JPS6266631A - ステツプ・アンド・リピ−ト露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明はステップ・アンド・リピート方式の露光装置に
関し、特に一枚の感光基板に複数のショットを露光して
いく途中で、マスクとなるレチクルを交換するような使
い方に適した露光装置、所謂レチクルからワーキング・
マスク等を作るためのフォトリピータに関する。

（発明の背景） 通常、等倍のプロキシミテイ露光やプロジェクション露
光のためのワーキング・マスクは、チップとなる回路パ
ターンがマトリックス状に複数整列したものである。ワ
ーキング・マスクを作るには、■チップ（又は数チップ
）分の回路パターンが１０倍（又は５倍）に拡大された
原画パターンを有するレチクルを用意し、このレチクル
を、１／１０（又は１１５）の縮小投影レンズを備えた
ステップ・アンド・リピート露光装置、所謂フォトリピ
ータに装着する。フォトリピータのｘｙステージには、
感光剤を塗布したマスク・ブランク（ガラス基板）が載
置され、ｘｙステージがＸ方向、ｙ方向にステッピング
することによって、マスク・ブランク上の異なる領域に
原画パターンの１／１０（又は１１５）の縮小像が順次
露光されていく。フォトリピータの場合は、ウェハステ
ッパーとは異なり、基本的に重ね合わせ露光を行なうこ
とがないので、出来上がったワーキング・マスクのチッ
プ配列の精度は、ｘｙステージのステッピング精度に大
きく依存する。このことはウェハステッパーにおける第
１層露光（ファースト・プリント）のときと同様である
。従って極端な場合、ｘｙステージのステッピング精度
さえよければチップ配列の精度の高いワーキング・マス
クを゛、作ることができる訳である。しかしながら、ワ
ーキング・マスク内には回路パターンを含むチップ以外
に、マスク・アライメント用のマークのみを含むチップ
や、実素子とは異なるテスト回路用のパターンを含むチ
ップを同時に作り込むことがある。このことは１枚のマ
スク・ブランクを露光するのに、複数枚のレチクルを交
換する作業が必要となることを意味する。このレチクル
交換によって、１枚のワーキング・マスク内のチップ配
列の精度が低下することがある。その原因は、交換後の
レチクルの露光装置本体に対する絶対的なアライメント
精度である。すなわち、交換前のレチクルと、交換後の
レチクルとの絶対的な位置すれか、そのままチップ配列
の精度を左右する。この様子を第６図を参照して説明す
る。第６図はマスク・［ブランクＭＢ上に配列されるシ
ョットの配置を示１゛す平面図であり、ここではＡ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ、Ｈの異なる原画パターンを有する５枚のレチ
クルを交換して露光する場合を模式的に示す。まずはじ
めに原画パターンＤを有するレチクルを、所定のレチク
ル・アライメント光学系を用いて装置にアライメントし
、装置内に予め記憶されている設計上のショット配置デ
ータ（ショットアドレス）に基づき、直交座標ｘｙの原
点０を基準にした各露光、　　　　（ｎｉｃｘ　ｙＸ９
　＊Ｇ（ｆｆｉｉｆＥｉｓｉｔ！・＋（７）（ｎ！、！
を測はレーザ干渉測長器等によって、０．０２μｍの精
度で行なわれる。そしてショットＤ＋、Ｄｚ、Ｌ　　　
　　　　Ｄ３　、Ｄａ　、Ｄｓについて順次露光を行な
う。次に原画パターンＥを有するレチクルに交換して、
そのレチクルを装置にアライメントする。そして同様に
ショットアドレスに基づき、ショットＥ７、’　　　　
　　　Ｅ・、Ｅ・について順次露光を行なう。この際、
ｘｙステージの移動の基準となる原点は前のレチクルの
ときと変わらないので、交換後のレチクルにアライメン
ト誤差かなければショットＥｌ、Ｅ２、Ｅｌは実線のよ
うに打ち込まれる。しかしながらアライメント誤差が生
じると、ショットＥ１１Ｅ２、Ｅ、は破線のように設計
上のショット配置からずれてしまう。以後、原画パター
ンＡを有するレチクル、原画パターンＢを有するレチク
ル、及び原画パターンＣを存するレチクルを夫々露光す
る場合も、それぞれのレチクルのアライメント誤差が生
じるため、ショットＡ１　、Ａ！　、ショットＢ１、Ｂ
ｚ、ショットＣ＋　、Ｃｔ　、Ｃｘは破線のよに設計上
のショット配列からずれてしまう。このようにレチクル
交換時のアライメント誤差によって出来上がったワーキ
ング・マスクのチップ配列精度が低下するといった問題
があった。

（発明の目的） そこで本発明は、レチクル（マスク）のアライメント誤
差が感光基板上のショット配列の精度を左右しないよう
にしたステップ・アンド・リピート方式の露光装置を得
ることを目的とする。

（発明の概要） 本発明は、ステップ・アンド・リピート露光装置におい
て、マスク（レチクル）の装置に対する合わせ誤差に相
当する量を検出し、その値だけ、感光基板移動用のｘｙ
ステージの原点となる位置を補正した後、そのレチクル
によるステップ・アンド・リピート方式の露光を行うこ
とを技術的要点としている。

（実施例） 第１図は本発明の第１の実施例による露光装置の概略的
な構成を示す図である。所定の回路パターン以外に、ア
ライメント用のマークＲＭを存するレチクルＲは、レチ
クルステージ１の上に載置され、レチクルステージ１は
、本体の一部であるコラム２上をｘ、ｙ方向に微動可能
に設けられている。レチクルステージ１の移動はモータ
３によって行なわれ、このモータ３はレチクル制御回路
４によってドライブされる。一方、レチクルＲのマーク
ＲＭの上方には、ミラー５、対物レンズ６、及び所定の
検出中心を有する光電検出装置７とから成るレチクル・
アライメント顕微鏡が設けられている。このレチクル・
アライメント顕微鏡は本体に固定されている。光電検出
装置７は、所定の検出中心に対するマークＲＭＯ像のず
れに応じたアライメント信号ＡＳを出力する。レチクル
制御回路４は、アライメント信号ＡＳを入力して、マー
クＲＭと所定の検出中心との位置ずれが零になるように
モータ３をサーボ罵区動する。

一方、レチクルＲの回路パターンの像は、入射瞳ｅＰと
レチクルＲと垂直な光軸ＡＸとを有する投影レンズ８を
介して、感光基板としてのマスク・ブランクＭＢ上に結
像する。マスク・ブランクＭＢはｘ、、ｙ方向に２次元
移動するステージ９の上に載置され、ステージ９の移動
はモータ１（ｌによって行なわれる。またステージ９は
焦点合わせのため２方向（光軸方向）に微動する。この
モータ１０はステージ制御回路１１によってドライブさ
れる。このステージ９の上にはレチクルＲ上のマークＲ
Ｍと同様の形状をした基準マークＦＭが設けられている
。この基準マークＦＭは、レチクル・アライメント顕微
鏡の検出中心の投影点Ｐｒと一致するように位置決めさ
れたとき、光電検出装置７によって、マークＲＭと全（
同じに検出される。さて、ステージ９の２次元的な位置
（座標値）はレーザ干渉測長器（以下単に干渉計と呼ぶ
）１２によって検出され、その位置情報ＰＩはコンピュ
ータを含む演算処理部１３に出力される。

演算処理部１３には、ショットデータ記憶部１４が接続
され、ここにはマスク・ブランクＭＢ上に露光すべき全
てのショットの配列位置（座標値）が記憶されている。

演算処理部１３はステップ・アンド・リピートの露光時
に、記憶部１４からショットの配置位置情報を読み込み
、位置情ｉＰＩが、その配置位置と一致するような、制
御信号をステージ制御回路１１に出力し、ステージ９を
サーボ駆動する。また演算処理部１３は、ステーシイ ９を任意の位置に移動さ幾るための制御信号もステージ
制御回路１１に出力する。さらに演算処理部１３はレチ
クルＲのアライメント誤差相当分を検出するために、ア
ライメント信号ＡＳを入力するとともに、ショット打ち
込みのための原点となる位置を補正する演算を行なう機
能も備えている。

さて本実施例では、アライメント誤差の要因となるレチ
クル・アライメント顕微鏡のドリフト、すなわち装置本
体に対する検出中心のずれを検出することによって、間
接的にレチクルＲのアライメント誤差を求めるものとす
る。そこで第２図のフローチャート図を参照して、本実
施例の動作を説明する０本実施例では、説明を簡単にす
るため、２枚のレチクルを用いて露光を行なう場合につ
いて述べる。もちろん、それ以上の枚数のレチクルを交
換して使っても、まった（同様である。

〔ステップ１００〕 ここでは、レチクルステージ１に１枚目のレチクルＲを
載置して、レチクル制御回路４、モータ３によって、レ
チクルＲを所定の位置に粗くアライメントする。このブ
リ・アライメントの際は、マークＲＭがレチクル・アラ
イメント顕微鏡の検出視野から少しずれるような位置に
レチクルＲが位置決めされる。すなわちマークＲＭの周
辺の透明部を介して、レチクルアライメント顕微鏡が投
影レンズ８の結像面に位置した物体を検出できるように
する。

〔ステップ１０１〕 次に演算処理部１３は、ステージ制御回路１１、モータ
１０を駆動して、基準マークＦＭがレチクル・ナライメ
ント顕微鏡の投影点Ｐｒとアライメントされるようにス
テージ９を位置決めする。投影点Ｐｒのステージ移動座
標系における位置は、レチクル・アライメント顕微鏡が
固定されているので、予め設計情報としてわかっている
。そして基準マークＦＭがレチクル・アライメント顕微
鏡の検出視野内に位置したところで、演算処理部１３は
アライメント信号ＡＳを読み込み、検出中心と基準マー
クＦＭとが一致するように、モータ１０をサーボ制御し
てステージ９を精密に位置決めする。

〔ステップ１０２〕 演算処理部１３はアライメント信号ＡＳを読み込んでい
る間で、その信号がアライメント達成を表わす零（又は
零を含む所定範囲内のレベル）になったことを検知した
とき、そのときのステージ９の座標値（ＲＸ、、ＲＹ、
）を干渉計１２からの位置情報ＰＩから読み込み、記憶
する。この座標値（ＲＸＩ　、ＲＹＩ　）はレチクル・
アライメント顕微鏡の検出中心のステージ移動座標系に
おける投影位置であり、干渉計１２の分解能に相当する
精度（０，０２μｍ）で計測されることになる。

尚、座標値（ＲＸ、、ＲＹ、”）にはレチクル・アライ
メント顕微鏡の検出中心の絶対的な位置に対するドリフ
ト分が含まれることになる。

〔ステップ１０３〕 次に演算処理部１３はステップ・アンド・リピートの露
光時におけるステージ９の原点となる位置の補正を行な
う。これは機械的に原点を補正するものではなく、原点
として記憶されている座標値を計算上で修正するもので
ある。この様子を第３図を用いて説明する。第３図にお
いて座標系Ｘｙは干渉計１２によって規定されるステー
ジ９の移動座標系であり、その機械的な原点は０である
。

１枚目のレチクルＲによるショット領域をＲ３゜で表わ
し、その中心をＮ、として、このレチクルＲをアライメ
ントしたときのレチクル・アライメント顕微鏡の検出中
心をＡＩ、Ｂｒ　とする。

この第３図では検出中心が２ケ所になっており、第１図
のように１つのレチクルアライメント顕微鏡のみではそ
のような配置は実現不可能であるが、第３図は説明を簡
単にするために検出中心を模式的に表わしたものに過ぎ
ない、もちろんレチクル・アライメント顕微鏡を第３図
のように２ケ所に配置してもよい訳である。ただし、レ
チクル上のマークＲＭや基準マークを十字状にして、光
電検出装置７がそれに十字状マークのＸ方向、及びｙ方
向の位置ずれを検出するような２方向の検出中心を有し
ているならば、第１図のように１つのレチクル・アライ
メント顕微鏡でもよい訳である。

さて、第３図において、検出中心Ａ、はマークＲＭＳＦ
ＭのＸ方向のアライメントを行なうものであり、検出中
心Ｂ、はマークＲＭ、ＦＭのｙ方向のアライメントを行
なうものである。また検出中心ＡＩのＸ座標値ＲＸ、と
検出中心Ｂ、のｙ座標値ＲＹ、とは、レチクルＲの投影
中心、すなわちショットＮ、の位置と一致するように示
されているが、これは特に必要なことではない。

また第３図において、検出中心Ａｏ、Ｂｏはレチクル・
アライメント顕微鏡にドリフトが生じていない場合の理
想的な絶対位置を表わし、その時にアライメントされた
レチクルによるショット領域をＲ３６、そのショット中
心をＮｏとしである。

ドリフトのない場合の検出中心Ａｏ　、Ｂａの絶対的な
座標値は（ＲＸＯ、ＲＹＩ　）であるものとする。この
座標値（ＲＸ、、ＲＹ、）は説明上は定義できるもので
あるが、実際の装置においては、亭 レチクル・アライメント顕微鏡がドリフトした否かは直
接知ることができず、計測できるのは専ら座標値（ＲＸ
、、ＲＹ、）のみである、今、仮にドリフトによる検出
中心のずれが（−ΔＸ、Δｙ）であるものとすると、従
来のフォトリピータではステップ・アンド・リピート露
光の際の原点が座標系ｘｙ上で固定された座標値に定め
られていたため、あるショットの原点に対する配置デー
タＶ　（Ｘ、ｌ、Ｙ、、）が与えられると、ドリフト分
（−ΔＸ、Δｙ）とは無関係に、ステージ９は位置Ｎ０
に位置決めされていた。このため、マスク・ブランクＭ
Ｂ上に打たれるショットはドリフト分（−ΔＸ、Δｙ）
だけ絶対的な位置からずれて配列されることになる。そ
こで本実施例では、以下の式（１）、（２）のように、
検出Ａ＋　、Ｂ＋の座標値（ＲＸ＋　、ＲＹＩ　）と不
変の一定値（定数）ＣＯＮＴ、、Ｃ０ＮＴｙとの差によ
って原点Ｐ。

の座標値（ＣＴヶＩｔ　　ＣＴｙ＋）を規定するものと
する。

ＣＴＸ＋＝ＲＸ＋　　　Ｃ０ＮＴｘ−−−−−−−−（
１）ＣＴｙ、＝ＲＹ、−ＣＯＮＴ、−−−−−−−−（
２）尚、Ｃ０ＮＴ、　、Ｃ０ＮＴ、は任意の値でかまわ
ないが、例えばドリフト相当分程度の値に定められる。

上記（１）、（２）式のように原点を規定するものとす
ると、ドリフトがなかった場合の原点Ｐ０の座標値（Ｃ
Ｔ　ｘｏ、　　ＣＴ　ｖｏ）は以下の弐（３）、（４）
のように定められる。

ＣＴＸｏ＝ＲＸｏ　　　Ｃ０ＮＴＸ−−−−−−−−（
３）ＣＴ、、＝ＲＹ、−ＣＯＮＴ、−−−−−−−−（
４）ここで（ＲＸ、、ＲＹＩ　）と（ＲＸｏ　、ＲＹ、
）にあるから、結局原点Ｐ１はドリフトのない時の原点
Ｐ０に対して、ドリフト分く一ΔＸ、Δｙ）だけ補正さ
れることになる。よって、ドリフトがどのように生じて
も、マスク・ブランクＭＢ上に打たれるショットは、補
正された原点Ｐ、に対して（Ｘ、、Ｙ、）の位置に配列
されるから、マスク・ブランクＭＢ上での絶対的な位置
ずれは皆無となる。

〔ステップ１０４〕 さて、原点の規定が終了すると、アライメント信号ＡＳ
に基づいて、マークＲＭがレチクル・アライメント顕微
鏡の検出中心と一致するようにレチクルステージ１がサ
ーボ制御される。このとき基準マークＦＭは検出視野か
ら退避している。そして精密にアライメントされたら、
レチクルステージ１をコラム２に真空吸着し、装置本体
に固定する。

〔ステップ１０５〕 次に演算処理部１３は、ショット配置データ■（Ｘ、ｌ
、Ｙ、ｌ）を読み込む。これはステップ・アンド・リピ
ート露光時のステージ９の原点（ステップ１０３で規定
された原点ＰＩ）を基準にした距離として記憶されてい
るものである。

〔ステップ１０６〕 次に演算処理部１３はショット配置データＶと原点Ｐｌ
との加算を行ない、ショット位置（露光位置）を算出す
る。求めるべきショット位置を０７として座標値（Ｃ，
ｆｉ、　Ｃ，ｆｉ）で表わすと、以下の式（５）、（６
）によって算出される。

Ｃｘｎ＝　ＣＴｘ＋　＋　Ｘ　ｎ　−−−−−−−−（
５）ｃｙ、＝ｃＴ、、−＋−Ｙｌｌ−−−−−−−−（
６）尚、サフィックスのｎはショットの番地を表わすも
のとする。

〔ステップ１０７〕 次に演算処理部１３は、干渉計１２からの位置情報ＰＩ
がショット位置Ｃ１と一敗するように、ステージ制御回
路１１を介してモータ１０をサーボ制御してステージ９
を位置決めする。

〔ステップ１０８〕 次に不図示の照明光をレチクルＲに照射して、ショット
位置Ｃ７において回路パターン像をマスク・ブランクＭ
Ｂに露光（プリント）する。

〔ステップ１０９〕 そして、露光すべき次のショットがあるか否かを判断し
て、１枚目のレチクルによるショットが全て露光された
ときはステップ１１０に進み、残りのショットがあると
きは、先のステップ１０５に戻り同様のシーケンスによ
って露光が繰り返される。上記ステップ１０５から１０
９までが、所謂ステップ・アンド・リピート露光の基本
的な制御部分である。

〔ステップ１１０） さて、１枚目のレチクルによるショットが全て露光され
ると、次のレチクルに変換するか否かを判断する。ここ
では２枚目のレチクルを使うので、ステップ１１１に進
む。

〔ステップ１１１〕 ここで、１枚目のレチクルを取り出し、２枚目のレチク
ルをレチクルステージ１上に載置する。

そして、その後、先のステップ１００から全く同様のシ
ーケンスが実行される。尚、レチクル交換の後も干渉計
１２によって規定される座標系Ｘｙは、１枚目のレチク
ルの露光時のときの状態のまま保存されている。２枚目
のレチクルによる露光は、１枚目のレチクルによる露光
ショット以外の領域、あるいは同一のショット領域に対
して行なわれるが、レチクル・アライメント顕微鏡のド
リフトの影響によるショット配列の誤差は、実用上無視
し得る程度までに小さくなる。

よ 以下本発明の第１実施例においては、原点の規定を、レ
チクル・アライメント顕微鏡の検出中心（ＲＸ、、Ｒ￥
２）と一定値（ＣＯＮＴ、、Ｃ０ＮＴ、）との差として
求めることにより、検出中心のドリフトの影響を補正し
たが、検出中心（ＲＸ、、ＲＸ、　）と一定値（ＣＯＮ
Ｔ、、Ｃ０ＮＴ。

）との和として求めても同様の効果が得られる。

次に本発明の第２の実施例による露光装置の概略的な構
成を第４図を参照して説明する。本実施例が先の第１実
施例の装置と異なる点は、ステージ９の上に、投影レン
ズ８の結像面と一致するような表面を備えたスリット板
３０を設け、このスリット板３０の下に光電素子３１を
配置したことである。このスリット板３０は第５図に示
すように、Ｘ方向とＸ方向との夫々に伸びたスリットＳ
Ｌ、、ＳＬ、を有し、このスリットＳＬ、ＳＳＬ。

を透過した光が光電素子３１に受光される。またスリッ
ト板３０には、レチクル・アライメント顕微鏡の検出中
心位置を計測する際に使われる基準マークＦＭ、、ＦＭ
、も形成されている。

一方、レチクルＲにはスリッｌ−３Ｌ、　ＳＳＬ。

によって検出され得るスリット状のマークＳが、回路パ
ターンの周辺部に形成される。このようなスリット板３
０、光電素子３１によって、レチクルＲに形成されたマ
ークＳ（又はマークＲＭ）の投影像をステージ９の移動
により走査し、マークＳ（又はＲＭ）の投影位置ｐｇ　
　（又はＰ、）を検出するものであり、その具体的な検
出方法については特開昭５９−７４６２５号公報に詳し
く開示、されているので、ここでは説明を省略する。

さて、このようにステージ９に光電スリットが設けられ
ていると、レチクルＲのアライメント誤差が直接検出で
きる。アライメント誤差のうち、レチクル・アライメン
ト顕微鏡のドリフトによる誤差分は、先の第１実施例に
よって十分補正された。ところがアライメント誤差の内
には、レチクル・アライメント顕微鏡の検出中心とマー
クＲＭとを精密に合わせて、レチクルＲを装置本体に固
定する過程（レチクル・アライメント）で生じる合わせ
？誤差も含まれている。この誤差分は先の第１実施例で
は取り除（ことができなかったが、本実施例ではそれが
可能である。そこで以下にその手順を簡単に説明する。

第２図に示した第１実施例のフローチャートとのちがい
は、ステップ１０４の「レチクル・アライメント」の際
に、光電スリットＳＬ、、ＳＬ。

を用いてレチクルＲのマークＳの投影位置の計測を行な
い、さらに精密な原点補正を行なうことだけである０通
常、アライメント信号Ａｓに基づいて、そのレベルが零
になるようにモータ３を駆動してレチクルＲを位置決め
してサーボ・ロックした状態においては、レチクル・ア
ライメント顕微鏡の検出中心とマークＲＭとの合わせ誤
差は、投影像面上では実用上無視できる程度に小さくす
ることができる。ところがその後、レチクルステージ１
をコラム２に真空吸着する際、Ｘ方向、又はＸ方向に微
小量だけレチクルステージ１がずれてしまうことがある
。

そこでまず、レチクルＲをアライメント信号ＡＳに基づ
いてサーボロックした状態で、ステージ９を移動させて
光電スリットＳＬ、、ＳＬ、によリマークＳの投影像を
検出し、その位置Ｐ３１を干渉計１２によって０．０２
μ−の精度で検出する。

そしてレチクルステージ１をコラム２に真空吸着した後
、再びマークＳの投影像の位置Ｐｓ！を光電スリツ）Ｓ
Ｌ、、ＳＬ、を用いて検出する。位置ＰＨＩとＰＳ２に
変化がなければ、真空吸着時のずれはなかったことにな
る。もし、ずれが生じた場合、演算処理部１３は位置ｐ
！＋とＰ”Ｕ２との差分ΔＰ。

を求める。この差分ΔＰ、がレチクルＲそのもののアラ
イメント誤差分であり、ステップ１０３で規定された原
点位置（ＣＴ、、ＣＴ、）に対して、さらにΔｐｉ　　
（ΔＰ！ＩＸＩ　ΔＰ　ｉｙ）だけ補正した位置を原点
として規定すればよい。

このようにすれば、レチクル・アライメント顕微鏡のド
リフトと、レチクルステージ１の固定時のずれとの両方
を要因とするレチクル・アライメント誤差を補正したこ
とになり、マスク・ブランクＭＢ上でのショット配列の
精度はさらに向上する。

（発明の効果） 以上本発明によれば、感光基板上に配列すべきショット
が、ステージのステッピング精度のみに依存した精度で
配置され、レチクル（マスク）の装置に対する合わせ誤
差によって、ショット配列精度を悪化させないといった
効果が得られる。特に１枚の感光基板に対して複数枚の
レチクルを交り 換して露光を行なうフォトリピーを等においては、出来
上がったワーキング・マスクの精度を著しく向上させる
ことができ、複数枚のワーキング・マスク同志を重ね合
わせ露光に使う場合でも、ウェハ上に形成されたチップ
毎の重ね合わせ精度が向上し、製造されたチップの良品
率が高まるといった効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例によるステップ・アンド
・リピート露光装置（フォトリピータ）の概略的な構成
を示す図、第２図は第１図の装置の動作を説明するフロ
ーチャート図、第３図は原点補正の様子を示す図、第４
図は本発明の第２の実施例による露光装置の主要部分の
構成を示す図、第５図は第４図の装置におけるスリット
板の形状を示す平面図、第６図は、従来のフォトリピー
タによって露光されたマスク・ブランク（感光基板）上
でのショット配列の誤差を説明する平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｒ−−−−−−−−レチクル ＭＢ−〜−−−−−−マスク・ブランク５−−−−−−
−−ミラー ６−−−−−−−一対物レンズ ７−−−−−−−一光電検出装置 ８−−−−−−−−投影レンズ ９−−−−−−−−ステージ １２−−−−−−−−レーザ干渉測長器１３−−−−−
−−一演算処理部 ３０−−−−−−−−スリット板 ３１−−−−−−−一光電素子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）露光すべき原画パターンを有するマスクに対して
   感光基板を順次歩進させて、感光基板上の異なる領域毎
   に前記原画パターンを繰り返し露光する装置において、
   前記感光基板を保持して、所定の原点位置を基準に前記
   感光基板を所定のショット配置データに基づく露光位置
   に順次位置決めするステージと；前記マスクを装置本体
   に位置合わせしたとき、その合わせ誤差に相当する量を
   検出する誤差検出手段と；そのマスクによる前記感光基
   板への露光に先立つて、前記ステージの原点位置に対応
   した値を前記合わせ誤差相当量に対応した値だけ補正す
   る演算手段と；該補正された原点位置を基準に前記ショ
   ット配置データに基づく露光位置に、前記ステージを位
   置決めする制御手段とを備えたことを特徴とするステッ
   プ・アンド・リピート露光装置。
2. （２）前記誤差検出手段は、前記マスクを装置本体に位
   置合わせするためのマスク・アライメント光学系と；前
   記ステージに設けられて、前記マスク・アライメント光
   学系によつて検出可能な基準マークと；該基準マークが
   前記マスク・アライメント光学系の所定の検出中心と一
   致するように前記ステージを位置決めしたとき、そのス
   テージの位置をマスク・アライメント光学系の検出中心
   位置として検出する位置検出手段とを有し、前記演算手
   段は、前記検出中心位置の値と不変の一定値との差、又
   は和を算出し、該算出された値を前記補正された原点位
   置とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   装置。