TW202234175A

TW202234175A - 檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法

Info

Publication number: TW202234175A
Application number: TW111103562A
Authority: TW
Inventors: 村山元気
Original assignee: 日商佳能股份有限公司
Priority date: 2021-02-26
Filing date: 2022-01-27
Publication date: 2022-09-01
Also published as: KR20220122489A; JP2022131602A

Abstract

[課題]提供有利於圖案匹配的高精度化的檢測裝置。 [解決手段]檢測形成在基板的標記的位置的檢測裝置係具有：對形成在前述基板的前述標記進行攝像而取得前述標記的畫像的攝像部；及進行藉由使用模板的圖案匹配，檢測前述標記的位置的處理的處理部，前述處理部係一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行反覆前述圖案匹配的反覆處理，若藉由前述圖案匹配所得的前述畫像與前述模板之間的相關度超過了預定的臨限值，即結束前述反覆處理。

Description

檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法

本發明係關於檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法。

在將原版的圖案轉印在基板而在基板形成圖案的微影裝置中，原版與基板必須對位。對位一般而言包含形成在基板的標記的位置的計測，該計測係可藉由使用模板的圖案匹配(模板匹配)來進行。

標記的形狀的觀看方式可依基板的製程而改變，因此為了維持計測精度，必須進行模板的適當調整。例如在專利文獻1中係揭示將模板朝倍率方向變形，藉此使對準標記的檢測率提升的方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-155300號公報

(發明所欲解決之問題)

因經由基板的各種製程，標記的觀看方式可多樣變化。依情況，亦可能有標記的形狀本身發生變化的情形。一般而言，基板搬送裝置係僅以基板的外形為基準而將基板送入至基板載台，難以以補正標記的觀看方式的變化或標記的變形的方式控制藉由基板搬送裝置所為之基板的搬送。

此外，僅以專利文獻1所揭示之模板的倍率方向的變形，並無法對應標記的觀看方式或標記的形狀的多樣變化，在使圖案匹配對應精度提升時有其界限。

本發明係提供例如有利於圖案匹配的高精度化的檢測裝置。 (解決問題之技術手段)

藉由本發明之一面向，提供一種檢測裝置，其係檢測形成在基板的標記的位置的檢測裝置，其特徵為：具有：對形成在前述基板的前述標記進行攝像而取得前述標記的畫像的攝像部；及進行藉由使用模板的圖案匹配，檢測前述標記的位置的處理的處理部，前述處理部係一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行反覆前述圖案匹配的反覆處理，若藉由前述圖案匹配所得的前述畫像與前述模板之間的相關度超過了預定的臨限值，即結束前述反覆處理。 (發明之效果)

藉由本發明，可提供例如有利於圖案匹配的高精度化的檢測裝置。

以下參照所附圖面，詳加說明實施形態。其中，以下之實施形態並非為限定申請專利範圍之發明者。在實施形態係記載有複數特徵，惟該等複數特徵的全部並不一定為發明所需者，此外，複數特徵亦可任意組合。此外，在所附圖面中，同一或同樣的構成標註同一元件符號，且省略重複說明。

＜第1實施形態＞本發明之一面向係關於檢測基板的位置的檢測裝置。典型而言，本發明之檢測裝置係可適用於曝光裝置或壓印裝置等微影裝置中的原版與基板的對位，惟亦可適用於加工裝置、檢查裝置、顯微鏡等其他裝置。其中，曝光裝置係將原版的圖案透過投影光學系統投影在基板而在基板形成圖案的裝置。壓印裝置係使原版的圖案面與基板之上的壓印材相接觸而在基板之上形成圖案的裝置。以下係說明本發明之檢測裝置適用於作為微影裝置之一的曝光裝置之例。

圖1係示出適用本發明之檢測裝置2的曝光裝置1的構成的圖。在本說明書及圖面中係在將水平面作為XY平面的XYZ座標系中表示方向。一般而言，作為被曝光基板的基板W係以其表面與水平面(XY平面)呈平行的方式被放置在載台STG之上。因此，以下係將在沿著基板W的表面的平面內彼此呈正交的方向設為X軸及Y軸，將與X軸及Y軸呈垂直的方向設為Z軸。此外，以下係將與XYZ座標系中的X軸、Y軸、Z軸分別呈平行的方向稱為X方向、Y方向、Z方向，將繞X軸的旋轉方向、繞Y軸的旋轉方向、繞Z軸的旋轉方向分別稱為θx方向、θy方向、θz方向。

曝光裝置1係在將作為原版的光柵(reticle)R與基板W進行對位(對準)之後，由照明系統IL對光柵R照射曝光光線，藉由投影光學系統PO，將光柵R的圖案投影在基板W，藉此將該圖案轉印在基板W的裝置。基板W係透過固定基板的吸盤CH而被裝載在可朝XY方向移動的載台STG。載台STG亦可構成為亦可朝Z方向移動，俾以進行曝光光線的焦點調整。在基板W上係形成有對準標記AM，以對準標記AM為目標進行對準。檢測裝置2係具備有用以觀察對準標記AM的對準用示波器SC。對準用示波器SC係可包含對形成在藉由載台STG所保持的基板W的對準標記AM進行攝像而取得對準標記AM的畫像的攝像部。由光源LI出射的光係透過ND濾光器ND調整光量，以光纖或專用光學系統被導至半鏡M，透過投影光學系統等來照明對準標記AM。光源LI或ND濾光器ND的控制係在光量調整部LP進行。對準標記AM的像係通過半鏡M而被投影在攝影機CAM內的光感測器S。

在光感測器S所受光的對準標記AM的像係作光電轉換。以光感測器S蓄積光的時間係可藉由感測器控制裝置AMP予以控制。該時間係從主控制裝置HP，經由對準計測裝置AC內的對準處理裝置AP而被指示至感測器控制裝置AMP。此外，蓄積光的時序係從載台控制裝置STC內的載台處理裝置SP，經由對準處理裝置AP而被指示至感測器控制裝置AMP。載台STG係藉由馬達MOT予以驅動。載台處理裝置SP係使用干渉計PM來計測載台STG的位置，根據該計測的結果，控制馬達MOT。

在光感測器S經光電轉換的訊號係在感測器控制裝置AMP予以A/D轉換，形成為作為數位訊號資訊的畫像而被記憶在記憶體MEM。對準處理裝置AP係可作為處理被記憶在記憶體MEM的畫像而檢測對準標記AM的位置的處理部來發揮功能。以對準標記AM的位置檢測的手法而言，使用圖案匹配。運算器CMP係計算被記憶在記憶體MEM的畫像與對準處理裝置AP所保存的模板TP的相關度，且檢測關於模板的形狀為相關度高的對準標記AM的位置。被檢測到的對準標記AM的位置係被傳送至主控制裝置HP。主控制裝置HP係根據對準標記AM的位置，控制載台控制裝置STC。藉此，進行載台STG的對位。

主控制裝置HP係作為總括控制檢測裝置2的各部的控制部來發揮功能。主控制裝置H亦可包含控制曝光裝置1的曝光處理的功能。典型而言，主控制裝置HP係可構成為包含有處理器及記憶裝置(記憶體)的電腦(資訊處理裝置)者。在本實施形態中，如上所述，對準處理裝置AP作為進行藉由圖案匹配來取得對準標記AM的位置的處理的處理部而發揮功能，惟對準處理裝置AP與主控制裝置HP亦可非為獨立的裝置構成。例如，對準處理裝置AP的功能亦可為由主控制裝置HP所擔負的構成。

本實施形態中的曝光裝置1的構成係大概如以上所示。若使用曝光裝置1作為半導體元件製造用的曝光裝置，將形成有電路圖案之作為原版的光柵R、與投影光柵R的電路圖案的基板W高精度對位乃極為重要。以對位技術而言，有使用設在基板W上的對準標記AM，執行預對準、精細對準等2種類的對準的方法。預對準的作用在檢測由基板搬送裝置將基板W送入至載台STG上之時的送入偏移量，且將基板W的位置進行粗對位，俾以可正常處理精細對準。精細對準的作用在正確計測被置放在載台STG上的基板W的位置，以與光柵R的對位誤差在容許範圍內的方式精密對位。

如上所述，在預對準中係必須檢測由基板搬送裝置將基板W送入至載台STG上之時所發生的送入偏移。因此，預對準中的對準用示波器SC係具有對標記尺寸為廣泛的檢測範圍。以檢測如上所示之位於廣泛的檢測範圍之中的對準標記且算出XY座標的方法而言，使用圖案匹配處理。其中，在該技術領域中所使用的圖案匹配處理大致區分有2種類。其一係將以具備有蓄積型光電轉換元件的攝影機對對準標記攝像後的畫像進行2值化，進行與預先具有的模板的匹配，且將相關度最高的位置設為標記位置的方法。另一係保持濃淡畫像的原樣，進行與具有濃淡資訊的模板的相關運算的方法。後者係經常使用正規化交互相關法等。

參照圖2的流程圖，說明第1實施形態中的基板位置計測的處理順序。圖2係使用由對準標記設計或元件設計而事前作成的模板來進行基板位置計測的方法的流程圖。

在S101中開始該方法，且在S102，基板W被搬入至裝置內且被裝載在載台STG。在S103中，載台處理裝置SP係將載台STG移動至基板W的預對準位置。預對準位置係與根據對準標記設計而事前作成的模板為相同的對準標記進入至對準用示波器SC的攝影視野內的位置。

在S104中，對準用示波器SC係進行基板W的對準標記的攝像，取得畫像。對準標記的攝影條件，例如照射至對準標記的光量、焦點位置等係設為藉由事前計測所決定者。

在圖3中示出藉由攝像所得的對準標記畫像之一例。在圖3中，將XY座標系的中心O設為(0，0)。在畫像內的檢測範圍AR(攝影視野)存在有對準標記AM。在一例中，對準標記AM係藉由朝X方向(第1方向)延伸的第1標記部分AMX與朝Y方向(第2方向)延伸的第2標記部分AMY所構成的十字形狀標記。在S105中，對準處理裝置AP係由在S104中所取得的對準標記畫像，藉由使用事前作成的模板的圖案匹配，檢測對準標記AM的位置。

在圖4中示出用以檢測圖3的對準標記AM的模板TP之一例。將對準標記AM的中心設為XY座標系中心OT(0，0)，按照事前決定的對準標記AM的設計，設定複數特徵點。該等所設定的複數特徵點構成模板TP。在該例中，藉由20點特徵點，構成模板TP。在此，模板TP係與對準標記AM(十字形狀標記)相對應包含有：朝X方向延伸的第1部分TPX、及朝Y方向延伸的第2部分TPY。運算器CMP係在圖案匹配處理中，針對被記憶在記憶體MEM的畫像的檢測範圍AR內的各畫素，計算與模板TP的相關度。運算器CMP係由各畫素的相關度，檢測檢測範圍AR內之與對準標記AM相似的位置作為對準標記位置。

在圖5中示出藉由使用模板TP的圖案匹配所為之對準標記位置的檢測之一例。以實線表示的對準標記AM’係在圖3的對準標記AM繞著對準標記中心O朝左方向旋轉10˚的狀態下予以攝影。若在以虛線表示的模板TP與對準標記AM’的旋轉角未相配合的狀態下進行圖案匹配，表示強相關的僅為特徵點TP1、TP2、TP3等3點。實際的對準標記中心係畫像中心的O，惟僅以特徵點TP1、TP2、TP3被檢測到的模板中心OT被檢測作為位置。或者，相關度過低而無法檢測。

因此，在S106中，對準處理裝置AP係判定模板與對準標記的相關度是否超過預定的臨限值。若相關度超過臨限值，位置檢測結果被判定為正常，若非為如此，位置檢測結果係被判定為非為正常。若相關度未超過臨限值，在S107中，對準處理裝置AP係使模板的全體朝θz方向旋轉，在S105中進行使用旋轉後的模板的圖案匹配。反覆此至在S106中位置檢測結果被判定為正常為止。

如上所示，在本實施形態中，對準處理裝置AP係一邊使模板旋轉一邊進行反覆圖案匹配的反覆處理。接著，若藉由圖案匹配所得的畫像與模板之間的相關度超過預定的臨限值，即中止該反覆處理(結束)。但是，因反覆圖案匹配，運算量會增大，因此亦可導入供減低運算量的方策。例如，亦可進行按照在S106中被計算出的相關度與臨限值的差，來決定模板的旋轉方向及旋轉量的處理。例如，預先作成表示相關度與臨限值的差、與模板的旋轉方向及旋轉量的關係的表格。在S107中，對準處理裝置AP係參照表格，來決定與在S106中被計算出的差相對應的模板的旋轉方向及旋轉量。

使模板的特徵點的座標(x _n, y _n)移動旋轉量θ後的座標(x _n’, y _n’)係依象限別以下式(1)表示。

在圖6中，使圖3的模板TP以模板中心OT為中心朝左方向旋轉10˚後的模板TP’之例。在圖6之例中，係成為模板TP’與對準標記AM’相一致，對準標記中心O與所檢測的模板中心OT相重疊的理想一例。在S108中，對準處理裝置AP係由在藉由模板的旋轉所得的相關度高的狀態下所算出的位置計測結果，決定精細對準位置，主控制裝置HP係將載台STG移動至該位置。之後，在S109中，對準處理裝置AP係執行精細對準。其中，即使未實施精細對準，亦可僅以圖案匹配的結果來結束基板位置計測。

＜第2實施形態＞參照圖7的流程圖，說明第2實施形態中的基板位置計測的處理順序。圖7係使用由對準標記設計或元件設計而事前作成的模板來進行基板位置計測的方法的流程圖。在第2實施形態中，模板可對應十字形狀標記中的第1標記部分與第2標記部分的交叉角度變得非為直角的變形而變形。

在圖7中，與圖2的流程圖作比較，對相同工程標註相同元件符號，且省略該等的說明。圖7中與圖2的不同之處為執行S207來取代S107。以下詳加說明此點。

在圖8中示出在本實施形態中藉由在S104的攝像所得的對準標記畫像之一例。圖8的對準標記AM”係藉由第1標記部分AMX’、及與第1標記部分AMX’呈交叉的第2標記部分AMY’所構成的十字形狀標記。若與圖3的對準標記AM作比較，對準標記AM”係其正交度已破壞。具體而言，第2標記部分AMY’相對圖3的對準標記AM之朝Y方向延伸的第2標記部分AMY，以對準標記中心O為中心朝左方向旋轉10˚。對準處理裝置AP係在S205中，由如上所示之對準標記畫像，藉由使用事前作成的模板的圖案匹配，檢測對準標記AM”的位置。若為圖8所示之對準標記AM”，與圖4的模板TP形狀不合，因此在事前作成的模板中，係成為相關度比臨限值為較低者。此外，僅以如第1實施形態所示之模板全體的旋轉，並無法對應對準標記AM”的形狀。

對準處理裝置AP係與第1實施形態同樣，使用與圖3的對準標記AM相對應而第1部分TPX與第2部分TPY呈正交的模板作為初期模板。在第2實施形態中，在S207中，對準處理裝置AP係一邊使第1部分TPX與第2部分TPY個別旋轉，一邊將正交度已破壞的模板作為旋轉後的模板。之後，在S105中，進行使用旋轉後的模板的圖案匹配。反覆此至在S106中位置檢測結果被判定為正常為止。

如上所示，在第2實施形態中，對準處理裝置AP係一邊使模板的第1部分與第2部分個別旋轉一邊進行反覆圖案匹配的反覆處理。接著，若藉由圖案匹配所得的畫像與模板之間的相關度超過預定的臨限值，即中止該反覆處理。但是，因反覆圖案匹配，運算量會增大，因此亦可導入供減低運算量的方策。例如，對準處理裝置AP係算出關於第1部分TPX的特徵點的第1相關度、及關於第2部分TPY的特徵點的第2相關度。之後，對準處理裝置AP係根據第1相關度與臨限值的差、及第2相關度與臨限值的差，決定第1部分TPX及第2部分TPY各個的旋轉方向及旋轉量。

根據式(1)，關於模板的特徵點的座標(x _n, y _n)，若將對X軸的旋轉量設為θ _x、對Y軸的旋轉量設為θ _y，移動後的特徵點的座標(x _n’, y _n’)係依象限別以下式(2)表示。

在圖9中示出相對於圖3的模板TP，僅使第2部分TPY’以模板中心OT為中心旋轉10˚後的模板TP”之例。第1部分TPX’並未旋轉，與X軸呈平行延伸。在圖9之例中，係成為模板TP”與對準標記AM”相一致，對準標記中心O與所檢測的模板中心OT相重疊的理想一例。

之後，與第1實施形態同樣地，藉由S108、S109進行精細對準。

在第1實施形態中，對準處理裝置AP係一邊使模板的全體作旋轉一邊進行反覆圖案匹配的反覆處理。在第2實施形態中，對準處理裝置AP係一邊使模板的第1部分與第2部分個別旋轉一邊進行反覆圖案匹配的反覆處理。亦即，對準處理裝置AP係一邊使模板至少部分作旋轉一邊反覆執行圖案匹配。

接著，對準處理裝置AP係藉由圖案匹配所得的畫像與模板之間的相關度超過預定的臨限值時，即中止該反覆處理。但是，亦可在相關度超過預定的臨限值之前，反覆處理的次數已達至預定次數之時，中止該反覆處理。此外，對準處理裝置AP係若因反覆處理的次數已達至預定次數而中止反覆時，亦可進行將關於取得標記的位置的處理表示錯誤的資訊顯示在顯示部、發出警告音等輸出。

＜第3實施形態＞在第3實施形態中，無須使用事前作成的模板，由被描繪在實際製程的基板的對準標記或元件圖案作成模板，且使用其來進行圖案匹配。

圖10係示出第3實施形態中的模板作成處理的流程圖。在S302中，基板W被搬入至裝置內且被裝載在載台STG。在S303中，載台處理裝置SP係以基板W中欲作為模板的對準標記或元件圖案成為示波器SC的攝影視野內的方式移動載台STG。

在S304中，示波器SC係進行基板W的對準標記或元件圖案的攝像，且取得畫像。攝影條件係與第1實施形態同樣地，設為藉由事前計測所決定者。在圖11中示出作為攝像對象的元件圖案畫像之一例。在圖11中，在XY座標系，將中心O設為(0，0)。在畫像內的檢測範圍AR (攝影視野)存在作為對準的目標的元件圖案群DA1~DA5。在一例中，元件圖案群DA1~DA5係基板間連接用的貫穿孔，形成元件圖案的貫穿孔係可為圓形狀。

在S305中，對準處理裝置AP係由在S304中所取得的元件圖案畫像，抽出可成為模板的圖案的特徵點。例如，對準處理裝置AP係將對元件圖案群DA1~DA5攝影後的畫像以X方向、Y方向進行微分，藉此生成強調出元件圖案的邊緣部分的畫像。對準處理裝置AP係由該畫像，根據訊號強度及/或欲登錄作為模板的點數的間隔，抽出邊緣部分，且根據所抽出的邊緣部分，抽出特徵點。其中，特徵點的抽出方法並非限定於上述，若可抽出表示元件的特徵的指標即可。

在S306中，對準處理裝置AP係作成配置有特徵點的模板。在圖12中示出由圖11的元件圖案畫像所作成的模板之一例。在S305中，在防止錯誤偵測用，如TP1~TP20般抽出多點邊緣，將畫像中心O作為模板中心OT，且將所抽出的TP1~TP20配置在XY座標系。將該特徵點群設為模板TP。

在S307中，對準處理裝置AP係將所作成的模板TP保存在對準計測裝置AC或主控制裝置HP內的記憶部。

以變形例而言，亦可將作為模板的1或2以上的元件圖案畫像載入於畫像記憶體MEM，且在S305之後的工程中，由從畫像記憶體MEM所讀出的畫像來作成模板。根據所作成的模板來進行基板的位置計測的處理係與第1實施形態或第2實施形態相同。

＜第4實施形態＞上述第1實施形態之圖2的流程圖係示出對1枚基板的處理者，惟在此係說明對複數基板的對準處理。圖13係處理各個設有相同對準標記的複數基板時的流程圖。模板亦可為由對準標記設計而事前作成者，亦可為以圖10的順序所作成者。在圖13中，與圖2、圖7的流程圖作比較，對相同工程標註相同元件符號，且省略該等的說明。

在圖13中，在S106中判定出模板與對準標記的相關度已超過臨限值之後，執行S408。在S408中，對準處理裝置AP係將此時在S107中變形的模板，登錄(更新)作為對接下來處理的基板的圖案匹配的初期模板。此係基於即使為接下來處理的基板的對準標記，亦進行相同的模板變形的可能性高之故。藉此，在接下來的基板處理中，可減少模板的變形次數，且縮短處理時間。

進行了在S109的精細對準之後，在S411中，對準處理裝置AP係判定現在處理中的基板是否為最終的基板。若現在處理中的基板並非為最終的基板，處理係返回至S102，針對接下來的基板反覆處理。若現在處理中的基板為最終的基板，處理即結束。

＜第5實施形態＞近年來，被稱為FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging，扇出型晶圓級封裝)的半導體元件的封裝方法被取入至半導體元件製造工程。在FOWLP工程中，圖14所示之前工程處理結束，配置被切出的(經切割)複數半導體晶片101而構成以模塑材(固定材)102加以固定的基板100。如上所示之基板100被稱為再構成基板。接著，對該基板100，使用藉由曝光裝置等所為之微影技術，亦形成配線層、電極焊墊等。

如上所示，在FOWLP工程中，複數半導體晶片被個片化而再配置在基板上。基板搬送裝置係以基板的外形基準送入至載台，因此各個的半導體晶片的再配置偏移在載台送入時未被補正。因此，若經個片化的半導體晶片相對基板的外形基準朝旋轉方向偏移作配置時，預對準下的對準標記畫像亦朝旋轉方向偏移而被取得。旋轉方向的偏移係藉由基板搬送裝置來補正的前提，因此以預先根據對準標記設計所作成的模板，與正在旋轉的對準標記的形狀差會變大。

因此，對準處理部AP係按配置有複數半導體晶片之中的1個半導體晶片的基板的每個部分區域，按照上述的實施形態，一邊使模板至少部分旋轉一邊進行反覆圖案匹配的處理。藉此，即使經個片化的半導體晶片對基板的外形基準朝旋轉方向偏移來作配置，亦可高精度進行對準處理。

＜物品製造方法的實施形態＞本發明之實施形態中的物品製造方法係適於製造例如半導體元件等微元件或具有微細構造的元件等物品。本實施形態的物品製造方法係包含：使用上述微影裝置(曝光裝置或壓印裝置、描繪裝置等)而在基板轉印原版的圖案的工程、及將在該工程轉印有圖案的基板進行加工的工程。此外，該製造方法係包含其他周知工程(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、阻劑剝離、切割、接合、封裝等)。本實施形態的物品製造方法與習知的方法相比，在物品的性能/品質/生產性/生產成本的至少1個中為有利。

＜程式的實施形態＞本發明亦可以將實現上述實施形態的1個以上的功能的程式，透過網路或記憶媒體而供給至系統或裝置，該系統或裝置的電腦中的1個以上的處理器讀出程式且執行的處理來實現。此外，亦可藉由實現1個以上的功能的電路(例如ASIC)來實現。

發明並非為限制於上述實施形態者，不會有脫離發明的精神及範圍的情形而可作各種變更及變形。因此，附上請求項，俾以公開發明的範圍。

1:曝光裝置 2:檢測裝置 100:基板 101:半導體晶片 102:模塑材(固定材) AC:對準計測裝置 AM,AM’,AM”:對準標記 AMP:感測器控制裝置 AMX,AMX’:第1標記部分 AMY,AMY’:第2標記部分 AP:對準處理裝置 AR:檢測範圍 CAM:攝影機 CH:吸盤 CMP:運算器 DA1~DA5:元件圖案群 HP:主控制裝置 IL:照明系統 LI:光源 LP:光量調整部 M:半鏡 MEM:記憶體 MOT:馬達 ND:ND濾光器 OT:XY座標系中心 PM:干渉計 PO:投影光學系統 R:光柵 S:光感測器 SC:對準用示波器 SP:載台處理裝置 STC:載台控制裝置 STG:載台 TP,TP’:模板 TP1,TP2,TP3:特徵點 TP1~TP20:邊緣 TPX:第1部分 TPY:第2部分 W:基板

[圖1]係示出曝光裝置的構成的圖。 [圖2]係基板位置計測的處理順序的流程圖。 [圖3]係示出對準標記畫像之一例的圖。 [圖4]係示出模板之一例的圖。 [圖5]係示出對準標記與模板不相一致之例的圖。 [圖6]係示出旋轉後的模板之一例的圖。 [圖7]係基板位置計測的處理順序的流程圖。 [圖8]係示出對準標記畫像之一例的圖。 [圖9]係示出模板之一例的圖。 [圖10]係示出模板作成處理的流程圖。 [圖11]係示出元件圖案畫像之一例的圖。 [圖12]係示出模板之一例的圖。 [圖13]係對複數基板的基板位置計測的處理順序的流程圖。 [圖14]係說明再構成基板的圖。

1:曝光裝置

2:檢測裝置

AC:對準計測裝置

AM:對準標記

AMP:感測器控制裝置

AP:對準處理裝置

CAM:攝影機

CH:吸盤

CMP:運算器

HP:主控制裝置

IL:照明系統

LI:光源

LP:光量調整部

M:半鏡

MEM:記憶體

MOT:馬達

ND:ND濾光器

PM:干渉計

PO:投影光學系統

R:光柵

S:光感測器

SC:對準用示波器

SP:載台處理裝置

STC:載台控制裝置

STG:載台

TP:模板

W:基板

Claims

一種檢測裝置，其係檢測形成在基板的標記的位置的檢測裝置，其特徵為：具有：對形成在前述基板的前述標記進行攝像而取得前述標記的畫像的攝像部；及進行藉由使用模板的圖案匹配，檢測前述標記的位置的處理的處理部，前述處理部係一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行反覆前述圖案匹配的反覆處理，若藉由前述圖案匹配所得的前述畫像與前述模板之間的相關度超過了預定的臨限值，即結束前述反覆處理。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述處理部係一邊使前述模板的全體作旋轉一邊進行前述反覆處理。
如請求項2之檢測裝置，其中，前述處理部係根據前述相關度與前述預定的臨限值的差，決定前述模板的旋轉方向及旋轉量。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述處理部係一邊使朝前述模板的第1方向延伸的第1部分、及朝與前述第1方向呈交叉的第2方向延伸的第2部分個別旋轉一邊進行前述反覆處理。
如請求項4之檢測裝置，其中，前述標記係藉由第1標記部分、及與該第1標記部分呈交叉的第2標記部分所構成的十字形狀標記，前述處理部係使用與前述十字形狀標記相對應而前述第1部分與前述第2部分呈正交的模板作為初期模板，在前述反覆處理中，使用前述第1部分與前述第2部分的正交度已破壞的模板作為旋轉後的模板。
如請求項4之檢測裝置，其中，前述處理部係算出關於前述第1部分的特徵點的第1相關度、及關於前述第2部分的特徵點的第2相關度，根據前述第1相關度及前述第2相關度，決定前述第1部分及前述第2部分各個的旋轉方向及旋轉量。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述處理部係在前述相關度超過前述預定的臨限值之前，前述反覆處理的次數已達至預定次數之時，即結束前述反覆處理。
如請求項7之檢測裝置，其中，前述處理部係若因前述反覆處理的次數已達至前述預定次數而結束了前述反覆處理之時，輸出關於前述處理表示錯誤的資訊。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述標記係包含元件圖案，前述處理部係取得使用前述攝像部而形成在前述基板的元件圖案的畫像，且根據該畫像來作成前述模板。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述處理部係將前述相關度超過了前述預定的臨限值時所使用的模板，使用作為對接下來處理的基板的前述圖案匹配的初期模板。
如請求項1之檢測裝置，其中，前述基板係配置所切出的複數半導體晶片且藉由固定材予以固定的再構成基板，前述處理部係按配置有前述複數半導體晶片之中的1個半導體晶片的前述基板的每個部分區域，一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行前述反覆處理。
一種檢測方法，其係檢測形成在基板的標記的位置的檢測方法，其特徵為：具有：對形成在前述基板的前述標記進行攝像而取得前述標記的畫像的攝像工程；及進行藉由使用模板的圖案匹配，檢測前述標記的位置的處理的處理工程，前述處理工程係一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行反覆前述圖案匹配的反覆處理，若藉由前述圖案匹配所得的前述畫像與前述模板之間的相關度超過了預定的臨限值，即結束前述反覆處理。
一種程式，其係用以使電腦執行檢測形成在基板的標記的位置的檢測方法之記憶在電腦可讀取記憶媒體的程式，其特徵為：使前述電腦執行以下工程：對形成在前述基板的前述標記進行攝像而取得前述標記的畫像的攝像工程；及進行藉由使用模板的圖案匹配，檢測前述標記的位置的處理的處理工程，前述處理工程係一邊使前述模板至少部分旋轉一邊進行反覆前述圖案匹配的反覆處理，若藉由前述圖案匹配所得的前述畫像與前述模板之間的相關度超過了預定的臨限值，即結束前述反覆處理。
一種微影裝置，其特徵為：具備：如請求項1至11中任一項之檢測裝置；及保持基板來移動的載台，根據藉由前述檢測裝置被檢測到的前述標記的位置，將前述載台進行對位，在藉由經對位的前述載台所保持的前述基板形成圖案。
一種物品製造方法，其特徵為：具有以下工程，由已進行下述加工的下述基板來製造物品：藉由如請求項12之檢測方法，檢測形成在基板的標記的位置的檢測工程；根據被檢測到的前述標記的位置，將保持前述基板來移動的載台進行對位的對位工程；及在藉由經對位的前述載台所保持的基板形成圖案的工程；及進行形成有前述圖案的前述基板的加工的工程。