JP6909021B2

JP6909021B2 - リソグラフィ装置及び物品の製造方法

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Publication number: JP6909021B2
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Inventors: 和芳沖杉; 利彦本木
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Description

本発明は、リソグラフィ装置及び物品の製造方法に関する。

半導体製造プロセスでは、露光装置などのリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ処理が行われている。リソグラフィ処理には、精度の向上とともに、処理時間の短縮が求められており、アライメント計測及び補正に要する時間の短縮が進められている。

近年では、半導体チップの複雑化・多機能化に伴い、基板上のダイ（Ｄｉｅ）配列が理想状態から大きくずれている基板が多くなっている。例えば、個別にカットされたチップを基板上に再配置してリソグラフィ処理を行い、半導体デバイスを製造する場合がある。このような基板は、再構成基板と呼ばれている。再構成基板は、基板上のダイをスクライブラインでカットしたチップを、ボンディングマシンで別の基板に再配置することで構成されている。チップの固定（定着）には樹脂材が用いられ、かかる樹脂材はチップ間の隙間も埋めている。従って、再構成基板では、チップの再配置や樹脂材の伸縮の影響によって、チップ配列のばらつきが大きくなるため、ノッチなどの外形基準に対して基板上のダイ配列が大きくずれる傾向がある。

基板のアライメント（基板の回転（θ）方向の位置合わせ）に関する技術については、従来から提案されている（特許文献１参照）。基板のアライメントでは、まず、プリアライメントステージにおいて、基板の外形基準で基板を回転させて基板の位置を調整する。次いで、基板ステージにおいて、ダイ配列を計測し、かかる計測結果に基づいて基板を回転させて基板の位置を更に精密に調整する。その後、グローバルアライメントなどのファインアライメントを行う。

このような基板のアライメントでは、プリアライメントステージで基板の位置を調整した後、基板ステージでの調整で必要となる基板の回転量が基板ステージの１回の回転動作の回転ストロークを超えてしまう場合がある。このような場合、基板ステージでは、基板を保持する保持ピンと基板を吸着するチャックとの間で基板を受け渡す動作が必要となる。かかる動作中に、基板ステージを回転ストロークの原点付近に戻してから、再度、基板ステージにおいて基板を回転させて基板の位置を調整する。このような動作は、基板ステージに基板が保持された状態におけるダイ配列の回転方向のずれが許容範囲に収まるまで繰り返される。

特開２００６−７３９１６号公報

基板ステージは、一般的に、位置決め精度などの関係で、大きな回転ストロークを有していない。また、製造コストを考慮すると、基板ステージの回転ストロークは、基板の外形基準に対する基板ごとのダイ配列のずれのばらつきに対して、１０分の１程度となる場合もある。近年では、再構成基板に代表されるダイ配列のずれが大きい基板が増えてきており、基板ごとのダイ配列のずれのばらつきが±１００００ｐｐｍ程度になることもある。このため、基板のアライメントに要する時間が長くなり、生産性の低下を招いてしまっている。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上のショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるのに有利なリソグラフィ装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記基板を回転可能に保持する第１ステージと、前記第１ステージで調整された前記基板の回転方向を維持した状態で前記第１ステージから搬送される前記基板を回転可能に保持する第２ステージと、前記第２ステージに前記基板が保持された状態において前記基板上のショット領域の位置を計測する計測部と、前記計測部の計測結果に基づいて、前記第２ステージに前記基板が保持された状態における前記ショット領域の前記第２ステージに対する回転方向のずれを許容範囲に収めるために前記基板を回転させる処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージにより行うかを決定する制御部と、を有し、前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を回転させるために前記回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行うことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板上のショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるのに有利なリソグラフィ装置を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。基板ステージにおける基板上のショット領域の位置ずれの補正を説明するための図である。図１に示す露光装置における基板を露光する処理を説明するためのフローチャートである。図１に示す露光装置における基板を露光する処理を説明するためのフローチャートである。基板の外形基準とショット領域の配列との関係を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、半導体デバイスなどの製造に使用されるリソグラフィ装置である。露光装置１００は、レジストが塗布された基板にマスク（原版）のパターンを投影して、基板にパターンを形成する。

露光装置１００は、基板にレジストを塗布する機能及び露光された基板を現像する機能を有する塗布現像装置（コータ・デベロッパ）１に接続されている。露光装置１００と塗布現像装置１との接続は、通常、インライン接続と呼ばれる。塗布現像装置１は、露光装置１００と塗布現像装置１との間で基板を搬送する第１搬送機構２を有する。第１搬送機構２は、基板を保持するハンドやロボットなどを含む。

塗布現像装置１から露光装置１００への基板の搬送において、基板は、第１搬送機構２を介して、露光装置１００の内部、詳細には、温度調整部３に搬送される。温度調整部３は、基板の温度を調整する機能を有し、基板を保持した状態で上下方向に駆動する駆動機構を含む。温度調整部３は、駆動機構を介して、基板を下降させ、基板の温度が所定の温度に調整されるまで、基板を一定時間保持する。基板の温度が所定の温度に調整されると、温度調整部３は、駆動機構を介して、基板を上昇させて、基板を供給回収位置４に載置する。

供給回収位置４に載置された基板は、第２搬送機構５を介して、プリアライメントステージ６に搬送される。第２搬送機構５は、基板を保持するハンドやロボットなどを含む。プリアライメントステージ６は、基板を回転可能に保持するステージであって、基板を回転させる回転機構を含む。プリアライメントステージ６は、基板の外形、具体的には、基板に設けられたノッチやオリエンテーションフラットなどの外形基準を検知する検知機構も含む。プリアライメントステージ６では、検知機構で検知された外形基準に基づいて、基板を回転させて基板の位置を調整する（基板の回転（θ）方向の位置合わせ）プリアライメント（準備処理）が行われる。

プリアライメントステージ６でプリアライメントが行われた基板は、第３搬送機構７を介して、基板ステージ８に搬送される。第３搬送機構７は、基板を保持するハンドやロボットなどを含む。基板ステージ８は、プリアライメントステージ６で調整された基板の位置を維持した状態でプリアライメントステージ６から搬送される基板を回転可能に保持するステージである。

基板ステージ８に保持された基板は、アライメントスコープ９の直下に搬送される。アライメントスコープ９は、基板上のダイに設けられたアライメントマークを検出して基板上のショット領域の位置（位置ずれ）を求める。本実施形態では、アライメントスコープ９は、基板ステージ８に基板が保持された状態において基板上のショット領域の配列を計測する計測部として機能する。

制御部１０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の全体（各部）を制御する。例えば、制御部１０は、アライメントスコープ９で得られた位置（Ｘ位置，Ｙ位置，Ｚ位置，θ位置）に基づいて、図２に示すように、ステージドライバ２１を介して、基板ステージ８を駆動する。これにより、基板ステージ８に保持された基板上のショット領域の位置ずれが補正される。基板ステージ８において位置ずれが補正された基板は、基板ステージ８によって、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系２２の下に搬送され、投影光学系２２を介して露光される。

露光された基板は、基板ステージ８によって、投影光学系２２の下から供給回収位置４に搬送される。供給回収位置４に搬送された基板は、第１搬送機構２を介して、塗布現像装置１に搬送されて現像される。

図３（ａ）乃至図３（ｄ）を参照して、基板ステージ８における基板上のショット領域の位置ずれの補正について説明する。ここでは、特に、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理を説明する。

基板ステージ８は、図３（ａ）に示すように、基板チャック３１を介して、基板を保持する。第３搬送機構７から基板ステージ８に基板を受け渡す際には、ステージ台３３に対して基板チャック３１を下降させるとともに、ステージ台３３から保持ピン３４を上昇させる。かかる状態において、第３搬送機構７に保持された基板を、図３（ｂ）に示すように、保持ピン３４に載置する。第３搬送機構７を退避させたら、基板チャック３１を上昇させて、保持ピン３４に載置された基板を基板チャック３１で保持（吸着）するとともに、ステージ台３３に対して保持ピン３４を下降させる。基板チャック３１は、基板を保持した状態において、基板ステージ８に設けられた回転機構３５によって回転可能な構造を有する。また、基板チャック３１は、図３（ｃ）に示すように、保持ピン３４が基板を保持した状態においても、回転機構３５によって回転可能な構造を有する。回転機構３５による基板チャック３１の回転ストローク（即ち、基板ステージ８の１回の回転動作の回転ストローク）は、位置決め精度の観点から、大きくすることができない。また、回転機構３５による基板チャック３１の回転ストロークは、製造コストの観点からも、適切な回転ストロークとすることが重要である。かかる回転ストロークは、一般的に、基板ごとのショット配列のずれのばらつきに対して小さい方が製造コストの点で有利である。

プリアライメントステージ６では、上述したように、外形基準で基板を回転させて基板の位置を調整するプリアライメントが行われる。但し、近年では、図６に示すように、再構成基板などの外形基準に対してショット領域の配列（ダイ配列）が大きくずれている基板が多くなっている。このような基板では、プリアライメントステージ６での位置合わせ残差（即ち、基板ステージ８におけるショット領域の配列の回転方向のずれ）が基板ステージ８の回転ストロークを超える場合がある。このような場合には、基板ステージ８において、保持ピン３４と基板チャック３１との間で基板を受け渡す動作が必要となる。

例えば、アライメントスコープ９の計測結果から得られる、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために必要となる基板の回転量が基板ステージ８の回転ストロークを超える場合を考える。この場合、一般的には、まず、基板を保持した基板チャック３１を、回転機構３５によって、最大の回転量（即ち、基板ステージ８の回転ストローク）で第１方向（例えば、時計回り）に回転させる。次いで、基板チャック３１に保持された基板を保持ピン３４に受け渡し、基板チャック３１が基板を保持していない状態にする。かかる状態で、基板チャック３１を、回転機構３５によって、最大の回転量で第１方向とは逆の第２方向（反時計回り）に回転させる（即ち、基板チャック３１を元の位置（原点）に戻す）。そして、保持ピン３４に保持された基板を基板チャック３１に受け渡す。この際、上述した基板ステージ８での回転動作によって、ショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために必要となる基板の回転量は少なくなっている。また、基板チャック３１は原点に戻っているため、最大の回転量で回転させることができる。そして、基板を保持した基板チャック３１を、回転機構３５によって、第１方向に再度回転させる。このような動作を、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれが許容範囲に収まるまで繰り返す。このように、基板上のショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理において、保持ピン３４と基板チャック３１との間で基板を受け渡す動作が必要になると、それに要する時間が長くなり、生産性が低下してしまう。

そこで、本実施形態では、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理を、プリアライメントステージ６及び基板ステージ８のいずれのステージにより行うかを決定する。なお、基板ステージ８は、上述した処理として、基板ステージ８の回転ストロークを超える回転量で基板を回転させるために回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行う。

具体的には、アライメントスコープ９の計測結果から、ショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理で必要となる基板の回転量を求め、かかる処理を基板ステージ８で行うときに要する時間Ａを算出する。また、ショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理をプリアライメントステージ６で行うときに要する時間Ｂを算出する。ここで、時間Ｂは、第３搬送機構７による基板の搬送時間と、プリアライメントステージ６で回転させるために要する時間との和である。第３搬送機構７による基板の搬送時間は、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を搬送するために要する時間と、プリアライメントステージ６で回転させた基板をプリアライメントステージ６から基板ステージ８に搬送するために要する時間とを含む。

次いで、時間Ａと時間Ｂとを比較する。時間Ａより時間Ｂが短い場合には、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を搬送し、プリアライメントステージ６で基板を回転させてから、プリアライメントステージ６から基板ステージ８に基板を再び搬送する。プリアライメントステージ６は、基板ステージ８の回転ストロークより大きな回転ストロークを有する。本実施形態では、プリアライメントステージ６は、３６０度の回転ストロークを有しているため、１回の回転動作によって、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めることができる。一方、時間Ａより時間Ｂが長い場合には、基板ステージ８において、ショット領域の配列の回転方向のずれが許容範囲に収まるまで基板を回転させる。

このように、本実施形態では、ショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理を、プリアライメントステージ６及び基板ステージ８のうち、かかる処理に要する時間が短い方のステージで行う。これにより、ショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理に要する時間を最短にすることが可能となり、生産性の低下を防ぐことができる。

図４を参照して、露光装置１００における基板を露光する処理について説明する。かかる処理は、制御部１０が露光装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ４１では、基板をロードする。具体的には、塗布現像装置１から露光装置１００に基板を搬送する。露光装置１００に搬送された基板は、温度調整部３を介して、供給回収位置４からプリアライメントステージ６に搬送される。

Ｓ４２では、プリアライメントステージ６において、プリアライメントを行う。プリアライメントでは、上述したように、基板の外形基準を検知して、かかる外形基準で基板を回転させて基板の位置を調整する。

Ｓ４３では、第３搬送機構７によって、プリアライメントステージ６から基板ステージ８に基板を搬送する。この際、プリアライメントステージ６から基板の搬送を開始した時刻を、搬送開始時刻Ｐ１として記憶する。基板ステージ８に搬送された基板は、基板チャック３１に吸着される。基板チャック３１が基板を吸着した時刻を、搬送終了時刻Ｐ２として記憶する。搬送終了時刻Ｐ２と搬送開始時刻Ｐ１との差分を、プリアライメントステージ６から基板ステージ８に基板を搬送するのに要する時間とする。

Ｓ４４では、基板ステージ８に基板が保持された状態におけるショット領域の配列の回転方向のずれを許容範囲に収めるために基板を回転させる処理で必要となる基板の回転量を求める。具体的には、アライメントスコープ９によってショット領域の配列を計測し、かかる計測結果に基づいて基板の回転量を算出する。

Ｓ４５では、Ｓ４４で求めた基板の回転量が基板ステージ８の回転ストロークを超えているかどうか（基板ステージ８の回転ストローク＞基板の回転量）を判定する。Ｓ４４で求めた基板の回転量が基板ステージ８の回転ストロークを超えていない場合には、Ｓ４６に移行する。一方、Ｓ４４で求めた基板の回転量が基板ステージ８の回転ストロークを超えている場合には、Ｓ５０に移行する。

Ｓ４６では、基板ステージ８において、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させる。基板ステージ８による基板を回転させる処理は、上述した通りであるため、ここでの詳細な説明は省略する。Ｓ４７では、ファインアライメントを行う。ファインアライメントは、露光前の最終的な基板の位置合わせである。Ｓ４８では、基板を露光する。Ｓ４９では、基板をアンロードする。具体的には、露光された基板を、基板ステージ８から、供給回収位置４を介して、塗布現像装置１に搬送される。

Ｓ５０では、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させる処理を基板ステージ８で行うときに要する時間ＡがＳ４４で求めた回転量で基板を回転させる処理をプリアライメントステージ６で行うときに要する時間Ｂよりも長いかどうか（時間Ａ＞時間Ｂ）を判定する。時間Ａが時間Ｂよりも長くない場合には、Ｓ５１に移行する。一方、時間Ａが時間Ｂよりも長い場合には、Ｓ５２に移行する。

Ｓ５１では、基板ステージ８において、Ｓ４４で求めた回転量になるまで基板を回転させる。この間、基板ステージ８において、基板を回転させる動作と、保持ピン３４と基板チャック３１との間で基板を受け渡す動作とを繰り返す。

Ｓ５２では、第３搬送機構７によって、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を搬送する。換言すれば、プリアライメントステージ６において基板を回転させるために、プリアライメントステージ６から基板ステージ８に搬送された基板をプリアライメントステージ６に戻す。

Ｓ５３では、プリアライメントステージ６において、基板ステージ８において、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させる。上述したように、本実施形態では、プリアライメントステージ６は、３６０度の回転ストロークを有しているため、１回の回転動作によって、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させることができる。

ここでは、基板を回転させる処理を基板ステージ８で行うときに要する時間が基板を回転させる処理をプリアライメントステージ６で行うときに要する時間より長い場合には、かかる処理をプリアライメントステージ６で行うと決定している。但し、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させるために基板ステージ８で必要となる回転動作の回数に基づいて、かかる処理を、プリアライメントステージ６及び基板ステージ８のいずれのステージにより行うかを決定してもよい。この場合、基板ステージ８で必要となる回転動作の回数が、予め定められた回数以下であれば、基板を回転させる処理を基板ステージ８で行うと決定し、予め定められた回数より大きければ、基板を回転させる処理をプリアライメントステージ６で行うと決定する。また、Ｓ４４で求めた回転量に基づいて、基板を回転させる処理を、プリアライメントステージ６及び基板ステージ８のいずれのステージにより行うかを決定してもよい。この場合、Ｓ４４で求めた回転量が、予め定められた回転量以下であれば、基板を回転させる処理を基板ステージ８で行うと決定し、予め定められた回転量より大きければ、基板を回転させる処理をプリアライメントステージ６で行うと決定する。なお、閾値となる回数や回転量は、図２に示すように、キーボードやマウスなどを含む入力部２３を介して設定されてもよいし、ホストコンピュータなどの外部装置から取り込んでもよい。

また、Ｓ４４で求めた回転量は、記憶部２４に記憶させるとよい。上述したように、プリアライメントステージ６に保持された基板を基板ステージ８に搬送する前に、プリアライメントがプリアライメントステージ６で行われる。従って、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させる処理を基板ステージ８で行うと決定した場合は、後続基板に対して、プリアライメントに加えて、後続基板を記憶部２４に記憶された回転量で回転させる処理をプリアライメントステージ６で行う。なお、後続基板とは、Ｓ４４で求めた回転量で基板を回転させる処理が基板ステージ８で行われる基板に続いてパターンが形成される基板である。これにより、後続基板については、基板ステージ８で必要となる回転量が少なくなるため、生産性の向上に寄与する。なお、記憶部２４には、過去に処理した同一ロットに対する回転量を記憶し、その平均値をプリアライメントステージ６で回転させる回転量としてもよい。また、記憶部２４に記憶されたロット内の回転量の傾向を学習して、その値をプリアライメントステージ６で回転させる回転量としてもよい。

図４に示す処理では、スループットを考慮せず、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を戻すことが可能である、即ち、後続基板を待機させている場合を例に説明した。但し、実際には、スループットを考慮すると、プリアライメントステージ６には、後続基板が保持されているため、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を戻すことができない場合がある。このような場合には、図５に示す処理を行えばよい。

図５に示すＳ５０１乃至Ｓ５１１のそれぞれは、図４に示すＳ４１乃至Ｓ５１と同様の処理であるため、ここでの詳細な説明は省略する。時間Ａが時間Ｂよりも長い場合（Ｓ５１０でＹｅｓ）には、上述したように、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を戻すことになる。但し、プリアライメントステージ６に後続基板が保持されていると、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を戻すことができない。このような場合、後続基板を全て退避させることは可能であるが、生産性を著しく低下させてしまう。そこで、本実施形態では、後続基板を温度調整部３で待機させることで、プリアライメントステージ６に基板が保持されていない状態とし、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を戻すことを可能にする。

Ｓ５１２では、後続基板の搬送を停止する。具体的には、露光装置１００に搬送される後続基板を温度調整部３で待機させる。

Ｓ５１３では、後続基板が露光装置内で待機しているかどうかを判定する。後続基板が露光装置内で待機していない場合には、Ｓ５１４に移行する。一方、後続基板が露光装置内で待機している場合には、Ｓ５１６に移行する。

Ｓ５１４では、Ｓ５２と同様に、第３搬送機構７によって、基板ステージ８からプリアライメントステージ６に基板を搬送する。Ｓ５１５では、Ｓ５３と同様に、プリアライメントステージ６において、基板ステージ８において、Ｓ５０４で求めた回転量で基板を回転させる。

Ｓ５１６では、基板ステージ８に保持されている基板を第２搬送機構５に保持させる。

Ｓ５１７では、第３搬送機構７が基板を保持しているかどうかを判定する。第３搬送機構７が基板を保持している場合には、Ｓ５１８に移行する。一方、第３搬送機構７が基板を保持していない場合には、Ｓ５１９に移行する。

Ｓ５１８では、第３搬送機構７に保持されている基板を基板ステージ８に搬送する。基板ステージ８は、第３搬送機構７によって搬送された基板を保持する。

Ｓ５１９では、プリアライメントステージ６が基板を保持しているかどうかを判定する。プリアライメントステージ６が基板を保持している場合には、Ｓ５２０に移行する。一方、プリアライメントステージ６が基板を保持していない場合には、Ｓ５２１に移行する。

Ｓ５２０では、プリアライメントステージ６に保持されている基板を、第３搬送機構７で保持する。

Ｓ５２１では、第２搬送機構５に保持されている基板をプリアライメントステージ６に搬送する。これにより、基板ステージ８に保持されていた基板が基板ステージ８からプリアライメントステージ６に搬送される。

Ｓ５２２では、Ｓ５３と同様に、プリアライメントステージ６において、基板ステージ８において、Ｓ５０４で求めた回転量で基板を回転させる。

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する（パターンを基板に形成する）工程と、露光された基板を現像する（基板を処理する）工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、リソグラフィ装置を露光装置に限定するものではなく、インプリント装置や描画装置などのリソグラフィ装置にも適用することができる。ここで、インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドのパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。また、描画装置は、荷電粒子線（電子線）で基板に描画を行うことにより基板上にパターン（潜像パターン）を形成する。上述した物品の製造方法は、これらのリソグラフィ装置を用いて行ってもよい。

１００：露光装置６：プリアライメントステージ７：第３搬送機構８：基板ステージ９：アライメントスコープ１０：制御部

Claims

基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を回転可能に保持する第１ステージと、
前記第１ステージで調整された前記基板の回転方向を維持した状態で前記第１ステージから搬送される前記基板を回転可能に保持する第２ステージと、
前記第２ステージに前記基板が保持された状態において前記基板上のショット領域の位置を計測する計測部と、
前記計測部の計測結果に基づいて、前記第２ステージに前記基板が保持された状態における前記ショット領域の前記第２ステージに対する回転方向のずれを許容範囲に収めるために前記基板を回転させる処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージにより行うかを決定する制御部と、を有し、
前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を回転させるために前記回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行うことを特徴とするリソグラフィ装置。
前記制御部は、前記計測結果から得られる前記処理で必要となる前記基板の回転量に基づいて、前記処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージで行うかを決定することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記制御部は、前記処理を前記第２ステージで行うときに要する時間が前記処理を前記第１ステージで行うときに要する時間より長い場合には、前記処理を前記第１ステージで行うと決定することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
前記第１ステージと前記第２ステージとの間で前記基板を搬送する搬送機構を更に有し、
前記制御部は、前記搬送機構により前記第２ステージから前記第１ステージに前記基板を搬送するために要する時間と、前記第２ステージから搬送された前記基板を前記第１ステージで回転させるために要する時間と、前記第１ステージで回転させた前記基板を前記搬送機構により前記第１ステージから前記第２ステージに搬送するために要する時間との和を、前記処理を前記第１ステージで行うときに要する時間とすることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
前記制御部は、
前記基板を前記計測結果から得られる前記処理で必要となる前記基板の回転量で回転させるために前記第２ステージで必要となる前記回転動作の回数を求め、
前記回数が予め定められた回数以下である場合には、前記処理を前記第２ステージで行うと決定し、
前記回数が前記予め定められた回数より大きい場合には、前記処理を前記第１ステージで行うと決定することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
前記制御部は、
前記計測結果から得られる前記処理で必要となる前記基板の回転量が予め定められた回転量以下である場合には、前記処理を前記第２ステージで行うと決定し、
前記回転量が前記予め定められた回転量より大きい場合には、前記処理を前記第１ステージで行うと決定することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
前記計測結果から得られる前記処理で必要となる前記基板の回転量を記憶する記憶部を更に有し、
前記制御部は、
前記第１ステージに保持された前記基板を前記第２ステージに搬送する前に、前記基板に設けられた外形基準に基づいて前記基板を回転させる準備処理を前記第１ステージで行い、
前記処理を前記第１ステージで行うと決定した場合には、前記処理が前記第１ステージで行われる前記基板に続いて前記パターンが形成される後続基板に対して、前記準備処理に加えて、前記後続基板を前記記憶部に記憶された回転量で回転させる処理を前記第１ステージで行うことを特徴とする請求項２乃至６のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を回転可能に保持する第１ステージと、
前記第１ステージで調整された前記基板の位置を維持した状態で前記第１ステージから搬送される前記基板を回転可能に保持する第２ステージと、
前記第２ステージに前記基板が保持された状態において前記基板上のショット領域の位置を計測する計測部と、
前記計測部により計測された前記ショット領域の位置に基づいて求められた、前記ショット領域の配列の前記第２ステージに対する回転方向のずれを補正する処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージにより行うかを決定する制御部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を回転させるために前記回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行うことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
前記計測部は、前記ショット領域に配置されたマークを検出して前記ショット領域の位置を計測することを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
マスクのパターンを前記第２ステージに保持された前記基板に投影する投影光学系を更に有することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記第２ステージは、前記基板を保持するチャックと、前記基板を前記チャックから上昇させた状態で前記基板を保持するピンとを有し、
前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を第１方向に回転させるために前記ピンが前記基板を保持した状態で前記第１方向とは逆の第２方向の回転動作を行うことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を回転可能に保持する第１ステージと、
前記第１ステージで調整された前記基板の回転方向を維持した状態で前記第１ステージから搬送される前記基板を回転可能に保持する第２ステージと、
前記第２ステージに前記基板が保持された状態において前記基板上のショット領域の位置を計測する計測部と、
前記計測部の計測結果に基づいて、前記第２ステージに前記基板が保持された状態における前記ショット領域の回転方向のずれを許容範囲に収めるために前記基板を回転させる処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージにより行うかを決定する制御部と、を有し、
前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を回転させるために前記回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行い、
前記制御部は、前記計測結果から得られる前記処理で必要となる前記基板の回転量に基づいて、前記処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージで行うかを決定することを特徴とするリソグラフィ装置。
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を回転可能に保持する第１ステージと、
前記第１ステージで調整された前記基板の回転方向を維持した状態で前記第１ステージから搬送される前記基板を回転可能に保持する第２ステージと、
前記第２ステージに前記基板が保持された状態において前記基板上のショット領域の位置を計測する計測部と、
前記計測部の計測結果に基づいて、前記第２ステージに前記基板が保持された状態における前記ショット領域の回転方向のずれを許容範囲に収めるために前記基板を回転させる処理を、前記第１ステージ及び前記第２ステージのいずれのステージにより行うかを決定する制御部と、を有し、
前記第２ステージは、前記処理として、前記第２ステージの回転ストロークを超える回転量で前記基板を回転させるために前記回転ストローク内の回転動作を少なくとも２回行い、
前記制御部は、前記処理を前記第２ステージで行うときに要する時間が前記処理を前記第１ステージで行うときに要する時間より長い場合には、前記処理を前記第１ステージで行うと決定することを特徴とするリソグラフィ装置。
請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
前記基板は、カットされたチップを基板上に配置した基板であることを特徴とする請求項１５に記載の物品の製造方法。