TW201802622A - 測量方法、測量設備、微影設備及製造物品的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種測量方法，測量佈置在基板上的圖案區域相對於設置在基板的外邊緣之參考部分的旋轉偏移量，此測量方法包括：在旋轉基板的同時檢測參考部分的位置時，藉由捕捉基板上的包括目標物體的目標區域，獲得第一影像；在基板保持靜止的狀態下，藉由捕捉目標物體，獲得第二影像；藉由以第一影像校正第二影像，獲得第三影像，第三影像指示第一影像與第二影像之間的差；以及基於第三影像，獲得目標物體的位置，並基於所獲得的目標物體的位置，獲得圖案區域相對於參考部分的旋轉偏移量。

Description

測量方法、測量設備、微影設備及製造物品的方法
本發明關於測量方法、測量設備、微影設備及製造物品的方法。
經由投影光學系統將標線片圖案投影到基板(例如，晶圓)上並轉印圖案的曝光設備被用作微影設備，其製造，例如，半導體裝置、液晶顯示裝置、薄膜磁頭(thin-film magnetic head)等的裝置。一般而言，這種曝光設備檢測設置在被輸送到設備中的基板中的缺口，且在將基板發送到基板階台之前，相對於預對位階台上的缺口校正基板位置。在基板被從預對位階台發送到基板階台時，這使得其能夠將設置在由基板階台所保持的基板上的對位標記定位在調正示波器的視野內。
另一方面，例如，在扇出型晶圓級封裝(FOWLP，Fan Out Wafer-Level-Packaging)中的重建基板(reconstruction substrate)等上(其中，個別晶片被設 置在基板中)，誤差(θ誤差)通常被包含在缺口與晶片的平均晶格(average lattice)之間的θ(旋轉方向)位置處。注意，從基板上的晶片的佈置，平均晶格為在晶片(圖案區域)的邊界(晶片之間)上被界定的平均線，且亦被稱作切割道(scribe line)。在此情況下，即使若基板位置相對於缺口被校正，當基板從預對位階台被發送到基板階台時，設置在基板上的對位標記可能落在調正示波器的視野之外。
亦可被納入考量的是，擴大調正示波器的視野，以使對位標記落入視野中。然而，即使若可檢測出對位標記，當基板的旋轉量為大的時，可能欠缺基板階台在旋轉方向上的衝程(stroke)。在此情況下，基板必須從基板階台被分離並再次被發送到基板階台，進而產生用於轉移基板的時間。
為了應付這樣的問題，日本專利公開第63-104349號提出了一種在檢測出缺口之後檢測切割道的技術，從該檢測的結果獲得相對於缺口之晶片的平均晶格中的θ誤差，並基於θ誤差而在預對位階台上使基板旋轉(校正θ位置)。然而，要被檢測的切割道的位置會依據晶片的形狀或佈置而改變。因此，用於檢測切割道之示波器的視野需要被擴大，以處理各式各樣的基板。
為了在寬視野中精確地檢測切割道，廣域照明(wide-area illumination)(例如，條狀照明)為必需的。在這種照明中，已知用於照射切割道的照明光具有等 於或大於基板上的檢測區域(視野)的面積。照射除了基板上的檢測區域以外的區域之照明光中的光被該區域所反射，由於進一步地被周圍結構等所反射而成為雜散光(stray light)，且因進入到示波器而造成檢測誤差。因此，日本專利公開第2006-41387號提出了一種技術，可減少由這種雜散光所造成的檢測誤差的影響。
在日本專利公開第2006-41387號中所揭露的技術中，事先獲得(準備)代表性校正影像，用於捕捉物體上之不同於標記區域的非標記區域，其中，標記已被形成並移除雜散光。然而，實際上，雜散光的影響(出現)會因為基板的材料(反射率)或由階台所保持的基板之定向中的每一個差異而改變，使得不可能在事先所獲得的代表性校正影像中充分地降低雜散光的影響。藉由獲得對於每一批基板或對於每一個基板的校正影像，有可能降低雜散光的影響。然而，考量到獲得校正影像所需的時間，從生產量的觀點來看，這是不切實際的。
本發明提供一種測量方法，其有利於測量佈置在基板上的圖案區域之旋轉偏移量。
根據本發明的一態樣，提供一種測量方法，測量佈置在基板上的圖案區域相對於設置在基板的外邊緣之參考部分的旋轉偏移量，此測量方法包括：在旋轉基板的同時檢測參考部分的位置時，藉由捕捉基板上的包括目 標物體的目標區域，獲得第一影像；在基板保持靜止的狀態下，藉由捕捉目標物體，獲得第二影像；藉由以第一影像校正第二影像，獲得第三影像，第三影像指示第一影像與第二影像之間的差；以及基於第三影像，獲得目標物體的位置，並基於所獲得的目標物體的位置，獲得圖案區域相對於參考部分的旋轉偏移量。
從例示性實施例參照所附圖式的以下描述，本發明的更多態樣將變得清楚明瞭。
1‧‧‧曝光設備
102‧‧‧預對位階台
104‧‧‧輸送系統
106‧‧‧第一影像捕捉單元
108L‧‧‧第二影像捕捉單元
108R‧‧‧第二影像捕捉單元
110L‧‧‧照明單元
110R‧‧‧照明單元
112‧‧‧投影光學系統
114‧‧‧基板階台
116‧‧‧調正示波器
118‧‧‧控制單元
AM1‧‧‧對位標記
AM2‧‧‧對位標記
CH1‧‧‧晶片區域
CH2‧‧‧晶片區域
CH3‧‧‧晶片區域
CH4‧‧‧晶片區域
CH5‧‧‧晶片區域
CH6‧‧‧晶片區域
CH7‧‧‧晶片區域
CH8‧‧‧晶片區域
CH9‧‧‧晶片區域
CH10‧‧‧晶片區域
CH11‧‧‧晶片區域
CH12‧‧‧晶片區域
CLA‧‧‧影像
CRA‧‧‧影像
ER‧‧‧區域
DIFF‧‧‧偏移量
DR‧‧‧檢測區域
E1‧‧‧晶格
E2‧‧‧晶格
IL‧‧‧照明光
M‧‧‧光罩(雜散光)
Mq‧‧‧θ誤差
N‧‧‧缺口
PJ1‧‧‧波形
PJ2‧‧‧波形
W‧‧‧基板
WE‧‧‧外邊緣
WS‧‧‧區域
SL‧‧‧切割道
S302‧‧‧步驟
S304‧‧‧步驟
S306‧‧‧步驟
S308‧‧‧步驟
S310‧‧‧步驟
S312‧‧‧步驟
S314‧‧‧步驟
S316‧‧‧步驟
S318‧‧‧步驟
S320‧‧‧步驟
圖1為顯示根據本發明的態樣之曝光設備的佈置的示意圖。
圖2為顯示被裝載到圖1所示之曝光設備的基板的一範例的平面圖。
圖3為流程圖，用於說明圖1所示之曝光設備中的曝光處理。
圖4A到圖4C為顯示在圖3所示之流程圖的步驟S304、S306及S308中所分別獲得的影像的範例的視圖。
圖5為用於說明獲得相對於缺口之晶片區域的平均晶格中的θ誤差的方法的視圖。
圖6為用於說明作為廣域照明的一範例之條狀照明的視圖。
以下將參照所附圖式描述本發明的較佳實施例。注意，在所有圖式中，相同的標號表示相同的構件，且因此將不會給予重覆的描述。
(第一實施例)
圖1為顯示根據本發明的態樣之曝光設備1的佈置的示意圖。曝光設備1為微影設備，其經由光罩或標線片(原片)使基板曝光並形成圖案。曝光設備1包括預對位階台102、輸送基板W的輸送系統104、第一影像捕捉單元106、第二影像捕捉單元108R及108L、以及照明單元110R及110L。曝光設備1還包括照射光罩M的照明光學系統(未顯示)、將光罩M的圖案影像投影到基板W上的投影光學系統112、保持基板W的基板階台114、調正示波器116、以及控制單元118。
基板W經由輸送系統104而被裝載到設備中，且由預對位階台102所保持。預對位階台102具有保持及旋轉基板W的功能。由預對位階台102所保持的基板W的預對位在控制單元118的控制下被執行。
捕捉基板W的外邊緣WE的第一影像捕捉單元106以及捕捉基板上的區域WS的第二影像捕捉單元108R及108L被佈置在預對位階台102上方。第一影像捕捉單元106以及第二影像捕捉單元108R及108L包括影像感測器，例如，CMOS影像感測器及CCD影像感測 器。配置來照射第二影像捕捉單元108R及108L之各自的影像捕捉區域之照明單元110R及110L分別繞著第二影像捕捉單元108R及108L被佈置。在此實施例中，照明單元110R及110L實現廣域照明，例如，條狀照明。
如圖2所示，缺口N被設置在基板W的外邊緣WE，作為在旋轉方向上之基板W的位置參考之部分(參考部分)，且複數個晶片區域(圖案區域)CH1到CH12被二維地佈置在基板上。如上所述，在此實施例中，FOWLP中的重建基板等(其中，個別的晶片被佈置在基板上)被假定為基板W。注意，設置在基板W的外邊緣WE之參考部分不限於缺口N，而是可能為定向平面(orientation flat)。此外，基板W的外形在圖2中為圓形，但可能為矩形。
照明光學系統包括透鏡、鏡、光學積分器、相位板(phase plate)、繞射光學元件、光闌(stop)等，且以來自光源的光照射光罩M。應該被轉移到基板W上的圖案被形成在光罩M中。光罩M及基板W被佈置在相對於投影光學系統112之光學共軛位置。等倍率(equal-magnification)成像光學系統、放大成像光學系統及縮小成像光學系統中的任何光學系統可適用於投影光學系統112。例如，基板階台114包括夾持基板W的夾具，且可移動並同時保持基板W。調正示波器116檢測設置在由基板階台114所保持的基板W上的標記，例如，對位標記AM1及AM2。
控制單元118包括CPU、及記憶體等，且控制整個曝光設備1。控制單元118綜合地控制曝光設備1的各個單元，以控制曝光基板W的處理，亦即，將光罩M的圖案轉移到基板W上的處理。注意，曝光基板W的處理包括，例如，在預對位階台102上所執行的預對位。在預對位中，控制單元118作用為處理單元，其執行獲得相對於缺口N之晶片區域CH1到CH12的旋轉偏移量的處理，如同稍後將描述的。
在一般的預對位中，從藉由以第一影像捕捉單元116捕捉由預對位階台102所保持的基板W的外邊緣WE所獲得的影像檢測出缺口N的位置。接著，在基板W的位置相對於缺口N被校正之後，輸送系統104從預對位階台102將基板W發送到基板階台114。這使得其可能將設置在由基板階台114所保持的基板W上的對位標記AM1及AM2定位在調正示波器116的視野內，亦即，可能藉由調正示波器116檢測出對位標記AM1及AM2。
然而，若重建基板被使用來作為基板W，則缺口N與晶片區域CH1到CH12的平均晶格之間的θ位置具有θ誤差(旋轉偏移量)Mq，如圖2所示。因此，即使若基板W的位置相對於缺口N被校正，當基板W被從預對位階台102發送到基板階台114時，對位標記AM1及AM2可能落在調正示波器116的視野之外。注意，從基板上的晶片區域CH1到CH12的佈置，平均晶格為在晶片區域CH1到CH12之間被界定出來的平均線(切割道) SL。
在此情況下，例如，如同日本專利公開第63-104349號所揭露的，可獲得在相對於缺口N之晶片區域CH1到CH12的平均晶格中的θ誤差Mq，且可藉由基於θ誤差Mq旋轉在預對位階台上的基板W來校正θ位置。更確切地，如圖5所示，在檢測出缺口N之後，藉由使用第二影像捕捉單元108R及108L以及照明單元110R及110L，由第二影像捕捉單元108R獲得影像CRA以及由第二影像捕捉單元108L獲得影像CLA，切割道SL被捕捉。藉由於水平方向上在個別的影像CRA及CLA上執行整合投影(integration projection)來產生波形PJ2及PJ1，並從波形PJ2及PJ1獲得垂直方向上的偏移量DIFT，能夠獲得θ誤差Mq。
在此實施例中，照明單元110R及110L執行廣域照明，且更確切地，條狀照明，以在寬視野中精確地檢測出切割道SL。另一方面，在條狀照明中，用於照射切割道SL的照明光IL擴散超過基板上的檢測區域(第二影像捕捉單元108R的影像捕捉區域)DR，如圖6所示。照射除了基板上的檢測區域以外的區域ER之照明光IL中的光被由區域ER反射，由於被周圍結構等進一步反射而成為雜散光，並由於進入第二影像捕捉單元108R而造成檢測誤差。在此藉由以第二影像捕捉單元108R為例而作出說明。然而，檢測誤差亦在第二影像捕捉單元108L中類似地被造成。
為了應付這樣的問題，在此實施例中，曝光基板W的處理(曝光處理)被執行，同時抑制由這種雜散光所造成的檢測誤差的影響，如同下面將說明的。圖3為用於說明曝光設備1中的曝光處理的流程圖。關於在晶片區域CH1到CH12中之相對於缺口N的θ誤差Mq的測量之處理(測量方法)將特別在此詳細地說明。
在步驟S302中，在預對位階台102上檢測出設置在基板W的外邊緣WE之缺口N的位置。更確切地，第一影像捕捉單元106在旋轉預對位階台102(基板W由預對位階台102所保持)的同時捕捉基板W的外邊緣WE以獲得影像，且從此影像檢測出缺口N的位置。
在步驟S304中，並行於步驟S302(缺口N的位置的檢測)，獲得用於校正雜散光的第一影像。更確切地，在預對位階台102旋轉基板W的狀態下，在基板W藉由照明單元110R及110L而處於條狀照明的同時，藉由在第二影像捕捉單元108R及108L中連續地累積電，獲得如圖4A所示之第一影像。換言之，藉由在旋轉基板W的同時連續地捕捉基板上的目標區域，獲得一個第一影像。在此時，雜散光M不會跟隨基板W的旋轉，且因此，由第二影像捕捉單元108R及108L所捕捉(觀察)到的位置不會改變。影像藉由旋轉基板W而流動，且因此基板上的晶片區域CH1到CH12(其圖案)被捕捉來作為在旋轉基板W的同時連續地累積電的第二影像捕捉單元108R及108L中的平均雜訊(averaged noise)。 因此，由第二影像捕捉單元108R及108L在旋轉基板W的同時所捕捉的第一影像成為當中僅有雜散光M存在的影像，如圖4A所示。
如上所述，在步驟S302及S304中，在旋轉基板W的同時檢測出缺口N的位置時，藉由以第二影像捕捉單元108R及108L捕捉基板上的包括目標物體的目標區域、或在本實施例中的切割道SL，獲得第一影像。注意，當獲得第一影像時，基板W較佳地被旋轉至少一次，以平均除了雜散光之外的，例如，晶片區域CH1到CH12等的雜訊分量。
在步驟S306中，在檢測出缺口N之後，在基板W保持靜止的狀態下，藉由以第二影像捕捉單元108R及108L捕捉作為基板上的目標物體之切割道SL，獲得第二影像。在此，基板W未旋轉，且因此由第二影像捕捉單元108R及108L所獲得的第二影像成為其中雜散光M與切割道SL重疊的影像，如圖4B所示。
在步驟S308中，藉由以在步驟S304中所獲得之如圖4A所示的第一影像來校正在步驟S306中所獲得之如圖4B所示的第二影像，獲得如圖4C所示之第三影像，在第三影像中，雜散光M被從切割道SL移除。第三影像指示第一影像與第二影像之間的差，且藉由一般的影像處理而獲得，例如，藉由從第二影像減去第一影像或藉由將第二影像除以第一影像。藉由使用第三影像，減少雜散光M的影響以及精確地獲得切割道SL的位置變為可 能的。
在步驟S310中，基於在步驟S308中所獲得的第三影像(亦即，雜散光M被移除的第三影像)而獲得切割道SL的位置。更確切地，在圖4C所示的第三影像上於水平方向上執行整合投影，以產生波形，且從波形的波峰位置獲得切割道SL的位置，如同上面所說明的。然而，用於獲得切割道SL的位置之處理不限於整合投影，且可為型樣匹配(pattern matching)等。如同隨後將說明的，只要能夠在預對位階台上獲得晶片區域CH1到CH12相對於缺口N的旋轉偏移量，則處理不受限制。
在步驟S312中，從第二影像捕捉單元108R及108L的中心位置之間的偏移量、以及在步驟S310中所獲得的切割道SL的位置，獲得晶片區域CH1到CH12中之相對於缺口N的θ誤差(旋轉偏移量)Mq。
在步驟S314中，基於在步驟S312中所獲得的θ誤差Mq，基板W在預對位階台上被旋轉，以校正θ位置。在此，在步驟S312中所獲得的θ誤差Mq被判定為當基板W被從預對位階台102被轉移到基板階台114時之基板W的旋轉量(校正值)，且預對位階台102根據此旋轉量被旋轉。如上所述，基於在步驟S312中所獲得的θ誤差Mq，控制單元118作用為判定單元，其判定當基板W被轉移時之基板W的旋轉量。
在步驟S316中，輸送系統104從預對位階台102將θ位置已藉由旋轉預對位階台102而被校正的基板 W轉移到基板階台114。如上所述，在θ誤差Mq被減少的狀態下(亦即，基板W在步驟S314中被旋轉的狀態下)，輸送系統104將基板W從預對位階台102轉移到基板階台114。這使得其能夠將設置在由基板階台114所保持的基板W上之對位標記AM1及AM2定位在調正示波器116的視野中。
在步驟S318中，調正示波器116檢測出設置在由基板階台114所保持的基板W上之對位標記AM1及AM2，且基於此檢測結果，校正基板W相對於光罩M的位置(執行基板對位)。
在步驟S320中，光罩M的圖案影像經由投影光學系統112被投影到基板W上，曝光基板W。
如上所述，曝光設備1降低雜散光M的影響，這並非藉由使用用於移除雜散光M的代表性校正影像，而是藉由使用在旋轉基板W的同時檢測出缺口N的位置時藉由捕捉基板上的目標區域所獲得的第一影像。因此，可能充分地降低雜散光M的影響，即使是在雜散光M的影響會因為基板W的材料、或由預對位階台102所保持的基板W之定向中的每一個差異而改變的情況下。此外，由於用於移除雜散光M的第一影像係在檢測出缺口N的位置時被獲得，故既不需要用於獲得第一影像之特殊時間，也不會降低生產量。
在此實施例中，在步驟S306中由第二影像捕捉單元108R及108L所捕捉且由預對位階台102所保持 之基板上的目標物體為切割道SL。然而，本發明不限於此。基板上的目標物體可為設置在基板上的標記，例如，對位標記AM1及AM2，或是可為晶片區域CH1到CH12的晶格E1及E2(參見圖4C)，或是晶片區域CH1到CH12的某些圖案。
此外，在本實施例中，兩個第二影像捕捉單元108R及108L藉由夾著基板W的中心而被佈置。然而，當使用具有多個像素並能夠以高解析度捕捉(觀察)寬的視野的影像感測器時，可能僅有一個第二影像捕捉單元。
<第二實施例>
在第一實施例中，當獲得第一影像時(步驟S304)，在旋轉基板W的同時，藉由連續地捕捉基板上的目標區域，獲得一個第一影像。另一方面，在第二實施例中，在步驟S304中旋轉基板W時，獲得複數個第一影像。例如，在旋轉基板W的同時，藉由分別捕捉基板上的目標區域中的複數個不同區域，獲得複數個第一影像。注意，在基板上的目標區域中的複數個不同區域中的至少一區域較佳地包括作為基板上的目標物體的切割道SL。
在步驟S308中，藉由以在步驟S304中所獲得的複數個第一影像的每一個第一影像來校正在步驟S306中所獲得的第二影像，獲得複數個第三影像，其指示第二影像與複數個第一影像的每一個第一影像之間的 差。
在步驟S310中，獲得在步驟S308中所獲得的複數個第三影像的每一個第三影像的對比度，且基於具有最高對比度的第三影像，獲得切割道SL的位置。
如同第一實施例，其同樣能夠藉由充分地降低雜散光M的影響來精確地獲得切割道SL的位置，並防止生產量的減少。
<第三實施例>
在第二實施例中，當得到第三影像時(步驟S308)，對於在步驟S304中所得到的複數個第一影像中的每一個第一影像獲得指示與第二影像的差之第三影像。另一方面，在第三實施例中，在步驟S308中，在步驟S304中所獲得的複數個影像被平均以獲得平均影像(第一影像)，且藉由以平均影像校正在步驟S306中所獲得的第二影像，獲得指示平均影像與第二影像之間的差的影像作為第三影像。
如同第一實施例，其同樣能夠藉由充分地降低雜散光M的影響來精確地獲得切割道SL的位置，並防止生產量的減少。
<第四實施例>
曝光設備1係適用於，例如，製造像是裝置(半導體裝置、磁性儲存媒體、液晶顯示元件等)的物品。製造 方法包括使用曝光設備1在基板上形成圖案的步驟(亦即，使基板曝光)、以及處理其上已形成有圖案的基板的步驟(例如，使基板顯影)。製造方法亦可包括其它的已知步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑移除、切割、接合、及封裝等)。根據此實施例之製造物品的方法在物品的性能、品質、產量及製造成本中的至少一者上相較於傳統方法為優越的。
需注意的是，微影設備不限於曝光設備，而是亦包括，例如，壓印設備或描繪設備，壓印設備藉由使用模具而執行在基板上的壓印材料中形成圖案的壓印處理，描繪設備以帶電粒子束在基板上描繪出圖案。亦構成本發明的態樣的是測量設備，測量設備包括預對位階台102、第一影像捕捉單元106、第二影像捕捉單元108R及108L、以及控制單元118，且測量設備測量相對於缺口N之晶片區域CH1到CH12中的θ誤差。本發明亦同樣適用於重疊檢查設備(overlay inspection apparatus)等。
雖然已經參照例示性實施例描述了本發明，但應理解的是，本發明不限於所揭露的例示性實施例。以下申請專利範圍的範疇應被賦予最寬廣的解釋，以涵蓋所有這樣修改以及等效的結構和功能。

Claims (11)

  1. 一種測量方法，測量佈置在基板上的圖案區域相對於設置在該基板的外邊緣之參考部分的旋轉偏移量，該測量方法包括：在旋轉該基板的同時檢測該參考部分的位置時，藉由捕捉該基板上的包括目標物體的目標區域，獲得第一影像；在該基板保持靜止的狀態下，藉由捕捉該目標物體，獲得第二影像；藉由以該第一影像校正該第二影像，獲得第三影像，該第三影像指示該第一影像與該第二影像之間的差；以及基於該第三影像，獲得該目標物體的位置，並基於所獲得的該目標物體的該位置，獲得該等圖案區域相對於該參考部分的該旋轉偏移量。
  2. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，在獲得該第一影像中，在旋轉該基板的同時，藉由連續地捕捉該目標區域，獲得一個第一影像。
  3. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，在獲得該第一影像中，在旋轉該基板的同時，藉由分別地捕捉該目標區域中的複數個不同區域，獲得複數個第一影像；在獲得該第三影像中，藉由以該複數個第一影像的每一個第一影像校正該第二影像，獲得複數個第三影像，該複數個第三影像指示該第二影像與該複數個第一影像的每一個第一影像之間的差； 在獲得該旋轉偏移量中，獲得該複數個第三影像的每一個對比度，並基於具有最高的對比度之該第三影像，獲得該目標物體的該位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，在獲得該第一影像中，在旋轉該基板的同時，藉由分別地捕捉該目標區域中的複數個不同影像，獲得複數個影像，並且在獲得該第三影像中，該複數個影像被平均，以獲得平均影像作為該第一影像，且藉由以作為該第一影像的該平均影像校正該第二影像，獲得指示該第二影像與作為該第一影像的該平均影像之間的差的影像作為該第三影像。
  5. 如申請專利範圍第3項之測量方法，其中，在該複數個區域中的至少一個區域包括該目標物體。
  6. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，在獲得該第一影像中，該基板被旋轉至少一次。
  7. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，該目標物體包括被界定在各個圖案區域之間的切割道、設置在該基板上的標記、以及該等圖案區域中的某些圖案中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第1項之測量方法，其中，該參考部分包括該基板中的定向平面及缺口中的一者。
  9. 一種測量設備，其測量佈置在基板上的圖案區域相對於設置在該基板的外表面之參考部分的旋轉偏移量，該測量設備包括：階台，配置來保持及旋轉該基板； 第一影像捕捉單元，配置來捕捉該基板的該外邊緣；第二影像捕捉單元，配置來捕捉該基板上的區域；以及處理單元，配置來執行獲得該等圖案區域相對於該參考部分的該旋轉偏移量的處理，其中，該處理單元在該階台旋轉該基板的同時以該第一影像捕捉單元捕捉該基板的該外邊緣以檢測該參考部分的位置時，藉由以該第二影像捕捉單元捕捉該基板上的包括目標物體的目標區域，獲得第一影像；在該基板保持靜止的狀態下，藉由以該第二影像捕捉單元捕捉該目標物體，獲得第二影像；藉由以該第一影像校正該第二影像，獲得第三影像，該第三影像指示該第一影像與該第二影像之間的差；以及基於該第三影像，獲得該目標物體的位置，並基於所獲得的該目標物體的該位置，獲得該等圖案區域相對於該參考部分的該旋轉偏移量。
  10. 一種微影設備，其在基板上形成圖案，該微影設備包括：預對位階台，配置來保持及旋轉該基板；如申請專利範圍第9項所界定之測量設備，且該測量設備配置來測量佈置在該基板上的圖案區域相對於設置在該基板的外邊緣之參考部分的旋轉偏移量，該基板被佈置在該預對位階台上； 基板階台，配置來保持該基板；判定單元，基於由該測量設備所測量的該旋轉偏移量，配置來判定當該基板從該預對位階台被轉移到該基板階台時之該基板的旋轉量；以及輸送系統，在該基板根據由該判定單元所判定之該旋轉量而被旋轉的狀態下，配置來將該基板從該預對位階台轉移到該基板階台。
  11. 一種製造物品的方法，該方法包括：使用微影設備在基板上形成圖案；以及處理該圖案已被形成於其上的該基板，其中，該微影設備包括：預對位階台，配置來保持及旋轉該基板；測量設備，配置來測量佈置在該基板上的圖案區域相對於設置在該基板的外邊緣之參考部分的旋轉偏移量，該基板被佈置在該預對位階台上；基板階台，配置來保持該基板；判定單元，基於由該測量設備所測量的該旋轉偏移量，配置來判定當該基板從該預對位階台被轉移到該基板階台時之該基板的旋轉量；以及輸送系統，在該基板根據由該判定單元所判定之該旋轉量而被旋轉的狀態下，配置來將該基板從該預對位階台轉移到該基板階台，及其中，該測量設備包括：第一影像捕捉單元，配置來捕捉該基板的該外邊緣； 第二影像捕捉單元，配置來捕捉該基板上的區域；以及處理單元，配置來執行獲得該等圖案區域相對於該參考部分的該旋轉偏移量的處理，其中，該處理單元在該預對位階台旋轉該基板的同時以該第一影像捕捉單元捕捉該基板的該外邊緣以檢測該參考部分的位置時，藉由以該第二影像捕捉單元捕捉該基板上的包括目標物體的目標區域，獲得第一影像；在該基板保持靜止的狀態下，藉由以該第二影像捕捉單元捕捉該目標物體，獲得第二影像；藉由以該第一影像校正該第二影像，獲得第三影像，該第三影像指示該第一影像與該第二影像之間的差；以及基於該第三影像，獲得該目標物體的位置，並基於所獲得的該目標物體的該位置，獲得該等圖案區域相對於該參考部分的該旋轉偏移量。
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