JPH05226223A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH05226223A JPH05226223A JP6095292A JP6095292A JPH05226223A JP H05226223 A JPH05226223 A JP H05226223A JP 6095292 A JP6095292 A JP 6095292A JP 6095292 A JP6095292 A JP 6095292A JP H05226223 A JPH05226223 A JP H05226223A
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- stage
- rotation
- measuring
- measuring means
- axis
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 位置計測用ターゲットが熱変形等を受けた場
合であっても、高精度の重ね合わせ露光が可能な投影露
光装置を提供する。 【構成】 感光基板４を載置し直交２方向に移動可能な
ステージと、パターン像の露光位置に対しアッベ誤差が
略零となるように配置され、ステージのＸＹ方向の位置
をそれぞれ計測する位置計測手段１２、１３と、一方の
方向についての位置計測手段の計測軸上に配置され、感
光基板上に形成されたアライメント用のパターンを光学
的に検出するパターン検出手段１４と、他方の方向につ
いて位置計測手段の計測ターゲット回転量を計測する回
転計測手段と回転計測手段によって計測される回転量と
前記位置計測手段によって計測される位置とパターン検
出手段によって検出されるパターンの位置情報に基づい
てステージの位置および回転量を制御する制御手段１５
とを備える。
合であっても、高精度の重ね合わせ露光が可能な投影露
光装置を提供する。 【構成】 感光基板４を載置し直交２方向に移動可能な
ステージと、パターン像の露光位置に対しアッベ誤差が
略零となるように配置され、ステージのＸＹ方向の位置
をそれぞれ計測する位置計測手段１２、１３と、一方の
方向についての位置計測手段の計測軸上に配置され、感
光基板上に形成されたアライメント用のパターンを光学
的に検出するパターン検出手段１４と、他方の方向につ
いて位置計測手段の計測ターゲット回転量を計測する回
転計測手段と回転計測手段によって計測される回転量と
前記位置計測手段によって計測される位置とパターン検
出手段によって検出されるパターンの位置情報に基づい
てステージの位置および回転量を制御する制御手段１５
とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路を製造
するための露光装置に関し、特に半導体ウエハ等の感光
基板を載置して２次元的に移動させるステージの位置制
御機構に関するものである。
するための露光装置に関し、特に半導体ウエハ等の感光
基板を載置して２次元的に移動させるステージの位置制
御機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造におけるリソグラ
フィー工程において、ステップアンドリピート方式の縮
小投影型露光装置（いわゆるステッパ）が広く用いられ
ている。このステッパにおけるレチクルに形成された回
路パターンの投影像と感光基板（以下ウエハという）上
にすでに形成されている回転パターン（以下チップとい
う）との位置合わせを行うアライメント系として２つの
方式がある。１つは投影レンズとレチクルを介してレチ
クルのマークとウエハのマークとを検出して位置合わせ
を行うオン・アクシス方式であり、他の１つはレチクル
のマークは検出せずにウエハのマークのみを検出するオ
フ・アクシス方式である。
フィー工程において、ステップアンドリピート方式の縮
小投影型露光装置（いわゆるステッパ）が広く用いられ
ている。このステッパにおけるレチクルに形成された回
路パターンの投影像と感光基板（以下ウエハという）上
にすでに形成されている回転パターン（以下チップとい
う）との位置合わせを行うアライメント系として２つの
方式がある。１つは投影レンズとレチクルを介してレチ
クルのマークとウエハのマークとを検出して位置合わせ
を行うオン・アクシス方式であり、他の１つはレチクル
のマークは検出せずにウエハのマークのみを検出するオ
フ・アクシス方式である。
【０００３】この２つの方式のアライメント系のうち、
オフ・アクシス方式のアライメント系を備えたステッパ
では、アライメイト系のマーク検出基準位置（以下アラ
イメント位置という）とレチクルの回路パターンの投影
像の投影位置（以下露光位置という）とが異なる。この
ため、図５に示すように、アライメント系１０３が１つ
のレーザ干渉計１０５の測定軸上にありかつ別のレーザ
干渉計１０４の測定軸から外れて設けられた装置では、
このアライメイト系１０３を用いてウエハ１０１上のア
ライメントマークを検出し、ステージ１０９上に固定さ
れたミラー１０７、１０８の移動量を計測するレーザ干
渉系１０４、１０５からそのチップのＸＹ方向のアライ
メント位置を読み込む。しかしながら、このようにして
検出された計測値はアライメント位置がレーザ干渉計１
０４の測定軸上にないためアッベ誤差を含む。そこで従
来はＹ方向からもう一軸レーザ干渉計１０６でミラー１
０８の移動量を計測し、制御装置（不図示）内でレーザ
干渉計１０５と１０６の測定値の差分からミラーの回転
量つまりステージ１０９のヨーイング量を算出し、この
ヨーイング量を用いてレーザ干渉計１０４の測定値に補
正を加えていた。そしてこの補正値を基準としてステー
ジ１０９をベースライン（アライメント位置と露光位置
との相対的位置関係）だけ移動させていた。また、ウエ
ハ１０１を投影レンズ下に送り込むときもステージ１０
９の回転量を考慮してチップの位置決めを行うことによ
って回路パターンの投影像とチップを正確に重ね合わせ
て露光する装置を得ていた。
オフ・アクシス方式のアライメント系を備えたステッパ
では、アライメイト系のマーク検出基準位置（以下アラ
イメント位置という）とレチクルの回路パターンの投影
像の投影位置（以下露光位置という）とが異なる。この
ため、図５に示すように、アライメント系１０３が１つ
のレーザ干渉計１０５の測定軸上にありかつ別のレーザ
干渉計１０４の測定軸から外れて設けられた装置では、
このアライメイト系１０３を用いてウエハ１０１上のア
ライメントマークを検出し、ステージ１０９上に固定さ
れたミラー１０７、１０８の移動量を計測するレーザ干
渉系１０４、１０５からそのチップのＸＹ方向のアライ
メント位置を読み込む。しかしながら、このようにして
検出された計測値はアライメント位置がレーザ干渉計１
０４の測定軸上にないためアッベ誤差を含む。そこで従
来はＹ方向からもう一軸レーザ干渉計１０６でミラー１
０８の移動量を計測し、制御装置（不図示）内でレーザ
干渉計１０５と１０６の測定値の差分からミラーの回転
量つまりステージ１０９のヨーイング量を算出し、この
ヨーイング量を用いてレーザ干渉計１０４の測定値に補
正を加えていた。そしてこの補正値を基準としてステー
ジ１０９をベースライン（アライメント位置と露光位置
との相対的位置関係）だけ移動させていた。また、ウエ
ハ１０１を投影レンズ下に送り込むときもステージ１０
９の回転量を考慮してチップの位置決めを行うことによ
って回路パターンの投影像とチップを正確に重ね合わせ
て露光する装置を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、ステージ１０９の熱変形等によりミラー１
０７と１０８の直交度が変化した場合、図６に示すよう
に、アライメント位置から露光位置にステージを移動さ
せたとき、直交度変化分の位置誤差ｅを生じ、ベースラ
イン誤差となる。この結果、回路パターンの重ね合わせ
精度が劣化するという問題点があった。
来技術では、ステージ１０９の熱変形等によりミラー１
０７と１０８の直交度が変化した場合、図６に示すよう
に、アライメント位置から露光位置にステージを移動さ
せたとき、直交度変化分の位置誤差ｅを生じ、ベースラ
イン誤差となる。この結果、回路パターンの重ね合わせ
精度が劣化するという問題点があった。
【０００５】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、移動体の位置決め制御を行うための位
置計測用ターゲットが熱変形等を受けた場合であって
も、移動体の位置合わせ誤差補正に影響を与えず高精度
の重ね合わせ露光が可能な露光装置の提供を目的とす
る。
たものであって、移動体の位置決め制御を行うための位
置計測用ターゲットが熱変形等を受けた場合であって
も、移動体の位置合わせ誤差補正に影響を与えず高精度
の重ね合わせ露光が可能な露光装置の提供を目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】前記目的を達
成するため、本発明によれば、ウエハを載置する天板
と、天板上に固定され、Ｘ方向の位置を計測する計測タ
ーゲットおよびＹ方向の位置を計測する計測ターゲット
と、天板を載置してウエハを投影レンズ結像面内（ＸＹ
平面内）で少なくともＸＹ方向に移動可能なステージ
と、露光位置に対してアッベ誤差が略零となるように配
置され、ステージのＸＹ方向の位置を計測する各方向に
ついての位置計測手段と、該位置計測手段のＸ方向また
はＹ方向のどちらか一方の計測軸上に配置され、前記ウ
エハ上に形成されたアライメント用のパターンを光学的
に検出するパターン検出手段と、前記位置計測手段のう
ち他方の計測手段の計測ターゲットの回転量を計測する
回転計測手段と、該回転計測手段によって計測される回
転量と前記ＸＹ方向の位置計測手段によって計測される
位置と、前記パターン検出手段によって検出されるパタ
ーンの位置に基づいて、前記ステージのＸＹ方向の位置
および回転方向の姿勢を制御する制御装置とを設けるこ
とにより、前記回転量計測手段によって計測される計測
ターゲットが回転しないよう制御し、ＸＹ方向の計測タ
ーゲットの直交度が変化してもベースライン補正に誤差
を与えず、高精度に重ね合わせ露光を行うことができ
る。
成するため、本発明によれば、ウエハを載置する天板
と、天板上に固定され、Ｘ方向の位置を計測する計測タ
ーゲットおよびＹ方向の位置を計測する計測ターゲット
と、天板を載置してウエハを投影レンズ結像面内（ＸＹ
平面内）で少なくともＸＹ方向に移動可能なステージ
と、露光位置に対してアッベ誤差が略零となるように配
置され、ステージのＸＹ方向の位置を計測する各方向に
ついての位置計測手段と、該位置計測手段のＸ方向また
はＹ方向のどちらか一方の計測軸上に配置され、前記ウ
エハ上に形成されたアライメント用のパターンを光学的
に検出するパターン検出手段と、前記位置計測手段のう
ち他方の計測手段の計測ターゲットの回転量を計測する
回転計測手段と、該回転計測手段によって計測される回
転量と前記ＸＹ方向の位置計測手段によって計測される
位置と、前記パターン検出手段によって検出されるパタ
ーンの位置に基づいて、前記ステージのＸＹ方向の位置
および回転方向の姿勢を制御する制御装置とを設けるこ
とにより、前記回転量計測手段によって計測される計測
ターゲットが回転しないよう制御し、ＸＹ方向の計測タ
ーゲットの直交度が変化してもベースライン補正に誤差
を与えず、高精度に重ね合わせ露光を行うことができ
る。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例に係るステッ
パの概略構成図であり、図２はその作用を説明するため
のステージ部分の平面図である。
パの概略構成図であり、図２はその作用を説明するため
のステージ部分の平面図である。
【０００８】図１において、１は照明系であり、レチク
ル２のパターン領域を均一な照度で照明する。レチクル
２上に描かれた回路パターンの像を投影レンズ３を介し
てレジストが塗布されたウエハ４上に投影する。ウエハ
４はチャック５に真空吸着され、このチャック５を介し
て天板６上に固定されている。天板６はθステージ７上
に設けられＺ軸回りに回転可能である。さらにθステー
ジ７は投影レンズ３の結像面内（ＸＹ平面内）で２次元
的に移動可能なＸＹステージ８上に設けられている。
ル２のパターン領域を均一な照度で照明する。レチクル
２上に描かれた回路パターンの像を投影レンズ３を介し
てレジストが塗布されたウエハ４上に投影する。ウエハ
４はチャック５に真空吸着され、このチャック５を介し
て天板６上に固定されている。天板６はθステージ７上
に設けられＺ軸回りに回転可能である。さらにθステー
ジ７は投影レンズ３の結像面内（ＸＹ平面内）で２次元
的に移動可能なＸＹステージ８上に設けられている。
【０００９】また、図２に示すように、天板６のＸ方向
の移動量は天板６上に固定されたＸ軸ミラー１０にレー
ザ干渉計９のレーザ光を当てて計測する。同様に天板６
のＹ方向の移動量も天板６に固定されたＹ軸ミラー１３
にレーザ干渉計１２のレーザ光を当てて計測する。
の移動量は天板６上に固定されたＸ軸ミラー１０にレー
ザ干渉計９のレーザ光を当てて計測する。同様に天板６
のＹ方向の移動量も天板６に固定されたＹ軸ミラー１３
にレーザ干渉計１２のレーザ光を当てて計測する。
【００１０】レーザ干渉計９、１２の測定軸はＸＹ平面
内で直交し、かつ投影レンズ３の光軸中心がその交点を
通る。アライメント系１４はレーザ干渉計１２の測定軸
上に配置されている。
内で直交し、かつ投影レンズ３の光軸中心がその交点を
通る。アライメント系１４はレーザ干渉計１２の測定軸
上に配置されている。
【００１１】さらにレーザ干渉計９と平行にレーザ干渉
計１１を設け、同じくＸ軸ミラー１０の移動量を計測す
る。これらレーザ干渉計９および１１の計測値は、制御
装置１５にフィードバックされ、両レーザ干渉計９と１
１の差分からＸ軸ミラー１０の回転角度を算出し、θス
テージ７およびＸＹステージ８に指令を与えて天板６を
所望の位置に位置決めし、かつ両ミラーの直交度が変化
してもＸ軸ミラー１０の回転角は変化しないよう制御す
る。
計１１を設け、同じくＸ軸ミラー１０の移動量を計測す
る。これらレーザ干渉計９および１１の計測値は、制御
装置１５にフィードバックされ、両レーザ干渉計９と１
１の差分からＸ軸ミラー１０の回転角度を算出し、θス
テージ７およびＸＹステージ８に指令を与えて天板６を
所望の位置に位置決めし、かつ両ミラーの直交度が変化
してもＸ軸ミラー１０の回転角は変化しないよう制御す
る。
【００１２】アライメント系１４はウエハ４上のアライ
メントマークがアライメント基準位置（０、ＹA）から
どれだけズレているのか計測できる。制御装置１５内
で、そのズレ（ＸE、ＹE）、およびそのときのレーザ干
渉計９、１２の計測値（ＸL 、ＹL）から、ベースライ
ン（投影レンズ光軸中心位置とアライメント基準位置
の相対的位置関係で、ここでは（０、ＹA）である）を
ＸB＝ＸE＋ＸL、ＹB＝ＹA＋ＹE＋ＹLの式で補正し、Ｘ
軸ミラー１０が回転しないようθステージ７を制御しな
がら、補正値（ＸB、ＹB）だけＸＹステージ８を移動さ
せ位置決めし、順次露光する。
メントマークがアライメント基準位置（０、ＹA）から
どれだけズレているのか計測できる。制御装置１５内
で、そのズレ（ＸE、ＹE）、およびそのときのレーザ干
渉計９、１２の計測値（ＸL 、ＹL）から、ベースライ
ン（投影レンズ光軸中心位置とアライメント基準位置
の相対的位置関係で、ここでは（０、ＹA）である）を
ＸB＝ＸE＋ＸL、ＹB＝ＹA＋ＹE＋ＹLの式で補正し、Ｘ
軸ミラー１０が回転しないようθステージ７を制御しな
がら、補正値（ＸB、ＹB）だけＸＹステージ８を移動さ
せ位置決めし、順次露光する。
【００１３】ウエハ４ごとに天板６を回転させるため、
チップローテーションが発生するが、パターンズレは最
悪でも５nm 以下であり無視できる。また、ウエハ一枚
を露光している最中の直交度変化は、時間的にも短いた
めこの影響も無視できる。
チップローテーションが発生するが、パターンズレは最
悪でも５nm 以下であり無視できる。また、ウエハ一枚
を露光している最中の直交度変化は、時間的にも短いた
めこの影響も無視できる。
【００１４】このようにＸ軸ミラーおよびＹ軸ミラーの
直交度が変化しても、ベースライン補正が正確に行わ
れ、レチクル２の回路パターンの投影像とウエハ４上の
チップとが正しく一致し、高精度の重ね合わせ露光が可
能となる。
直交度が変化しても、ベースライン補正が正確に行わ
れ、レチクル２の回路パターンの投影像とウエハ４上の
チップとが正しく一致し、高精度の重ね合わせ露光が可
能となる。
【００１５】図３は本発明の第２の実施例によるステッ
パの概略構成図であり、図４はその作用を説明するため
のステージ部分の平面図である。
パの概略構成図であり、図４はその作用を説明するため
のステージ部分の平面図である。
【００１６】図３において、前記第１の実施例と同様
に、１は照明系でありレチクル２のパターン領域を均一
な照度で照明する。レチクル２上に描かれた回路パター
ンの像を投影レンズ３を介してレジストが塗布されたウ
エハ４上に投影する。ウエハ４は、チャック５に真空吸
着され、このチャック５を介して天板６上に固定されて
いる。天板６はＸステージ２７上に設けられ、さらにこ
のＸステージ２７はＹステージ２８上に設けられてい
る。したがって、ウエハ４は天板６とともに投影レンズ
３の結像面内（ＸＹ平面内）でＸＹ方向に移動可能であ
る。また図４に示すように、天板６のＸ方向の移動量は
天板６上に固定されたＸ軸ミラー１０にレーザ干渉計９
のレーザ光を当てて計測する。同様に天板６のＹ方向の
移動量も、天板６に固定されたＹ軸ミラー１３にレーザ
干渉計１２のレーザ光を当てて計測する。
に、１は照明系でありレチクル２のパターン領域を均一
な照度で照明する。レチクル２上に描かれた回路パター
ンの像を投影レンズ３を介してレジストが塗布されたウ
エハ４上に投影する。ウエハ４は、チャック５に真空吸
着され、このチャック５を介して天板６上に固定されて
いる。天板６はＸステージ２７上に設けられ、さらにこ
のＸステージ２７はＹステージ２８上に設けられてい
る。したがって、ウエハ４は天板６とともに投影レンズ
３の結像面内（ＸＹ平面内）でＸＹ方向に移動可能であ
る。また図４に示すように、天板６のＸ方向の移動量は
天板６上に固定されたＸ軸ミラー１０にレーザ干渉計９
のレーザ光を当てて計測する。同様に天板６のＹ方向の
移動量も、天板６に固定されたＹ軸ミラー１３にレーザ
干渉計１２のレーザ光を当てて計測する。
【００１７】レーザ干渉計９、１２の測定軸はＸＹ平面
内で直交し、かつ、投影レンズ３の光軸中心がその交点
を通る。アライメント系１４はレーザ干渉計１２の測定
軸上に配置されている。さらにレーザ干渉計９と平行に
レーザ干渉計１１を設け、同じくＸ軸ミラー１０の移動
量を計測する。これらレーザ干渉計９および１１の計測
値は制御装置１５にフィードバックされ、レーザ干渉計
９と１１の差分からＸ軸ミラー１０の回転角度を算出
し、この回転角度を考慮してＸステージ２７およびＹス
テージ２８に指令を与え天板６を所望のＸＹ方向の位置
に位置決めする。
内で直交し、かつ、投影レンズ３の光軸中心がその交点
を通る。アライメント系１４はレーザ干渉計１２の測定
軸上に配置されている。さらにレーザ干渉計９と平行に
レーザ干渉計１１を設け、同じくＸ軸ミラー１０の移動
量を計測する。これらレーザ干渉計９および１１の計測
値は制御装置１５にフィードバックされ、レーザ干渉計
９と１１の差分からＸ軸ミラー１０の回転角度を算出
し、この回転角度を考慮してＸステージ２７およびＹス
テージ２８に指令を与え天板６を所望のＸＹ方向の位置
に位置決めする。
【００１８】アライメント系１４は、ウエハ４上のアラ
イメントマークがアライメント基準位置（０、ＹA）か
らどれだけズレているのか計測できる。制御装置１５内
でそのズレ（ＸE、ＹE）およびそのときのレーザ干渉計
９、１２の計測値（ＸL、ＹL）、およびそのときのレー
ザ干渉計９、１１の差分から算出される角度θか らベ
ースライン（投影レンズ光軸中心位置とアライメント基
準位置の相対的位置関係でここでは（０、ＹA）であ
る）をＸB＝ＸE＋ＸL＋θ＊ＹA、ＹB＝ＹA＋ＹE＋ＹLの
式で補正し、補正値の（ＸB、ＹB）だけＸステージ２７
およびＹステージ２８を移動させ位置決めし、順次露光
する。
イメントマークがアライメント基準位置（０、ＹA）か
らどれだけズレているのか計測できる。制御装置１５内
でそのズレ（ＸE、ＹE）およびそのときのレーザ干渉計
９、１２の計測値（ＸL、ＹL）、およびそのときのレー
ザ干渉計９、１１の差分から算出される角度θか らベ
ースライン（投影レンズ光軸中心位置とアライメント基
準位置の相対的位置関係でここでは（０、ＹA）であ
る）をＸB＝ＸE＋ＸL＋θ＊ＹA、ＹB＝ＹA＋ＹE＋ＹLの
式で補正し、補正値の（ＸB、ＹB）だけＸステージ２７
およびＹステージ２８を移動させ位置決めし、順次露光
する。
【００１９】このようにＸ軸ミラー、Ｙ軸ミラーの直交
度が変化しても、前述の第１の実施例と同様に、ベース
ライン補正が正確に行われ、レチクル２の回路パターン
の投影像とウエハ４上のチップとが正しく一致し、高精
度の重ね合わせ露光が可能となる。
度が変化しても、前述の第１の実施例と同様に、ベース
ライン補正が正確に行われ、レチクル２の回路パターン
の投影像とウエハ４上のチップとが正しく一致し、高精
度の重ね合わせ露光が可能となる。
【００２０】前記各実施例においては、Ｘ軸ミラー１０
の回転角度を計測する手段として２つのレーザ干渉計９
と１１の差分から算出していたが、ディファレンシャル
干渉計を用いて直接角度を計測してもよいし、あるいは
コリメータを用いて計測してもよい。
の回転角度を計測する手段として２つのレーザ干渉計９
と１１の差分から算出していたが、ディファレンシャル
干渉計を用いて直接角度を計測してもよいし、あるいは
コリメータを用いて計測してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、露光位置に対してアッベ誤差が略零となるように直
交するＸ、Ｙ方向の移動量をそれぞれ計測する２つの計
測系を設け、一方の計測系の測定軸上にアライメント系
を配し、他方の計測系の計測ターゲットの回転量を計測
する手段を設け、この回転量に応じてステージの位置決
め制御を行うことにより、ＸＹ方向の計測系の略直交す
る計測ターゲットの直交度が変化しても、正確にベース
ライン補正を行い高精度の重ね合わせ露光ができる。
は、露光位置に対してアッベ誤差が略零となるように直
交するＸ、Ｙ方向の移動量をそれぞれ計測する２つの計
測系を設け、一方の計測系の測定軸上にアライメント系
を配し、他方の計測系の計測ターゲットの回転量を計測
する手段を設け、この回転量に応じてステージの位置決
め制御を行うことにより、ＸＹ方向の計測系の略直交す
る計測ターゲットの直交度が変化しても、正確にベース
ライン補正を行い高精度の重ね合わせ露光ができる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る露光装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施例の作用を説明するため
の要部平面図である。
の要部平面図である。
【図３】 本発明の第２の実施例に係る露光装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図４】 本発明の第２の実施例の作用を説明するため
の要部平面図である。
の要部平面図である。
【図５】 従来の露光装置の要部平面図である。
【図６】 従来技術による誤差発生を説明するための要
部平面図である。
部平面図である。
１；照明系、２；レチクル、３；投影レンズ、４；ウエ
ハ、５；チャック、６；天板、７；θステージ、８；Ｘ
Ｙステージ、９、１１、１２；レーザ干渉計、１０；Ｘ
軸ミラー、１３；Ｙ軸ミラー、１４；アライメント系、
１５；制御装置、２７；Ｘステージ、２８；Ｙステー
ジ。
ハ、５；チャック、６；天板、７；θステージ、８；Ｘ
Ｙステージ、９、１１、１２；レーザ干渉計、１０；Ｘ
軸ミラー、１３；Ｙ軸ミラー、１４；アライメント系、
１５；制御装置、２７；Ｘステージ、２８；Ｙステー
ジ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｇ 8418−4Ｍ Ｋ 8418−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンを投影光学
系を介して感光基板上に投影露光する露光装置におい
て、前記感光基板を載置して前記投影光学系の結像面内
で少なくとも直交２方向に移動可能なステージと；前記
投影光学系による前記パターン像の露光位置に対してア
ッベ誤差が略零となるように配置され、前記ステージの
直交するＸＹ方向の位置をそれぞれ計測する各方向につ
いての位置計測手段と；一方の方向についての該位置計
測手段の計測軸上に配置され、前記感光基板上に形成さ
れたアライメント用のパターンを光学的に検出するパタ
ーン検出手段と；他方の方向についての前記位置計測手
段の計測ターゲットの回転量を計測する回転計測手段
と；該回転計測手段によって計測される回転量と前記位
置計測手段によって計測される位置と前記パターン検出
手段によって検出されるパターンの位置情報に基づいて
前記ステージの位置および回転量を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記ステージは、前記結像面に対し直角
なＺ軸廻りに回転可能であることを特徴とする請求項１
の露光装置。 - 【請求項３】 前記位置計測手段は、ステージ上に設け
たＸＹ各方向のミラーおよび各ミラーに対して設けたレ
ーザー干渉計からなることを特徴とする請求項１の露光
装置。 - 【請求項４】 前記回転計測手段は、１つの方向に対し
２つのレーザー干渉計を設けて両レーザー干渉計の計測
値の差分から回転量を算出するように構成したことを特
徴とする請求項３の露光装置。
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| JP6095292A JP2646412B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 露光装置 |
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