스테이지; 이 웨이퍼스테이지를 평행방향으로 구동하는 웨이퍼 XY스테이지 구동장치; 상기 레티클스테이지위치를 계측하는 레티클스테이지 위치계측장치; 상기 웨이퍼스테이지위치를 계측하는 웨이퍼스테이지 위치계측장치; 상기 레티클의 회로패턴을 웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 투영광학장치; 상기 웨이퍼상에 투영되는 쇼트의 등방배율을 조정하기 위한 등방배율 조정장치; 상기 레티클상 및 웨이퍼상에 형성된 위치식별용 복수의 어라이먼트의 위치를 검출해서 상기 레티클 및 웨이퍼를 원하는 위치로 맞추는 어라이먼트장치; 상기 어라이먼트장치로부터 얻어지는 어라이먼트 출력신호를 처리한 신호와 상기 레티클스테이지 위치계측장치 및 웨이퍼스테이지 위치계측장치로부터 각각 얻어진 출력신호를 연산처리하는 연산장치 및; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 배율오차(M)를 구하고, 상기 배율오차(M)를 에이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(M(x,y))에 근사하고, 상기 함수(M(x,y))에 따라 상기 등방배율 조정장치를 제어해서 상기 쇼트의 등방배율을 조정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 회로패턴이 묘화된 레티클과; 이 레티클을 탑재하는 레티클스테이지; 이 레티클스테이지를 평행방향으로 구동하는 레티클 XY스테이지 구동장치; 반도체웨이퍼를 탑재하는 웨이퍼스테이지; 상기 웨이퍼스테이지를 평행방향으로 구동하는 웨이퍼 XY스테이지 구동장치; 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지 중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 조정하기 위한 쇼트회전조정장치; 상기 레티클스테이지위치를 계측하는 레티클스테이지 위치계측장치; 상기 웨이퍼스테이지위치를 계측하는 웨이퍼스테이지 위치계측장치; 상기 레티클의 회전패턴을 웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성하는 투영광학장치; 상기 웨이퍼상에 투영되는 쇼트의 등방배율을 조정하기 위한 등방배율 조정장치; 상기 레티클상 및 웨이퍼상에 형성된 위치식별용 복수의 어라이먼트마크의 위치를 검출해서 상기 레티클 및 웨이퍼를 원하는 위치로 맞추는 어라이먼트장치; 이 어라이먼트장치로부터 얻어지는 어라이먼트 출력신호를 처리한 신호와 상기 레티클 위치계측장치 및 웨이퍼스테이지 위치계측장치로부터 각각 얻어진 출력신호를 연산처리하는 연산장치 및; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차 및 배율오차를 구하고, 상기 회전오차 및 배율오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하고, 상기 함수(θs(x,y))에 따라 상기 쇼트회전조정장치 및 등방배율조정장치를 제어해서 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 상기 함수(θs(x,y))에 따라 조정하면서 상기 쇼트의 등방배율을 조정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 투영해서 쇼트를 형성할 때에 레티클웨이퍼가 상대적으로 이동하고 있을 때에 노광을 행하는 노광장치이고, 노광중에 쇼트의 회전을 보정하는 쇼트회전보정기구와; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차를 구하고, 이 회전오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트회전보정기구를 제어해서 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 보정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔형 노광장치.
  6. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 투영해서 쇼트를 형성할 때에 레티클웨이퍼가 상대적으로 이동하고 있을 때에 노광을 행하는 노광장치이고, 노광중에 쇼트의 회전을 보정하는 쇼트회전보정기구와; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 배율오차(Mx,My)를 구하고, 이 회전오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트배율보정기구를 제어해서 쇼트배율을 보정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔형 노광장치.
  7. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 투영해서 쇼트를 형성할 때에 레티클웨이퍼가 상대적으로 이동하고 있을 때에 노광을 행하는 노광장치이고, 노광중에 쇼트의 회전을 보정하는 쇼트스큐보정기구와; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 스큐오차(θso)를 구하고, 이 스큐오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트스큐보정기구를 제어해서 상기 쇼트스큐를 보정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔형 노광장치.
  8. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 투영해서 쇼트를 형성할 대에 레티클웨이퍼가 상대적으로 이동하고 있을 때에 노광을 행하는 노광장치이고, 노광중에 쇼트의 회전과, 배율 및 스큐를 각각 보정하는 보정기구와; 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θs)와, 배율오차(Mx,My) 및 스큐오차(θso)를 구하고, 이 회전오차와, 배율오차 및 스큐오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 보정기구를 제어해서 상기 쇼트의 회전과, 배율 및 스큐를 각각 보정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 스캔형 노광장치.
  9. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차(θ)를 구하고, 상기 회전오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(θs(x,y))에 따라 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 조정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 배율오차(θ)를 구하고, 상기 배율오차(θ)를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(θs(x,y))에 따라 상기 쇼트의 등방배율을 조정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 회전오차 및 배율오차를 구하고, 상기 회전오차 및 배율오차를 웨이퍼 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(θs(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(θs(x,y))에 따라 상기 레티클스테이지 및 웨이퍼스테이지중 적어도 한쪽의 스테이지 면내 회전위치를 조정하면서 상기 쇼트의 등방배율을 조정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제9항에 있어서, 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트의 회전오차(θs(x,y))와, 쇼트의 배율오차(Mx(x,y),My(x,y)), 쇼트의 스큐오차(θso(x,y))중 적어도 하나에 대해서 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해서 어라이먼트장치에서 계측하고, 계측오차를 웨이퍼 면내 좌표(w,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트의 회전오차, 등방오차, 스큐오차중 적어도 하나를 조정한 후, 상기 특정 웨이퍼 및 다른 웨이퍼에 대한 노광을 순차 행하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 제10항에 있어서, 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트의 회전오차(θs(x,y))와, 쇼트의 배율오차(Mx(x,y),My(x,y)), 쇼트의 스큐오차(θso(x,y))중 적어도 하나에 대해서 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해서 어라이먼트장치에서 계측하고, 계측오차를 웨이퍼 면내 좌표(w,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트의 회전오차, 등방오차, 스큐오차중 적어도 하나를 조정한 후, 상기 특정 웨이퍼 및 다른 웨이퍼에 대한 노광을 순차 행하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 제11항에 있어서, 레티클스테이지상에 탑재된 레티클에 묘화되어 있는 회로패턴을 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 투영해서 쇼트를 형성할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트의 회전오차(θs(x,y))와, 쇼트의 배율오차(Mx(x,y),My(x,y)), 쇼트의 스큐오차(θso(x,y))중 적어도 하나에 대해서 미리 지정된 특정의 웨이퍼에 대해서 어라이먼트장치에서 계측하고, 계측오차를 웨이퍼 면내 좌표(w,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 쇼트의 회전오차, 등방오차, 스큐오차중 적어도 하나를 조정한 후, 상기 특정 웨이퍼 및 다른 웨이퍼에 대한 노광을 순차 행하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  15. 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 회로패턴을 노광하는 마스크패턴 노광장치이고, 상기 마스크에 대한 노광중에 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 기구와; 상기 마스크상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs,Mx,My,θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와, 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 마스크 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하고, 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 상기 마스크스테이지를 위치결정하는 보정수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  16. 마스크스테이지상에 탑재된 마스크상에 회로패턴을 노광할 때, 상기 마스크상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs,Mx,My,θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와, 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 마스크 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차 함수(Ls(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 마스크에 대한 노광중에 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  17. 웨이퍼스테이지상에 탑재된 반도체웨이퍼상에 전자빔에 의해 회로패턴을 묘화하기 위한 전자빔 노광장치를 이용해서 회로패턴을 묘화할 때, 상기 웨이퍼상에 복수형성되는 쇼트마다의 계통오차(Ls(θs,Mx,My,θso))중 적어도 하나를 구하고, 회전오차와, 배율오차 및 스큐오차중 적어도 하나를 마스크 면내 좌표(x,y)에 있어서 n차의 함수(Ls(x,y))에 근사하는 단계와; 상기 웨이퍼에 대한 노광중에 상기 함수(Ls(x,y))에 따라 쇼트의 회전(θs), 쇼트의 배율(Mx,My), 쇼트의 스큐(θso)중 적어도 하나를 보정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 계통오차(Ls)는 미리 노광장치 이외의 계측기에서 구해지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
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