KR102103779B1 - 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102103779B1
KR102103779B1 KR1020170037520A KR20170037520A KR102103779B1 KR 102103779 B1 KR102103779 B1 KR 102103779B1 KR 1020170037520 A KR1020170037520 A KR 1020170037520A KR 20170037520 A KR20170037520 A KR 20170037520A KR 102103779 B1 KR102103779 B1 KR 102103779B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
image
imaging
amount
reference portion
Prior art date
Application number
KR1020170037520A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170113238A (ko
Inventor
다쿠로 츠지카와
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20170113238A publication Critical patent/KR20170113238A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102103779B1 publication Critical patent/KR102103779B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T3/00—Geometric image transformations in the plane of the image
    • G06T3/14—Transformations for image registration, e.g. adjusting or mapping for alignment of images
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T3/00—Geometric image transformations in the plane of the image
    • G06T3/60—Rotation of whole images or parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/10—Segmentation; Edge detection
    • G06T7/11—Region-based segmentation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/30—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration
    • G06T7/33—Determination of transform parameters for the alignment of images, i.e. image registration using feature-based methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 방법을 제공하는 것으로, 이 계측 방법은 기판을 회전시키면서 기준 부분의 위치를 검출하는 동안, 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역을 촬상하여 제1 화상을 취득하는 단계, 기판을 정지시킨 상태에서 대상물을 촬상하여 제2 화상을 취득하는 단계, 제2 화상을 제1 화상으로 보정하여 제1 화상과 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하는 단계, 및 제3 화상에 기초하여 대상물의 위치를 구하고, 구해진 대상물의 위치에 기초하여 기준 부분에 대한 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 단계를 포함한다.

Description

계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법{MEASUREMENT METHOD, MEASUREMENT APPARATUS, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자, 액정 표시 소자, 박막 자기 헤드 등의 디바이스를 제조하는 리소그래피 장치로서, 레티클 패턴을, 투영 광학계를 통해 웨이퍼 등의 기판에 투영해서 패턴을 전사하는 노광 장치가 사용되고 있다. 이러한 노광 장치에서는, 일반적으로, 장치 내에 반송되는 기판에 제공되는 노치를 검출하여 기판 스테이지에 기판을 보내기 전에 프리-얼라인먼트(pre-alignment) 스테이지에서 노치를 기준으로 하여 기판 위치를 보정한다. 이에 의해, 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 기판 스테이지에 기판을 보내온 때에, 기판 스테이지에 의해 보유지지된 기판에 제공되는 얼라인먼트 마크(alignment)를 얼라인먼트 스코프의 시야 내에 위치시킬 수 있다.
한편, 예를 들어, 기판 내에 개별 칩이 배열되는 FOWLP(Fan Out Wafer-Level-Packaging) 등의 재구성 기판 상에는, 노치와 칩의 평균 격자 사이의 θ(회전 방향) 위치에 오차(θ 오차)가 종종 포함된다. 평균 격자란, 기판 상의 칩의 배열로부터 칩(패턴 영역)의 경계(칩들 사이) 상에 규정되는 평균 라인이며, 스크라이브 라인이라고도 지칭된다는 점에 유의한다. 이러한 경우, 노치를 기준으로 하여 기판 위치를 보정한다고 해도, 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 기판 스테이지로 기판을 보내온 때에, 기판 상에 제공된 얼라인먼트 마크가 얼라인먼트 스코프의 시야로부터 벗어나게 될 수 있다.
얼라인먼트 스코프의 시야를 확장하여 얼라인먼트 마크를 시야 내로 가져오는 것도 고려할 수 있다. 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있다고 할지라도, 기판의 회전량이 큰 경우에는, 기판 스테이지의 회전 방향 스트로크가 부족할 수 있다. 이러한 경우, 기판 스테이지로부터 기판을 제거하고, 다시 기판 스테이지로 보내야만 하며, 기판을 전달하는 시간이 발생하게 된다.
이에 대처하기 위해, 노치를 검출한 후에 스크라이브 라인을 검출하고, 그 결과로부터 노치에 대한 칩의 평균 격자의 θ 오차를 구하고, 이러한 θ 오차에 기초하여 프리-얼라인먼트 스테이지 상에서 기판을 회전시키는(θ 위치를 보정하는) 기술이 일본 특허 공개 소63-104349호에 제안되어 있다. 그러나, 검출 대상인 스크라이브 라인의 위치는, 칩의 형상이나 배열에 따라 변한다. 따라서, 다양한 기판을 다루기 위해서는, 스크라이브 라인을 검출하기 위한 스코프 시야를 넓힐 필요가 있다.
스크라이브 라인을 넓은 시야에서 정밀하게 검출하기 위해서는, 바 조명 등의 광역 조명이 필요하다. 이러한 조명에서는, 스크라이브 라인을 조명하기 위한 조명광이 기판 상의 검출 영역(시야) 이상의 영역을 갖는 것으로 알려져 있다. 조명광 중에서, 기판 상의 검출 영역 이외의 영역을 조명하는 광은, 이러한 영역에서 반사되고, 주변 구조물 등에 의해 또한 반사되어 미광이 되고, 스코프에 인입됨으로써 검출 오차를 유발한다. 따라서, 이러한 미광에 기인하는 검출 오차의 영향을 저감시키기 위한 기술이 일본 특허 공개 제2006-41387호에 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2006-41387호에 개시된 기술에서는, 마크가 형성된 물체 상의 마크 영역과는 상이한 비-마크 영역을 촬상하여 미광을 제거하기 위한 대표적인 보정 화상을 미리 취득(준비)하고 있다. 그러나, 실제로는, 기판의 재료(반사율)의 차이나 스테이지에 보유지지된 기판의 배향마다 미광의 영향(외관)이 상이하기 때문에, 미리 취득한 대표적인 보정 화상에서는, 미광의 영향을 충분히 저감시킬 수 없다. 로트(lot)마다, 또는 기판마다, 보정 화상을 취득함으로써 미광의 영향을 저감시킬 수 있다. 보정 화상의 취득에 필요한 시간을 고려하면, 스루풋의 관점으로부터 현실적이지 않다.
본 발명은 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는데 유리한 계측 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 방법이 제공되며, 이 방법은 기판을 회전시키면서 기준 부분의 위치를 검출하는 동안, 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역을 촬상하여 제1 화상을 취득하는 단계, 기판을 정지시킨 상태에서 대상물을 촬상하여 제2 화상을 취득하는 단계, 제2 화상을 제1 화상으로 보정하여 제1 화상과 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하는 단계, 및 제3 화상에 기초하여 대상물의 위치를 구하고, 구해진 대상물의 위치에 기초하여 기준 부분에 대한 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 노광 장치의 배열을 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 노광 장치에 반입되는 기판의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 노광 장치에서의 노광 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 흐름도의 단계들 S304, S306 및 S308 각각에서 취득되는 화상의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 노치에 대한 칩 영역의 평균 격자의 θ 오차를 구하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 광역적인 조명의 일례인 바 조명을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 후술될 것이다. 동일한 참조 번호는 도면 전체를 통해 동일한 부재를 나타내며, 그에 대한 각 설명은 주어지지 않는다는 점에 유의한다.
<제1 실시예>
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 노광 장치(1)의 배열을 도시하는 개략도이다. 노광 장치(1)는 마스크 또는 레티클(원판)을 통해 기판을 노광하여 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 노광 장치(1)는 프리-얼라인먼트 스테이지(102), 기판 W을 반송하는 반송 시스템(104), 제1 촬상 유닛(106), 제2 촬상 유닛(108R 및 108L), 및 조명 유닛(110R 및 110L)을 포함한다. 또한, 노광 장치(1)는 마스크 M을 조명하는 조명 광학계(도시 생략), 마스크 M의 패턴 화상을 기판 W에 투영하는 투영 광학계(112), 기판 W를 보유지지하는 기판 스테이지(114), 얼라인먼트 스코프(116), 및 제어 유닛(118)을 포함한다.
기판 W는 반송 시스템(104)을 통해 장치 내에 반입되어, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에 보유지지된다. 프리-얼라인먼트 스테이지(102)는 기판 W를 보유지지하여 회전시키는 기능을 갖는다. 제어 유닛(118)의 제어하에서, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에 의해 보유지지된 기판 W의 프리-얼라인먼트가 행해진다.
프리-얼라인먼트 스테이지(102)의 상방에는, 기판 W의 외측 에지 WE를 촬상하는 제1 촬상 유닛(106)과, 기판 상의 영역 WS를 촬상하는 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)이 배치되어 있다. 제1 촬상 유닛(106)과 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)은 CMOS 이미지 센서와 CCD 이미지 센서 등의 이미지 센서를 포함한다. 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)의 각각의 주위에는, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)의 각각의 촬상 영역을 조명하도록 구성된 조명 유닛(110R 및 110L)이 배치되어 있다. 조명 유닛(110R 및 110L)은, 본 실시예에서, 바 조명 등의 광역적인 조명을 구현한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 기판 W의 외측 에지 WE에는, 기판 W의 회전 방향의 위치 기준이 되는 부분(기준 부분)으로서 노치 N이 제공되고, 기판 상에는 복수의 칩 영역(패턴 영역) CH1 내지 CH12가 2차원 형상으로 배열된다. 상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 기판 W로서, 기판 상에 개별 칩이 배열되는 FOWLP 등의 재구성 기판을 상정하고 있다. 기판 W의 외측 에지 WE에 제공되는 기준 부분은 노치 N에 한정되지 않으며, 배향 플랫(orientation flat)일 수도 있다는 것에 유의한다. 또한, 도 2에서는, 기판 W의 외형을 원형으로 하고 있지만, 직사각형일 수 있다.
조명 광학계는 렌즈, 미러, 옵티컬 인테그레이터(integrator), 위상판, 회절 광학 소자, 조리개 등을 포함하고, 광원으로부터의 광으로 마스크 M을 조명한다. 마스크 M에는, 기판 W에 전사해야 할 패턴이 형성되어 있다. 마스크 M과 기판 W은 투영 광학계(112)에 대하여 광학적으로 공액 위치에 배치되어 있다. 투영 광학계(112)에는 등배 결상 광학계, 확대 결상 광학계 및 축소 결상 광학계 중 어느 쪽의 광학계도 적용 가능하다. 예를 들어, 기판 스테이지(114)는 기판 W를 흡착하는 척을 포함하고, 기판 W를 보유지지하면서 이동할 수 있다. 얼라인먼트 스코프(116)는 기판 스테이지(114)에 의해 보유지지된 기판 W에 제공된 마크, 예를 들어 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2를 검출한다.
제어 유닛(118)은 CPU, 메모리 등을 포함하고, 노광 장치(1) 전체를 제어한다. 제어 유닛(118)은 노광 장치(1)의 각 유닛을 통괄적으로 제어하고, 기판 W를 노광하는 처리, 즉, 마스크 M의 패턴을 기판 W에 전사하는 처리를 제어한다. 기판 W를 노광하는 처리는 예를 들어, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에서 행해지는 프리-얼라인먼트를 포함한다는 점에 유의한다. 프리-얼라인먼트시, 제어 유닛(118)은 후술하는 바와 같이, 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 회전 어긋남량을 구하는 처리를 행하는 처리 유닛으로서 기능한다.
일반적인 프리-얼라인먼트시에는, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에 의해 보유지지된 기판 W의 외측 에지 WE를 제1 촬상 유닛(106)으로 촬상하여 얻어지는 화상으로부터 노치 N의 위치를 검출한다. 다음으로, 노치 N을 기준으로 하여 기판 W의 위치를 보정한 후에, 반송 시스템(104)은 프리-얼라인먼트 스테이지(102)로부터 기판 스테이지(114)로 기판 W를 전달한다. 이것은 기판 스테이지(114)에 보유지지된 기판 W에 제공된 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2를 얼라인먼트 스코프(116)의 시야 내에 위치시키는, 즉, 얼라인먼트 스코프(116)에 의해 그들을 검출하는 것을 가능하게 한다.
재구성 기판이 기판 W로서 사용되는 경우에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 노치 N과 칩 영역 CH1 내지 CH12의 평균 격자 간의 θ 위치에 θ 오차(회전 어긋남량) Mq를 갖는다. 따라서, 노치 N을 기준으로 하여 기판 W의 위치를 보정한다고 할지라도, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)로부터 기판 스테이지(114)로 기판 W를 전달할 때, 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2는 얼라인먼트 스코프(116)의 시야로부터 벗어날 가능성이 높다. 평균 격자란, 기판 상의 칩 영역 CH1 내지 CH12의 배열로부터 칩 영역 CH1 내지 CH12 간에 규정되는 평균 라인(스크라이브 라인) SL이라는 점에 유의한다.
이러한 경우, 예를 들어 일본 특허 공개 제63-104349호에 개시되어 있는 바와 같이, 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 평균 격자의 θ 오차 Mq를 구할 수 있고, θ 오차 Mq에 기초하여 프리-얼라인먼트 스테이지상에서 기판 W를 회전시켜서 θ 위치를 보정할 수 있다. 구체적으로, 도 5에 도시한 바와 같이, 노치 N을 검출한 후, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)과 조명 유닛(110R 및 110L)을 사용해서 스크라이브 라인 SL을 촬상하고, 제2 촬상 유닛(108R)으로 화상 CRA를 취득하고, 제2 촬상 유닛(108L)으로 화상 CLA를 취득한다. 화상 CRA 및 CLA 각각을 수평 방향으로 적산 투영하여 파형 PJ2 및 PJ1을 생성하고, 파형 PJ2 및 PJ1로부터 수직 방향의 어긋남량 DIFT를 구함으로써, θ 오차 Mq를 구할 수 있다.
본 실시예에서는, 스크라이브 라인 SL을 넓은 시야에서 정밀하게 검출하기 위해서, 조명 유닛(110R 및 110L)은 광역적인 조명, 구체적으로는, 바 조명을 구현하고 있다. 한편, 바 조명에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 스크라이브 라인 SL을 조명하기 위한 조명광 IL이 기판 상의 검출 영역(제2 촬상 유닛(108R)의 촬상 영역) DR을 벗어나서 확산된다. 조명광 IL 중에서, 기판 상의 검출 영역 이외의 영역 ER을 조명하는 광은, 영역 ER에 의해 반사되어, 주변의 구조물 등에 의해 또한 반사되어 미광이 되고, 제2 촬상 유닛(108R)에 인입됨으로써 검출 오차를 유발한다. 여기에서는 제2 촬상 유닛(108R)을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 제2 촬상 유닛(108L)에 대해서도 마찬가지로 검출 오차가 발생하게 된다.
이에 대처하기 위해, 본 실시예에서는, 후술되는 바와 같이, 이러한 미광에 의해 유발되는 검출 오차의 영향을 억제하면서, 기판 W를 노광하는 처리(노광 처리)을 행한다. 도 3은 노광 장치(1)에서의 노광 처리를 설명하기 위한 흐름도이다. 여기에서는, 특히, 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 θ 오차 Mq의 계측에 관한 처리(계측 방법)을 상세하게 설명할 것이다.
단계 S302에서는, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에서 기판 W의 외측 에지 WE에 제공된 노치 N의 위치를 검출한다. 구체적으로는, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)(이것에 의해 보유지지된 기판 W)을 회전시키면서, 기판 W의 외측 에지 WE를 제1 촬상 유닛(106)으로 촬상하여 화상을 취득하고, 이러한 화상으로부터 노치 N의 위치를 검출한다.
단계 S304에서는, 단계 S302(노치 N의 위치의 검출)과 병행하여 미광을 보정하기 위한 제1 화상을 취득한다. 구체적으로는, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)가 기판 W를 회전시키고 있는 상태에서, 조명 유닛(110R 및 110L)으로 기판 W를 바 조명하면서, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)으로 연속적으로 축전을 행함으로써, 도 4a에 도시한 바와 같은 제1 화상을 취득한다. 바꾸어 말하면, 기판 W를 회전시키는 동안, 기판 상의 대상 영역을 계속해서 촬상하여 하나의 제1 화상을 취득한다. 이때, 미광 M은 기판 W의 회전에 따르지 않기 때문에, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)에 의해 촬상(관찰)된 위치는 변하지 않는다. 기판 상의 칩 영역 CH1 내지 CH12(이에 대한 패턴)은 기판 W의 회전에 의해 화상이 흐르기 때문에, 기판 W를 회전시키면서 축전을 계속하는 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)에서는 평균화된 노이즈로서 촬상된다. 따라서, 기판 W가 회전하는 동안 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)에 의해 촬상된 제1 화상은, 도 4a에 도시한 바와 같이, 미광 M만이 존재하는 화상이 된다.
상술한 바와 같이, 단계 S302 및 S304에서는, 기판 W를 회전시키면서 노치 N의 위치를 검출하는 동안 기판 상의 대상물, 본 실시예에서는, 스크라이브 라인 SL을 포함하는 대상 영역을 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)으로 촬상해서 제1 화상을 취득한다. 제1 화상을 취득할 때에는, 미광 이외의, 예를 들어 칩 영역 CH1 내지 CH12 등의 노이즈 성분을 평균화하기 위해서, 기판 W를 적어도 1 회전시키는 것이 바람직하다는 점에 유의한다.
단계 S306에서는, 노치 N을 검출한 후에, 기판 W를 정지시킨 상태에서, 기판 상의 대상물인 스크라이브 라인 SL을 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)으로 촬상하여 제2 화상을 취득한다. 여기에서는, 기판 W가 회전하고 있지 않기 때문에, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)에 의해 취득되는 제2 화상은, 도 4b에 도시한 바와 같이, 스크라이브 라인 SL에 미광 M이 중첩하는 화상이 된다.
단계 S308에서는, 단계 S306에서 취득된 도 4b에 나타낸 제2 화상을, 단계 S304에서 취득된 도 4a에 나타낸 제1 화상으로 보정함으로써 도 4c에 도시한 바와 같이, 스크라이브 라인 SL로부터 미광 M이 제거된 제3 화상을 취득한다. 제3 화상은 제1 화상과 제2 화상 간의 차분을 나타내며, 일반적인 화상 처리, 예를 들어 제2 화상으로부터 제1 화상을 차감하거나, 제2 화상을 제1 화상으로 제산함으로써 취득된다. 제3 화상을 사용함으로써, 미광 M의 영향을 저감하고, 스크라이브 라인 SL의 위치를 정밀하게 구하는 것이 가능하게 된다.
단계 S310에서는, 단계 S308에서 취득된 제3 화상, 즉, 미광 M이 제거된 제3 화상에 기초하여, 스크라이브 라인 SL의 위치를 구한다. 구체적으로는, 상술한 바와 같이, 도 4c에 나타낸 제3 화상을 수평 방향으로 적산 투영하여 파형을 생성하고, 파형의 피크 위치에서 스크라이브 라인 SL의 위치를 구한다. 그러나, 스크라이브 라인 SL의 위치를 구하기 위한 처리는, 적산 투영에 한정되지 않으며, 패턴 매칭 등일 수도 있다. 후술하는 바와 같이, 프리-얼라인먼트 스테이지 상에서 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 회전 어긋남량을 구할 수 있으면, 그 처리는 한정되지 않는다.
단계 S312에서는, 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)의 중심 위치와 단계 S310에서 구한 스크라이브 라인 SL의 위치 간의 어긋남량으로부터, 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 θ 오차(회전 어긋남량) Mq를 구한다.
단계 S314에서는, 단계 S312에서 구한 θ 오차 Mq에 기초하여, 프리-얼라인먼트 스테이지 상에서 기판 W를 회전시켜서 θ 위치를 보정한다. 여기에서는, 단계 S312에서 구한 θ 오차 Mq를, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)로부터 기판 스테이지(114)로 기판 W를 전달할 때의 기판 W의 회전량(보정값)으로서 결정하고, 이러한 회전량을 따라 프리-얼라인먼트 스테이지(102)를 회전시킨다. 상술한 바와 같이, 제어 유닛(118)은 단계 S312에서 구한 θ 오차 Mq에 기초하여, 기판 W를 전달할 때의 기판 W의 회전량을 결정하는 결정 유닛으로서 기능한다.
단계 S316에서는, 반송 시스템(104)은 프리-얼라인먼트 스테이지(102)를 회전시킴으로써 θ 위치가 보정된 기판 W를 프리-얼라인먼트 스테이지(102)로부터 기판 스테이지(114)로 전달한다. 상술한 바와 같이, 반송 시스템(104)은 θ 오차 Mq가 저감된 상태, 즉, 단계 S314에서 기판 W를 회전시킨 상태에서, 프리-얼라인먼트 스테이지(102)로부터 기판 스테이지(114)로 기판 W를 전달한다. 이것은 기판 스테이지(114)에 의해 보유지지된 기판 W에 제공된 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2을, 얼라인먼트 스코프(116)의 시야 내에 위치시키는 것을 가능하게 한다.
단계 S318에서는, 기판 스테이지(114)에 보유지지된 기판 W에 제공되는 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2를 얼라인먼트 스코프(116)로 검출하여, 그 검출 결과에 기초하여, 마스크 M에 대한 기판 W의 위치를 보정한다(기판 배열을 행한다).
단계 S320에서는, 투영 광학계(112)를 통해 마스크 M의 패턴 화상을 기판 W에 투영하여 기판 W를 노광한다.
상술한 바와 같이, 노광 장치(1)에서는, 미광 M을 제거하기 위한 대표적인 보정 화상을 사용하지 않고, 기판 W를 회전시키면서 노치 N의 위치를 검출하는 동안 기판 상의 대상 영역을 촬상하여 취득된 제1 화상을 사용하여, 미광 M의 영향을 저감시키고 있다. 따라서, 기판 W의 재료의 차이나 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에 의해 보유지지된 기판 W의 배향마다 미광 M의 영향이 상이한 경우에도, 미광 M의 영향을 충분히 저감시킬 수 있다. 또한, 노치 N의 위치를 검출하는 동안에 미광 M을 제거하기 위한 제1 화상을 취득하고 있기 때문에, 이러한 제1 화상을 취득하기 위해 특별한 시간을 요구하거나, 스루풋을 저하시키지 않는다.
본 실시예에서, 단계 S306에서 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)에 의해 촬상되며 프리-얼라인먼트 스테이지(102)에 보유지지되는 기판 상의 대상물은 스크라이브 라인 SL이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 상의 대상물은, 기판 상에 제공된 마크, 예를 들어 얼라인먼트 마크 AM1 및 AM2일 수 있거나, 칩 영역 CH1 내지 CH12의 격자 E1 및 E2(도 4c 참조) 또는 칩 영역 CH1 내지 CH12의 일부 패턴일 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 기판 W의 중심을 개재하여 2개의 제2 촬상 유닛(108R 및 108L)을 배치하고 있다. 그러나, 다수의 화소를 가지며 넓은 시야를 고 해상도에서 촬상(관찰) 가능한 이미지 센서를 사용할 경우에는, 단 하나의 제2 촬상 유닛만 있어도 된다.
<제2 실시예>
제1 실시예에서는, 제1 화상을 취득할 때(단계 S304), 기판 W를 회전시키는 동안 기판 상의 대상 영역을 계속해서 촬상하여 1개의 제1 화상을 취득하고 있다. 한편, 제2 실시예에서는, 단계 S304에서, 기판 W를 회전시키는 동안 복수의 제1 화상을 취득한다. 예를 들어, 기판 W를 회전시키는 동안 기판 상의 대상 영역 내의 서로 상이한 복수의 영역 각각을 촬상하여 복수의 제1 화상을 취득한다. 기판 상의 대상 영역 내의 서로 상이한 복수의 영역 중 적어도 1개의 영역은, 기판 상의 대상물인 스크라이브 라인 SL을 포함하는 것이 바람직하는 점에 유의한다.
단계 S308에서는, 단계 S306에서 취득된 제2 화상을 S304에서 취득된 복수의 제1 화상 각각으로 보정하여 복수의 제1 화상 각각과 제2 화상 간의 차분을 나타내는 복수의 제3 화상을 취득한다.
단계 S310에서는, 단계 S308에서 취득된 복수의 제3 화상 각각의 콘트라스트를 구하고, 이러한 콘트라스트가 가장 높은 제3 화상에 기초하여, 스크라이브 라인 SL의 위치를 구한다.
또한, 제1 실시예에서와 같이, 미광 M의 영향을 충분히 저감시켜서, 스크라이브 라인 SL의 위치를 정밀하게 구하고, 스루풋의 저하를 방지할 수 있다.
<제3 실시예>
제2 실시예에서는, 제3 화상을 취득할 때(단계 S308), 단계 S304에서 취득된 복수의 제1 화상 각각에 대해서, 제2 화상과의 차분을 나타내는 제3 화상을 구하고 있다. 한편, 제3 실시예에서는, 단계 S308에서, 단계 S304에서 취득된 복수의 화상을 평균화하여 평균 화상(제1 화상)을 취득하고, 단계 S306에서 취득된 제2 화상을 평균 화상으로 보정하여 평균 화상과 제2 화상 간의 차분을 나타내는 화상을 제3 화상으로서 취득한다.
또한, 제1 실시예에서와 같이, 미광 M의 영향을 충분히 저감시켜서, 스크라이브 라인 SL의 위치를 정밀하게 구하고, 스루풋의 저하를 방지할 수 있다.
<제4 실시예>
노광 장치(1)는 예를 들어, 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등) 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 제조 방법은 노광 장치(1)를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는(즉, 기판을 노광하는) 단계와 패턴이 형성된 기판을 처리하는(예를 들어, 기판을 현상하는) 단계를 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은 다른 주지의 단계(산화, 퇴적, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 물품의 제조 방법은 종래 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 1개에 있어서 뛰어나다.
리소그래피 장치는 노광 장치에 한정되지 않으며, 기판 상의 임프린트 재료에 몰드를 사용해서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치 또는 전하 입자 빔으로 기판 상에 패턴을 드로잉하는 드로잉 장치 등도 포함한다는 점에 유의한다. 프리-얼라인먼트 스테이지(102), 제1 촬상 유닛(106), 제2 촬상 유닛(108R 및 108L) 및 제어 유닛(118)을 포함하고, 노치 N에 대한 칩 영역 CH1 내지 CH12의 θ 오차를 계측하는 계측 장치도 본 발명의 앙태를 구성한다. 또한, 본 발명은 중첩 검사 장치 등에도 적용 가능하다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구범위는 이러한 모든 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 방법이며,
    상기 기판을 회전시키면서 이미지 센서에 연속적으로 축전을 행함으로써, 상기 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역을 촬상하여 하나의 제1 화상을 취득하는 단계;
    상기 기판을 정지시킨 상태에서 상기 대상물을 촬상하여 제2 화상을 취득하는 단계;
    상기 제1 화상과 상기 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하는 단계; 및
    상기 제3 화상에 기초하여 상기 대상물의 위치를 구하고, 구해진 상기 대상물의 위치에 기초하여 상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 단계를 포함하는, 계측 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나의 제1 화상을 취득하는 단계에서는, 상기 기준 부분의 위치를 검출하는 동안 상기 하나의 제1 화상을 취득하는, 계측 방법.
  3. 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 방법이며,
    상기 기판을 회전시키는 동안 상기 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역 내의 서로 상이한 복수의 영역 각각을 촬상하여 복수의 제1 화상을 취득하는 단계;
    상기 기판을 정지시킨 상태에서 상기 대상물을 촬상하여 제2 화상을 취득하는 단계;
    상기 복수의 제1 화상 각각과 상기 제2 화상 간의 차분을 나타내는 복수의 제3 화상을 취득하는 단계;
    상기 복수의 제3 화상 각각의 콘트라스트를 구하고, 상기 콘트라스트가 가장 높은 제3 화상에 기초하여 상기 대상물의 위치를 구하고, 구해진 대상물의 위치에 기초하여 상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 단계를 포함하는, 계측 방법.
  4. 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 방법이며,
    상기 기판을 회전시키는 동안 상기 기판의 대상물을 포함하는 대상 영역 내의 서로 상이한 복수의 영역 각각을 촬상하여 복수의 화상을 취득하는 단계;
    상기 복수의 화상을 평균화하여 제1 화상을 취득하는 단계;
    상기 기판을 정지시킨 상태에서 상기 대상물을 촬상하여 제2 화상을 취득하는 단계;
    상기 제1 화상과 상기 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하는 단계;
    상기 제3 화상에 기초하여 상기 대상물의 위치를 구하고, 구해진 대상물의 위치에 기초하여 상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 단계를 포함하는, 계측 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 영역 중 하나 이상의 영역은 상기 대상물을 포함하는, 계측 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하나의 제1 화상을 취득하는 단계에서는, 상기 기판을 1회 이상 회전시키는, 계측 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 대상물은, 각각의 상기 패턴 영역 중에 규정되는 스크라이브 라인, 상기 기판 상에 제공된 마크 및 상기 패턴 영역의 일부 패턴 중 하나 이상을 포함하는, 계측 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기준 부분은 상기 기판의 노치 및 배향 플랫(orientation flat) 중 하나를 포함하는, 계측 방법.
  9. 기판의 외측 에지에 제공된 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하는 계측 장치이며,
    상기 기판을 보유지지하여 회전시키도록 구성된 스테이지;
    상기 기판의 외측 에지를 촬상하도록 구성된 제1 촬상 유닛;
    상기 기판 상의 영역을 촬상하도록 구성된 제2 촬상 유닛; 및
    상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 스테이지가 상기 기판을 회전시키면서 상기 제2 촬상 유닛의 이미지 센서에 연속적으로 축전을 행함으로써 상기 기판의 외측 에지를 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 동안, 상기 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역을 촬상하여 하나의 제1 화상을 취득하고;
    상기 기판을 정지시킨 상태에서 상기 대상물을 상기 제2 촬상 유닛으로 촬상하여 제2 화상을 취득하고;
    상기 하나의 제1 화상과 상기 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하며;
    상기 제3 화상에 기초하여 상기 대상물의 위치를 구하고, 구해진 상기 대상물의 위치에 기초하여 상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는, 계측 장치.
  10. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판을 보유지지하여 회전시키도록 구성된 프리-얼라인먼트 스테이지;
    상기 프리-얼라인먼트 스테이지 상에 배열된 상기 기판의 외측 에지에 제공되는 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하도록 구성된, 제9항에 기재된 계측 장치;
    상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 스테이지;
    상기 계측 장치에 의해 계측된 상기 회전 어긋남량에 기초하여, 상기 기판을 상기 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 상기 기판 스테이지로 전달할 때의 상기 기판의 회전량을 결정하도록 구성된 결정 유닛; 및
    상기 결정 유닛에 의해 결정된 회전량에 따라 상기 기판을 회전시킨 상태에서 상기 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 상기 기판 스테이지로 상기 기판을 전달하도록 구성된 반송 시스템을 포함하는, 리소그래피 장치.
  11. 물품의 제조 방법이며,
    리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는,
    상기 기판을 보유지지하여 회전시키도록 구성된 프리-얼라인먼트 스테이지;
    상기 프리-얼라인먼트 스테이지 상에 배열된 상기 기판의 외측 에지에 제공되는 기준 부분에 대한 상기 기판 상에 배열된 패턴 영역의 회전 어긋남량을 계측하도록 구성된 계측 장치;
    상기 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 스테이지;
    상기 계측 장치에 의해 계측된 회전 어긋남량에 기초하여, 상기 기판을 상기 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 상기 기판 스테이지로 전달할 때의 상기 기판의 회전량을 결정하도록 구성된 결정 유닛; 및
    상기 결정 유닛에 의해 결정된 회전량에 따라 상기 기판을 회전시킨 상태에서 상기 프리-얼라인먼트 스테이지로부터 상기 기판 스테이지로 상기 기판을 전달하도록 구성된 반송 시스템을 포함하고,
    상기 계측 장치는,
    상기 기판의 외측 에지를 촬상하도록 구성된 제1 촬상 유닛;
    상기 기판 상의 영역을 촬상하도록 구성된 제2 촬상 유닛; 및
    상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는 처리를 행하도록 구성된 처리 유닛을 포함하고,
    상기 처리 유닛은,
    상기 기판의 외측 에지를 상기 제1 촬상 유닛으로 촬상하는 동안, 상기 프리-얼라인먼트 스테이지가 상기 기판을 회전시키면서 상기 제2 촬상 유닛의 이미지 센서에 연속적으로 축전을 행함으로써 상기 기판 상의 대상물을 포함하는 대상 영역을 촬상하여 하나의 제1 화상을 취득하고;
    상기 기판을 정지시킨 상태에서 상기 대상물을 상기 제2 촬상 유닛으로 촬상하여 제2 화상을 취득하고;
    상기 하나의 제1 화상과 상기 제2 화상 간의 차분을 나타내는 제3 화상을 취득하며;
    상기 제3 화상에 기초하여 상기 대상물의 위치를 구하고, 구해진 상기 대상물의 위치에 기초하여 상기 기준 부분에 대한 상기 패턴 영역의 회전 어긋남량을 구하는, 물품의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제3 화상을 취득하는 단계에서는, 상기 제2 화상을 상기 제1 화상으로 보정함으로써 상기 제3 화상을 취득하는, 계측 방법.
KR1020170037520A 2016-03-25 2017-03-24 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 KR102103779B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-062488 2016-03-25
JP2016062488A JP6719246B2 (ja) 2016-03-25 2016-03-25 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113238A KR20170113238A (ko) 2017-10-12
KR102103779B1 true KR102103779B1 (ko) 2020-04-24

Family

ID=58261570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170037520A KR102103779B1 (ko) 2016-03-25 2017-03-24 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10460433B2 (ko)
EP (1) EP3223075B1 (ko)
JP (1) JP6719246B2 (ko)
KR (1) KR102103779B1 (ko)
TW (1) TWI643036B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109669321B (zh) * 2017-10-16 2021-09-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆洗边系统和晶圆洗边方法
JP7084227B2 (ja) * 2018-06-22 2022-06-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス マーク位置検出装置、描画装置およびマーク位置検出方法
JP7201457B2 (ja) * 2019-01-23 2023-01-10 株式会社ディスコ ウエーハの位置検出方法、及びウエーハの位置補正方法
US10901391B1 (en) * 2019-09-09 2021-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Multi-scanning electron microscopy for wafer alignment
CN113611650B (zh) * 2021-03-19 2024-02-27 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 对准晶片图案的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041387A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Nikon Corp 位置計測方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20080013089A1 (en) 2004-08-31 2008-01-17 Nikon Corporation Positioning method, processing system, measurement method of substrate loading repeatability, position measurement method, exposure method, substrate processing apparatus, measurement method, and measurement apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63104349A (ja) 1986-10-20 1988-05-09 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの位置合わせ装置
JPH06109424A (ja) * 1992-09-24 1994-04-19 Central Japan Railway Co 計測対象物撮像装置
EP0989596A4 (en) * 1997-06-12 2006-03-08 Nippon Kogaku Kk DEVICE MANUFACTURING SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SUBSTRATE, AND METHOD OF EXPOSING THE SAME
US6188467B1 (en) * 1997-06-13 2001-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for fabricating semiconductor devices
AU4165599A (en) * 1998-06-15 2000-01-05 Nikon Corporation Position sensing method, position sensor, exposure method, exposure apparatus, and production process thereof, and device and device manufacturing method
KR100585470B1 (ko) * 2001-07-20 2006-06-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법, 및 그 제조된 디바이스
AU2003211027A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-13 Nanoink, Inc. Method and apparatus for aligning patterns on a substrate
JP4485904B2 (ja) * 2004-10-18 2010-06-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
WO2006066137A2 (en) * 2004-12-19 2006-06-22 Ade Corporation System and method for inspecting a workpiece surface using polarization of scattered light
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JP2008128651A (ja) * 2006-11-16 2008-06-05 Olympus Corp パターン位置合わせ方法、パターン検査装置及びパターン検査システム
EP2199782B1 (en) * 2007-10-03 2018-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Visual examination device and visual examination method
JP5463943B2 (ja) * 2010-02-08 2014-04-09 株式会社Ｓｕｍｃｏ 画像データ処理方法および画像作成方法
JP5303618B2 (ja) * 2011-09-02 2013-10-02 株式会社フジクラ 融着接続機及び光ファイバ判別方法
TWI475597B (zh) * 2012-02-08 2015-03-01 Hitachi High Tech Corp Pattern evaluation method and pattern evaluation device
TWI585547B (zh) * 2014-08-08 2017-06-01 斯克林集團公司 光學特性取得裝置、位置測定裝置、資料補正裝置、光學特性取得方法、位置測定方法及資料補正方法
US10056304B2 (en) * 2014-11-19 2018-08-21 Deca Technologies Inc Automated optical inspection of unit specific patterning
WO2016096524A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
TWI591377B (zh) * 2015-12-11 2017-07-11 財團法人工業技術研究院 廣角鏡頭校正系統及其方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041387A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Nikon Corp 位置計測方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20080013089A1 (en) 2004-08-31 2008-01-17 Nikon Corporation Positioning method, processing system, measurement method of substrate loading repeatability, position measurement method, exposure method, substrate processing apparatus, measurement method, and measurement apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TW201802622A (zh) 2018-01-16
KR20170113238A (ko) 2017-10-12
EP3223075B1 (en) 2019-06-19
US20170278233A1 (en) 2017-09-28
EP3223075A3 (en) 2018-01-03
TWI643036B (zh) 2018-12-01
EP3223075A2 (en) 2017-09-27
US10460433B2 (en) 2019-10-29
JP6719246B2 (ja) 2020-07-08
JP2017173747A (ja) 2017-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102103779B1 (ko) 계측 방법, 계측 장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법
US11360399B2 (en) Metrology sensor for position metrology
JP2004117030A (ja) 位置検出方法
JP6207671B1 (ja) パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法
JP2020522727A (ja) アライメントの測定のためのシステム及び方法
US10444647B2 (en) Methods and apparatus for determining the position of a target structure on a substrate, methods and apparatus for determining the position of a substrate
KR20160059422A (ko) 리소그래피 장치 및 물품 제조 방법
JP7339826B2 (ja) マーク位置決定方法、リソグラフィー方法、物品製造方法、プログラムおよびリソグラフィー装置
US9984453B2 (en) Measurement apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP4227470B2 (ja) 位置検出方法
JP2010243413A (ja) 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP6541733B2 (ja) 基板配置方法
JP7353916B2 (ja) 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2021085981A (ja) 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP7369529B2 (ja) 露光装置およびアライメント方法
TWI821617B (zh) 曝光裝置以及物品製造方法
US10036967B2 (en) Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method
JP2021085980A (ja) 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
TW202234175A (zh) 檢測裝置、檢測方法、程式、微影裝置、及物品製造方法
TWI247971B (en) Exposure device
JP2009016669A (ja) 面位置検出装置、面位置検出方法、露光装置及びデバイス製造方法
JPH11176745A (ja) 位置検出装置及びそれを用いた露光装置
CN116500873A (zh) 确定标记的位置的方法、光刻方法、曝光装置和物品制造方法
JP2005203386A (ja) 位置合わせ方法、位置合わせ装置及び露光装置
KR20200054207A (ko) 웨이퍼 홀딩 디바이스 및 투영 마이크로리소그래피 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right