JPH04255210A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
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- JPH04255210A JPH04255210A JP3016143A JP1614391A JPH04255210A JP H04255210 A JPH04255210 A JP H04255210A JP 3016143 A JP3016143 A JP 3016143A JP 1614391 A JP1614391 A JP 1614391A JP H04255210 A JPH04255210 A JP H04255210A
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- JP
- Japan
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- shot
- deviation
- positional deviation
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- positional
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- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造の露光工
程における位置合わせ方法に関する。近年，ＬＳＩ の
露光工程における下地パターンとの重ね合わせに要求さ
れる精度はますます厳しくなっている。
程における位置合わせ方法に関する。近年，ＬＳＩ の
露光工程における下地パターンとの重ね合わせに要求さ
れる精度はますます厳しくなっている。
【０００２】より正確に下地パターンと重ね合わせて次
層のパターンを形成するためには， 現状以上の正確か
つ精密な位置ずれの補正を縮小投影露光装置に帰還する
必要がある。
層のパターンを形成するためには， 現状以上の正確か
つ精密な位置ずれの補正を縮小投影露光装置に帰還する
必要がある。
【０００３】本発明はこの必要性に対応した位置合わせ
方法として利用できる。
方法として利用できる。
【０００４】
【従来の技術】従来の露光工程における位置ずれの補正
は， １ショット内の任意の位置に配置された位置ずれ
量検出パターンの位置測定により，そのショットのずれ
量とし，ウエハ内の複数ショットを同様に計測しそれら
の平均値のみを補正していた。
は， １ショット内の任意の位置に配置された位置ずれ
量検出パターンの位置測定により，そのショットのずれ
量とし，ウエハ内の複数ショットを同様に計測しそれら
の平均値のみを補正していた。
【０００５】さらに，各ショットのずれの傾向を分析し
ウエハローテイション（回転ずれ），ウエハマグニフィ
ケイション（伸縮ずれ），シフト（中心ずれ）の補正を
行う場合もあった。
ウエハローテイション（回転ずれ），ウエハマグニフィ
ケイション（伸縮ずれ），シフト（中心ずれ）の補正を
行う場合もあった。
【０００６】ところが，この場合ショット内の任意の点
のずれをそのショットのずれとして代表しているため，
ショット内のその点で正確に重ね合わせができても，そ
の他の点ではずれが生ずるというショット内のずれが発
生していた。
のずれをそのショットのずれとして代表しているため，
ショット内のその点で正確に重ね合わせができても，そ
の他の点ではずれが生ずるというショット内のずれが発
生していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例ではショット内
のずれを含めた高精度の重ね合わせができず，位置ずれ
が原因となって製造歩留を低下させていた。
のずれを含めた高精度の重ね合わせができず，位置ずれ
が原因となって製造歩留を低下させていた。
【０００８】本発明はショットの代表となり得る真の位
置ずれ量を計測し，ショット内のずれ量の補正を可能と
する重ね合わせができるようにすることを目的とする。
置ずれ量を計測し，ショット内のずれ量の補正を可能と
する重ね合わせができるようにすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
露光マスクに位置ずれ量検出マークをショットの中心に
対し略点対称の位置に２個配置し，露光後の被露光基板
上の該位置ずれ量検出マークの位置計測を行う工程を有
する位置合わせ方法，あるいは２）前記位置ずれ量検出
マークの位置計測値からショットの中心位置のシフト量
とショットの回転ずれとショットの伸縮ずれとを算出し
，これらの値を露光装置に帰還してオフセットとして補
正を行う位置合わせ方法により達成される。
露光マスクに位置ずれ量検出マークをショットの中心に
対し略点対称の位置に２個配置し，露光後の被露光基板
上の該位置ずれ量検出マークの位置計測を行う工程を有
する位置合わせ方法，あるいは２）前記位置ずれ量検出
マークの位置計測値からショットの中心位置のシフト量
とショットの回転ずれとショットの伸縮ずれとを算出し
，これらの値を露光装置に帰還してオフセットとして補
正を行う位置合わせ方法により達成される。
【００１０】
【作用】本発明は，２個の位置ずれ検出マークを用い，
その配置をショットの中心に点対称に配置すれば，つぎ
の（１），（２），（３）式より，中心ずれ（シフト）
，回転ずれ（Ｒ），伸縮ずれ（Ｍ）が求まり，かつショ
ット内ずれを補正できるようにしたものである。
その配置をショットの中心に点対称に配置すれば，つぎ
の（１），（２），（３）式より，中心ずれ（シフト）
，回転ずれ（Ｒ），伸縮ずれ（Ｍ）が求まり，かつショ
ット内ずれを補正できるようにしたものである。
【００１１】図１は本発明の位置ずれ量検出マークの配
置を説明する平面図である。図において，１はショット
の領域，ａ，ｂは位置ずれ量検出マークである。位置ず
れ量検出マークａ（ｘ，ｙ） ，ｂ（−ｘ，−ｙ） は
ショットの中心 （０，０） に対し点対称にマスク（
レチクル）上に配置されている。
置を説明する平面図である。図において，１はショット
の領域，ａ，ｂは位置ずれ量検出マークである。位置ず
れ量検出マークａ（ｘ，ｙ） ，ｂ（−ｘ，−ｙ） は
ショットの中心 （０，０） に対し点対称にマスク（
レチクル）上に配置されている。
【００１２】図２は位置ずれ量検出マークのずれ量の計
測値を示す平面図である。図は露光後の被露光基板（ウ
エハ）上の計測値である。位置ずれ量検出マークａ（ｘ
，ｙ） のずれ量は（Δｘ，Δｙ）， 位置ずれ量検出
マークｂ（−ｘ，−ｙ） のずれ量は（Δｘ ′， Δ
ｙ ′）であると， ショットの中心 （０，０）のず
れ量は［（Δｘ ＋Δｘ ′）／２， （Δｙ ＋Δｙ
′）／２］となる。
測値を示す平面図である。図は露光後の被露光基板（ウ
エハ）上の計測値である。位置ずれ量検出マークａ（ｘ
，ｙ） のずれ量は（Δｘ，Δｙ）， 位置ずれ量検出
マークｂ（−ｘ，−ｙ） のずれ量は（Δｘ ′， Δ
ｙ ′）であると， ショットの中心 （０，０）のず
れ量は［（Δｘ ＋Δｘ ′）／２， （Δｙ ＋Δｙ
′）／２］となる。
【００１３】図３ （Ａ）〜（Ｃ） はショットのずれ
を説明する平面図である。図において，点線はウエハ上
のショットの理想の位置を示す。図３（Ａ） はシフト
で理想のショット配列格子からのずれを示す。
を説明する平面図である。図において，点線はウエハ上
のショットの理想の位置を示す。図３（Ａ） はシフト
で理想のショット配列格子からのずれを示す。
【００１４】図３（Ｂ） は回転ずれでショットの回転
を示す。図３（Ｃ） は伸縮ずれで，ショットの伸縮を
示す。図２から， シフト： （Δｘ ＋Δｘ ′）／２， （Δｙ
＋Δｙ ′）／２ ． ・・・・（１） 図４ （
Ａ），（Ｃ）は回転ずれと伸縮ずれを説明する平面図で
ある。
を示す。図３（Ｃ） は伸縮ずれで，ショットの伸縮を
示す。図２から， シフト： （Δｘ ＋Δｘ ′）／２， （Δｙ
＋Δｙ ′）／２ ． ・・・・（１） 図４ （
Ａ），（Ｃ）は回転ずれと伸縮ずれを説明する平面図で
ある。
【００１５】ａ点のｘ，ｙ方向のずれ量を（Δｘ１，Δ
ｙ１），ｂ点のｘ，ｙ方向のずれ量を（Δｘ１′，Δｙ
１′）とすると， Δｘ１＝ （Δｘ −Δｘ ′）／２
， Δｘ１′＝ （Δｘ ′−Δｘ ）／２
Δｙ１＝ （Δｙ −Δｙ ′）／２，
Δｙ１′＝ （Δｙ ′−Δｙ ）／２ とな
り， Δｘ１＝−Δｘ１′， Δｙ１＝−Δｙ１′ である。
ｙ１），ｂ点のｘ，ｙ方向のずれ量を（Δｘ１′，Δｙ
１′）とすると， Δｘ１＝ （Δｘ −Δｘ ′）／２
， Δｘ１′＝ （Δｘ ′−Δｘ ）／２
Δｙ１＝ （Δｙ −Δｙ ′）／２，
Δｙ１′＝ （Δｙ ′−Δｙ ）／２ とな
り， Δｘ１＝−Δｘ１′， Δｙ１＝−Δｙ１′ である。
【００１６】図４（Ｂ） より，伸縮ずれＭと回転ずれ
Ｒを求めるとつぎのようになる。 Ｍ＝（Δｘ１ ｃｏｓθ＋Δｙ１ ｓ
ｉｎθ）×２／Ｓ，・・・・（２）
Ｒ＝（Δｙ１ ｃｏｓθ−Δｘ１ ｓｉｎθ）×２／Ｓ
．・・・・（３）ここで， Ｓ＝２（ｘ２ ＋ｙ２）１／２， θ＝ ｔａｎ−１（ｙ／ｘ）．
Ｒを求めるとつぎのようになる。 Ｍ＝（Δｘ１ ｃｏｓθ＋Δｙ１ ｓ
ｉｎθ）×２／Ｓ，・・・・（２）
Ｒ＝（Δｙ１ ｃｏｓθ−Δｘ１ ｓｉｎθ）×２／Ｓ
．・・・・（３）ここで， Ｓ＝２（ｘ２ ＋ｙ２）１／２， θ＝ ｔａｎ−１（ｙ／ｘ）．
【００１７】
【実施例】図５は本発明の一実施例を説明する平面図で
ある。図において，２０ｍｍ角のショットで， ショッ
ト中心に対し点対称に位置ずれ検出用マークａ（１０ｍ
ｍ， ５ｍｍ） ，ｂ （−１０ｍｍ， −５ｍｍ）を
配置する。
ある。図において，２０ｍｍ角のショットで， ショッ
ト中心に対し点対称に位置ずれ検出用マークａ（１０ｍ
ｍ， ５ｍｍ） ，ｂ （−１０ｍｍ， −５ｍｍ）を
配置する。
【００１８】つぎに，顕微鏡による目視検査，あるいは
位置ずれ自動読み取り装置等でａ，ｂのずれ量を測定す
る。ずれ量の測定結果が ａで （０．１μｍ，０．２μｍ） ，ｂで （０
．２μｍ，０．１μｍ） であったとすると，この値を
前記 （１）〜（３）式に代入すると， シフト： ｘ ＝０．１５μｍ， ｙ ＝０
．１５μｍ．Ｍ＝ ４ ｐｐｍ， Ｒ＝１２ ｐｐｍ． を得る。
位置ずれ自動読み取り装置等でａ，ｂのずれ量を測定す
る。ずれ量の測定結果が ａで （０．１μｍ，０．２μｍ） ，ｂで （０
．２μｍ，０．１μｍ） であったとすると，この値を
前記 （１）〜（３）式に代入すると， シフト： ｘ ＝０．１５μｍ， ｙ ＝０
．１５μｍ．Ｍ＝ ４ ｐｐｍ， Ｒ＝１２ ｐｐｍ． を得る。
【００１９】これらの値を縮小露光装置にオフセットと
して補正する。
して補正する。
【００２０】
【発明の効果】ショットの代表となり得る真の位置ずれ
量を計測し，ショット内のずれ量の補正を可能とする重
ね合わせができるようになった。
量を計測し，ショット内のずれ量の補正を可能とする重
ね合わせができるようになった。
【００２１】この結果， 縮小投影露光工程の重ね合わ
せ精度が向上し，高集積微細デバイスのパターニングに
寄与できるようになった。
せ精度が向上し，高集積微細デバイスのパターニングに
寄与できるようになった。
【図１】 本発明の位置ずれ量検出マークの配置を説
明する平面図
明する平面図
【図２】 位置ずれ量検出マークのずれ量の計測値を
示す平面図
示す平面図
【図３】 ショットのずれを説明する平面図
【図４】
回転ずれと伸縮ずれを説明する平面図
回転ずれと伸縮ずれを説明する平面図
【図５】
本発明の一実施例を説明する平面図
本発明の一実施例を説明する平面図
１ ショットの領域
ａ，ｂ 位置ずれ量検出マーク
Claims (2)
- 【請求項１】 露光マスクに位置ずれ量検出マークを
ショットの中心に対し略点対称の位置に２個配置し，露
光後の被露光基板上の該位置ずれ量検出マークの位置計
測を行う工程を有することを特徴とする位置合わせ方法
。 - 【請求項２】 前記位置ずれ量検出マークの位置計測
値からショットの中心位置のシフト量とショットの回転
ずれとショットの伸縮ずれとを算出し，これらの値を露
光装置に帰還してオフセットとして補正を行うことを特
徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016143A JPH04255210A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016143A JPH04255210A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255210A true JPH04255210A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11908277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016143A Withdrawn JPH04255210A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255210A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100378417B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2003-06-19 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 박막트랜지스터어레이기판의제조방법 |
| WO2012160928A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置のアライメント装置 |
| CN108118291A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-05 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种蒸镀对位效果检测装置及方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP3016143A patent/JPH04255210A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100378417B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2003-06-19 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 박막트랜지스터어레이기판의제조방법 |
| WO2012160928A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置のアライメント装置 |
| JP2012242746A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | V Technology Co Ltd | 露光装置のアライメント装置 |
| CN108118291A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-05 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种蒸镀对位效果检测装置及方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |